説明

Fターム[5C024HX40]の内容

光信号から電気信号への変換 (72,976) | 回路構成 (15,472) | トランジスタ(FETを含む) (1,299)

Fターム[5C024HX40]に分類される特許

1 - 20 / 1,299





【課題】1つの実施形態は、例えば、画素から読み出された信号に含まれる熱雑音の割合を低減できる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】1つの実施形態によれば、画素と負荷電流源とを有する固体撮像装置が提供される。負荷電流源は、信号線を介して画素に接続されている。負荷電流源は、信号線に電流を供給する。画素は、光電変換部と電荷電圧変換部と出力部とを有する。電荷電圧変換部は、光電変換部の電荷を電圧に変換する。出力部は、電荷電圧変換部の電圧に応じた信号を信号線に出力する。負荷電流源は、電流生成部と変更部とを有する。電流生成部は、複数のトランジスタを含む。変更部は、電流生成部の等価的なトランジスタのディメンジョンを変更する。 (もっと読む)


【課題】複数枚のチップを接続することによって構成される固体撮像装置において、回路規模の増大や、チップ間の接続部の数が増加することなく、それぞれのチップに形成された画素に制御信号を送ることができる固体撮像装置および撮像装置を提供する。
【解決手段】第1の基板と第2の基板とが接続部によって電気的に接続された固体撮像装置であって、第1の基板に配置された光電変換素子と第2の基板に配置された読み出し回路とを有する画素が2次元に複数配置された画素部と、画素からの信号の読み出しを制御する読み出し制御回路とを備え、読み出し制御回路は、パルス生成部と選択部とロジック部とを具備し、読み出し制御回路の構成要素の内、一部の構成要素を第1の基板内に配置し、残りの構成要素を第2の基板内に配置し、接続部を介して、第1の基板と第2の基板とに配置された読み出し制御回路の構成要素を電気的に接続する。 (もっと読む)


【課題】TDI動作によって撮像を行う際に、撮像に要する時間を短くすることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置1Aは、M×N個(M,Nは2以上の整数)の画素がM行N列に2次元配列されて成る撮像面12、撮像面12に対して列方向の一端側に各列毎に配置されたN個の信号読出回路20、及び、撮像面に対して列方向の他端側に各列毎に配置されたN個の信号読出回路30を有するCCD型の固体撮像素子10と、信号読出回路20から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換したのちシリアル信号として順次出力する半導体素子50と、信号読出回路30から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換したのちシリアル信号として順次出力する半導体素子60とを備える。 (もっと読む)


【課題】チップ内の熱勾配を緩和することが可能で、ひいてはダークシェーディングを緩和することが可能な固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】第1チップは画素アレイ部が配置され、第2チップはロジック部およびレギュレータが配置され、レギュレータは、基準電圧を生成する基準電圧生成部と、複数の出力段トランジスタと、基準電圧と複数の出力段トランジスタの共通化された出力電圧を比較する演算増幅器とを含み、演算増幅器の出力は複数の出力段トランジスタのゲートに接続され、出力段トランジスタの出力経路は一つのノードに接続され、演算増幅器にフィードバックされ、複数の出力トランジスタの電源側端子は外部電源電圧が供給される供給電源端子に接続され、演算増幅器は、基準電圧と複数の出力段トランジスタのノードで共通化された出力電圧を比較して複数の出力段トランジスタのゲート電圧を制御する。 (もっと読む)


【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置、およびそのような撮像装置を備えた撮像表示システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子と電界効果型のトランジスタとを含む複数の画素を有する撮像部と、トランジスタのオン動作およびオフ動作を切り替えて画素内に蓄積された信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動を行う駆動部とを備える。トランジスタは半導体層を間にして第1および第2のゲート電極を有し、駆動部は、トランジスタの第1のゲート電極に第1の電圧、第2のゲート電極に第2の電圧をそれぞれ印加し、かつリセット駆動の際には、第1および第2の電圧のそれぞれにおいて、オン電圧およびオフ電圧間の切り替え時期およびオン電圧値のうちの一方または両方が互いに異なるようにする。リセット駆動時に生じるチャージインジェクションを低減することができる。 (もっと読む)


