【課題】表示むらを抑制すること、又は異なる画素におけるトランジスタ特性のばらつきを低減すること、あるいは、発光素子の劣化等に伴う輝度の低下を抑制する事が可能な発光装置を提供する。
【解決手段】基板１００の上に設けられたトランジスタ１２１と、発光素子１０９とを具備する画素部１２０を有し、トランジスタは、チャネル形成領域を形成する単結晶半導体層１２２を有し、基板と単結晶半導体層との間に、酸化シリコン層が設けられており、トランジスタのソース又はドレインと発光素子の電極とが電気的に接続され、発光素子の発光時にトランジスタを飽和領域で動作させる。また、発光素子の階調表示を、トランジスタのゲートに印加する電位を変化させることによって行う。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板にＯＬＥＤのような発光素子を含む画素回路を形成する。
【解決手段】画素回路が配列する表示部１００と、表示部１００から離間して囲むように設けられ、複数の画素回路を駆動する走査線駆動回路１４０、データ線駆動回路１５０とがシリコン基板に形成される。Ｎウェル１０４は、表示部１００にわたって連続的に形成される。複数の画素回路の各々は、それぞれ複数のトランジスターを有し、当該トランジスターはＮウェル１０４に共通に形成されるとともに、基板電位を共通である。表示部１００におけるＮウェル１０４は導電型の異なるＰ型半導体基板領域１０２で囲まれる。 （もっと読む）

【課題】レイアウトの自由度を高め、基板上の熱源による表示品質の低下を防止できるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】走査線２２、データ線２４及び画素２６を含む画素回路と、半導体基板の一辺に沿って形成された複数のパッドを含む入力パッド部３０と、高速シリアルインターフェース回路４０と、高速シリアルインターフェース回路からの出力に基づいて階調データを生成するロジック回路５０と、階調データに基づいて複数のデータ線を駆動するデータ線駆動回路６０と、制御信号に基づいて走査線を駆動する走査線駆動回路７０とを有し、半導体基板の一辺と画素回路との間で、該一辺側から順に、入力パッド部、高速シリアルインターフェース回路及びロジック回路が配置され、ロジック回路と画素回路との間に、データ線駆動回路及び走査線駆動回路の一方が配置される。 （もっと読む）

【課題】各画素内の正極性信号側画素回路部と負極性信号側画素回路部で互いに対になっている回路構成要素及び配線同士を、仮想の画素中心線に対して線対称で配置構成することにより、画素ピッチを増大させることなく液晶素子に正常な駆動電圧を印加する。
【解決手段】Ｖdd配線１０２、Ｃs1接続配線１０４、データ線Ｄi+用配線１０６などの正極性信号側画素回路部の配線と、Ｖdd配線１０３、Ｃs2接続配線１０５、データ線Ｄi-用配線１０７などの負極性信号側画素回路部の配線とは、画素中心線II−II’に対して対応する配線同士が線対称位置に配置されている。Ｖdd配線１０２とＶdd配線１０３とは、１画素内の左右両端に配置されているため、左右両隣の画素のＣs1接続配線、又はＣs2接続配線からのクロストークを抑制するガードパターンの役割を果たしている。データ線Ｄi+用配線１０６及びデータ線Ｄi-用配線１０７は、画素の中心部付近に配置されている。 （もっと読む）

【課題】電極による可視光の反射率を向上させること。
【解決手段】半導体基板１０の上方に設けられ、液晶層３２を透過した光を反射する電極２４と、前記電極上に形成された酸化シリコン膜２６と、前記酸化シリコン膜上に形成された窒化シリコン膜２８と、を具備し、前記酸化シリコン膜の膜厚をｄ１、前記窒化シリコン膜の膜厚をｄ２としたとき、ｄ１が７０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であり、かつｄ２が６０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である半導体装置。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高くリーク電流の少ない絶縁膜を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極と、前記ゲート電極に所定の電圧を印加することによりソース電極とドレイン電極との間にチャネルが形成される半導体層を有し、前記ゲート電極と前記半導体層の間にゲート絶縁層と、を備え、前記ゲート絶縁層は、アルカリ土類金属の中から選ばれた１または２種類以上の元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの中から選ばれた１または２種類以上の元素とを含むアモルファス複合金属酸化物絶縁膜により形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エレメントの数量を減らして、電気エネルギーの消費を低く抑える表示モジュール及び表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の表示モジュール２は、第一基板２１、第二基板２２、駆動ユニット２３、複数のデータライン及び複数のスキャンラインを備える。第一基板２１は第一画素電極アレイ２１１を、第二基板２２は第二画素電極アレイ２２１を有する。データラインは、それぞれ駆動ユニット２３及び第一画素電極アレイ２１１に電気的に接続され、さらに、少なくとも一部のデータラインは、第一基板２１を介して第二画素電極アレイ２２１に電気的に接続される。スキャンラインは、それぞれ駆動ユニット２３及び第一画素電極アレイ２１１に電気的に接続され、且つ、第二画素電極アレイ２２１には電気的に接続されない。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で高精細化が可能なアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、第１電極(5d)と接続された第１画素電極(PE)と、第２電極(5d)と接続され、第１画素電極の隣に配置された第２画素電極(PE)と、平面視において第１電極と第２電極との間に設けられた第１共通電極(5s)と、第１共通電極に接続されたデータ線(DL)と、第１電極、第２電極および第１共通電極の形成領域に一体に形成された第１半導体膜(7)と、を有し、第１画素電極と電気的に接続される第１トランジスタ(T(00))は、第１電極と第１共通電極との間を第１チャネル領域とし、第２画素電極と電気的に接続される第２トランジスタ(T(01))は、第２電極と第１共通電極との間を第２チャネル領域とする。このように、１つの半導体膜を２つの画素に係る２つのトランジスタによって共有することで、構成を簡素化でき、画素の縮小化、画素ピッチの短縮化にも対応できる。 （もっと読む）

