【課題】温度条件に拘わらずＶライン傷を目立たなくすることができる技術を提供する。
【解決手段】撮像センサのＶＣＣＤにおける欠陥に起因して画像において発生するＶライン傷について、撮像装置の起動初期状態において発生するＶライン傷の位置（初期傷位置）を傷アドレスメモリに予め記憶しておく。そして、撮像センサに係る温度に影響を及ぼす因子（ここでは、撮像センサの基板温度、起動開始時からの時間経過、連写モードの設定）すなわち撮像装置の状態に応じて、初期傷位置の情報を用いてＶライン傷を補正するか、またはＶライン傷の位置を検出してＶライン傷を補正する。 （もっと読む）

【課題】 イメージセンサの駆動信号の送信時に生じる不要輻射を低減することができるイメージセンサ駆動装置を提供する。
【解決手段】 イメージセンサ駆動装置１０’においては、Ｈドライバ２２がレンズ・ＣＣＤユニット１２’に配置される。したがって、ＩＣチップ１４’からレンズ・ＣＣＤユニット１２’への信号線がタイミング信号Ｈ０を送信する１本のみとすることにより、Ｈパルス及びＲパルスの送信用の信号線の長さを短くできるため、複数の信号線を設ける場合に比して不要輻射レベルを低減することができる。また、ブランキング期間に送信されるタイミング信号Ｈ０やＨパルス、Ｒパルスにスペクトラム拡散処理を施すことにより不要輻射を低減できる。 （もっと読む）

【課題】 欠陥画素検出のための回路規模を小型化しながらも、固体撮像素子による撮像画像を高画質化する。
【解決手段】 差分比較回路４２３は、注目画素とその同色周辺画素とのすべての信号レベル差がしきい値を超えた場合に、差分検出変数ＤＥＦＤＥＴを「３」に設定する。また、隣接異色画素とその同色周辺画素との信号レベル差を算出し、信号レベル差がしきい値を超えた隣接異色画素の数が多いほど、緩和変数ＯＣＣＮＴを高く設定する。欠陥状態判定回路４２４は、差分検出変数ＤＥＦＤＥＴから緩和変数ＯＣＣＮＴを減じた値を欠陥状態変数ＤＥＴとする。補正回路１４３は、欠陥状態変数ＤＥＴの値が高いほど、同色周辺画素に対する注目画素の出力信号の合成比が小さくなるように、補正フィルタ４３１ａ〜４３１ｄのいずれかを選択して注目画素の出力信号を補正する。 （もっと読む）

【課題】動画撮影時においてＶライン傷の補正を適切に行える撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置では、撮像素子(ＣＣＤ)の垂直ＣＣＤ上の欠陥に起因して画像上で生じるライン性の傷(Ｖライン傷)に対して、傷レベルに相当するオフセット成分を検出して補正を行う方法と、Ｖライン傷の周辺画素データから画素補間によって補正を行う方法との２種類の補正方法から選択できるようになっている。ただし、動画撮影時には、オフセット成分の検出が不要で、比較的迅速な処理が可能な画素補間による補正方法を選択する。その結果、動画撮影時においてＶライン傷の補正を適切に行えることとなる。 （もっと読む）

【課題】入射光によってシリコン基板の表面で発生した電子が、基板表面に沿って横方向に拡散し、読み出しゲート部またはチャネルストップ部を通過して転送チャネル領域へ漏れ込むことによって発生する成分がスミア成分として支配的となる。
【解決手段】ｐｎ接合によるフォトダイオードの基板表面側に正電荷蓄積領域２２を形成してなる埋込み型フォトダイオード構造のＣＣＤ固体撮像素子において、センサ表面の正電荷蓄積領域２２内にゲッタリングサイトであるゲッター領域２３を形成し、入射光によってエピタキシャル基板１０の表面で発生した電子を当該ゲッター領域２３によって捕獲することで、転送チャネル領域３１に漏れ込むスミア成分を抑制する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、誤補正を防止し適切な欠陥補正を行うことが可能な撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＣＣＤ１６を有する撮像部と、撮像部から出力された画像信号を処理する信号処理部２と、信号処理部２で処理された画像信号に対して画像処理を行う画像処理部３と、ＣＣＤ１６の垂直転送ライン上の欠陥箇所から延びるライン性の不良であるＶライン傷について、その位置とレベルとを所定の検出基準に基づいて検出するＶライン傷検出部５２と、Ｖライン傷検出部による検出結果が、真のＶライン傷を示しているかどうかの確度を、所定の判定基準に基づいて判定する確度判定部５５と、確度判定部５５の判定に基づいて補正条件を選択し、Ｖライン傷の補正を行うＶライン傷補正部５３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 さらなる挿入部の細径化を実現させることが可能な電子内視鏡を提供する。
【解決手段】 電子内視鏡１０の撮像装置１７は、表面２３ｂの、挿入部１２後端側の辺縁部２３ｄに、端子２９が集中配置されたＣＣＤ２３のベアチップと、ＣＣＤ２３に取り付けられ、ＣＣＤ２３と略同等の厚さをもち、挿入部１２先端側の辺縁部２７ｂに、端子２９にワイヤボンディングにより接続される端子３０が集中配置された回路基板２７と、ＣＣＤ２３の１／４以上の横幅ｄ１を有し、ＣＣＤ２３の裏面２３ｃから回路基板２７の裏面２７ａに渡って、その片側に寄せて配置され、ＣＣＤ２３と回路基板２７とを電気的に接続する導電板２８とを備える。導電板２８によってＣＣＤ２３および回路基板２７の裏面２３ｃ、２７ａに形成された切欠き部４１に、その外周１６ａの一部が入り込むように鉗子チャンネル１６を配置する。 （もっと読む）

