【課題】被スパッタ面の面積を可及的に大きくすると同時に、被スパッタ部材の取り付け構造を簡単化するだけでなく反射電極構造体をコンパクトにしつつ、陰極から射出される電子の反射効率を向上させる。
【解決手段】プラズマ生成容器２内に設けられ、陰極３に対向配置されて電子を陰極３側に反射する反射電極構造体４であって、プラズマによりスパッタリングされて所定のイオンを放出するものであり、被スパッタ面４１Ａとその裏面とを貫通する貫通孔４１１を有する被スパッタ部材４１と、被スパッタ部材４１の貫通孔４１１に挿入されて被スパッタ部材４１を支持するとともに、貫通孔４１１を介して被スパッタ面４１Ａ側に露出した反射電極面４２Ｘを有する電極本体４２とを備える。 （もっと読む）

【課題】加速イオンを用いた低温プラズマ浸漬イオンにより様々な試片を加工処理する装置と方法を提供する。
【解決手段】本発明によるプラズマ浸漬イオンを用いた加工装置は、チャンバ内部に円筒形加工物が載置されると共に円筒形加工物の周囲を低温プラズマが囲むようになり、多重スロットを有する抽出電極を含む加工物蓋が円筒形加工物の周囲を覆ってプラズマから分離させ、スパッタリングを誘発するに十分な負電位が円筒形加工物と加工物蓋の抽出電極に付加されることにより、プラズマから出てきたイオンが抽出電極とプラズマとの間に形成されたシース内で加速され、抽出電極のスロットを通過して円筒形加工物に衝突して円筒形加工物の表面粗さを減少させる方式で行われ、本発明による加工装置及び方法は、大面積の円筒形基板、特に、マイクロまたはナノパターン転写技術のための基板表面を数ｎｍの表面粗さにする効果があり、単一または多重チャンバ内でプラズマ洗浄、表面活性、表面研磨、乾式エッチング、蒸着、プラズマ浸漬イオンの注入及び蒸着などの工程を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

ここに開示されたいくつかの技術は、分子ビーム部品から残留物を清浄することを促進する。例えば、典型的な方法では、分子ビームは、ビーム通路に沿って供給され、分子ビーム部品において残留物を増加させる。その残留物を減少させるために、分子ビーム部品は、フッ化炭化水素プラズマにさらされる。フッ化炭化水素プラズマへの接触は、第１の予め定められた条件が満たされたかどうかに基づいて終了し、第１の予め定められた条件は、残留物の除去の範囲を示している。他の方法およびシステムについても開示されている。
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【課題】金属材料をイオン注入する場合であっても、寿命が長く、高濃度のイオン注入を行うことが可能なイオンソースヘッド及びそれを用いたイオン注入装置を提供する。
【解決手段】本発明のイオンソースヘッド２００は、アークチャンバ２０２と、両端部がアークチャンバ２０２外に露出するようにアークチャンバ２０２内に配置されたフィラメント２０４と、フィラメント２０４の端部と電気的に接続するフィラメント電極２０６と、フィラメント電極２０６の少なくとも一部を覆う位置に配置された絶縁体２１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの径と強度を制御できるイオンビーム照射装置を提供する。
【解決手段】イオンビームが通過する絞り開口５１が設けられた絞り装置２０を有するイオンビーム照射装置５であって、絞り装置２０は、絞り開口５１内に位置する一の配置中心を中心とした円の円周に沿って並べられている。三個以上の遮蔽羽根２２と、絞り開口５１を取り囲む枠体２１と、枠体２１に対して位置が固定された回転軸とを有している。絞り開口５１の外周は、各遮蔽羽根２２の一辺であって配置中心に対面する辺である縁取り辺の一部によって構成されている。絞り開口５１の外周と枠体２１の間は遮蔽羽根２２で遮蔽され、遮蔽羽根２２は回転軸を中心に所定角度回転可能に構成され、遮蔽羽根２２を同角度回転させ、絞り開口５１の大きさを変更させる制御部を有するイオンビーム照射装置５である。 （もっと読む）

