【課題】ダイナミックレンジをより拡張することができるようにする。
【解決手段】
画素は、受光した光に応じた電荷を発生するフォトダイオードと、所定の容量を有し、フォトダイオードから転送されてくる電荷を蓄積するフローティングディフュージョンと、フローティングディフュージョンの容量に付加される付加容量と、フローティングディフュージョンと付加容量との接続を切り替える薄膜トランジスタとを備える。そして、付加容量および薄膜トランジスタは、フォトダイオードが形成されるシリコン基板から層間絶縁膜を介して配置される配線層中に形成される。本技術は、例えば、撮像装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】雑音が小さい積層型の固体撮像装置を実現できるようにする。
【解決手段】固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素１１と、列ごとに形成された垂直信号線１４１と、垂直信号線と接続された負荷部２３とを備えている。画素１１は、増幅トランジスタ１１３、アドレストランジスタ１１５、リセットトランジスタ１１７及び光電変換部１１１を有している。光電変換部１１１は、半導体基板の上に形成された光電変換膜と、光電変換膜の基板側の面に形成された画素電極及び光電変換膜の画素電極と反対側の面に形成された透明電極とを含む。リセットトランジスタ１１７は、ソースが画素電極と接続され、ドレインが増幅トランジスタ１１３のドレインと共に電源線と接続され、負荷部２３は、負性抵抗２３Ｂを含む。 （もっと読む）

【課題】信号遷移速度の低下防止と、クロストーク抑制が両立された固体撮像装置と、その駆動方法を提供する。
【解決手段】入射された光を光電変換して、信号電荷を蓄積させる複数の光電変換部と、前記各光電変換部に蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョン領域に読み出す為の転送信号が入力される複数の転送信号線と、複数の転送信号線にそれぞれ所望の信号を入力する駆動回路と、転送信号線の駆動回路が接続される側とは反対側に接続され、転送信号線のうち所望の転送信号線に転送信号が入力されるタイミングよりも前から、所望の転送信号に隣接する転送信号線を一定電圧に固定させるための制御信号が入力される終端回路とを備えた固体撮像装置である。 （もっと読む）

【課題】信号品質の劣化を低減すると共にチップ面積の増大を抑制し、かつ、消費電流の増大を抑制する。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、画素を構成する回路要素が配置された第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されている固体撮像装置であって、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の画素に分類された複数の画素を有し、当該複数の画素のそれぞれは、前記第１の基板に配置された光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した信号を増幅して増幅信号を出力する増幅回路と、前記第２の基板に配置され、前記増幅回路から出力された前記増幅信号を蓄積する信号蓄積回路と、を有し、前記第１〜第ｎの画素の前記増幅回路に排他的に駆動電流を供給する制御を行う制御部を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に配置された光検出器のバイアス条件が改良された検出行列を備える電磁放射検出装置およびこの製造方法を提供する。
【解決手段】検出装置は、第１の導電型の半導体基板（１）を備えている。第１の組織軸に沿って組織化されたフォトダイオード行列が基板（１）上に形成される。各フォトダイオードが基板（１）に少なくとも部分的に形成される。周辺バイアスリングがフォトダイオード行列（１）の周辺に形成される。バイアスリングはバイアス電圧生成器（３）に接続される。導電性コンタクトが基板に接続され、かつ、第１の組織軸上の２つのフォトダイオード間に配置される。コンタクトを２つのフォトダイオードの各々から分離する距離は、第１の組織軸に沿って２つの隣接するフォトダイオードを分離する距離に等しい。コンタクトはバイアス電圧生成器に接続される。 （もっと読む）