【課題】素子基板の基板本体として半導体基板を用いた場合でも、複雑なウエル構造や大掛かりな遮光構造を必要とせず、かつ、基板本体としてガラス基板などを用いた場合に比較して画素トランジスターの特性を大幅に向上することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０では、基板本体として、単結晶シリコン基板からなる半導体基板１１を用い、半導体基板１１の表面に不純物を導入することによって、バックゲート構造を備えた画素トランジスター３０の第１ゲート電極１１ａ、および保持容量６０の第１保持容量電極１１ｂを同時形成する。また、第１ゲート絶縁層７０の一部を保持容量用誘電体層７０ｃとして利用する。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイの大量生産を可能とし、かつ保管、運搬が容易で安価である。
【解決手段】プラスチック基板と対向して組み合わせてフラットパネルディスプレイとするための薄膜半導体アレイ３を有する単板状の絶縁基板４が長尺状のプラスチックフィルム２上に連続して貼合されてなる。また、フラットパネルディスプレイとする薄膜半導体基板を製造する装置であって、薄膜半導体アレイ３を保護するための保護フィルムが貼合された単板状の絶縁基板４を長尺状のプラスチックフィルム２上に連続して貼合する貼合部と、保護フィルムを加熱または紫外線照射により剥がす剥離部と、長尺状の保護フィルム６を長尺状のプラスチックフィルム２にラミネートして薄膜半導体アレイ３を保護するラミネート部と、長尺状の保護フィルム６をラミネートした長尺状のプラスチックフィルム２をロール状に巻き取る巻取り部とを有する。 （もっと読む）

【課題】フラットな液晶表示パネルを湾曲することによって形成される円筒型液晶表示装置において、液晶表示パネルの端部の突き合わせ部における段差をなくする。
【解決手段】研磨によって薄くした液晶表示パネルを湾曲させて円筒型の表示装置を形成する。液晶表示パネルの端部どうしが突き合わされる部分には線Ｌが形成される。線Ｌにおける段差を小さくするために、カラーフィルタ基板２０の端部Ｅ２における板厚ＴＣ２を、液晶表示パネルの他の端部Ｅ１におけるＴＦＴ基板１０の板厚ＴＴ１およびカラーフィルタ基板２０の板厚ＴＣ１の合計よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】従来の欠点を改善した、電子表示装置の製造法を提供すること。
【解決手段】本発明は、保護板で被覆されたスクリーン（３）を有する電子表示装置（１）の製造法および、その装置を得るための前記スクリーンによって覆われた基板（２）に関する。この製造法は：ａ）実質的に架橋していない状態の接着剤（１０）を、スクリーンの電気接続域（５）に接続域を接着剤から保護するための少なくとも１層の有機層（１５）を形成したのちに、スクリーンの表面全体および／または保護板（１１）の接合面（１１ａ）全体に塗布する工程；接着剤を介してスクリーンに接合面を合わせる工程；ｃ）保護板を通して放射線を照射して接着剤を架橋させる工程；およびｄ）接続域を覆っている部分の保護板を取り除き、それと同時もしくは、その後の表面処理によって、保護層を接続域から取り除いて、接続域を電気接触できるようにする工程、からなっている。本発明における保護層はジアミン類から誘導される化合物およびヘテロ環を有する有機金属錯体からなる群から選ばれる少なくとも１つの有機化合物を含有している。
（もっと読む）

