【課題】スミア信号を低減させることができるようにする。
【解決手段】固体撮像素子は入射した光を光電変換し、得られた信号電荷を、画素を構成する受光部に蓄積する。信号電荷の読み出し時には、転送電極に読み出し電圧が印加され、受光部から電荷転送チャネル領域への信号電荷の読み出しが行なわれる。電荷転送チャネル領域には、転送電極に印加される電圧に応じて、実際に信号電荷が蓄積されるパケットと、信号電荷が蓄積されない空パケットとが形成され、受光部から読み出された信号電荷は、パケットに蓄積される。このとき、固体撮像素子は、電荷転送チャネル領域の空パケットの領域の一部のポテンシャルを浅くし、空パケットに不要電荷が蓄積されにくくなるようにする。本技術は、撮像装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＤＩ動作によって撮像を行う際に、撮像に要する時間を短くすることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１Ａは、Ｍ×Ｎ個（Ｍ，Ｎは２以上の整数）の画素がＭ行Ｎ列に２次元配列されて成る撮像面１２、撮像面１２に対して列方向の一端側に各列毎に配置されたＮ個の信号読出回路２０、及び、撮像面に対して列方向の他端側に各列毎に配置されたＮ個の信号読出回路３０を有するＣＣＤ型の固体撮像素子１０と、信号読出回路２０から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換したのちシリアル信号として順次出力する半導体素子５０と、信号読出回路３０から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換したのちシリアル信号として順次出力する半導体素子６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】駆動信号数を増加させずに、水平間引きと垂直間引きの両方を容易に実現することができるようにする。
【解決手段】撮像部には、光電変換素子が行列状に配列される。垂直電荷転送部は、撮像部に蓄積された電荷を垂直方向に転送する。水平電荷転送部は、垂直電荷転送部により転送された電荷を水平方向に転送する。ＨＯＤ部は、垂直電荷転送部から水平電荷転送部への電荷の転送を制御するＶＯＧ電極と同一の電圧が印加されるＶＯＧ電極を介して、水平電荷転送部の不要な電荷を掃き捨てる。本技術は、例えば、イメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】撮像領域の任意の一部を切り出して転送することにより、高速で撮像できるようにする。
【解決手段】垂直転送制御部２２２は、読出ゲートＲＯＧに対して、複数の画素からなる撮像素子がＱ行×Ｒ列のブロックに分割される場合、任意のｑ行で、かつ任意のｒ列のブロックの撮像素子により撮像された画像データのみ出力するとき、ｑ行目の全てのブロックに属する撮像素子により撮像された画像データを、Ｖ−ＣＣＤに垂直方向に転送するように転送クロックを発生する。水平転送制御部２２１は、Ｖ−ＣＣＤにより転送されてきたｑ行目の全てのブロックに属する撮像素子により撮像された画像データのうち、ｒ列目のブロックの撮像素子により撮像された画像データのみをＨ−ＣＣＤで転送するように転送クロックを発生する。本技術は、撮像装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】大光量時に発生する余剰電荷を確実に排出することができるようにする。
【解決手段】複数の受光部は、水平垂直方向に２次元的に配列され、入射光を電荷に変換する。垂直転送レジスタは、垂直列の受光部に対応して配置され、垂直方向に電荷を転送する。水平転送レジスタは、垂直転送レジスタから転送された電荷を水平方向に転送する。余剰電荷除去部は、垂直転送レジスタと水平転送レジスタの間に、所定の電極に印加する電圧を変化させることにより形成される、ドレイン領域に接続された経路として配置される。本技術は、例えば、固体撮像装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】撮影動作中に暗電流を簡略な構成で高精度に検出する。
【解決手段】ＣＣＤ１５における第１画面の読み出しにおいて、フォトダイオード３０の電荷を垂直ＣＣＤ３１に転送し（図３（ａ））、黒丸で示される上部垂直オプティカルブラック領域の電荷信号を残して垂直転送を停止する（図３（ｃ））。第２画面の撮影を行い、フォトダイオード３０の電荷を垂直ＣＣＤ３１に転送することにより、黒丸で示される下部垂直オプティカルブラック領域の電荷信号を、第１画面の読み出しにおいて残され、斜線が施された丸で示される上部垂直オプティカルブラック領域の電荷信号に加算する（図３（ｄ））。加算された電荷信号からＣＣＤ１５の暗電流を検出する。 （もっと読む）

