【課題】活性種の生成量を多くしてアパーチャの側面のクリーニングを可能にしつつチャンバ内の圧力の上昇を抑える。
【解決手段】クリーニングユニット２００は、第１個数よりも少ない第２個数の放出孔を有する放出孔プレート２０２を含む容器２０３と、前記容器の中で活性種を発生する活性種源と、前記容器を移動させる駆動機構２２０とを含み、前記チャンバ１１５の中に配置された前記容器の内部空間の圧力と前記容器の外部空間の圧力との差によって前記活性種が前記第２個数の放出孔から放出され、前記駆動機構は、前記第１個数よりも少ない前記第２個数の放出孔から放出される活性種によって前記第１個数のアパーチャのすべてがクリーニングされるように、前記電子光学系に前記放出孔プレートが対面した状態で前記容器を移動させる。 （もっと読む）

【課題】 不要なイオンの放出を抑制することができ、不要なイオンによる下流の線形加速器側の汚染を低減する。
【解決手段】 レーザ光の照射によりイオンを発生させるレーザ・イオン源であって、真空排気される容器１０と、容器１０内に配置され、レーザ光の照射により多価イオンを発生するターゲット２１が収容された照射箱２０と、照射箱２０からイオンを静電的に引き出し、イオンビームとして容器１０の外部に導くイオンビーム引き出し部１２と、照射箱２０から引き出されたイオンビームを静電力により収束する静電レンズ５１と、静電レンズ５１の下流側の位置に設けられ、該位置で収束されたイオンビームを通過させるアパーチャ５２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線による描画動作に支障を与えることなく、ストッピングアパーチャに堆積される汚染物質を効率よく除去する。
【解決手段】 荷電粒子線描画装置は、荷電粒子線を偏向するブランキング偏向器１８と、前記ブランキング偏向器で偏向された荷電粒子線を遮断するストッピングアパーチャ１９と、前記ストッピングアパーチャに堆積された堆積物を分解する活性種を気体から生成するための触媒２４と、前記触媒に前記気体を供給する供給機構２５と、を備える。前記堆積物を除去する除去動作では、前記荷電粒子線描画装置は、前記供給機構によって前記気体を前記触媒に供給しながら、パターンを描画する描画動作では前記荷電粒子線が照射されない領域に前記荷電粒子線を照射することによって、少なくとも前記領域に位置する前記触媒によって前記気体から前記活性種が生成され、該生成された活性種により前記堆積物を分解して除去する。 （もっと読む）

【課題】
電子ビーム応用装置では，複数の電子ビーム検出器および電磁波発生手段をもつことにより性能向上が図れるが，空間的制約により同時に配置することが困難である。
【解決手段】
電子ビーム検出器（１０２，１０５）と電磁波発生手段（１０２，１０４，１０８，１０９）を両立した構成１００により，電子ビーム応用装置内部に多数の電子ビーム検出器及び電磁波発生手段を配置することができ，電磁波発生手段による試料表面の電位の制御やコンタミネーションの除去により，長期間安定した像観察が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 プローブ電流の大小に拘わらず、差動排気絞りの汚染を抑止できる電子線装置を提供する。
【解決手段】 電子線装置１０１は、内部空間が超高真空に保たれ一次電子ビーム３を発生する電子銃部３１と、内部空間が電子銃部３１よりも低い真空度に保たれ、電子銃部３１で発生した一次電子ビーム３を試料１２上に集束させた電子プローブにより試料１２の走査を行う鏡体部３２と、電子銃部３１と鏡体部３２との内部空間を連通させるとともに、一次電子ビーム３を通過させる差動排気絞り３３と、電子線装置１０１内の各部を制御するための制御部４０とを具備している。さらに、第二陽極４と第一収束レンズ６の間には、相異なる複数の開口径の絞りを持った絞り機構３４が配置され、この絞りによって、第一収束レンズ６方向へ進行する一次電子ビーム３のプローブ電流Ｉｐの最大値が決定される。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、荷電粒子線加工装置において、ビーム絞りから発生するスパッタ物によるチャージング現象に起因する加工不良を回避し、装置の稼働率を向上させることに関する。
【解決手段】
本発明は、ビーム絞りの材料として、ビーム絞りから放出されるスパッタ粒子により生成した、ビーム絞りの下流にある光学素子表面上の付着膜が、導電性を示す材料を用いることに関する。好ましくは、ビーム絞りの材質を、カーボンまたは、その化合物とする。また、好ましくは、ビーム絞りの下流側に、電位を与えた電極を配置する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、荷電粒子線加工装置において、剥離膜等の異物がビーム通過穴を塞ぐ事による不具合を解決し、装置のスループット低下を防止することに関する。
【解決手段】
本発明は、スパッタ膜の剥離等によって発生する異物がビーム通過穴を塞ぐ可能性のある箇所に不活性ガスなどのガスを照射することに関する。ガスを当該部に照射する方法として、ガスノズルを用いることが望ましい。または、不活性ガスの通路を、ビーム通過穴を有する部品の周囲の構造物内部に形成し、その照射口よりガスを照射する。本発明により、荷電粒子線装置の安定稼動が実現可能となり、高スループットの荷電粒子線装置を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】絞り装置の交換や洗浄を必要とせず、絞り装置のカーボン等のコンタミネーションを除去することができるようにする。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置の内部に設けられた絞り装置に付着するカーボン等のコンタミネーションを除去するために、絞り装置にフッ素化合物系ガスを注ぐ。それにより、絞り装置に付着したコンタミネーションを除去する。 （もっと読む）

【課題】 帯電やコンタミネーションの影響を長期間にわたって有効に防止できる荷電粒子線用絞りプレートを供給する。
【解決手段】 集束したイオンビームＩＢを穿孔部１６に照射し、イオンエッチングの作用により絞り基体２ａに絞り孔を形成する。また、絞り孔を形成する前に絞り基体２ａの表面にイオンビームを照射することにより絞り基体の表面を清浄化する処理及び／又は絞り孔を形成した後に絞りプレートの表面にデポジション用ガスの吹き付けとイオンビーム照射行うことによって絞りプレートの表面に導電性薄膜を形成する処理を行う。 （もっと読む）

イオン注入のクリーニング方法は、１つ以上の汚染物質が堆積する１つ以上の構成部品を有するイオン注入システムを用意し、このイオン注入システムに処理用イオン種を与える。ここで、イオン種は、加工物にイオンを注入するために用いられるイオン種である。イオンは、イオン源を形成する処理用イオン種から作り出される。イオンビームは、イオン源に関連した引出しアセンブリに引出し電圧を印加することにより、イオン源から引き出される。さらに、引出し電圧は、イオンビームの軌道が所定の範囲内で変動するように調整される。イオンビームは、１つ以上の構成部品を横切って掃引され、その結果、１つ以上の汚染物質が実質的に取り除かれる。
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【課題】半導体ウェーハの測定、検査、欠陥レビュー用などの走査電子顕微鏡において、画像を撮像する時間の短縮と高画質撮像の両立を実現する。
【解決手段】大ビーム電流を用いて低倍画像を撮像し、小ビーム電流を用いて高倍画像を撮像し、ビーム電流の変化によって発生する撮像画像の輝度変化、焦点ずれ、アライメントずれ、視野ずれを補正する制御量を予め全体制御系１１８内のメモリに保存しておき、ビーム電流を切り替える都度これを補正することにより、電流を切り替えた後の調整作業なしで画像を撮像することを可能にする。また、電子ビームの照射経路中に絞り８０１を設けることにより、電流切り替え時間を短縮する。 （もっと読む）