【課題】発光表示装置の画素駆動電圧の電圧降下を最小化できる発光表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば，走査信号ｓ１，ｓ２，．．．，ｓｎ−１，ｓｎを伝達する複数の走査線Ｓ１，Ｓ２，．．．，Ｓｎ−１，Ｓｎと，データ信号ｄ１，ｄ２，．．．，ｄｍ−１，ｄｍを伝達する複数のデータ線Ｄ１，Ｄ２，．．．，Ｄｍ−１，Ｄｍと，画素電源を伝達する複数の画素電源線Ｖｄｄと，走査信号，データ信号および画素電源が伝達されることにより発光する複数の画素１１０とを含み，画素１１０は，複数のデータ線と交差して複数の画素電源線Ｖｄｄに電気的に連結される複数の金属ライン１３０を含み，金属ライン１３０は，データ線と交差する部分の幅が交差しない部分の幅より小さく形成される発光表示装置が提供される。 （もっと読む）

電流入力型画素において、信号電流の書き込み動作を素早く行う半導体装置を提供する。信号電流を入力する前に、大きな電流を流して、プリチャージ動作を行う。その後、信号電流を入力して、設定動作を行う。設定動作の前に、プリチャージ動作を行っているため、素早く所定の電位に達することが出来る。その所定の電位は、設定動作が完了したときの電位と概ね等しい。そのため、素早く設定動作を行うことができ、信号電流の書き込み動作を素早く行うことが出来る。なお、トランジスタを２つ用いることによって、プリチャージ動作の時には、ゲート幅Ｗを大きくし、あるいは、ゲート長Ｌを小さくする。設定動作のときには、ゲート幅Ｗを小さくし、あるいは、ゲート長Ｌを大きくする。
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【課題】ガラス基板内を効率よく利用してビーム幅以上の大きさのパネルを製造するため、薄膜トランジスタの閾値がパネル内で異なることを許容して製造コストを下げることができる表示装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】特定の画素ライン上の薄膜トランジスタの閾値と他の画素ラインの薄膜トランジスタの閾値の差を補償するため、特定の画素と他の画素ラインで異なる駆動回路を持つ。あるいは駆動電圧を個別に調整可能とする。 （もっと読む）

【課題】 再現性良く製造できる駆動電圧の低い有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、およびその有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することである。
【解決手段】 有機ＥＬ素子１００は、ホール注入電極２、ホール輸送層３、発光層４、第一電子輸送層５、金属層６、第二電子輸送層７および電子注入電極８を備える。金属層６は、第一電子輸送層５と第二電子輸送層７との間に形成される。金属層６の膜厚は、１ｎｍ以上２ｎｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 例えばＴＦＴ等の薄膜半導体装置において、耐電圧性を高め、オフリーク電流を低減する。
【解決手段】 チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を含むと共に島状の平面パターンを有する半導体膜と、この上又は下に積層されたゲート絶縁膜と、これを介してチャネル領域に対向配置されたゲート電極とを備える。ゲート絶縁膜は、半導体膜における島状の平面パターンの周辺領域とゲート電極との層間に挟持される第１部分において、局所的に厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】配線を通じた電圧降下・信号遅延を抑えること。
【解決手段】ディスプレイパネル１は、１ドットのサブピクセルＰにつきトランジスタ２１〜２３及びキャパシタ２４が設けられたトランジスタアレイ基板５０を具備する。トランジスタ２１〜２３のドレイン・ソースとともにパターニングされた走査線Ｘ及び供給線Ｚには選択配線８９及び給電配線９０がそれぞれ積層されている。選択配線８９はトランジスタアレイ基板５０の表面の保護絶縁膜３２及び平坦化膜３３に埋設されている。給電配線９０は保護絶縁膜３２及び平坦化膜３３に埋設されているとともに、平坦化膜３３の表面から凸設されている。平坦化膜３３の表面にはサブピクセル電極２０ａがマトリクス状に配列され、サブピクセル電極２０ａに有機ＥＬ層２０ｂが積層され、有機ＥＬ層２０ｂに対向電極２０ｃが積層されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜から触媒元素を除いた後、トップゲート型プラナー構造の薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、表示装置の構成物を選択的に形成する液滴吐出法を用いることで、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】電圧降下を抑えること。
【解決手段】ディスプレイパネル１は、１ドットのサブピクセルＰにつきトランジスタ２１〜２３及びキャパシタ２４が設けられたトランジスタアレイ基板５０を具備する。トランジスタ２１〜２３のドレイン・ソースとともにパターニングされた走査線Ｘ及び供給線Ｚには選択配線８９及び給電配線９０がそれぞれ積層され、選択配線８９及び給電配線９０がトランジスタアレイ基板５０の表面から凸設されている。トランジスタアレイ基板５０の表面にはサブピクセル電極２０ａがマトリクス状に配列され、サブピクセル電極２０ａに有機ＥＬ層２０ｂが積層され、有機ＥＬ層２０ｂに対向電極２０ｃが積層されている。選択配線８９及び給電配線９０の厚みによって、有機ＥＬ層２０ｂを湿式塗布法により塗り分けることができる。 （もっと読む）