【課題】メタルストラップ型ＣＣＤ画像センサを提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態は、（ＶＣＣＤを通る光電荷の流れを制御するゲート導電体の上に配置された）水平ストラッピングラインと垂直ストラッピングラインとの両方の使用によってＣＣＤ画像センサにおける内部抵抗を減少させ、これら水平ストラッピングラインと垂直ストラッピングラインとは両方とも、電気的制御信号を伝えるバスラインに選択的に接続されている。選択的な電気的接続は、特定のバイアスグループに対する総抵抗が、画像センサ画素アレイのサイズから実質的に独立することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】製造工程を増加させることなく、スミアシェーディングを抑制し、画質を向上させる。
【解決手段】画素領域にて行列状に配列される複数の電荷蓄積部３と、半導体基板１１に設けられる電荷転送部１３、および半導体基板１１上に設けられる転送電極１４を有する複数の垂直転送部と、電荷蓄積部３とこの電荷蓄積部３により生成された信号電荷が読み出される垂直転送部との間に設けられる読み出し部６と、電荷蓄積部３の読み出し部６が設けられる側と反対側にて電荷蓄積部３と垂直転送部との間に設けられるチャネルストップ部７と、半導体基板１１の入射光が入射する側に設けられ、電荷蓄積部３に対応する位置に開口部を有する遮光膜１６と、を備え、電荷蓄積部３、電荷転送部１３、読み出し部６、およびチャネルストップ部７は、水平方向について、画素領域の中央部に対して画素領域の周辺部では、開口部に対して外側へずれた位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】１パケットを構成する水平画素数が小さくても同色転送が可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の光電変換部と、複数の垂直転送部２と、転送制御部６と、水平転送部３（第１水平転送部４、第２水平転送部５）とを備え、複数の垂直転送部２のそれぞれは、光電変換部の各列に対応して設けられ、動画モード（画素加算モード）においては、同色の信号電荷が、水平転送部３による１水平転送期間あたりの転送行数ｎと同じ行数分、垂直方向に連続させるように、垂直ブランキング期間内に、垂直転送部２内で、光電変換部から読み出された信号電荷の加算及び並び替えを行い、転送制御部６は、第１水平転送部４及び第２水平転送部５のそれぞれが、同色の信号電荷を転送するように、垂直転送部２から第１水平転送部４及び第２水平転送部５へ信号電荷を転送する。 （もっと読む）

【課題】各画素の受光部に対して入射光を集光するための導波路を備える固体撮像素子において、集光特性を向上させ、画素微細化への対応を容易とする。
【解決手段】本開示の固体撮像素子は、半導体基板上の撮像領域に配列されて受光部を有する複数の画素と、前記半導体基板の入射光が入射する側にて、複数の画素の配列において互いに隣接する画素の受光部間に設けられる遮光層と、遮光層を入射光が入射する側から覆い、受光部間の境界に沿って設けられる下段クラッドと、下段クラッド上に設けられる上段クラッドと、下段クラッドおよび上段クラッドにより形成される開口部を埋めるように設けられ、下段クラッドおよび上段クラッドを構成する材料よりも高い屈折率の材料からなるコア層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造容易化を図りつつ、画像品質の向上を図ることができる撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の受光素子１ａを有する固体撮像素子１を備えた撮像装置であって、複数の受光素子１ａおよび電圧発生回路１０が形成された固体撮像素子用基板（第１半導体基板）１００と、電圧発生回路１０からの入力電圧を増幅して固体撮像素子用基板１００に印加する基板電圧バッファ回路１１の一部を構成するトランジスタＱ１６が形成された固体撮像素子用基板１００とは別体の外部出力用デバイス基板（第２半導体基板）２００とを備える。 （もっと読む）

【課題】飽和特性を維持しつつ、スミアを抑制することが可能な固体撮像装置及び電子カメラを提供することを目的とする。
【解決手段】行列状に配置され、信号電荷を生成する複数の光電変換部１１０と、複数の光電変換部１１０の各列に対応して設けられ、複数の光電変換部１１０それぞれに対応する転送電極１１１を有し、転送電極１１１に対応する複数の光電変換部１１０から信号電荷を読み出して垂直方向に転送する垂直転送部１２０と、垂直転送部１２０より転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送部１３０とを備え、水平転送部１３０が信号電荷を転送する水平転送期間では、複数の光電変換部１１０の行のうちの一部の行に対応する転送電極１１１に、垂直転送部１２０に印加される電位の中で最も低いローレベルの電位を印加し、複数の光電変換部１１０の行のうちの残部の行に対応する転送電極１１１に、ローレベルより高い電位を印加する。 （もっと読む）

【課題】光電変換部の飽和電荷量がフローティングディフュージョン部の飽和電荷量よりも大きな場合にも光電変換部の信号電荷を有効に利用して飽和特性を向上した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子１の垂直転送部３は、１つの光電変換部２で発生した信号電荷を分割して蓄積し、分割された信号電荷を混合すること無く列方向に転送し、第１水平転送部４ａおよび第２水平転送部４ｂは、垂直転送部３で転送された分割された信号電荷を混合すること無く行方向に転送し、第１フローティングディフュージョン部５ａおよび第２フローティングディフュージョン部５ｂは、第１水平転送部４ａおよび第２水平転送部４ｂで転送された分割された信号電荷を独立に信号電圧に変換する。 （もっと読む）

