【課題】基板１上に順次積層された第一の絶縁材料層３ａと第二の絶縁材料層３ｂで構成された段差形成部材４の上面にゲート７を有し、第一の絶縁材料層３ａの側面部２０に先端がゲート７に対向するカソード８が設けられた電子放出素子の製造に際し、カソード８の断線を防止しつつ均一な電子放出特性の電子放出素子を製造できるようにし、もって安定した性能の電子線装置及び画像表示装置を歩留まりよく製造できるようにする。
【解決手段】第一の絶縁材料層３ａの側面部２０の上端から高さ方向中間部までの上段側面部２１の傾斜角θ１を８０度乃至９０度とすると共に、高さ方向中間部から下端までの下段側面部２２の傾斜角θ２が８０度より小さく、しかも上段側面部２１の高さＴ１を５乃至１５ｎｍとした側面部２０に対して、カソード８の構成材料を基板１の表面に対する垂直方向から供給してカソード８を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてデバイス特性の向上が可能な電子デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイスである電子源１０は、基板１１と、この基板１１の一表面側に形成された第１の電極である下部電極２と、この下部電極２の基板１１側とは反対側で下部電極２に対向する第２の電極である表面電極７と、下部電極２と表面電極７との間に設けられ、第１の多結晶半導体層を電解液により陽極酸化処理することによって形成された多数の微結晶半導体３３を具備した機能層５ａとを備える。下部電極２と機能層５ａとの間において機能層５ａの直下に、第１の多結晶半導体層よりも電解液による陽極酸化速度が遅く第１の多結晶半導体層を選択的に陽極酸化処理するストップ層となる第２の多結晶半導体層３ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】エミッション特性の向上を図りつつ、より信頼性の高い電界放射型電子源およびそれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】下部電極２と、該下部電極２に対向する表面電極４と、下部電極２と表面電極４との間に介在し電子が通過する電子通過層３とを備え、電子通過層３を通過した電子が膜厚を連続的または段階的に変化させてなる表面電極４を通して放出される電界放射型電子源１０を、Ｘｅガスが封入され少なくとも一部が透光性材料により形成された気密容器２１内において、コレクタ電極２３および励起されたＸｅガスの発光過程で放射される励起光によって蛍光を発する蛍光体層と対向配置させ、電界放射型電子源１０へ供給する電圧およびコレクタ電極２３と電界放射型電子源１０との間の電圧を制御装置２５によって制御して発光させる発光装置２０である。 （もっと読む）

【課題】エミッション特性の向上を図りつつ、より信頼性の高い電界放射型電子源およびそれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】下部電極２と表面電極４との間に介在する電子通過層３を通過した電子が、電子通過層３との密着性の良い第１の材料の最下部４１の膜厚と、電子透過率の高い第２の材料の最上部４２の膜厚を、互いに逆方向に連続的または段階的に変化させてなる表面電極４を通して放出される電界放射型電子源１０を、Ｘｅガスが封入され少なくとも一部が透光性材料により形成された気密容器２１内において、コレクタ電極２３および励起されたＸｅガスの発光過程で放射される励起光によって蛍光を発する蛍光体層と対向配置させ、電界放射型電子源１０へ供給する電圧およびコレクタ電極２３と電界放射型電子源１０との間の電圧を制御する制御装置２５とによって発光させる発光装置２０である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カソードマスクとゲート電極との位置合わせが不要であり、外部からの衝撃に強い電界電子放出型の照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の照明装置は、「前記絶縁体、前記ゲート電極および前記カソードマスクは一体化されたゲート電極構造体を形成していること」から、照明装置の組み立てにおいて、カソードマスクとゲート電極との位置合わせをする必要がない。また、照明装置の組み立てにおいて、部材点数を抑制することが出来、組み立ての省力化を計れる。また、前記絶縁体は、前記ゲート電極および前記カソードマスクと接合されていることから、外部から衝撃を与えられても、カソードマスクとゲート電極の相対位置関係が歪むことがない。 （もっと読む）

【課題】 素子間で電子放出量のばらつきが大きい結果となっていた。また、導電部材は薄膜であるため膜強度が弱く、絶縁体に大きな粒子を使用すると膜の凹凸形状が直接薄膜導電膜の形状として反映されるため、導電膜が破断する場合もあり、破断すると第一の導電部材と第二の導電部材が近接あるいは接触したり、うまく電子が流れない場合に電荷がチャージされ、絶縁破壊を起こすという問題もあった。そのため、素子の信頼性が低いという問題があった。
【解決手段】 第一の導電性部材と、第二の導電性部材が互いに向かい合うように形成され、該導電性部材間に電圧を印加することにより、電子を放出する電子放出素子であって、前記第一の導電性部材と第二の導電性部材間に、絶縁体粒子を有する電子放出層が形成され、電子放出層は複数の層からなり、第一の導電性部材上に形成される第一の電子放出層は第二の電子放出層より平均粒径の小さい絶縁体粒子を用いている。 （もっと読む）

