【課題】表示むらを抑制する発光装置を提供することを課題とする。又は、異なる画素におけるトランジスタ特性のばらつきを低減した発光装置を提供することを課題とする。又は、発光素子の劣化等に伴う輝度の低下を抑制する発光装置を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に設けられたトランジスタと、発光素子とを具備する画素を有し、トランジスタは、チャネル形成領域を形成する単結晶半導体層を有し、基板と単結晶半導体層との間に、酸化シリコン層が設けられており、トランジスタのソース又はドレインと発光素子の電極とが電気的に接続され、発光素子の発光時にトランジスタが飽和領域で動作させる。また、発光素子の階調表示を、トランジスタのゲートに印加する電位を変化させることによって行う。 （もっと読む）

【課題】外部からのプローブを接触される等の必要がなく、十分な測定精度の得られる検査を実現できる電気光学装置用基板及びその検査方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板１は、複数のスイッチング素子のそれぞれを介して、複数の画素に第１の電位信号を信号線を介して書き込むためのビデオ線７とトランスミッションゲート部６を有する。さらに、基板１は、低い方の電位をより低くして、かつ、高い方の電位をより高くして信号線に出力する差動増幅器４ａからなる表示データ読み出し回路部４と、第１の電位信号と基準となる第２の電位信号を読み出すトランスミッションゲート部６とビデオ線７とを有する。 （もっと読む）

本発明の1つの態様は、赤外範囲内の第1波長の光および可視スペクトル内の第2波長の光を選択的に反射するように構成されるディスプレイ要素(102)を備えるディスプレイ(100)に関する。本発明の別の態様は、少なくとも3つの反射性ディスプレイ要素(104、106、108)を備えるカラーディスプレイ(100)に関する。各ディスプレイ要素(104、106、108)は、可視範囲内の異なる波長の光を選択的に反射するように構成される。3つの反射性ディスプレイ要素(104、106、108)の少なくとも1つの反射性ディスプレイ要素はさらに、赤外範囲内の波長の光を選択的に反射するように構成される。
（もっと読む）

【課題】透過電極と反射電極とが積層された構造を有する画素電極を備えた半透過型の液晶表示装置の散乱性を向上することを目的とする。
【解決手段】反射電極を複数の島状のパターンとする。さらに、複数の島状パターンの上面形状をランダムな形状とする。なおかつ、複数の島状パターンのパターン端部にテーパースロープ面を形成する。つまり、複数の島状パターンは、ランダムな形状という不規則性と、テーパースロープ面という規則性と、が合わさった特殊な形状となる。 （もっと読む）

円形又は曲線でかたどられた形式の、ダイナミックに変化する１以上の数量を視覚的に表示する情報表示器である。該情報表示器は、それぞれが１以上の表示器を有する１以上の計測ユニットを具備し、各計測ユニットの該表示器は、１以上の部分を有し選択的に活性化する少なくとも１つの円環状表示器を有する。この１以上の各部分は、それぞれの情報源に関係し、その情報源に関する量的な情報に応じて動的に活性化する。各計測ユニットの表示器は、少なくとも１つの円環状表示器の内側に中央表示部分を具備し、この中央表示部分は、英数字を表示するようになっている。あるいは、少なくとも１つの円環状表示器の回りに環状に置かれたボタン群を具備する。あるいは、中央表示部分と環状に置かれたボタン群との両方を具備する。各円環状表示器の一部分は、元の値が増加するにつれて量的な情報の計測値として２方向又は１方向に増大するように広がる。
（もっと読む）

【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、ダミー画素と表示画素との境界付近における画質の不連続な変化を防止し且つダミー画素が占める領域の増大を抑制する。
【解決手段】 電気光学装置は、基板上に、画素領域に配置された複数の画素部と、複数のダミー画素領域に夫々配置されたダミー画素部とを備えている。ダミー画素領域の配列ピッチは、画素領域の配列ピッチより小さく、且つ、画素領域の一辺から離れるに従って徐々に小さくなる。ダミー画素領域のうち画素領域に隣接する第１ダミー画素領域の配列ピッチの画素領域の配列ピッチに対する大きさの比率は、第１ダミー画素領域に対して画素領域とは反対側に隣接する第２ダミー画素領域の配列ピッチの第１ダミー画素領域の配列ピッチに対する大きさの比率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 駆動回路を内蔵しながら簡便な工程で高歩留まりに製造可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】 実施形態に係る液晶装置１００は、互いに対向して配置された駆動回路基板（第１基板）１０と画素部形成基板（第２基板）２０と具備し、前記駆動回路基板１０の画素形成基板２０との対向面に多結晶半導体層を含むデータ線駆動回路１１０と、該駆動回路に導電接続されたデータ側回路導通部（第１導通部）とが設けられ、前記画素部形成基板２０の駆動回路基板１０との対向面には、画素電極と該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とを含む画素部２１と、該画素部２１に導電接続されたデータ側画素導通部（第２導通部）２０１とが設けられており、前記データ側回路導通部１０１とデータ側画素導通部２０１とが平面的に重なって配置された導通領域１８１で電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 １絵素のサイズが小さい高精細液晶パネルでも充分な開口率を確保する。
【解決手段】 ＲＧＢ絵素部を１画素部として、表示領域が３種類の絵素形状で構成され、第１絵素電極２４ａと信号線２１との間に第１ＴＦＴ２５ａが接続され、第２絵素電極２４ｂと信号線２１との間に第２ＴＦＴ２５ｂが接続され、第３絵素電極２４ｃと信号線２１との間に第３ＴＦＴ２５ｃと第４ＴＦＴ２５ｄが直列接続されている。表示画面を構成する絵素部のうちの１／３に二つのスイッチング素子を備えて、Ａ画素×Ｂ画素の液晶表示パネルに対して、信号線本数＝Ａ、走査線本数＝Ｂ×２という配線本数で表示領域が構成される。 （もっと読む）