【課題】消費電力の少ない光電変換装置、及びその動作方法を提供する。
【解決手段】電荷蓄積容量部、フォトダイオード、及び複数のトランジスタを含む光電変換装置であり、電荷蓄積容量部をリセット後に充電し、フォトダイオードまたはフォトダイオードに接続されたカレントミラー回路を介して電荷蓄積容量部を一定期間放電させた後に電荷蓄積容量部の電位を読み取る。電力は充電時のみに消費するため、低消費電力化を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】厚膜アモルファスシリコンと上部電極との間に、低抵抗のｎ型アモルファスシリコン膜を挿入して接続面に形成されるダイオードにより、光伝導による光電流を増幅して出力する。
【解決手段】金属膜から成る下部電極と、前記下部電極上に設けられるアモルファスシリコン膜と、前記アモルファスシリコン膜上に設けられるｎ型アモルファスシリコン膜と、前記ｎ型アモルファスシリコン膜上に設けられ、第１基準電圧が入力される上部電極と、前記下部電極と第２基準電圧との間に接続される容量素子と、オン状態の時に前記下部電極に第１電源電圧を入力し、オフ状態の時に前記下部電極をフローティング状態とするスイッチ回路と、前記スイッチ回路がオン状態において、前記アモルファスシリコン膜に所定期間光が照射された後の前記下部電極の電圧変化を検出する検出回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】画素領域中央部での電圧降下を抑制することができる固体撮像装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の画素部１００が二次元配置されてなる画素領域６１を有する固体撮像装置１であって、半導体基板５と、半導体基板５上に形成された層間絶縁膜２０〜２２と、層間絶縁膜２０〜２２上に形成された下部電極４０と、下部電極４０上に形成された光電変換膜４１と、光電変換膜４１上に形成された透光性を有する上部電極４２と、を有し、上部電極４２は画素領域６１全体に拡がっており、上部電極４２における少なくとも一部には、隣接する画素部１００の間を通り、上部電極４２を構成する材料よりも電気抵抗率が小さい材料からなる金属配線４５が積層されていることを特徴とする固体撮像装置１とする。 （もっと読む）

【課題】装置構成の複雑化を招くことなく、測距用撮像素子から出力される画像信号に含まれている暗電流ノイズを除去できるようにした測距装置を提供する。
【解決手段】
３つの撮像素子のうちの中央に位置する暗電流検出用撮像素子２２ｂに光が入射しないように、該暗電流検出用撮像素子２２ｂの周囲を覆って遮光する遮光部材２５と、両側の測距用撮像素子２２ａ，２２ｃの撮像領域２２ａ１，２２ｃ１から出力される画像信号、及び暗電流検出用撮像素子２２ｂの撮像領域２２ｂ１から出力される暗電流ノイズ画像信号を取り込み、取り込んだ各画像信号から暗電流ノイズ画像信号を減算して、各画像信号に含まれている暗電流ノイズを除去する暗電流ノイズ除去部２７を有し、測距演算部２８は、暗電流ノイズ除去部２７で暗電流ノイズが除去された画像信号に基づいて被写体までの距離を算出する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも撮像速度を向上させることができる画素周辺記録型撮像素子および撮像装置を提供する。
【解決手段】画素周辺記録型撮像素子は、ドライバの出力電極７１および７２からそれぞれ露光パルスφＰＤ１およびφＰＤ２を入力する入力電極５１および５２と、ドライバの出力電極７３〜７６からそれぞれ蓄積転送パルスφＭ１〜φＭ４を入力する入力電極５３〜５６と、ドライバの出力電極７７および７８からそれぞれ垂直転送パルスφＶ１およびφＶ２を入力する入力電極５７および５８と、画素の垂直方向列ごとに入力電極５３〜５６と所定電極とを電気的に接続するタングステン配線８０とを含み、蓄積転送パルスφＭ１〜φＭ４がそれぞれ供給されるＣＣＤメモリの転送電極ごとに複数本のタングステン配線８０が接続され、入力電極５１〜５８は隣接する入力電極と電気的に切断された構成を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いた半導体光検出素子であって、近赤外を含む波長帯域に実用上十分な感度特性を有する半導体光検出素子を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子１Ａは、半導体層２０と、半導体層２０上に成長し且つ半導体層２０よりも低い不純物濃度を有するエピタキシャル半導体層２１と、を有するシリコン基板２と、エピタキシャル半導体層２１の表面上に設けられた導体（フォトゲート電極ＰＧ、第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２、コンタクト電極１１、及びパッド電極１３）と、を備えている。エピタキシャル半導体層２１には、光感応領域（フォトゲート電極ＰＧ直下の領域）が形成されており、半導体層２０における少なくとも光感応領域に対向する表面２ＢＫには、不規則な凹凸２２が形成されている。不規則な凹凸２２は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型における光電変換部の面積効率の向上、外乱ノイズ低減を図った固体撮像装置及びその製造方法、並びにかかる固体撮像装置を備えたカメラなどに適用される電子機器を提供するものである。
【解決手段】固体撮像装置は、光電変換部ＰＤと基板表面側に形成された画素トランジスタＴｒとからなり、基板裏面側を前記光電変換部の受光面３５とした複数の画素を有する。さらに、基板表面側に在って光電変換部ＰＤ上に重ねて配置された受動素子あるいは能動素子となる素子３９を有する。 （もっと読む）