【課題】絶縁体微粒子の凝集体や導電微粒子の凝集体を含まない均一な電子加速層を形成して、安定かつ良好な電子放出量を得ることができる電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子１の電子加速層４の形成工程は、絶縁体微粒子５が分散された分散液を塗布して絶縁体微粒子５を含む微粒子層を形成する微粒子層形成工程と、この微粒子層に、絶縁体微粒子５の平均粒径より小さい平均粒径の導電微粒子６の分散液を塗布する導電微粒子塗布工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 弾道電子を効率的に発生させることができ、その結果、電子放出素子の効率を向上させることができる電子放出素子を提供すること。
【解決手段】 第一の導電性部材と、第二の導電性部材が互いに向かい合うように形成され、該導電性部材間に電圧を印加することにより、電子を放出する電子放出素子であって。導電性部材間に絶縁皮膜された金属微粒子の凝集体を複数形成し、その大きさは凝集体の大きさは、第一の導電性部材と第二の導電性部材に電圧を印加した場合に、絶縁破壊が起こらないような大きさに形成されている。 （もっと読む）

【課題】高効率で、高温で焼成する必要がなく、製造方法が簡単で、低消費電力の電子放出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第一の導電性部材と、第二の導電性部材が互いに向かい合うように形成され、該導電性部材間に電圧を印加することにより、電子を放出する電子放出素子であって、前記第一の導電性部材と第二の導電性部材間に、電子を放出する電子放出層が形成され、電子放出層は３次元的に略均質に突起物が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電子放出能及びその均一性、安定性に優れたナノカーボンエミッタと、簡便で制御性が高いプロセスで作製可能なナノカーボンエミッタの作製方法と、このナノカーボンエミッタを適用し、高輝度、高均一、高信頼性を有する面発光素子とを提供する。
【解決手段】基体２と、基体２上に設けた導電層３と、ダイヤモンド微粒子５に直接又は金属若しくは金属化合物を介してナノ炭素材料６を形成してなるナノ炭素材料複合体４と、を含み、ナノ炭素材料複合体４を、１０μｍ以上１００μｍ以下の厚みで、導電層３を介して基体２上に設ける。 （もっと読む）

【課題】撮像管と同等の耐放射線性を持った撮像素子及び耐放射線カメラを提供する。
【解決手段】撮像素子２０は、透光性の窓１０を有する真空容器ＶＣと、前記真空容器内において、第１の方向に走る、ストライプ状の、複数の透明電極アノード９と、前記窓を介して受光した光を正孔に変換する、光電変換膜８と、前記正孔を読み取るための電子を放出する、前記第１の方向と交わる第２の方向に走る、ストライプ状の、複数の電界放出型の冷陰極カソード７と、前記透明電極アノードのあるものと、前記冷陰極カソードのあるものと、の間に電圧を加え、これらの組み合せを順次変えることにより、映像信号の位置を特定する、電圧切り換え装置４Ａと、を備えるものとして構成され、この撮像素子を用い、放射線を遮蔽した状態と遮蔽しない状態の両方の信号を得ることが出来るものとして耐放射線カメラが構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造できるナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板製造方法は、基板に触媒を担持し、触媒を熱処理し、基板に３次元構造パターンを形成し、前記触媒が担持された基板の表面に固液界面接触分解法によりナノ炭素材料を成長させる。触媒を担持後に基板に３次元構造パターンを形成することから、凸部の上面にのみ選択的に触媒を残存させることが出来、凸部の上面にのみ選択的にナノ炭素材料を形成することが出来る。よって、好適に、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造出来る。 （もっと読む）

【課題】高輝度の電界放出型フラットパネルディスプレイ（ＦＥＤ）、電界放出型ランプ（ＦＥＬ）等を製造するために、一定電圧の下で多くの電界放出電流が流れる冷陰極電子源を製造する方法を提供する。
【解決手段】導電性基板の上に酸化チタン等の金属酸化物からなる電子放出材料を有する冷陰極電子源を製造する方法において、電子放出材料に少なくとも紫外光を含む光を照射する。具体的には、導電性基板の上に形成した金属酸化物からなる電子放出材料を活性化処理する工程と電子放出材料に少なくとも紫外光を含む光を照射する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】電界放出型フラットパネルディスプレイ（ＦＥＤ）、電界放出型ランプ（ＦＥＬ）等に用いられる、安定した電子放出特性が再現性良く得られる電子放出材料を提供する。
【解決手段】異方性の粒子形状をもつ酸化チタン等の金属酸化物を用いた電子放出材料であって、異方性金属酸化物の長軸径の頻度分布が、複数の極大値を持つものを用いる。具体的には、異方性金属酸化物の平均長軸径が異なる少なくとも二種の異方性金属酸化物を混合して用いる。 （もっと読む）

