【課題】カーボンナノチューブの寿命および電極層上のカーボンナノチューブの接着性を高めることができる方法を提供する。
【解決手段】一度の電気泳動堆積処理の間に、カーボンナノチューブ表面上のシロキサン膜を形成する。それから、シロキサン膜は焼結処理されて、電子放出源の表面上に二酸化ケイ素膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】電子放射源を製造するために電気泳動堆積技術を用いる方法を提供する。
【解決手段】気泡除去装置７１の使用によって、カソード構造体上に形成される気泡が除去される。また、カソード電極層上に複数のカーボンナノチューブが均一に堆積されて電子放射源が形成されるまで電気泳動堆積とベーキングとを繰り返すことによって、分極現象の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブ電子放出源の均質性を高める方法。
【解決手段】 陰極構造体を準備するステップと、陰極構造体および金属プレートを電気泳動電極に接続するステップと、陰極構造体において電気泳動堆積される面を金属プレートに対して所定の距離で平行に維持しつつ、陰極構造体および金属プレートを電気泳動タンクの溶液中に設置して、電気泳動電極を介して陰極構造体および金属プレートに直流電圧を印加して電界を形成し、陰極電極層上にカーボンナノチューブを電気泳動堆積して電子放出源を形成するステップと、溶液に含まれる残留水分を除去するために陰極構造体をベーキングする一方、塩化インジウムチャージャおよび電解液の水酸化物イオンが水酸化インジウムを形成し、焼結処理を実行して水酸化インジウムを酸化インジウムへ酸化するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブ電子放出源の効率および均質性を高める方法。
【解決手段】 陰極構造体を準備するステップと、陰極構造体および金属プレートを電気泳動電極に接続するステップと、陰極構造体において電気泳動堆積される面を金属プレートに対して所定の距離で平行に維持しつつ、陰極構造体および金属プレートを電気泳動タンクの溶液中に設置して、電気泳動電極を介して陰極構造体および金属プレートに直流電圧を印加して電界を形成し、陰極電極層上にカーボンナノチューブを電気泳動堆積して電子放出源を形成するステップと、溶液に含まれる残留アルコールを除去するために陰極構造体をベーキングする一方、塩化インジウムチャージャおよび電解液の水酸化物イオンが水酸化インジウムを形成し、焼結処理を実行して水酸化インジウムを酸化インジウムへ酸化するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】 高真空装置を必要とすることなく、工程数を増やすことなく、炭素系材料の成長用触媒を高精度に形成できるようにする。
【解決手段】 親水化処理した基板３を、触媒のコロイド溶液１４に浸漬し、基板３のカソード電極と電極１５との間で電圧を印加して電気泳動によって基板３のカソード電極上に、触媒のコロイド粒子を選択的に付着固定することにより、基板３のカソード電極上に触媒を成膜し、ＣＶＤなどによってカーボンナノチューブなどの炭素系材料を成長させる。 （もっと読む）

【課題】高性能、高信頼性のある電界電界電子放出素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本製造方法は、電子回路を構成する導体層４上に電子放出のための電子を供給する導体膜６を所要の膜厚に成膜し、この導体膜６上に電子放出材料８を配置すること、導体膜６を膜厚方向に選択除去して、除去されなかった導体膜６を電子放出点への電子供給用とする一方、その先端に存在する電子放出材料８をその電子放出点とすることを特徴とする製造方法である。 （もっと読む）

【課題】均一な電界放出特性を有する電界放出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による電界放出素子は、基板上に形成された金属層と、上記金属層上に形成された電流制限層と、上記電流制限層上に形成された炭素ナノチューブエミッタとを含む。上記電流制限層は、上記金属層から上記炭素ナノチューブエミッタに流れる電流を所定値に制限する。上記電流制限層は正温度係数特性を有するセラミック物質またはポリマー物質から成り得る。 （もっと読む）

【課題】 ナノサイズの微粒子を高精度に堆積させる方法を提供すること。
【解決手段】 本方法は、基板上に絶縁層及び導電層の交互層を形成し、前記交互層の一部を除去し、交互層の下地を露出させ、１以上の導電層に所定の電位を与え、帯電した粒子を交互層の下地へ導く。導電層に適切な電位を与えることで、粒子の軌道が制御され、露出した下地層に高精度に粒子を設けることができる。 （もっと読む）