【課題】絞りを用いずに、イオンビームの強度を従来より広い範囲で可変にできるイオン源及びイオン照射方法を提供する。
【解決手段】
イオン源１０ａは、第一、第二のプラズマ室１１ａ、１２ａを有している。第一のプラズマ室１１ａ内と第二のプラズマ室１２ａ内は接続孔１３ａで接続されている。第二のプラズマ室１２ａ内のイオンは引出電極２０ａによりイオン引出孔１４ａを通して外部に引き出され、イオンビームとして放出される。第二のプラズマ室１２ａ内で生成する場合と同程度の量のプラズマを、第一のプラズマ室１１ａ内で生成した場合には、プラズマ中のイオンは接続孔１３ａを通って第二のプラズマ室１２ａ内に移動するので、第二のプラズマ室１２ａ内のイオンの密度は第二のプラズマ室１２ａ内で生成する場合よりも小さくなり、従って、第二のプラズマ室１２ａ内で生成する場合よりもイオンビームの強度は小さくなる。 （もっと読む）

【課題】イオン注入装置において、ソースハウジング内に堆積したフッ素を含む析出物を除去する方法の一つとして、水素化合物ガスをイオン化し水素イオンを発生させ、フッ素と水素イオンとを反応させ、フッ酸蒸気として排気することが有効であるが、イオン源のカソードフィラメントが切れると、ガスをイオン化できない。
【解決手段】イオン発生装置内に、高周波電源と接続した対向電極を設けることで、カソードフィラメントが切れた場合でも、水素化合物ガスをイオン化することを可能とし、水素イオンを発生させることにより、真空中でソースハウジング内に堆積したフッ素化合物を還元し、その反応で発生したフッ素を含むガスを真空ポンプで排気する。 （もっと読む）

【課題】新規なソース材料（特に、イオン注入プロセスにおいて新規なデカボランならびに水素化物およびダイマー含有化合物などの感熱性材料）を使用可能な、生産に値するイオンソースおよび方法を提供し、半導体ウェハの商業的なイオン注入において新規な範囲の性能を達成すること。
【解決手段】イオン注入システム用のイオン源（１）は、プロセスガスを生成する蒸発器（２）と、電子ビーム（３２）を指向してイオン化封入物（１６）内のプロセスガスをイオン化する電子源（１２）と、ビームダンプ（１１）と、イオン化チャンバ（５）と、イオンビームを取り出す抽出アパーチャ（３７）とを含み、本発明の制御システムは、個々の蒸気またはガス分子が、主に該電子銃からの一次電子との衝突によってイオン化され得るように、該一次電子のエネルギーの制御を可能にする制御システムとを含む。 （もっと読む）

イオンを加速し、同時に分散イオン源における電界を弱く維持し、それによって分解能を向上させるために、イオン・ビーム・システムが、抵抗管などの別個の加速電極を使用する。イオン源として磁気光学トラップを使用することができる。
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【課題】本発明の目的は、クリーンな状態が維持され、長寿命化が可能でありながら、イオンの生成量の増加が可能なイオン源を提供することにある。
【解決手段】プラズマ室１と、プラズマをプラズマ室１に閉じ込めるためのカスプ磁場発生用磁場発生手段としての永久磁石３と、プラズマを高温電子領域と低温電子領域に分離するためのフィルタ磁場発生用磁場発生手段としての永久磁石４と、永久磁石４より下流側に設けられ、イオンが通過するための開孔部５ｄを有したプラズマ電極５と、を備え、プラズマ電極５に取付けられた開孔部電極７の内部表面にダイヤモンド薄膜８が設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