【課題】電圧降下を抑えること。
【解決手段】ＥＬディスプレイパネル１は、絶縁基板２と、各画素の駆動トランジスタ２３と、駆動トランジスタ２３のゲート２３ｇとともにパターニングされ、ゲート絶縁膜３１によって被覆された信号線Ｙ₁〜Ｙ_nと、駆動トランジスタ２３のソース２３ｓとともにパターニングされ、ゲート絶縁膜３１上において信号線Ｙ₁〜Ｙ_nと直交するよう配列され、ドレイン２３ｄに導通した供給線Ｚ₁〜Ｚ_mと、供給線Ｚ₁〜Ｚ_mにそれぞれ積層された複数の給電配線９０と、駆動トランジスタ２３を被覆した保護絶縁膜３２と、保護絶縁膜３２上にマトリクス状に配列され、駆動トランジスタ２３のソース２３ｓに導通した画素電極２０ａと、画素電極２０ａに成膜された有機ＥＬ層２０ｂと、有機ＥＬ層２０ｂを被覆した対向電極２０ｃと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 各データ電流供給用ＩＣに入力する基準電位の電位変動を簡単な構成で抑制することができる電気光学装置及びその電気光学装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】 第１〜第４データ電流供給用ＩＣ７a〜７dから出力されるデータ電流の基準値を与える接地電位Ｅgを入力する第２外部入力端子Ｐ2を各第１〜第４ＦＰＣ基板３a
〜３d上に形成された第２半田実装用ランド６bに、また、第３外部入力端子Ｐ3を第３半
田実装用ランド６cにそれぞれ第２配線Ｓｂを介して接続した。そして、各第１〜第３Ｆ
ＰＣ基板３a〜３ｃ上に形成された第３半田実装用ランド６cを、隣接するＦＰＣ基板上の第２半田実装用ランド６ｂとリード線９を介して電気的に接続した。さらに、第１ＦＰＣ基板３a上に形成された第２半田実装用ランド６ｂ及び第４ＦＰＣ基板３d上に形成された第３半田実装用ランド６cには、接地電位Ｅgを入力するようにした。 （もっと読む）

【課題】 幅が狭く膜厚が厚い配線を任意の平面形状で形成した絶縁基板と、この絶縁基板を用いた低消費電力および高開口率の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 基板１上にバンク２を設ける。バンク２の表面は配線材料インクに対して撥液性を持ち、基板１の表面は配線材料インク３に対して親液性を持つ。配線は液晶パネルのゲート配線とデータ配線の少なくとも一方とすることで、幅が狭く膜厚が厚い配線を有し、開口率が大きく、低消費電力の液晶表示装置を提供できる。 （もっと読む）

【課題】 幅が狭く膜厚が厚い配線を任意の平面形状で形成した絶縁基板と、この絶縁基板を用いた低消費電力および高開口率の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 絶縁基板１の表面に、薄膜配線のパターンに沿った凹溝５を設け、この凹溝５の両縁に沿って薄膜配線の両側に対向する側壁を有して延びるバンク２を備える。凹溝５の表面に配線材料インクに対して親液性を持つと共に、バンク２の表面には配線材料インクに対して撥液性を持たせる。薄膜配線を液晶パネルのゲート配線とデータ配線の少なくとも一方とすることで、幅が狭く膜厚が厚い配線をもち、開口率が大きく、低消費電力の液晶表示装置を提供できる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、画素電極及びデータ線間に生じる容量カップリングの影響を極力排除するとともに、ＴＦＴの長期寿命化を図り、更には、積層構造を構成する各要素間の電気的接続を良好に実現することによって、より高品質な画像を表示する。
【解決手段】基板上に、データ線（６a）、走査線（３a）、画素電極（９a）及びＴＦＴ（３０）が積層構造の一部をなして備えられている。この基板上には更に、ＴＦＴ及び画素電極に電気的に接続された蓄積容量（７０）と、データ線及び画素電極間に配置されたシールド層（４００）と、前記画素電極の下地として配置された層間絶縁膜（４３）とが、前記積層構造の一部をなして備えられている。このうちシールド層は略三角形の部分が設けられ、前記略三角形の部分も含めて窒化膜を含む。 （もっと読む）

