【課題】形成された膜のステップカバレッジを大きくすることが可能であり、かつ低温領域で成膜することが可能な磁気抵抗効果素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、プラズマ源と成膜室を隔壁板により隔離したプラズマＣＶＤ装置により多層磁性層上に絶縁性の保護層を形成する。本方法によれば、磁気特性の劣化をもたらすことなく保護層を成膜でき、かつ、１５０℃未満の低温成膜も可能である。これにより、レジストを残留させたまま保護層の成膜が可能であり、多層構造の磁気抵抗効果素子の製造において工数低減も可能である。 （もっと読む）

【課題】隣接接合型の再生センサ素子に悪影響を与える可能性があるアニールを必要とせずに、薄いシード層によりハードバイアス層に大きな垂直磁気異方性を付与することが可能なハードバイアス構造を提供する。
【解決手段】センサ積層体３０の側壁２０，２１に隣接されたハードバイアス構造５０は、複合シード層２２の上にハードバイアス層２５が形成された多層構造を有する。複合シード層２２は、Ｔａ層／金属層（Ｍ１）で表される多層構造を有し、その金属層（Ｍ１）は、面心立方（１１１）結晶構造等を有する。ハードバイアス層は、（Ｒ１／Ｒ２）_x で表される多層構造を有し、Ｒ１＝ＣｏＦｅ等、Ｒ２層＝ＮｉＦｅ等、ｘ＝整数、各Ｒ２層の厚さｔ２＞各Ｒ１層の厚さｔ１である。 （もっと読む）

【課題】 ３００℃以下の温度において、Ｌ１₀構造ＦｅＰｔ規則合金が得られるＦｅＰｔ系磁性層を備える積層体構造物を提案する。
【解決手段】 積層体構造物は、アモルファス状態のＴａ層と、このＴａ層の上に形成された酸化亜鉛（ＺｎＯ）または酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる金属酸化物層と、この金属酸化物層の上に形成されたＦｅＰｔ系磁性層と、を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】ハードマスク層の除去に伴う膜厚方向の段差や突起の発生を回避し、高密度記録に対応可能な狭ギャップ幅化を可能にする磁気再生ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気再生ヘッド１の製造方法は、下部シールド層１１上に、磁気抵抗効果膜１２、第１のＲＩＥストッパ兼上部シールド層１３、パターニングされたハードマスク層１４を形成し、さらに絶縁膜１６、磁区制御膜１７、第２のＲＩＥストッパ兼上部シールド層１８、ＣＭＰストッパ層１９を積層し、ハードマスク層１４を露出させた後、ハードマスク層１４及びＣＭＰストッパ層１９を除去して、反応性イオンエッチングプロセスにより選択的に第１のＲＩＥストッパ兼上部シールド層１３と第２のＲＩＥストッパ兼上部シールド層１８との間にある磁区制御膜１７を除去し、さらに絶縁膜１６を除去した後、上部シールド層２０を積層する。 （もっと読む）

【課題】真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜からなる磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、Ｔａからなる第１のマスクの下層にＲｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｉｒ、及びＲｅのいずれか１つである第２のマスクを二重に積層する方法である。 （もっと読む）

【課題】平坦化研磨後に比較的に高い寸法精度で平坦化面を後退させることができる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果膜の素材層にエッチング処理を施し、エッチングマスク６６に基づき磁気抵抗効果膜の素材層から磁気抵抗効果膜４５を削り出す。絶縁膜６７、磁区制御膜の素材層６８、第１研磨ストッパ層６９、および、第１研磨ストッパ層６９の素材とは異なる素材を含む第２研磨ストッパ層７１を順次積層する。第２研磨ストッパ層７１の表面から平坦化研磨処理を施す。平坦面からエッチング処理を施す。第１研磨ストッパ層６９が露出した時点でエッチング処理を終了する。平坦面７３の後退は高い精度で制御されることができる。 （もっと読む）

【課題】真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】基板、少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｉｒ及びＲｅのいずれか１つの金属からなる金属層、並びに該金属の酸化物からなる導電性酸化物層、を有する磁気抵抗効果素子とする。 （もっと読む）

