【課題】アパーチャの寿命を長くでき、カラムバルブを閉じた際にも、コンタミの増加を防止し、また、再起動も短時間で行える集束イオンビーム装置を提供することにある。
【解決手段】高圧電源制御器１８１は、カラムバルブ１４の閉動作時に、引出電極１７に印加する引出電圧を下げ、または、制御電極１６に印加する制御電圧を下げて、エミッションを０μＡにする。また、カラムバルブ１４の開動作時に、引出電極１７に印加する引出電圧を元に戻し、または、制御電極１６に印加する制御電圧を元の電圧に戻す。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＭ像取得のためのシステムを導入することなく、エミッターの先端構造の確認を図ること。
【解決手段】チップ１にガスを供給するガス供給部と、イオンビーム１１を引き出す引出電極４と、イオンビーム１１の照射方向を調整するガンアライメント電極９とを有する集束イオンビーム装置であり、チップ１の先端の一つの原子から放出されたイオンビームを通過させる開口部１０ａを有するアパーチャ１０と、開口部１０ａを通過したイオンビーム１１の電流量を測定する電流測定部と、を有する集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】効率の良い断面加工観察プロセスの実現を図ること。
【解決手段】試料５に集束イオンビーム３を照射する集束イオンビーム照射系１と、試料上の集束イオンビーム照射領域に荷電粒子ビーム４を照射する荷電粒子ビーム照射系２と、試料５から発生する二次荷電粒子を検出する検出器と、検出器で検出した検出信号の変化を検出し、荷電粒子ビーム４の照射を開始する信号を荷電粒子ビーム照射系２に送信する処理を行う処理機構１１と、を備えている集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高加速から低加速に亘って従来の集束イオンビーム装置に比べはるかに大きいビーム電流が得、かつ、小さい収差で集束イオンビームを形成することに関する。
【解決手段】本発明は、液体金属イオン源と、液体金属イオン源からイオンビームを引出す引出電極と、イオンビームを加速する加速（アース）電極と、イオンビームを収束する静電レンズと、を備え、液体金属イオン源の加速電圧が液体金属イオン源のエミッション閾値電圧より低い場合は、引出電極の電圧を加速（アース）電極より低い電位とする集束イオンビーム装置において、引出電極に印加される電圧の極性に連動して静電レンズに印加する電圧の極性を切り換えることに関する。本発明によれば、高加速電圧では静電レンズの耐電圧から減速モード集束法で行い、低加速電圧では加速モード集束法を同じ焦点距離の静電レンズで実施できる。 （もっと読む）

【課題】
従来よりも加工時間を長くすることなくイオンビームによる試料の断面形成の加工精度を向上せしめ、試料を割断することなく微小試料を分離または分離準備する時間を短縮するイオンビーム加工技術を提供する。
【解決手段】
イオン源１からイオンビームを引き出す軸と、前記イオンビームを第１の試料ステージ１３に載置された試料１１に照射するイオンビーム照射軸とが傾斜関係にある構造とし、さらに、前記試料からイオンビーム加工により摘出した試料片３０３を載置する第２の試料ステージ２４が、傾斜軸周りに回転することによりイオンビームの前記試料への照射角度を可変できる傾斜機能を持ち、前記イオンビーム照射軸に垂直な面に前記イオン源からイオンビームを引き出す軸を投影した線分が、前記第２の試料ステージの傾斜軸を前記イオンビーム照射軸に垂直な面に投影した線分と少なくとも略平行関係とすることが可能な構造であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子部品などの大断面加工においても、加工精度を確保しつつ効率良く観察し、加工することが可能な集束イオンビーム装置、及び、試料の加工方法を提供する。
【解決手段】集束イオンビーム装置１は、試料Ｍを載置する試料台２と、イオンビームＩ１、Ｉ２、Ｉ３となるイオンを発生させる複数のイオン源２４、イオン源２４との間に印加された電圧によってイオン源２４からイオンビームＩ１、Ｉ２、Ｉ３を引き出す引出電極２５、及び、引出電極２５と複数のイオン源２４のそれぞれとの間に独立して電圧を印加可能な電源部とを有するイオンビーム放出手段４と、イオンビーム放出手段４から放出された複数のイオンビームＩ１、Ｉ２、Ｉ３を試料Ｍ上で集束させることが可能なイオンビーム光学系５とを備える。 （もっと読む）

【課題】イオンビームによる加工プログラムの作成を効率的に行う。
【解決手段】被加工物である光学素子材料７を搭載する駆動ステージ６に、イオンビーム３の電流状態を測定するファラデーカップ８を設置する。光学素子材料７の加工におけるイオンビーム３による単位時間あたりの除去量および除去形状をファラデーカップ８の出力から算出し、所望の加工形状を得るための加工プログラムを作成する。この加工プログラムに従って、光学素子材料７を加工するときのイオンビーム３の照射量等を制御する。 （もっと読む）