物体あるいは基板上にナノ構造を含む材料を堆積させるための方法は、（１）ナノ構造を含む材料の溶液あるいは懸濁液を形成する工程と、（２）前記溶液に選択的に「チャージャ」を追加する工程と、（３）前記溶液に複数の電極を浸す工程であって、前記ナノ構造の材料が堆積することになる前記基板あるいは物体が前記複数の電極の１つとして作用する工程と、（４）前記２つの電極間に所定期間直流および/又は交流を印加することによって前記溶液中の前記ナノ構造の材料を前記基板電極に向かって移動させて付着させる工程と、（５）前記コーティングされた基板のその後のオープションの処理工程と、のうちの１つ以上の工程を含む。関連する物体とデバイスもまた提供される。ナノ構造の特性および/又は幾何学的形状に基づいてナノ構造を分離する方法もまた記載される。
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【課題】初期付着点を提供するよう表面処理された基板を利用してカーボンナノチューブエミッタの分布密度と均一性を向上させられる電界放出エミッタ電極の製造方法及びこれにより製造された電界放出エミッタ電極を開示する。
【解決手段】本発明による電界放出エミッタ電極の製造方法は、カーボンナノチューブが分散されたメッキ液を用意する段階と、カーボンナノチューブの初期付着点を提供するよう表面処理された基板を具備する陰電極と、陽電極とを上記メッキ液に含浸する段階と、上記陰電極及び陽電極に所定の電圧を加えて上記基板上にカーボンナノチューブ‐金属メッキ層を形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブのセルフアセンブリングを利用した電界放出エミッタ電極の製造方法及びこれにより製造された電界放出エミッタ電極を開示する。
【解決手段】本発明による電界放出エミッタ電極の製造方法は、アルミニウム基板を陽極酸化して、多数の均一な空隙(pore)を有する陽極酸化アルミニウム膜を上記アルミニウム基板上に形成する段階と、カーボンナノチューブが分散された電解液を用意する段階と、上記陽極酸化したアルミニウム基板を上記電解液に含浸し、上記アルミニウム基板を一電極として所定の電圧を印加して上記多数の空隙にカーボンナノチューブを付着させる段階と、上記空隙に付着した上記カーボンナノチューブを上記空隙に固定させる段階とを含む。上記方法により製造された電界放出エミッタ電極は優れた電解放出効果と低い接触電気抵抗を示す。 （もっと読む）

実質的に強化された電界放出特性が、ＣＮＴの表面を非接着性材料（例えば、紙、八歩シートまたはローラー）で覆う工程、特定の力を使用してその材料をプレスする工程、およびその材料を除去する工程からなるプロセスを使用することによって、達成される。この方法は、テーピングプロセスと比較して、ＣＮＴのずっと良い電界放出特性が達成された。このプロセスは以下の利点を有する：プロセスが非常に簡便かつ低コストである；このプロセスは、非常に大きな領域で、非常に良い均一性で行われ得る；プロセス後に残渣が基板上に残存しない。
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ディスプレイデバイスにおけるカソードとしての使用のためのナノ粒子エミッターをパターン化するための工業的スケールの方法が開示される。低温の方法が、得られるディスプレイデバイスの良好な均一性とともに高容量適用で実施され得る。この方法のステップは、予備製作されたコンポジット構造の全面の上にＣＮＴエミッター材料の堆積、および物理的方法を用いる表面の所望されない部分からのＣＮＴエミッター材料の引き続く除去を含む。
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本発明はカソード（１００）と、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）（１０５）および粒子（１０４）を含むカソード材料（１０６）とを目的とする。本発明はまた、本発明のカソード（１００）を含む電界放出装置、ならびにこれらのカソード（１００）を製造する方法も目的とする。いくつかの実施態様では、本発明のカソード（１００）は電界放出ディスプレイ（２００）中に用いられる。本発明はまた、基板（２０４）上にＣＮＴ（１０５）と粒子（１０４）との層を堆積させて本発明のカソード（１００）を作製する方法、ならびにその結果得られる層の電界放出特性を電界放出ディスプレイ用途に最適化することを目的として、この混合層中に用いられるＣＮＴ（１０５）の密度を制御する方法を含む。
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10 nm未満の外径、及び10層未満の層を有するカーボンナノチューブ物質を開示する。また、基板、任意に接着促進層、及び電子電界放出物質層を含む、電子電界放出素子を開示する。該電子電界放出物質は、１チューブごとに2〜10層の同軸グラフェン外殻、2〜8 nmの外径、及び0.1ミクロンより長いナノチューブ長を有する、カーボンナノチューブを含む。カーボンナノチューブ製造方法の１つは、下記段階を含む：(a) MgO 粉末上に支持されたFe、及びMoを含む触媒を製造する段階；(b) 水素、及び前駆体としての炭素を含む混合ガスを使用する段階；及び(c) カーボンチューブを製造するように、前記触媒を950℃以上に加熱する段階である。電子電界放出陰極の他の製造方法は、下記段階を含む：(a) １チューブごとに2〜10層の同軸グラフェン外殻、2〜8 nmの外径、及び0.1ミクロンより長いナノチューブ長を有するカーボンナノチューブを含む、電子電界放出物質を合成する段階；(b) 適切な溶媒中で、該電子電界放出物質を分散する段階；(c) 基板上に、該電子電界放出物質を堆積する段階；及び(d) 該基板をアニールする段階である。 （もっと読む）