【課題】磁気記録密度向上に伴い、塵埃が磁気ディスク装置の信頼性に及ぼす影響は増大している。特に塵埃が磁気ヘッドスライダの再生素子の特性劣化に及ぼす影響は顕著になっている。
【解決手段】磁気ヘッドスライダ１は、スライダ１ａと、薄膜ヘッド部分１ｂとから構成される。薄膜ヘッド部分１ｂは、薄膜層４、磁気再生素子３、磁気記録素子２およびこれらの素子の間及び上部に形成されたアルミナ等の絶縁膜などから構成される。薄膜層４は、アルミナからなる第１の絶縁膜１３の上に設けられ、下部磁気シールド膜３０と同じ材料のＮｉＦｅ合金か、磁区制御膜３８と同じ材料のＣｏＰｔ系合金であり、第１の絶縁膜１３よりも低い硬度を有する。薄膜層４の端部は、浮上面９に露出しており、トラック幅方向の幅Ｗ２は、ＭＲ膜３４の幅と磁区制御膜３８の幅を合わせた幅Ｗ１よりも広くなっている。 （もっと読む）

【課題】研磨時の研磨残渣によって発生する可能性のあるＴＭＲ素子の短絡を簡易な手段で効果的に防止する。
【解決手段】薄膜磁気ヘッドは、外部磁界に対して磁化方向が固定されたピンド層３２１と、外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー層３２３と、ピンド層とフリー層との間に設けられた非導電性のトンネルバリア層３２２と、を有する素子３２を備え、素子を挟むように設けられた一対の電極層３１，３３から素子に膜面直交方向にセンス電流が流れるようにされている。本薄膜磁気ヘッドの製造方法は、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面となるべき面を、媒体対向面と直交する方向の素子の寸法が所定の値となるように研磨するステップと、研磨された薄膜磁気ヘッドの素子３２に、センス電流と同じ方向または反対方向の電流５１，５２を流すステップと、を有している。 （もっと読む）

【課題】 帯電量評価素子に関し、瞬間的な電荷のバラツキの挙動を精度良く観測するのに適した帯電量評価素子を提供する。
【解決手段】 少なくとも表面が絶縁性の基板１上に、一対の電極２，３と、一対の電極２，３間を結ぶ抵抗成分を持つ配線４と、少なくとも配線４上に形成された絶縁膜５と、一対の電極２，３及び絶縁膜５を覆う導電性薄膜６とからなる帯電量評価部を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＯｘ膜またはＭｇＯ膜で形成された絶縁障壁層からのリーク電流発生を抑制し、ノイズ特性の良好な薄膜磁気ヘッドを得る。
【解決手段】基板上に反強磁性層、固定磁性層２２、絶縁障壁層２３及びフリー磁性層２４を積層してなる素子部と、この素子部の記録媒体に対向する側の端面を保護する保護層３０とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、絶縁障壁層２３はＡｌＯｘ膜またはＭｇＯ膜で形成され、この絶縁障壁層２３が露出する素子部の端面と保護層３０との間に、少なくとも絶縁障壁層２３との界面に窒素を存在させる密着層３１を設けた。 （もっと読む）

【課題】 特に、各薄膜磁気ヘッドにおいて、上下シールド間隔（Ｒ−ＧＬ）のばらつきを抑制でき、電気特性のばらつきを抑制できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】保護層２８の上に、上部シールド層の一部となる第１磁性層２９を形成し、各トンネル型磁気抵抗効果素子３４，３５へのイオンミリング時に、前記第１磁性層２９を設けたことで、その下の保護層２８の上面が前記イオンミリングの影響を受けるのを抑制できる。トンネル型磁気抵抗効果素子３４，３５であるから、前記第１磁性層２９を上部シールド層５０して一部残すことが可能であり且つ、前記保護層２８をイオンミリングからより効果的に保護でき、電気特性のばらつきが抑制された薄膜磁気ヘッドを複数個同時に形成できる。 （もっと読む）