【課題】必要とされる機能に応じてトランジスタの電気特性を制御し、半導体装置の高性能化、低消費電力化を図ることを目的の一とする。また、そのような半導体装置を、作製工程を複雑化することなく、高い歩留まりで生産性よく作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体装置に含まれるトランジスタのしきい値電圧を制御するための一導電型を付与する不純物元素の添加を、半導体基板よりトランジスタの半導体層を分離し、絶縁表面を有する基板である支持基板上に転載する前に、半導体基板へ行う。 （もっと読む）

【課題】表示装置の画素を構成する電界効果トランジスタの高性能化を実現し、且つ電界効果トランジスタの微細加工技術に依拠することなく、画素内の電界効果トランジスタ数を増やしても電界効果トランジスタ数の増加に伴い低下した画素の開口率を向上及び画素に占める電界効果トランジスタの面積の削減を図ることのできる表示装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層を有する電界効果トランジスタが、平坦化層を層間に設けて複数積層された画素を複数具備する表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】耐熱性や接合強度等の信頼性を高めることができるとともに、高い生産性を得ることができる半導体装置、表示装置及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に半導体素子を有する半導体装置であって、上記基板は、半導体素子が配置されている側の面に凸部を有し、上記半導体素子は、基板の凸部の上面に配置されている半導体装置、及び、上記半導体装置の製造方法であって、上記製造方法は、半導体素子又はその構成要素を基板の凸部の上面に転写する工程を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に高エネルギーを有する少なくとも一種類の粒子により該高エネルギーを供給することにより加熱し、加熱した半導体層表面に研磨処理を行う。高エネルギーの供給による加熱処理により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。 （もっと読む）

【課題】平坦な表面を持つ画素電極を有する半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上に、絶縁膜と、前記絶縁膜に埋め込まれた第１の画素電極と、前記絶縁膜上に島状単結晶半導体層と、ゲート絶縁膜及びゲート電極と、前記島状単結晶半導体層及び前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、前記高濃度不純物領域と前記第１の画素電極を電気的に接続する配線と、前記層間絶縁膜、前記島状単結晶半導体層、前記ゲート電極を覆い、前記第１の画素電極上の領域が開口された隔壁と、前記画素電極上の、前記隔壁に囲まれた領域に形成された発光層と、前記発光層に電気的に接続された第２の画素電極とを有し、前記第１の画素電極の、前記発光層と接する面は平坦であり、前記絶縁膜と前記島状単結晶半導体層が接する面と、前記第１の画素電極と前記発光層が接する面は、略一致する半導体装置とその作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】均一な特性を有するトランジスタを有し、さらに表示ムラや画質低下などを防止した高画質かつ高信頼性を付与した表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】単結晶半導体基板より分離、接合され、支持基板上に設けられた単結晶半導体層を用いることによって、均一な特性を有するトランジスタとすることができる。さらに、バイポーラトランジスタを有するリファレンス回路を有することにより、画素の発光素子に電流を供給して駆動する駆動トランジスタの温度依存性を補償する。 （もっと読む）

【課題】
本発明によるポリシリコンＴＦＴ基板においては、欠陥密度の少ない層間絶縁膜を用いることで、高性能なＴＦＴ特性を提供することを目的とする。また、層間絶縁膜のＥ'センター密度を事前に測定し、ＴＦＴ特性の予測しておくことで、ＴＦＴ基板の評価期間を短縮すること。
【解決手段】
基板１上に絶縁膜を形成する工程と、ポリシリコン膜４を形成する工程と、ゲート絶縁膜７を形成する工程と、ゲート電極８を形成する工程と、層間絶縁膜１０を形成する工程と、ポリシリコン膜４と接続するソース・ドレイン配線１１を形成する工程と、保護膜１２を形成する工程とを備え、層間絶縁膜１０のＥ'センター密度を１．０×１０^１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】
薄膜トランジスタの性能のばらつきの低減を図ることができる薄膜トランジスタ装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明にかかる薄膜トランジスタ装置は、絶縁基板上１にソース領域２ａ、ドレイン領域２ｂ及びチャネル領域２ｃを含むシリコン層２と、ゲート絶縁層３と、ゲート電極４とを有する薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを覆う層間絶縁層５と、層間絶縁層５に設けられたコンタクトホール６を介して、ソース領域２ａ、ドレイン領域２ｂ及びゲート電極４に電気的に接続された配線７とを備えた薄膜トランジスタ装置である。配線７及び層間絶縁層５を覆い、配線７及び層間絶縁層５の表面凹凸を緩和する第一の上部絶縁層８ａと、第一の上部絶縁層８ａを覆う第二の上部絶縁層８ｂとを備え、第二の上部絶縁層８ｂの水素拡散係数が第一の上部絶縁層８ａの水素拡散係数より小さいことを特徴とするものである。 （もっと読む）