【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、小型化・高精細化を実現しつつ、高品質な表示を可能とする。
【解決手段】 電気光学装置は、基板上に、複数の走査線と、複数のデータ線と、複数の薄膜トランジスタと、容量線と、蓄積容量と、画素電極とを備える。複数の薄膜トランジスタは夫々、列方向に相隣接して配置された一対の薄膜トランジスタにおける、基板上で平面的に見て列方向に対するソース及びドレインの向きが相互に逆となるように配置されている。列方向に第i（但し、iは偶数または奇数のいずれかをとる）番目の薄膜トランジスタのドレインに結合された蓄積容量の定電位側容量電極を容量線に電気的に接続する第１コンタクトホールと、列方向に第i＋１番目の薄膜トランジスタのドレインに結合された定電位側容量電極を容量線に電気的に接続する第１コンタクトホールとは、共通である。 （もっと読む）

【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、各ブロックの境目で輝度ムラが発生するのを防止して、高品質な画像表示を行う。
【解決手段】 電気光学装置は、Ｎ個のシリアル−パラレル変換された画像信号が外部回路接続端子を介して供給されるＮ本の画像信号線と、Ｎ本の画像信号線の配線方向に交差して形成される中継用配線を含む、Ｎ本の画像信号線のうち対応する一本に夫々接続される複数の分岐配線とを備える。更に、複数の分岐配線から夫々供給される画像信号を、サンプリング信号に応じてデータ線に夫々供給する複数のサンプリングスイッチを含むサンプリング回路と、サンプリング信号を順次供給するデータ線駆動回路とを備える。Ｎ本の画像信号線は、複数の分岐配線相互間の配線抵抗の差を補償するように、少なくとも部分的に相互に配線幅が異なる。 （もっと読む）

【課題】 高品質な画像表示を行うと共に、自由度が大きく且つ安定した電気光学装置を製造する。
【解決手段】 複数の走査線を夫々短絡させて形成する工程と、該走査線に電気的に接続される駆動素子を形成する工程と、データ線又は画素電極と、走査線及び駆動素子とを層間絶縁する第１層間絶縁膜を形成する工程と、第１層間絶縁膜に、データ線又は画素電極と、駆動素子とを電気的に接続するためのコンタクトホールを開孔する工程と、データ線を形成する工程と、画素電極を形成する工程と、コンタクトホールを開孔する工程と別に行われ、第１層間絶縁膜に切断用孔を開孔することで走査線の短絡部分を切断する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、画像表示領域の面積をそのまま確保しながら小型化する。
【解決手段】 電気光学装置は、一対の第１及び第２基板が貼り合わされてなり、第１基板は、その第１辺において平面的に見て第２基板より張り出した張出部を有する。第１基板に、複数の画素部、走査線駆動回路、データ線駆動回路、複数の外部回路接続端子、複数の引回配線を備える。更に、データ線駆動用配線及び走査線駆動用配線よりも第１基板の第１辺と対向する第３辺に近い側に配置されていると共に対向電極電位線に接続されており、対向電極電位を供給するための上下導通端子を備える。第２基板に、対向電極を備える。第１及び第２基板間に、上下導通端子と対向電極とを電気的に相互接続する上下導通材を備える。 （もっと読む）

【課題】
低コストで容易に反射表示の視角を狭くする原因を取り除き、反射表示の品位向上を可能とする電気光学装置及びその電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】
第２基板上に、凹凸２１を有する下地層１５を形成する形成工程と、該形成工程により形成された下地層上に、光を反射する反射膜１６を成膜する成膜工程と、該成膜工程により成膜された反射膜１６の平坦部２３を除去する除去工程とを具備することとしたので、平坦部２３で外部の光が鏡面反射することがなく、純粋な外光による散乱を用いて鮮明な反射表示が可能となる液晶装置１を製造できる。 （もっと読む）