【課題】 各画素が複数の光電変換部を有し、各画素からの信号を複数の読み出し系を介して読み出す撮像素子において、画素単位の加算読み出し及び光電変換部毎の独立読み出しを適切に行うこと。
【解決手段】 複数の光電変換部(201)と、複数の変換手段(202)とをそれぞれ含む単位画素が、行列状に配列された画素領域(20)と、各列に配列された複数の単位画素それぞれに含まれる複数の変換手段の1つに共通に接続される信号線(VL、VR)を複数含み、複数の変換手段から出力された電圧信号を、複数の信号線を介してそれぞれ独立に第1の方向に転送する第1の読み出し手段と、当該電圧信号を、第2の方向に転送する複数の第2の読み出し手段とを有し、複数の信号線を、各列毎に、複数の第2の読み出し手段のいずれか1つに接続したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】撮影状況や製造課題に対応した積層型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第1のリセットトランジスタを備えた第1の画素と、第2のリセットトランジスタを備えた第2の画素とが形成された半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された配線層と、前記配線層の上に形成され、前記第1のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第1の下部電極と、前記配線層の上に形成され、前記第2のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第2の下部電極と、前記第1の下部電極および前記第2の下部電極の上に形成された光電変換膜と、前記光電変換膜の上に形成され、上部電極電位が印加される透明な上部電極とを備え、前記第1のリセットトランジスタのドレインにかける第1のリセット電位と前記第2のリセットトランジスタのドレインにかける第2のリセット電位とが異なることを特徴とする固体撮像装置。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置の暗電流の低減に有利な技術を提供する。
【解決手段】光電変換部を有する固体撮像装置の製造方法は、原料ガスとしてヘキサクロロジシランを用いて、前記光電変換部の少なくとも一部を覆うように減圧CVD法によって窒化シリコン膜を形成する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】配線層における導体層の層数の削減をより有効に行うことができる裏面照射型CMOSイメージセンサを提供する。
【解決手段】撮像素子11は、複数の画素31が配置される半導体基板51と、複数本の配線が配設された複数層の導体層58が絶縁膜57に埋め込まれて構成される配線層55とが積層されて構成される。そして、配線層55では、画素31により得られた画素信号を出力する配線、および、画素の駆動に必要な電力を供給する配線、画素を駆動するための駆動信号を供給する配線が、2層の導体層58で形成される。 (もっと読む)


【課題】ノイズによる影響を抑制する。
【解決手段】光検出回路と、差分データ生成回路と、データ入力選択回路と、を具備する。光検出回路は、光データ信号を生成する機能を有する。また、差分データ生成回路は、第1のデータ信号及び第2のデータ信号が入力され、第1のデータ信号のデータと第2の信号のデータとの差分データを生成する機能を有する。また、データ入力選択回路は、光データ信号のデータを、第1のデータ信号のデータみなすか第2のデータ信号のデータとみなすかを決定する機能を有する。 (もっと読む)


【課題】画素が微細化されても、転送トランジスタのトランジスタ特性を維持し、かつ光電変換素子の受光面積を十分に確保できる固体撮像装置及びカメラを提供する。
【解決手段】光電変換素子PDと画素トランジスタからなる画素が複数配列され、画素トランジスタのうちの転送トランジスタにおける転送ゲートのチャネル幅が、光電変換素子PD側よりフローティングディフージョン(FD)領域側で広くして成る。そして、転送ゲートは、FD領域と転送ゲートとが接する位置の両端部間を結ぶ直線よりも、FD領域側に少なくともその一部が形成されている。さらに、FD領域は、直線と平行な方向において、転送ゲートと接する位置以外のFD領域の端部間の長さが、両端部間を結ぶ直線からFD領域側に向けて広がる部分を有する。 (もっと読む)