【課題】炭素繊維の先端とゲート電極との距離の基板内ばらつきが抑制された炭素繊維装置及び炭素繊維装置の製造方法を提供する。
【解決手段】カソード電極２０、絶縁膜３０及びゲート電極４０を積層するステップと、絶縁膜３０及びゲート電極４０を貫通するホール５０を形成してカソード電極２０の電子放出面２０ａを露出させるステップと、電子放出面２０ａ上に炭素繊維１００を成長させながら、炭素繊維１００とゲート電極４０との接触によるカソード電極２０とゲート電極４０間の短絡をリアルタイムで監視するステップと、短絡を検知した場合にゲート電極４０と接触する炭素繊維１００を切断するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】炭素膜構造を有する電界放射電子の放射体において、局部的な電界集中を抑制し、熱劣化に伴う電流劣化や放電現象を起こらないようにする。また、電子の放出が分散することを抑制する。さらに、放射体を適用した電界放射装置において所望の機能を発揮し、より実用的な製品を提供する。
【解決手段】電子放出体は、プラズマＣＶＤ法により基板７に形成された炭素膜構造１０の外周側に、ガード電極１３を備える。このガード電極１３は、炭素膜構造１０の成膜方向に凸の曲面部（成膜方向とは反対側に湾曲した曲面部）１３ａを有し、曲面部１３ａにおいてガード電極１３外周側の曲率半径Ｒ１が炭素膜構造側の曲率半径Ｒ２以上のものを適用する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）をＦＥＤの電界エミッタとして用いるには、電界の集中するカソード頂点周囲にＣＮＴを形成して、電界エミッタを電気的に信頼性のあるものとする必要がある。そのための触媒粒子をカソードの頂点周囲に形成する方法を提供する。
【解決手段】外部電源３０１は電解質溶液２０３に電圧を印加する。電解質溶液に印加された電圧は、静電力を生成する。生成された静電力によって、金属触媒イオン２０４が、電解質溶液の表面に集まる。このとき閾値電圧を超える電圧が印加されると、金属触媒イオンは、電解質溶液の表面張力を超えて、電解質溶液の表面から放出される。電界は金属先端２０１の頂点２０２に集中し、電解質溶液から放出された金属触媒イオンは金属先端に向かい、頂点に付着する。付着した金属触媒イオンは金属先端で金属触媒原子になる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドからなる電子放射陰極を加熱した際に、脱ガスの少ない電子源モジュールを提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、ダイヤモンドからなる電子放射陰極と、前記電子放射陰極を把持する一対の導電性支柱と、前記導電性支柱と前記電子放射陰極の間に配置されるブロックと、を有し、前記ブロックが、表面の少なくとも一部に耐熱性被覆層が形成されたグラファイトからなる電子源モジュールである。耐熱性被覆層としてはダイヤモンドが好適であり、前記ブロックのグラファイトとしてはパイロリティックグラファイトが好適である。 （もっと読む）

【課題】薄いエミッタ材層の一部を起立させてエミッタを作製する際に、基板上に段差を発生させることがなく、もって信頼性の高い電界放出素子を提供できる電界放出素子用エミッタの作製方法を提案する。
【解決手段】基板10上の局所的な部位に、少なくとも周側面の一部が斜面21になった犠牲層丘20を形成する。基板10上及び犠牲層丘20上にエミッタ材層30を形成する。エミッタ材層30のパターニングにより、犠牲層丘20の斜面21に乗っている部分に、先端に電子放出端31を有するエミッタ構成用パタン32を形成する。犠牲層丘20を除去し、エミッタ構成用パタン32の電子放出端31が基板10から浮いた片持ち梁構造を作る。片持ち梁構造を基板に垂直な方向に向けて起立させてエミッタとする。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線分光分析等に使用される電子線源であって、経時劣化が少なく再現性に優れた、高輝度かつ安定な電子線源を提供する。
【解決手段】炭素系材料からなる電子線源であって、電子線源の表面となる前記炭素系材料の表面を終端する水素の被覆割合が３３％以下である電子線源。また、前記電子線源表面の炭素の内殻電子状態を、Ｘ線光電子分光で測定した場合の主ピークに対するサブピークの積算強度比が０．１以上とされた電子線源。更に、前記炭素系材料が、ダイヤモンド、非晶質炭素、カーボンナノチューブであって、シリコン、モリブテン、タングステンから選択される少なくとも１種以上の材料からなる基材上に形成されてなる電子線源。 （もっと読む）