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Fターム[5C094JA02]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (81,180) | 数値限定 (2,001) | 電気的数値限定 (122)

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電流値 (14)
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Fターム[5C094JA02]に分類される特許

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【課題】FFS方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、オーバーレイヤー構造を用いて保持容量を形成し、保持容量の最適化を通して表示品質の向上を図ることである。
【解決手段】液晶表示装置は、平坦化絶縁膜の上層に、FFS絶縁膜を介して画素電極と共通電極とが配置されるオーバーレイヤー構造を有する。FFS絶縁膜を介して画素電極と共通電極との重なり部分で保持容量が形成される。保持容量は、保持時間と画素TFTのリーク電流等から定められる適当な大きさを要すると共に、信号線容量に比べ適当に小さいことが必要である。この2条件を満たすFFS絶縁膜の膜厚を計算すると、例えば画素密度P=100において430nm以上2400nm以下、画素密度P=400において90nm以上140nm以下となる。 (もっと読む)


【課題】 ディスプレイパネルを駆動する配線構造を含む画像表示システムを提供する。
【解決手段】 ディスプレイパネルを駆動する配線構造を含む画像表示システムであって、前記配線構造は、基板、前記基板上にあり、第1端子と前記第1端子と分かれた第2端子を有する相互接続線を有する第1導電層、前記第1導電層上にあり、前記第1端子を露出する第1開口と前記第2端子を露出する第2開口を有する誘電体層、および前記誘電体層上にあり、接続パッド、ガードリングと、トレースラインを有し、前記ガードリングが前記接続パッドを囲み、前記トレースラインが前記ガードリングの外側に位置する第2導電層を含む画像表示システム。 (もっと読む)


【課題】配線抵抗及び不良が減少したアレイ基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板120上にバリア層を形成する。その後、バリア層上に銅または銅合金を含むゲートライン131及びゲートラインに電気的に接続されるゲート電極118を形成する。その後、ゲートライン131及びゲート電極118の表面を窒化プラズマ処理する。続いて、絶縁基板120上にゲートライン131及びゲート電極118をカバーするゲート絶縁膜126を蒸着する。続いて、ゲート絶縁膜126上にデータライン133、データライン133に電気的に接続されるソース電極117、ソース電極117と離隔されて配置されるドレイン電極119、及びゲート電極118上でソース電極117とドレイン電極119との間に配置される半導体パターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】発光効率等の特性の低下が好適に抑制または防止された有機発光素子を備える有機発光装置、かかる有機発光装置を製造することができる有機発光装置の製造方法、この有機発光装置を備えた信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】発光装置(有機発光装置)10は、少なくとも一方の面付近が主として無機材料で構成されたTFT回路基板(基板)20と、陽極3と陰極8との間に、主として有機発光材料で構成された有機発光層5を備える複数の有機EL素子(有機発光素子)1と、複数の有機EL素子1が設けられた発光領域11を包含するよう設けられ、主として無機材料で構成された封止層9とを有するものであり、封止層9は、発光領域11の外周部において、TFT回路基板20に無機材料で構成された層間絶縁層(無機物層)26を介して接合されている。また、封止層9は、TFT回路基板20に直接接合されているものであってもよい。 (もっと読む)


【課題】 いわゆる逆構造のトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、高い発光効率を得る。
【解決手段】 各画素領域からの発光を基板側と反対側から取り出すトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、陰極が、第1陰極層4a、第2陰極層4b、及び第3陰極層6から形成されており、第1陰極層4aが金属膜からなる反射性の電極であり、第2陰極層4bが透明導電性金属酸化物からなる電極であり、第3陰極層6が金属膜からなる電極であり、第3陰極層6が、膜面方向に不連続な電極膜であるか、あるいは、第3陰極層6の膜厚と、第3陰極層6を構成する電極材料の電子の平均自由行程とから算出されるシート抵抗が、第3陰極層6の少なくとも一部で30Ω/□以上である電極膜であることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】 電気光学装置の構成要素である絶縁膜に工夫を加えることによってクロストークの発生を抑制して表示品質を高く維持できる電気光学装置を提供する。
【解決手段】 基板7a上に形成された複数のスイッチング素子21と、基板7a上に形成されたデータ線19と、スイッチング素子21上及びデータ線19上に形成されていて内部にスルーホール27を有する絶縁膜22と、絶縁膜22上に形成されていてスルーホール27を介してスイッチング素子21に接続された画素電極24と、画素電極24上に形成された液晶層12と、データ線19に接続された画素電極24に隣接する他の画素電極24と当該データ線19との間に位置する絶縁膜22内に設けられた凹部41とを有する電気光学装置である。凹部41内には液晶12が収容され、絶縁膜22の誘電率をε1とし、液晶12の誘電率をε2とするとき、ε1>ε2に設定する。 (もっと読む)


