イオン源（９００）は、アノードから分離し、かつ、独立した冷却プレートを用いて冷却される。その冷却プレートにより、アノードを冷却するために流体クーラント（例えば、液体またはガス）が通過可能なクーラント・キャビティが形成される。このような構成において、マグネットは、冷却プレートによって熱的に保護され得る。熱移動界面部品内の熱伝導性材料により、冷却プレートの冷却性能が向上する。さらに、冷却プレートとアノードとの分離により、冷却プレートおよびクーラント・ラインが、（例えば、熱的には伝導性を有し電気的には絶縁性を有する材料を用いて）アノードの高電圧から電気的に絶縁される。特に、メンテナンス中に困難さを提起し得るクーラント・ラインをアノードが有しないという理由により、上述の構造物をアノード部分組立体およびマグネット部分組立体に組み付けることによってイオン源の組立ておよびメンテナンスも容易になり得る。 （もっと読む）

イオン源（４００）の耐用年数は、反応性ハロゲンガス（ＦまたはＣｌ）を使用して、イオン源（４００）および引出し電極（４０５）のインサイチュでのエッチング洗浄の備えを有する供給源によって、ならびに洗浄間のサービス期間を延長する特徴を有することによって強化または延長される。後者は、正確な蒸気流制御、イオンビーム光学素子の正確な集束、および沈着物の形成を防止するか、または電極の破壊を防止する引出し電極の熱制御を含む。半導体ウェハ処理用のドーパントイオンを生成するためのイオン源から成る装置は、遠隔プラズマ源に結合され、このプラズマ源は、第１イオン源および引出し電極内の沈着物を洗浄することを目的として、第１イオン源にＦイオンまたはＣｌイオンを供給する。これらの方法および装置は、昇華蒸気供給源などの凝縮可能な供給ガスを作動させる場合、長時間の機器動作可能時間を可能にし、低温イオン源に使用するのに適する。
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【課題】所定の価数に制御された低速多価イオンビームを効率よく発生する。
【解決手段】多価イオンを発生させる多価イオン生成手段と、多価イオン生成手段により発生された多価イオンのなかで所定の価数の多価イオンのみをトラップするとともに、トラップした多価イオンを所定の運動エネルギーで所定の方向に出射するトラップ制御手段とを有し、多価イオン生成手段は、高強度レーザーによってプラズマを発生させて低速多価イオンを生成するようにした。 （もっと読む）