【課題】本発明の一つの実施形態の目的は、ダミーウェハを使用することなく、ウェハが装着されない装着部の劣化を防止可能なイオン注入装置およびイオン注入方法を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、イオン注入装置が提供される。イオン注入装置は、イオン注入部と、複数の装着部と、傾斜機構とを備える。イオン注入部は、ウェハへイオンビームを照射して該ウェハへイオンを注入する。装着部は、ウェハをそれぞれ装着可能に構成され、前記イオンビームが照射される照射領域へ順次移動する。傾斜機構は、ウェハが装着されない前記装着部を前記イオンビームが照射されない位置まで傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低加速電圧でのイオン電流の制御を容易にしつつ、カソードに付着するリデポジションによる影響を抑制することを目的とするイオンミリング装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、イオンガンの内部に配置され、正電圧が印加されるアノードと、当該アノードとの間に電位差を発生させることによってイオンを発生させるカソードを備えたイオンミリング装置において、カソードは、前記ガス供給源によってガスが供給される空間と、前記イオンが照射される試料側の空間を分圧すると共に、前記イオンを通過させる開口を備え、当該開口を通過したイオンを試料に向かって加速させる加速電極を備えたイオンミリング装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】エミッタンス測定およびリボンビームの強度分布均一化を簡易な手段で実施できるようにする。
【解決手段】イオンビームＩＢの軌道上に設けられて、そのビーム強度分布を測定するビームプロファイルモニタと、イオンビームＩＢを挟んでｘ方向に対向配置され、互いの間でイオンビームＩＢを通過させる開口を形成する一対のビーム遮蔽部材６とを利用する。そして、ビーム遮蔽部材６の少なくとも一方を、ｙ方向には隙間なく、かつ、ｘ方向には独立して進退可能に設けられた複数の可動遮蔽板６１からなるものとしたうえで、可動遮蔽板６１の位置を調整して、対向するビーム遮蔽部材６との間に微小開口Ｐを形成し、微小開口Ｐを通過したイオンビームＩＢについての強度分布測定結果から、イオンビームＩＢのエミッタンスを算出するように構成した。 （もっと読む）

【課題】 試料室内へ導入するガスの最大許容圧力を制限することなく、又、高散乱角円環状検出に基づくＨＡＡＤＦ像観察ができる装置を提供する。
【解決手段】電子銃２、試料５がセットされる試料室７、ガス流量制御装置３９及びガスノズル４０を通じて試料５の表面近傍に雰囲気ガスを供給するガスボンベ３７、試料室７内を排気する排気ポンプ３６、上極８´と下極９´間に試料がセットされ電子銃２からの電子ビームが通過する対物レンズ、試料を透過した電子を検出する検出器１５、検出信号に基づいて試料の透過像を表示する表示装置１９、対物レンズの上極８´，下極９´各々の上面部と下面部で電子ビーム光軸Ｏを横切る方向に移動可能で複数の微小孔Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを有するオリフィス板５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄをそれぞれ支持するホルダー５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄと、それらの駆動装置５２と移動制御装置５３を設けた。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの発散角やビームの傾きが変化しても、イオン注入量を高精度で制御するイオン注入装置、イオン注入方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】イオン源部と、加減速部と、イオンビーム遮断部と、イオンビームの発散角とビームの傾きの少なくともいずれかを測定する測定部と、基板を保持する基板保持部と、制御部と、を備え、制御部は、測定部により測定された発散角とビームの傾きの少なくともいずれかの測定値に基づいて、基板へのイオン注入量が所定の範囲内に管理されるように、イオン注入の処理条件を補正して、イオン源部、加減速部、イオンビーム遮断部及び基板保持部のうちの少なくとも１つの動作を制御することを特徴とするイオン注入装置、イオン注入方法、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】必要に応じて同時に２種のイオン注入を行なうとともに、１種のイオン注入を行なう場合に未使用通路の汚染を抑える。
【解決手段】本流通路１３ｂと支流通路１３ｃとの境界部には、開口１３ｄを開閉するシャッタ２４が設けられている。シャッタ２４を閉位置にすると、イオンビーム２２から分離されたイオンビーム２２ａはシャッタ２４の表面に吸収され、イオンビーム２２ｂは本流通路１３ｂの壁に吸収され、イオンビーム２２ａによる支流通路１３ｃの汚染が防止される。残りのイオンビーム２２ｃがメカニカルスリット１４を介して加速・減速器１６に入り、加速又は減速されてエンドステーション１８のウエハ２７に照射され、イオン注入が行なわれる。シャッタ２４を開位置にすると、イオンビーム２２ａが支流通路１３ｃに入り、加速・減速器１７で加速又は減速されてエンドステーション１９のウエハ２９に照射され、イオン注入が行なわれる。 （もっと読む）

【課題】入射したイオンビームの全電流量、イオン種比率、中性粒子量の正確な測定ができ、イオン種比率の測定をイオン注入中にでき、励磁、電界形成および２次電子抑制のための電源を不要にして小電力で作動でき、装置全体を小型化できるイオン注入装置用の質量分析器を提供する。
【解決手段】イオン源２と対向しかつ基板６の周囲を通過したイオンビーム５の一部が入射する位置に設置されており、入射したイオンビームに直交する方向に磁場を形成する永久磁石１３と、磁場で曲げられたイオンビームが全て入射し総イオン量と各イオン種量を測定可能なイオン量測定器と、磁場で曲がらない中性粒子が全て入射するように配置された中性粒子測定器１７とを備える。イオン量測定器は、ファラデーカップ１５と可動式遮蔽板１６からなる。 （もっと読む）

寄生ビームレットがイオン注入に影響を及ぼすことを防ぐ技術が開示される。１つの特定の例示的実施形態では、技術は、寄生ビームレットがイオン注入に影響を及ぼすことを防ぐ装置として実現し得る。装置は、スポットビームを前後に走査することにより、予め決められた幅を有するイオンビームを形成するコントローラを含み得る。装置は、静止時にスポットビームの通過を許容する開口機構も含み得る。装置は、さらに、コントローラと開口機構とに結合され、開口機構を走査されたスポットビームと同期して移動させる同期機構も含み得る。これによって、走査されたスポットビームは通過できるが、前記スポットビームに付随する１つ以上の寄生ビームレットは遮断されるようになる。 （もっと読む）

イオン注入に関連した汚染を軽減するためのシステム、方法、及び装置が提供される。イオン源、エンドステーション、及びイオン源とエンドステーションの間に配置された質量分析器が設けられる。イオンビームは、ビームストップの位置に基づいて、イオン源から形成されて質量分析器を通ってエンドステーションへ移動する。ビームストップアセンブリは、イオンビームが、質量分析器に進入および／または排出するのを選択的に防止し、これにより、イオン注入システムの開始時等の変移期間中、不安定なイオン源に関連した汚染を最小化する。
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