マイクロレンズアレイは第一及び第二の組の球形状マイクロレンズを有する。第二の組の球形状マイクロレンズは、全マイクロレンズアレイにわたって最小の間隙を有するように、第一の組の各マイクロレンズの間の領域内に設けられる。半導体ベースの画像装置は、各々光センサーを有する内蔵された画素セルを備えた画素アレイと、上記した球形状のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイとを含む。 （もっと読む）

【課題】種々の条件下でＶライン傷を目立たなくすることができる技術を提供する。
【解決手段】撮像センサの垂直ＣＣＤにおける欠陥に起因して撮影画像上にライン性の高輝度の傷（Ｖライン傷）が発生することがある。このような問題に対して、本撮影前に、撮影者がコマ送り・ズームスイッチを操作することで、Ｖライン傷を補正するオフセットによる傷補正方法および画素補間による傷補正方法を含む複数種類の傷補正方法のうち一のＶライン傷の傷補正方法を指定する。そうすると、本撮影時には、設定された一のＶライン傷の補正方法が選択的に実行される。 （もっと読む）

【課題】 従来の輝度シェーディング補正を行なう場合、画像周辺部にゲインをかけて輝度上げるといった補正を行なうため、常に画像中心部に比較して画像周辺部のノイズが増加するという問題がある。
【解決手段】
撮影画像の各画素もしくは画像を複数に分割した各領域の色により輝度シェーディング補正を実施する度合いを変更もしくは補正の実施/非実施を判定する。 （もっと読む）

【課題】 撮像素子の読み出し速度が速くなるような場合にあっても、消費電力の増加を抑え、回路規模増大を防止できる映像信号処理回路を提供すること。
【解決手段】 異なった速度で映像信号を出力する撮像素子２００と、撮像素子２００から出力された映像信号の速度変換を行ない一定の出力速度の映像信号を出力する速度変換処理部２０４と、速度変換処理部２０４によって出力された映像信号の画像処理を行なう信号処理回路ユニット２２０と、撮像素子２００に映像信号を出力する出力速度を伝えるとともに、速度変換処理部２０４に前記出力速度を伝える駆動回路２０２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像素子チップに対して基準信号発生回路を設けることなく、列毎の利得ばらつきを補正する補正信号を容易に取得できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 画素が２次元に配列された画素アレイ110 と、該画素アレイの各画素信号を読み出すための水平走査回路101-ａ，101-ｂと、垂直走査回路103 と、行選択線と垂直信号線と列選択スイッチと水平信号線とからなる信号読み出し部とを有する固体撮像装置において、均一光照射下で、同一列に配置された第１の画素と、該第１の画素とは異なる第２の画素とを選択するように前記水平及び垂直走査回路を制御する制御部111 と、前記第１の画素からの出力と前記第２の画素からの出力との出力差に基づき、列毎に利得補正をするための補正信号を生成する演算部112-ａ，112-ｂとを設けて構成する。 （もっと読む）

【課題】ハイブリッド型の固体撮像素子において、光電変換膜で発生される信号電荷量や光電変換素子に蓄積される信号電荷量の増大に対応することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子１００は、半導体基板１上のＸ方向とこれに直交するＹ方向に配列される複数の光電変換素子２，４及び光電変換膜で発生する信号電荷を蓄積する信号電荷蓄積部３と、半導体基板１に形成され、複数の光電変換素子２，４及び信号電荷蓄積部３にそれぞれ蓄積される信号電荷を読み出してＹ方向に転送する垂直転送路６と、垂直転送路６から転送されてきた信号電荷をＸ方向に転送する水平転送路７と、水平転送路７から転送されてきた信号電荷に応じた色信号を出力する出力部８とを備え、垂直転送路６は、Ｘ方向に隣接する複数の光電変換素子２，４の間及び信号電荷蓄積部３の間に２つづつ形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、補正において利用する範囲内にＶライン傷と画素欠陥とが併存する場合に補正が可能な撮像装置であって、過補正を回避し適切な欠陥補正を行うことができる撮像装置を提供する。
【解決手段】ＣＣＤと、信号処理部２と、画像処理部３と、Ｖライン傷の傷位置を記憶するＶライン傷記憶部５４と、ＣＣＤの点欠陥について、その欠陥位置を記憶する点欠陥記憶部５５と、Ｖライン傷記憶部５５に記憶した傷位置に基づいてＶライン傷を補正するＶライン傷補正部５３と、点欠陥記憶部５５に記憶した欠陥位置に基づいて点欠陥を補正する点欠陥補正部５１とを備え、Ｖライン傷補正部５３及び点欠陥補正部５１は、補正において利用する範囲内にＶライン傷と点欠陥とが併存する場合、少なくとも一方の補正方法を併存しない場合の補正方法から変更する。 （もっと読む）