【課題】 低速の多価イオンを用いて空間的に正確で、かつ、イオン注入量などを精密に制御できる多価イオン照射装置及びそれを用いた微細構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 多価イオン照射装置３０は、多価イオン発生源１と、多価イオンを試料に導くための多価イオンガイド３３と、試料３５を搭載する可動の試料台３６と、二次電子検出器３８と、を含み、多価イオン３４を可動の試料台３６の制御により試料３５の所定位置に照射する。多価イオンガイド３３の他端部はキャピラリー部からなっている。多価イオンガイド３３で収束した多価イオン３４を、試料３５に空間分解能が高く、かつ、正確なドーズ量で照射することができる。 （もっと読む）

【課題】 その大きさが集束イオンビームの照射幅より小さなものである場合にあっても、その加工を行いたい個所を好ましく加工することができる。
【解決手段】 集束イオンビームを被加工体９０に照射して該被加工体９０にデポジション加工またはエッチング加工を行う集束イオンビームＩによる加工方法であって、前記被加工体９０のエッジＥに前記集束イオンビームＩを照射して、かつ、前記集束イオンビームのドーズ量を制御することにより、ドーズ量を増加させるに従って、エッジから徐々に加工される領域が広がって、該被加工体９０をデポジション加工またはエッチング加工する。 （もっと読む）

【課題】 試料上でのエッチング加工エリアの重複部分を自動的に最適に設定することにより、効率の良いエッチング加工を行うことのできる試料加工方法を提供する。
【解決手段】 イオンビーム装置の試料室内に配置された試料６の所定領域内での複数の走査エリア３１，３３に対して、当該イオンビーム装置の制御部による制御に基づいて当該走査エリアごとに照射電流の異なるイオンビームの走査を実行してエッチング加工を順次行い、これにより当該所定領域全体のエッチング加工を行う試料加工方法において、直前にエッチング加工された走査エリア３１の端部に形成された加工底面３１ｂからの傾斜部分３１ａの立ち上がり部３１ｃを起点として、次にエッチング加工が施される走査エリア３３が当該制御部により設定される。これにより、必要最小部分のみが走査エリアの重複部分として制御部により設定され、当該重複部分の最適化を自動的に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 イオンビーム等のエネルギービームの収束状態や被加工物への照射方向等を維持すると共に，被加工物の加工深さなどの加工条件等に応じて被加工物へ照射するエネルギービームのエネルギーを変更する際の作業を簡略化すること。
【解決手段】 被加工物７にプロトンビームＬ１（エネルギービーム）を照射させて該被加工物７を加工するエネルギービーム加工装置Ｘにおいて，イオン発生源１及びイオン加速装置２からなるエネルギービームの発生源と上記被加工物７との間の上記プロトンビーム１の光路上に，上記プロトンビームＬ１の持つエネルギーを変更させるエネルギー変更手段１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】 真空度の悪化、構造物の組立不良等に基づくイオンヒ゛ームの不正確な測定による誤った制御を行なわずウェハ等に不純物注入を行うイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 ト゛ース゛ファラテ゛ー1は、イオン照射対象物のウェハ4に照射するイオンヒ゛ーム6の軌道外に設けられ、ウェハ4へのイオン注入処理中のイオンヒ゛ーム6のヒ゛ーム電流を測定する。フロントファラテ゛ー2は、ト゛ース゛ファラテ゛ー1近傍のイオンヒ゛ーム6の軌道上に設けられ、イオン注入処理前にイオンヒ゛ーム6のウェハ4の上流のヒ゛ーム電流を測定する。ハ゛ックファラテ゛ー5は、イオンヒ゛ーム6の軌道上に設けられ、イオンヒ゛ーム6のウェハ4の下流のヒ゛ーム電流を測定する。フロントファラテ゛ースリット3は、ウェハ4に対して照射されるイオンヒ゛ーム6を通過させる。図に示さない制御装置は、フロントファラテ゛ー2で測定したイオンヒ゛ーム6のヒ゛ーム電流値と、ハ゛ックファラテ゛ー5で測定したイオンヒ゛ーム6のヒ゛ーム電流値との一致を確認し、ト゛ース゛ファラテ゛ー1で 計測されるヒ゛ーム電流値を、フロントファラテ゛ー2、ハ゛ックファラテ゛ー5で計測されるイオンヒ゛ーム電流値と一致させるための係数Dffを演算する。 （もっと読む）