【課題】フリッカ、焼き付き、中間階調の表示不良などの不具合が発生することを防止し、画像品質を向上する。
【解決手段】複数の走査配線２１１における各行の走査配線２１１ｂが、複数の画素電極１１１のうち、当該行の走査配線２１１ｂの形成領域と異なる領域に形成された画素電極１１１ｂを選択して画素スイッチング素子１１２に走査信号を供給するように形成する。これにより、走査信号を供給する際に、走査配線２１１と画素電極１１１との間で発生する寄生容量を減少させる。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）およびＴＦＴを有する半導体集積回路を提供する。
【解決手段】周辺回路およびアクティブマトリクス回路を含む半導体装置において、前記周辺回路および前記アクティブマトリクス回路は、第１の絶縁膜を介して半導体層の下に設けられた第１のゲイト電極および第２の絶縁膜を介して前記半導体層の上に設けられた第２のゲイト電極を含む複数の薄膜トランジスタを含み、前記周辺回路の薄膜トランジスタの半導体層に結晶性半導体が用いられ、前記アクティブマトリクス回路の半導体層に非晶質半導体が用いられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 マトリクス配線全体の膜厚を増加させることなく、特定の配線の膜厚のみを増加させることで、一部の配線の低抵抗化を図ることができるアクティブマトリクス基板を実現する。
【解決手段】 ガラス基板１３上に形成された信号伝達用配線１５、あるいは補助容量本線１６に対し、ガイド層５１１および補助金属５１２からなる補助配線５１、ガイド層５２１および補助金属５２２からなる補助配線５２を形成する。上記ガイド層５１１および５１２は、画素電極と同一の導電層によって形成され、補助金属５１２および補助金属５２２は、インクジェット方式等の、金属微粒子を吐出または滴下する方式によって形成される。 （もっと読む）

【課題】 共通信号の歪曲を最少化して表示特性を確保できる有機発光表示装置の薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一つの実施形態による有機発光表示装置用表示板は、複数のアノード電極１９０と、所定の電圧の供給を受けてアノード電極１９０と対向する第１部分、及び前記所定の電圧の印加を受けて前記第１部分と異なる断面構造を有する第２部分を含むカソード電極２７０と、アノード電極１９０とカソード電極２７０との間に備えられている複数の発光部材３７０と、所定の電圧を伝達し、カソード電極２７０の第２部分と接触する信号線とを含む。 （もっと読む）

本発明は、細長いディスプレイファイバ（１）に係り、該ファイバは、ファイバ（１）の長さに沿って分布された複数の電子発光ピクセル素子（２）を有する。ファイバ（１）は更に、ファイバ（１）の長さに沿って分布された交差する横列（Ｒ_１−Ｒ_ｎ）及び縦列（Ｃ_１−Ｃ_ｎ）の導電体を有する導電体マトリクス（３）を有する。電気的接続は、各横列（Ｒ_１−Ｒ_ｎ）及び縦列（Ｃ_１−Ｃ_ｎ）の導電体と電子発光ピクセル素子（２）の夫々１つとの間に存在する。各夫々の電子発光ピクセル素子（２）は、横列（Ｒ_１−Ｒ_ｎ）のうちの１つと縦列（Ｃ_１−Ｃ_ｎ）の導電体のうちの１つとの夫々の組合せに対する電気信号の選択的適用を介して光を発させ得る。本発明は更には、本発明に従った少なくとも１つの細長いディスプレイファイバ（１）を有するディスプレイ装置（６）に係る。
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【課題】 高い周波数が印加され、数ｃｍ〜数１０ｃｍの長さを有する配線の抵抗を低減し、伝送される信号波形のなまりを低減する。
【解決手段】 高周波が印加される配線１１１は、層間絶縁膜１０７を介して、配線１１１の線方向にそって複数設けられたコンタクトホールにより配線１０６と電気的に並列接続している配線構造を採用する。その配線構造を周辺回路一体型アクティブマトリクス型液晶表示装置の周辺回路に用いることで、高周波信号が印加される配線において信号波形のなまりを低減できる。 （もっと読む）