【課題】 高感度かつ低残像の固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 光電変換膜２１に光が入射すると、電子・正孔対が生成され、正孔は透明電極２２側へ移動し、電子は画素電極２０を経て蓄積ダイオード１３に蓄積される。このとき、結晶性の光電変換膜２１中には再結合中心やトラップ準位が無いため、光電変換により生じた電子が再結合中心やトラップ準位に吸収されることによる光電流の減少や、トラップ準位からのキャリア放出による残像の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】回路規模を増大させることなく、撮像素子の欠陥画素の誤判定を無くして、精度の高い欠陥判定を行うこと。
【解決手段】撮像素子２２により光電変換されて欠陥検出補正回路６０に入力される画像信号の中の欠陥検出対象画素の欠陥検出を欠陥検出部２により行った際に、前記欠陥検出対象画素信号とその周辺の画素信号が所定の条件を満たす画素信号パターンを有することが誤検出パターン検出部３により検出された場合、マルチプレクサ５は欠陥検出対象画素信号に代えて補正値生成部４により補正された画素信号を後段画像処理部２５に出力しない。それ故、回路規模を増大させることなく、撮像素子２２の欠陥画素の誤判定を無くして、精度の高い欠陥判定を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板に設けられた光電変換部で受光する光を増やすことができる積層型固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る積層型固体撮像装置は、第１の波長の光を検出する第１の光電変換部と第２の波長の光を検出する第２の光電変換部とが２次元状に配列された半導体基板と、該半導体基板の上に積層され、第３の波長の光を検出する光電変換膜とを備え、光電変換膜には画素毎に一定の間隔で配置された画素電極膜が接続され、第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部が、半導体基板に対して垂直な方向から見たときに、画素電極膜同士の間にそれぞれ配置されている。 （もっと読む）

この発明は光電変換された電荷をより高速に読み出すことができるカメラを提供することを課題とする。本発明のカメラ（１ａ）は、被測定光５が照射される第１画素群と実質的に被測定光が照射されない第２画素群とのいずれかに属し、相互に交わる第１の方向および第２の方向に２次元配列されている画素と、第１の方向に転送される電荷を画素から受け取って蓄積し、当該蓄積した電荷を第２の方向に転送する水平転送レジスタ（１１）と、画素および水平転送レジスタ（１１）に対して電荷を転送するための転送信号を出力する同期回路（２０）とを含み、同期回路（２０）は、第２画素群に属する画素が光電変換した電荷が第１の方向に重ね合わされて水平転送レジスタ（１１）に蓄積された後に第２の方向に転送され、第１画素群に属する画素が光電変換した電荷が第１の方向に一段毎に蓄積されて第２の方向に転送されるように転送信号を出力することを特徴とする。
（もっと読む）

【課題】良好な密着性を保持しつつ、スミア特性の向上を図る。
【解決手段】フォトダイオード部と、前記フォトダイオード部からの電荷信号を転送する電荷転送部とを具備してなる固体撮像装置において、前記フォトダイオード部に開口を有し、前記電荷転送部を覆う遮光膜１３および下地密着層遮光膜はともに高融点金属またはそのシリサイドであり、下地密着層を構成する高融点金属あるいはそのシリサイドはスパッタリング法により形成しているため、チタンナイトライド層またはチタン層からなる下地密着層１２を介して形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カラムアンプ方式のＣ−ＭＯＳイメージセンサにおいて、カラムアンプの特性に温度ばらつきがあっても、確実に縦筋ノイズを除去する。
【解決手段】Ｃ−ＭＯＳイメージセンサの縦筋ノイズの除去処理部５０は、イメージセンサから出力された画像信号のカラム毎の誤差値を格納する誤差値格納メモリ３２と、温度センサ５２と、誤差値を補正する補正部５３２〜５６と、イメージセンサから出力された画像信号から補正部５３〜５６により補正された誤差値を減算する減算回路５７とを備える。誤差値格納メモリ３２のカラム毎の誤差値は、イメージセンサを遮光して得られた画素信号の平均値を算出し、画素信号からその平均値を減算し、減算して得られた値をカラム毎に累積したものである。補正部５３〜５６は、カラム位置に対応した誤差値を誤差値格納メモリ３２から読み出し、温度センサ５２により検出した温度に応じた補正ゲインＧを読み出した誤差値に乗算して、誤差値を補正する。 （もっと読む）