【課題】非晶質酸化物を利用した新規な発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第1及び第2の電極間に介在する発光層、及び電界効果型トランジスタを備え、電界効果型トランジスタの活性層は、電子キャリア濃度が1018/cm未満の非晶質酸化物、あるいは電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物、又はノーマリーオフを実現し得る透明な非晶質酸化物半導体である。 (もっと読む)


【課題】非晶質酸化物を利用した新規な画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】アクティブマトリックス型の画像表示装置において、光制御素子を駆動するための電界効果型トランジスタの活性層12として、非晶質酸化物を用いる。アクティブマトリックス型の画像表示装置であって、光制御素子と、光制御素子を駆動するための電界効果型トランジスタと、を備え、電界効果型トランジスタの活性層は、電子キャリア濃度が1018/cm未満の非晶質酸化物である。 (もっと読む)


方法およびディスプレイは、ZnOチャネルを備えた画素トランジスタを制御するZnOチャネルを備えた行および列ドライバを利用し、次いで、アレイのOLEDをアドレス指定して、ディスプレイ画面の画像を生成する。ZnOの行および列ドライバとOLEDとを備えるディスプレイバックプレーンが、アパーチャマスキングまたはフォトリソグラフィとアパーチャマスキングとの組み合わせを利用することにより構成されてもよい。これによって、ZnOの行および列ドライバとZnO系画素トランジスタとのモノリシック集積が達成される。
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【課題】本発明は、高耐圧の駆動用ICを用いるにあたり、この駆動用ICの配線パターンと基板に形成した配線導体を制御して、高画質、高い信頼性を有する表示装置を提供する。
【解決手段】
表示画素を形成する表示電極が形成された一対の基板1、2と、一方の基板2上に形成され且つ表示電極に接続する配線導体と、前記駆動用ICの実装領域内で配線導体に接続し且つ表示画素の選択を制御する駆動用ICとを有するとともに、前記配線導体と前記駆動用IC7とをバンプ71及び異方性導電樹脂部材9を介して接続してなる表示装置である。そして、前記駆動用IC実装領域内に配置された配線導体85と、前記駆動用ICの実装面の配線パターン71との間は、その電界強度が1M(メガ)V/m以下となるように、配線導体85と配線パターン71との間隔を広げた。 (もっと読む)


【課題】電圧降下を抑えること。
【解決手段】ELディスプレイパネル1は、絶縁基板2と、各画素の駆動トランジスタ23と、駆動トランジスタ23のゲート23gとともにパターニングされ、ゲート絶縁膜31によって被覆された信号線Y1〜Ynと、駆動トランジスタ23のソース23sとともにパターニングされ、ゲート絶縁膜31上において信号線Y1〜Ynと直交するよう配列され、ドレイン23dに導通した供給線Z1〜Zmと、供給線Z1〜Zmにそれぞれ積層された複数の給電配線90と、駆動トランジスタ23を被覆した保護絶縁膜32と、保護絶縁膜32上にマトリクス状に配列され、駆動トランジスタ23のソース23sに導通した画素電極20aと、画素電極20aに成膜された有機EL層20bと、有機EL層20bを被覆した対向電極20cと、を備える。 (もっと読む)


【課題】 トランジスタ等の能動素子が安定に動作し、大画面化と長期にわたって安定した表示動作とを可能にする。
【解決手段】 陰極(222)と陽極(23)とに狭持され、基板(2)の上方に配置された電気光学素子と、電気光学素子を駆動する能動素子(24)と、陰極(222)及び陽極(23)のうち少なくとも一方と基板(2)との間に配置された誘電率が所定の値以下の絶縁材料からなる絶縁膜(283、284)とから電気光学装置(1)を構成する。 (もっと読む)


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