【課題】気体電界イオン源を用いて試料表面でスポットサイズ１０ｎｍ以下のイオンビームを有する汎用性、長器信頼性に優れたイオン顕微鏡を実現する。
【解決手段】イオン源の導電性電極先端１８６の材料と形状を最適化して表面に三量体の原子層を形成し、極低温状体で動作させることにより気体ヘリウムとのイオン化効率を向上する。試料からオージェ電子、二次イオン、二次中性粒子、一次中性粒子、散乱イオン及び光子等の追加の粒子を検出することにより試料についての情報を決定するように構成する。 （もっと読む）

【課題】非破壊で且つ高精度にイオンビームの照射位置の位置決めが可能なイオンビーム照射位置決め装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム照射位置決め装置は、試料台１０と観察装置２０とイオンビーム装置３０とマッピング処理部４０と位置決め部５０とマニピュレータ６０とからなる。観察装置２０は、試料の顕微鏡像を出力するものである。イオンビーム装置３０は、試料にイオンビームを照射するものである。マッピング処理部４０は、観察装置により得られる顕微鏡像を用いて試料を座標にマッピングする。位置決め部５０では、マッピング処理部によるマッピング座標を用いて、イオンビームの照射位置座標を決定する。そして、イオンビーム装置によるイオンビームの照射前に、マニピュレータ６０により、位置決め部により決定される照射位置座標に対して、観察装置の視軸とイオンビーム装置の視軸とが同軸となるように試料台を移動させる。 （もっと読む）

【課題】一次イオンとしてセシウムを使用した場合に、最適な分析条件を判断できる二次イオン質量分析方法及び二次イオン質量分析装置を提供する。
【解決手段】入射角が０度、加速エネルギーが２５０ｅＶの条件でセシウムイオンを第１の試料に照射し、第１の試料から放出される二次イオンを質量分析して不純物元素の分布を測定する。次に、入射角が０度、加速エネルギーが１ｋｅＶの条件でセシウムイオンを第２の試料に照射し、第２の試料から放出される二次イオンを質量分析して不純物元素の分布を測定する。その後、２つの不純物元素の分布のピーク値のシフト方向を調べ、その結果に応じて予め設定された分析条件から特定の分析条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】中エネルギーイオンビーム散乱を用いた分光分析器を提供する。
【解決手段】本発明による中エネルギーイオンビーム散乱を用いた分光分析器は、イオンを発生させるイオン源１０と、イオンを平行ビームとするコリメータ（collimator）２０と、平行ビームを加速する加速器３０と、加速されたイオンビームをパルス化するイオンビームパルス発生器４０と、パルス化されたイオンビームを試片１に集束させる集束対物レンズ５０と、集束されたイオンビームが試片１で散乱されたイオンビームパルスの分光信号を検出する検出器６０と、検出器６０により検出された分光信号を分析処理するデータ分析器７０と、を含んで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多価イオンを用いて、試料表面の分析を高精度で短時間に行うことができる表面分析装置を提供する。
【解決手段】表面分析装置１は、試料５を搭載する試料台６と、試料台６に搭載した試料５に価数が１５以上の多価イオンビーム４を照射する多価イオン発生源３と、試料５に多価イオンビーム４を照射することにより生じる二次イオン７を検出する質量分析部８と、試料５に多価イオンビーム４を照射することにより生じる二次電子９を検出する二次電子検出部１０と、二次電子検出部１０からの二次電子検出信号を受け分析開始信号を生成し質量分析部へ送信する質量分析制御部１２を、備えて構成される。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、液体金属イオン源、二次質量分析計、および対応する分析方法、ならびにこれらの利用に関する。特に、ジェントルＳＩＭＳ（Ｇ−ＳＩＭＳ）法に基づく質量分析方法に関する。
上記の目的を実現するべく、原子量が１９０Ｕ以上の第１の金属と、原子量が９０Ｕ以下の第２の金属とを有する液体金属イオン源を利用する。
本発明によれば、Ｇ−ＳＩＭＳ法に基づき、一次イオンビームから２つの種類のイオンのうち一方を交互にフィルタリングで取り出し、質量高純度一次イオンビームとしてターゲットに当てる。 （もっと読む）

【課題】二次イオン質量分析法において、二次イオン強度の変化を簡便に抑制できる技術を提供する。
【解決手段】一次イオンの試料表面への照射中に、試料電流値の変化に応じて、一次イオンの入射方向に対する試料ステージの角度を変更することにより、一次イオンの試料表面への入射角度を補正する。 （もっと読む）

【課題】試料から汚染成分を除去するための高温熱処理等の処理を要することなく、簡便且つ迅速に正確な試料分析を行なう。
【解決手段】ホルダー板１２の表面のうち、試料１から散乱したイオン等が衝突し易い、試料１との対向面を絶縁性薄膜１３で被覆する。この絶縁性薄膜１３により、その被覆部分が帯電して試料と異なる電位となり、所謂チャージアップ現象により絶縁性薄膜１３の部分からの二次イオンの放出が抑止される。 （もっと読む）

【課題】二次イオン検出手段の先端部分の汚染成分となる付着物を効率良く除去し、高精度の二次イオン質量分析を確実に行う。
【解決手段】ガス導入手段２０によりガスを真空チャンバー１０内に導入し、引き出し電極４の近傍を局所的に低真空状態に調節し、この状態で、プラズマ発生機構３０により、引き出し電極４に所定の電圧を印加することでグロー放電によりプラズマ１１を発生させ、引き出し電極４をプラズマ１１に晒して清浄化する。 （もっと読む）

イオン源、システム及び方法を開示するものである。
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一次イオンビームを作り出すイオン源を有する質量分析器であって、イオン源は、加熱可能なイオンエミッタを有しており、イオンエミッタは、液体金属層で被覆されており、液体金属層は、主に純粋な金属性ビスマスまたは低融点の、主にビスマスを含有する合金からなり、電場の影響下でイオンエミッタを用いてビスマスイオン混合ビームが放射可能であり、ビスマスイオン混合ビームから、それらの質量が単原子の１重または多重に電荷されたビスマスイオンＢｉ_１^Ｐ＋の複数倍となる複数のビスマスイオン種のうちの１種が、質量の純粋なイオンビームとしてろ過可能であり、該イオンビームは１種類のＢｉ_ｎ^Ｐ＋イオンのみから成っており、その際ｎ≧２およびｐ≧１であり、かつｎとｐはそれぞれ自然数である。
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