【課題】光照射量が少ない場合でも出力リニアリティの劣化及び固定パターンノイズの増加を抑えることが可能な固体撮像装置及びカメラシステムを提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、単位セル１００と、列信号線１１１と、第１の電流源１１２と、電源供給部とを備え、電源供給部は、リセットトランジスタ１０３及び読み出しトランジスタ１０４に共通に接続された画素電源線１２５を有し、ＦＤ部１０６をリセットする時に、単位セル１００から列信号線１１１に信号電圧を出力する時の電源電位よりも低い電源電位を、画素電源線１２５を介して供給する。 （もっと読む）

【課題】改善された雑音特性を備え、かつ、例えば、イメージセンサ又は微小電極アレイのようなセンサの電荷検出器回路とともに動作する信号読み出し回路及び方法を提供する。
【解決手段】電流源６４０と列信号線６２０とを備えた少なくとも１つの信号読み出し回路６０５を備えた半導体電荷センサ６００を開示する。このセンサは、また、信号読み出し回路に動作可能に結合された少なくとも１つの電荷検出器回路６１０を備える。信号読み出し回路は、入力を少なくとも１つの列信号線と少なくとも１つの電流源とに動作可能に接続することのできる少なくとも１つの開ループ増幅器６５０と、開ループ増幅器の出力６５４に動作可能に接続することができかつ負帰還ループを選択的に形成するように動作する少なくとも１つの帰還線６３０とをさらに備え、開ループ増幅器は反転電圧利得を有する。 （もっと読む）

【課題】画像センサは、規則的なアレイに互いに隣接して配置された複数のセンサ素子を有している。画像センサのセンサ素子のアレイ上に画像が投射されると、各センサ素子は、該投射された画像の１つの画素、即ちピクセルを表す電気信号を出力する。機能を同一のままに留めながら、センサマトリクス上に延在する接続トラックの数が減少されるような能動画像センサを提供する。
【解決手段】アレイに配置された多数の能動センサ素子１４と、電源及び信号を伝達するために上記アレイの表面上に延在する多数の導電性ラインとを有するような画像ピックアップが記載されている。各センサ素子は光センサ２０と増幅器３０とを有している。 （もっと読む）

【課題】集積化が容易で検出感度の向上が可能な赤外線２次元イメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】強誘電体膜から成る赤外線検出容量ＣＦのうち、容量部分１００は、引出配線１０２および１０４により支持されて、溝部３３０の両側のＳｉ基板に対して保持される。下部電極は、引出配線１０２と結合し、上部電極は、引出配線１０４と結合する。容量部分１００の平面形状は、長方形形状から、対角線方向に互いに対向する１０６の部分および１０８の部分を除いた形状となっている。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置にて、読出スピード、高Ｓ／Ｎ、高い階調性、ローコストに優れた装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子とスイッチ素子を含む画素が２次元の行列状に配され、行単位で複数の画素から列単位に設けられた複数の信号配線を通って電気信号を並列信号として出力する光電変換回路部と、スイッチ素子を制御する駆動用回路部と、信号配線毎にアナログ演算増幅器と転送スイッチと容量と読み出し用スイッチとを有し、並列信号を直列信号に変換して読み出す読み出し用回路部とを有し、所定行の読み出しを行っている時間内に所定行と異なる行のスイッチ素子を導通させて並列信号を増幅させ、読み出し用回路部は、アナログ演算増幅器と転送スイッチの間にローパルフィルタを有し、増幅された電気信号はローパスフィルタを通過して転送スイッチでサンプリングされて容量に保持されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 積分露光を行う積算段数を無段階に切り替え得る固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 固体撮像装置１では、オーバーフローゲート（ＯＦＧ）５が所定の電気抵抗値を有し、電圧印加部１６_１〜１６_５が接続部１７_１〜１７_５にてＯＦＧ５と電気的に接続されている。そのため、電圧印加部１６_１〜１６_５によって接続部１７_１〜１７_５に印加される電圧値Ｖ１〜Ｖ５を調整することで、ＯＦＧ５の前段側部分に生じる電圧値を高くし、ＯＦＧ５の後段側部分に生じる電圧値を低くすることができる。その結果、ＯＦＧ５の前段側部分でバリアレベル（ポテンシャル）が低くなり、ＯＦＧ５の後段側部分でバリアレベルが高くなるので、光電変換部２の前段側領域で発生した電荷の全てをオーバーフロードレイン（ＯＦＤ）４に流出させて、光電変換部２の後段側領域で発生した電荷のみをＴＤＩ転送することができる。 （もっと読む）