【課題】 透過モードおよび反射モードの一方でカラー表示を行い、他方でモノクロ表示
あるいは単色表示を行う場合でも、モノクロ表示あるいは単色表示の際、画像に不自然な
着色が発生しない電気光学装置、カラーフィルタ基板、および電子機器を提供すること。
【解決手段】 電気光学装置において、各サブ画素５１Ｒ、５１Ｇ、５１Ｂは、カラー表
示を行うためのカラー表示用カラーフィルタ２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂを備えた透過表示領
域５６Ｒ、５６Ｇ、５６Ｂと、反射モードでモノクロ表示を行うための反射層２２を備え
た反射表示領域５７Ｒ、５７Ｇ、５７Ｂとを有している。サブ画素５１Ｒの各反射表示領
域５７Ｒには、赤色以外の全ての色の色補正用カラーフィルタ５９Ｇ、５９Ｂが形成され
、その他のサブ画素５１Ｇ、５１Ｂも、色補正用カラーフィルタ５９Ｒ、５９Ｇ、５９Ｂ
が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、二つの走査線駆動回路へ供給される各種信号における信号遅延や信号なまりを低減し、高品位の画像表示を行う。
【解決手段】 複数の走査線駆動用配線は夫々、周辺領域のうちデータ線駆動回路よりも基板の縁に近い側の領域部分において二つに分岐して第１の分岐配線部分が一方の走査線駆動回路へ引き回されていると共に第２の分岐配線部分が他方の走査線駆動回路へ引き回されている。 （もっと読む）

【課題】 透過型表示と反射型表示のどちらの表示モードにおいても、適正な明るさを有する電気光学装置および電子機器を提供する。
【解決手段】 電気光学装置は、例えば透過型表示と反射型表示２つの表示モードを有する半透過反射型の液晶表示装置であり、複数の画素から構成される。複数の画素は、光を透過して表示を行う透過表示画素と、光を反射して表示を行う反射表示画素を含む。この電気光学装置では、一つの画素内に透過表示部と反射表示部を設けるのではなく、透過型表示を行う透過表示画素と、反射型表示を行う反射表示画素の２種類の画素を独立に形成する。これにより、一つの画素で透過型表示と反射型表示を行うときに発生していた、どちらの表示モードにおいても適正に機能しなくなる透過領域と反射領域の境界の発生、いわゆる死に領域の発生を防止することができる。よって、どちらの表示モードにおいても、電気光学装置は適正な明るさを有することができる。 （もっと読む）

【課題】 液晶装置等の電気光学装置における基板サイズを縮小する。
【解決手段】
所定間隔で相対向すると共に平面的に見て少なくとも一辺において一方の基板（１０）が他方の基板（２０）より張り出している一対の基板を備える。一方の基板には、表示用電極を駆動する回路部が設けられ、前記一辺において張り出してなる張り出し部（２０１）における他方の基板と対向する側の面には、回路部と引出し配線（１０３ａ）によって電気的に接続された複数の外部接続端子（１０２ａ）が設けられている。外部接続端子は、平面的に見て、引き出し配線と少なくとも部分的に重畳するように設けられる。 （もっと読む）

【課題】 クロムを用いないことにより環境に悪影響を与えることのない非線形抵抗素子、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基材６ａと、基材６ａ上に設けられた非線形抵抗素子３３と、基材６ａ上に設けられ、非線形抵抗素子３３に接続される画素電極２４ａとを有し、非線形抵抗素子３３が、基材６ａ側から第１金属層３６、絶縁層３７、及び第２金属層３８の順に積層されて形成され、第２金属層３８が、モリブデン（Ｍｏ）を主成分として成る合金によって形成され、画素電極２４ａが、インジウム亜鉛酸化物から形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 反射モードで表示した情報を判読しやすくした電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】 電気光学装置において、マトリクス状に配置された画素５０は、カラー表示用のサブ画素５１（Ｒ）、５１（Ｇ）、５１（Ｂ）と、これらのカラー表示用のサブ画素とは異なる画像信号が供給されるモノクロ表示用のサブ画素５１（Ｍ）を備えている。カラー表示用のサブ画素５１（Ｒ）、５１（Ｇ）、５１（Ｂ）は透過モードで画像を表示し、モノクロ表示用のサブ画素５１（Ｍ）は反射モードで画像を表示する。 （もっと読む）

【課題】 ＬＤＤ又はＧＯＬＤ構造を有する半導体装置の製造工程を簡略化する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体装置の製造方法であって、半導体層上にソース側高濃度領域及びドレイン側高濃度領域に対応するレジストの膜厚を、ソース側低濃度領域、ドレイン側低濃度領域及びチャネル領域に対応するレジストの膜厚より薄く形成する工程と、レジストをマスクとして半導体層を所定パターンにエッチングするとともに、半導体層に高濃度不純物を注入し、ソース側高濃度領域及びドレイン側高濃度領域を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）