【課題】信号出力の飽和ばらつきを低減する固体撮像装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】垂直転送ゲートへＭ相（Ｍは３以上の自然数）のミドルレベルとローレベルの２値の垂直転送パルスを印加することにより、水平転送停止中に行う通常の垂直転送において、水平転送を行う期間に信号電荷を蓄積するゲートの最小数をＮ（Ｎは１以上の自然数）、Ｍ相の垂直転送パルスのうち、同時にミドルレベルからローレベルに変化させるパルスの最大数をＩ（Ｉは１以上の自然数）としたとき、受光素子から読み出した信号電荷や垂直ＣＣＤが発生する不要電荷を、全て水平転送部に転送し、信号電荷の垂直転送を行う期間が終了し、再度、受光素子に蓄積された信号電荷の読み出しを開始するまでの期間、Ｍ相の垂直転送パルスのうち同時にミドルレベルからローレベルに変化させるパルスの最大数Ｉを２以上で駆動する。 （もっと読む）

【課題】垂直転送部における転送効率劣化による縦線などの画像不良を低減することが可能な固体撮像装置及び撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、垂直転送部２と水平転送部４と駆動制御部７とを備え、垂直転送部２は複数の垂直転送部２をグループとして有し、駆動制御部７は、出力によって、垂直転送部２、動画部２２、および水平転送部４のタイミングを変更して、垂直転送部内で発生した取り残し電荷を再転送する駆動、回収する駆動および通常の駆動を選択し、低照度から高照度までの領域で常に転送効率が最大になるように制御する。 （もっと読む）

【課題】垂直転送レジスタで、できるだけ多くの信号電荷を転送でき、転送電荷許容量を上回る信号電荷が入るのを抑制できる固体撮像装置の提供。
【解決手段】カラーフィルターと、隣り合う光電変換部１０の列の間に形成された垂直転送レジスタ２０とを備え、第１垂直転送レジスタ２１は第１転送電荷許容量を第２垂直転送レジスタ２２は第１より大きい第２転送電荷許容量を有し、各光電変換部１０の感度はカラーフィルターの色毎の光透過特性により異なり、第１光電変換部１１は第１感度を有し第２光電変換部１２は第１より高い第２感度を有し、第１光電変換部１１は第１飽和電荷量を有し第２光電変換部１２は第１より大きい第２飽和電荷量を有し、第１光電変換部１１の信号電荷は第１垂直転送レジスタ２１に転送され、第２光電変換部１２の信号電荷は第２垂直転送レジスタ２２に転送される固体撮像装置１００。 （もっと読む）

【課題】電荷転送素子を用いた固体撮像素子、カメラにおいて、高いＳＮ比と大きい飽和電荷量とを両立させる。
【解決手段】電荷転送素子の浮遊拡散層方式の出力部において、２個の浮遊拡散層７，１０と２個のリセットゲート９，１１とを交互に直列に配し、２個のリセットゲート９，１１の駆動によって、大小２種類の検出容量を実現する。この結果、１つの信号電荷に対して、大小の検出容量で信号として読み出し、２種の信号を合成する。さらに、それぞれの信号に対して相関二重サンプリング回路１８，１９で処理を行う。 （もっと読む）

【課題】スミア低減効果を得る。
【解決手段】
半導体基板内に行列状に形成された複数のフォトダイオード７と、半導体基板内における各列のフォトダイオードの間に形成された垂直転送領域９と、半導体基板内における各列のフォトダイオード７とそれに隣接する垂直転送領域９との間に形成されたチャネルストップ領域５と、を含む固体撮像装置において、各チャネルストップ領域は、不純物を含有し、各列のフォトダイオード７とそれに隣接する垂直転送領域９との間の中央よりも垂直転送領域寄りに不純物濃度の最大値をとり、前記不純物濃度の最大値の位置から各列のフォトダイオードに向かって不純物濃度が単調減少する。 （もっと読む）

【課題】垂直電荷転送部に蓄積された過剰電荷が隣接する垂直電荷転送部に漏れ込むことを抑制する。
【解決手段】本発明に係る固体撮像装置２００は、光電変換部１０１で発生した過剰電荷を半導体基板１２０へ排出するオーバーフロードレイン構造と、半導体基板１２０に供給する基板電圧Ｖｓｕｂを制御する基板電圧制御部２０９とを備える。タイミング制御部２０６は、電圧ＶＨを、垂直電荷転送部１０２が有するゲート電極１０３に印加することにより、光電変換部１０１から垂直電荷転送部１０２へ信号電荷を読み出し、その後、電圧ＶＨより小さい電圧ＶＭｓを、ゲート電極１０３に印加する。基板電圧制御部２０９は、ゲート電極１０３に電圧ＶＭｓが印加されている間に、基板電圧Ｖｓｕｂを制御することにより、垂直電荷転送部１０２へ読み出された信号電荷の一部を、光電変換部１０１及びオーバーフロードレイン構造を介して半導体基板１２０に排出する。 （もっと読む）