イオン注入装置において、イオン源の洗浄中に発生されるイオンビームをファラデーカップで検出する。検出されるイオンビームは、イオン源の洗浄プロセスがいつ完了するかを示す関連質量スペクトルを有する。質量スペクトルは洗浄剤とイオン源を構成する材料とからなる信号を生じる。この信号はイオン源チャネルが洗浄されるにつれて時間とともに上昇し、イオン源チャンバから堆積物がエッチ除去されてしまうと水平に一定になり、よってイオン源洗浄の終点を決定するために既存の注入ツールを利用することが可能になる。
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【課題】ＥＣＲイオン源を用いて、原子内包フラーレンを容易に形成し、かつイオンビームとして引き出し、分析するＥＣＲイオン源装置を提供する。
【解決手段】常温で気体の物質と、高融点の物質のガスのＥＣＲプラズマを生成可能なＥＣＲチェンバ部１ａと、フラーレンガス供給用の蒸発源１０８を有するプロセスチェンバ部１ｂと、イオン引き出しメッシュ電極１０４と、イオンアパーチャ１０７とを備え、イオン引き出しメッシュ電極１０４とイオンアパーチャ１０７への印加電圧を制御することにより、ＥＣＲプラズマのプラズマポテンシャルを制御し、ＥＣＲプラズマからイオンのみをプロセスチェンバ部１ｂへ抽出し、当該イオンをフラーレンにイオン注入し、フラーレン誘導体を生成すると同時に、イオンアパーチャ１０７よりイオンビーム９４として引き出し、分析するＥＣＲイオン源装置５０。 （もっと読む）

【課題】 小型化が可能であり、かつイオンビーム生成効率の高いイオン源を提供する。
【解決手段】 このイオン源２は、プラズマ生成室２２と、その内部に配置された熱陰極１０と、その内部導体１４に原料ガス８を供給するガス供給パイプ２８と、プラズマ電極３８を有していてプラズマ２０からイオンビーム５０を引き出す引出し電極系３６とを備えている。熱陰極１０は、中空の外部導体１２と、その内側に同軸状に配置された中空の内部導体１４と、両導体１２、１４の先端部を電気的に接続する接続導体とを有しており、原料ガス８は内部導体１４の先端からプラズマ生成室２２内へ放出される。プラズマ電極３８は、陽極を兼ねていて、プラズマ生成室２２の一端部に、熱陰極１０の先端部に対向するように配置されており、かつ熱陰極１０の内部導体１４の先端の正面にイオン引出し孔を有している。 （もっと読む）

本発明は、励磁面を備えた励磁電極を有する高周波電極装置と、抽出電極とに高周波電圧を印加し、電磁界によって生成されたプラズマからプラズマビームを抽出し、抽出電極と励磁面との間にプラズマ空間が設けられ、抽出電極に対してプラズマを時間平均して正のプラズマイオンを加速する高い電位となるようにし、プラズマと抽出されたプラズマビームを磁界によって制御している方法に関し、ここでは磁界を生成するために、少なくとも一つのＮ磁極とＳ磁極を用い、Ｎ磁極とＳ磁極をそれぞれプラズマとは反対側の励磁電極後方に配置し、プラズマ空間内方へ配向してプラズマ空間内方へ突出する湾曲した磁界を形成している。
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【課題】負イオンの引出効率を向上させ電流密度のより高い負イオンビームを出射できる負イオン源を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る負イオン源１０は、プラズマ容器１２と、熱電子を放出するフィラメント１６と、カスプ磁場を形成する複数の磁石Ｍ１と、プラズマから負イオンを引き出す引出電極２６と、プラズマ容器１２の内部空間を放電空間Ｓ１と引出空間Ｓ２とに分割するフィルタ磁場ＭＦを形成するフィルタ磁場形成手段Ｍ２と、プラズマ容器１２内に配置され、放電空間Ｓ１から引出空間Ｓ２への正イオンの移動を妨げるためのバリア電極３０とを備え、バリア電極３０は、ビーム軸Ｃ方向において引出電極２６との間にフィルタ磁場ＭＦを挟むような位置に配置され、この位置に正電位の等電位空間を形成し励起分子等の移動を許容するような複数の空間部３５を形成する形状を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐用年数を増加し、機器の停止時間を減少させるイオンビームを生成する方法および装置を提供すること。
【解決手段】イオン源（４００）の耐用年数は、反応性ハロゲンガス（ＦまたはＣｌ）を使用して、イオン源（４００）および引出し電極（４０５）のインサイチュでのエッチング洗浄の備えを有する供給源によって、ならびに洗浄間のサービス期間を延長する特徴を有することによって強化または延長される。後者は、正確な蒸気流制御、イオンビーム光学素子の正確な集束、および沈着物の形成を防止するか、または電極の破壊を防止する引出し電極の熱制御を含む。半導体ウェハ処理用のドーパントイオンを生成するためのイオン源から成る装置は、遠隔プラズマ源に結合され、このプラズマ源は、第１イオン源および引出し電極内の沈着物を洗浄することを目的として、第１イオン源にＦイオンまたはＣｌイオンを供給する。 （もっと読む）