【課題】イメージセンサの画質を改善する
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板110の画素アレイ120内に設けられた単位セル形成領域UAと、単位セル形成領域UA内に設けられ、被写体からの光信号に基づいた信号電荷を生成する画素1Aと、単位セル形成領域UA内に設けられ、画素1Aからフローティングディフュージョン6に転送された信号電荷に対応した電位を増幅するアンプトランジスタ5と、を含む。アンプトランジスタ5のゲート電極50は、半導体基板110の溝内にゲート絶縁膜を介して埋め込まれた第1の埋め込み部151を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】A/D変換器の比較器のオフセット電圧を簡単な構成で補正するための技術を提供する。
【解決手段】アナログ信号を入力するための入力端子INと、時間的に変化する参照信号を生成する信号源に接続される参照信号供給線と、非反転入力端子、反転入力端子及び出力端子を有し、非反転入力端子に供給された電圧と反転入力端子に供給された電圧との比較結果に応じた出力信号Voutを出力端子から出力する比較器CMPと、比較器の反転入力端子に接続された補正用キャパシタCoffと、入力端子に入力されたアナログ信号に対応するデジタルデータを出力する出力回路330とを備え、入力端子に入力された第2アナログ信号を比較器の非反転入力端子に供給しつつ、参照信号を用いて、比較器の非反転入力端子に供給されている第2アナログ信号又は補正用キャパシタに保持されている合計電圧を変化させる。 (もっと読む)


【課題】アナログ信号をそれぞれが保持する2つのキャパシタを含むA/D変換器においてキャパシタ間のクロストークを軽減する技術を提供する。
【解決手段】A/D変換器300は第1アナログ信号及び第2アナログ信号を順番に入力するための入力端子と、第1キャパシタ及び第2キャパシタと、基準電圧源に接続される基準電圧線と、時間的に変化する参照信号を生成する信号源に接続される参照信号供給線と、第1入力端子及び第2入力端子を有し、第1入力端子に供給された入力電圧と第2入力端子に供給された閾値電圧との比較結果に応じた出力信号を出力する比較器CMPと、比較器の第1入力端子に供給された入力電圧が変化し始めてから比較器の出力信号が変化するまでの時間に対応するデジタルデータを出力する出力回路330とを備える。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトップゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、酸化物半導体膜と接する第1のゲート絶縁膜を、プラズマCVD法によりフッ化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成し、該第1のゲート絶縁膜上に積層する第2のゲート絶縁膜を、プラズマCVD法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成する。 (もっと読む)


【課題】 撮影対象自体が広いダイナミックレンジを有する場合でも、撮影領域全体において飽和や入出力特性が不良な出力を減らしつつ、コントラストを向上させる。
【解決手段】 X線検出器104は動画撮影可能なイメージセンサであり、蓄積容量を画素毎に変更することができる。制御装置103の特性算出部112は各線量モード毎に線量を変えて複数の白画像データを撮影するキャリブレーション撮影を行い、各画素の入出力特性を取得する。本撮影によりフレーム画像が制御装置103に入力されると、飽和判定部113は各画素が飽和しているか否かを入出力特性に基づき判定し、飽和していない場合にはモード決定部116が蓄積容量を大きくする決定をする。データ収集部105が次フレームの撮影に際して蓄積容量を大きく設定する。 (もっと読む)


【課題】複数のフォトダイオード間の例えば感度等の特性のばらつきを抑制することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置を、複数の光電変換部と、フローティングディフュージョン部と、複数の転送部と、第1トランジスタ群と、第2トランジスタ群とを備える構成にする。さらに、第1トランジスタ群は、第1のレイアウト構成で配置されたゲート及びソース/ドレインを有する。そして、第2トランジスタ群を、第1のレイアウト構成と対称的な第2レイアウト構成で配置されたゲート及びソース/ドレインを有する構成にする。 (もっと読む)


1 - 20 / 1,299