閉ドリフトイオン源の電気絶縁アノード電極に電子を供給するステップを含む、基板の表面を改質するプロセスが、提供される。アノード電極は、正のアノード電極帯電バイアスを有するが、閉ドリフトイオン源の他の構成要素は、電気的に接地され、または電気的浮動電圧を保持する。電子は、イオン形成を誘導する閉ドリフト磁場と交差する。アノード汚染は、ガスの存在下で電極帯電バイアスを負に切り替えることによって防止され、プラズマが、アノード電極の近傍に生成され、アノード電極から汚染堆積物を浄化する。次に、電極帯電バイアスは、反復電子源の存在下で正に戻され、反復イオン形成を誘導し、基板の表面を再び改質する。このプロセスによって基板の表面を改質する装置が、提供される。
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励起したおよび／または原子状態のガスの注入を利用するイオン源を開示する。イオンビームに適用する場合、ソースガスはそのまま使用して従来どおり供給する。代替的にまたは付加的に、ソースガスをイオン源チャンバに導入する前にリモートプラズマ源を通過させることにより変質させることができる。これにより励起中性種、重イオン、準安定分子、または多価イオンを生成することができる。他の実施形態において、複数のガスを用い、１つ以上のガスがリモートプラズマ源を通過するようにする。特定の実施形態においては、複数のガスをイオン源チャンバへ供給する前に単一のプラズマ源において混合する。プラズマ浸漬に適用する場合、１つ以上の追加ガス注入箇所を介して、プラズマをプロセスチャンバに注入する。これら注入箇所により、プロセスチャンバの外部におけるリモートプラズマ源で生成した追加プラズマの流入が可能になる。 （もっと読む）

【課題】イオン源の条件を変えた場合でも、均一ビーム照射が可能なイオンミリング装置を提供することにある。
【解決手段】高周波イオン源から引き出されたイオンビーム９を基板１２に照射せしめることによりイオンビームによる基板の微細加工を行わせる。複数のファラデーカップ２０は、複数の試料基板１２を乗せた円板状試料ホルダ１１の半径方向に一列に並べて配置され、イオンビーム電流を測定する。電流積算器１６は、各ファラデーカップの電流値を時間的に積算する。高周波電源５は、高周波イオン源のコイルに高周波電力を供給するとともに、その高周波電力値が可変である。電力調整器１９は、複数のファラデーカップを２つの群の領域に分け、かつそれぞれの群の積算値の平均値の差に基づいて高周波電源からコイル４に供給する高周波電力を調整する。表示装置１７には、電流積算器により算出された電流積算値が表示される。 （もっと読む）

【課題】複数のアノードを含むイオンビーム蒸着用のイオン源に関する。イオン源は、原材料の複数のゾーンを蒸着し、複数のゾーンのうちの少なくとも２つのゾーンの厚みを異なるようにする。
【解決手段】イオンビーム蒸着で炭素を蒸着する場合、プロセス室の数は制限されるので、２つまたは３つ以上のイオン源を利用することは、スペースの理由で不可能なこと、または費用の理由で現実的でないことが多いが、イオン源として、複数の同心のアノードを含み、異なる電圧が複数のアノードに印加することで、少くとも2つのゾーンの厚みを異ならせることができる。 （もっと読む）