【課題】 スライダのトンネル磁気抵抗の磁気抵抗低下防止方法の提供
【解決手段】 スライダのトンネル磁気抵抗の磁気抵抗低下防止方法は、トンネル磁気抵抗素子を有する磁極端を備えた複数のスライダ構造本体によって構成された磁気バー（row bar）をトレーに位置決めするステップと、トレーを処理室に入れて、予定の圧力に達するまで処理室の空気を排気するステップと、酸素を含有する処理ガスを処理室に導入するステップと、スライダ構造本体を処理ガスに露出するエッチング手段において、トンネル磁気抵抗素子の表面を酸化させて酸化層を形成するステップとを備える。酸化層はトンネル磁気抵抗素子の回路に分路が形成されることを回避して磁気抵抗低下を防止する。したがってスライダの動態性能及びディスクドライブ装置の読み出し性能を改善することができる。また本発明は、上記方法にてスライダの表面に微構造を形成する方法、及びスライダの製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の増大とともに、フリー磁性層に及ぼされるカップリング結合磁界（Ｈｉｎ）の低下を図ることができる磁気検出素子を提供する。
【解決手段】 下から固定磁性層３、非磁性材料層２及びフリー磁性層１の順に積層され、前記フリー磁性層１上にＣｏＦｅＣｒが酸化されて成る酸化物層１６が形成され、前記酸化物層１６上に酸化Ｔａ層１９が形成されている。これにより、スペキュラー効果が適切に発揮され、高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を維持しながら、フリー磁性層１に及ぼされるカップリング結合磁界（Ｈｉｎ）を適切に小さくでき、安定した再生特性を得ることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】極薄膜でありながら腐食耐性、耐摩耗性に優れた浮上面保護膜を備えた磁気ヘッドスライダを提供する。
【解決手段】磁気ヘッドスライダの製造方法は、スライダ浮上面に非晶質珪素膜102と硬質非晶質炭素膜101を積層した浮上面保護膜100を形成する工程と、浮上面の法線方向に対して傾斜させたイオンビームを用いて、前記硬質非晶質炭素膜101の表面領域を除去する工程と、浮上面保護膜100が形成された浮上面にレールを形成する工程とを含む。硬質非晶質炭素膜101のダイヤモンド成分を、45％以上にする必要があり、望ましい範囲は60％〜85％である。前記浮上面保護膜101の一部を除去する工程において、イオンビームの照射角が、磁気ヘッドスライダ浮上面法線から60度以上であり、イオンビームの加速電圧が300Ｖ以下であるとき、高い緻密性及び被覆性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 磁気テープからの接触圧力に対して薄膜ヘッド素子の磨耗を抑制する。
【解決手段】 半導体基板３２に積層されてなる薄膜ヘッド素子３３と、薄膜ヘッド素子３３の積層方向にあたる側面に固着され、薄膜ヘッド素子３３の磁気テープ１１との摺接面３１と同一の平面を形成する保護部材３４と、保護部材３４の摺接面３１の反対面に配置され、側面と反対面とに固着されて保護部材３４を補強する補強部材３５とを備える。このような磁気ヘッド３０によると、薄膜ヘッド素子３３の磁気テープ１１との摺接面３１において、端部には薄膜ヘッド素子３３でなく保護部材３４が位置するようになる。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗効果膜の保護膜の膜厚制御性に優れ、安定した素子形状の磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 磁気抵抗効果素子は、外部磁界により磁化方向が変化する第１の磁性層、前記外部磁界に対して磁化の方向が固定された第２の磁性層、および第１磁性層と第２磁性層を磁気的に分離する非磁性層を含む磁気抵抗効果膜（１２）と、前記磁気抵抗効果膜を覆い、少なくとも一部に、前記磁気抵抗効果膜の側から順に第３保護層、第２保護層、第１保護層から成る三層構造を有するキャップ膜（２０）と、前記磁気抵抗効果膜に対して面直方向にセンス電流を印加する上部端子（１５）および下部端子（１１）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＮをキャッピング層として使用した磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子において、磁気抵抗構造体２１上にキャッピング層２６としてＴｉＮを使用した磁気抵抗素子及びその製造法である。これにより、さらに簡単な製造工程で形成でき、安定性及び信頼性が向上した磁気抵抗素子を提供可能である。 （もっと読む）

【課題】 下部シールド層と上部シールド層間にギャップ層を介して磁気抵抗効果素子が形成された再生用の薄膜磁気ヘッドに係り、特に前記下部シールド層と上部シールド層との耐腐食性を向上させることができ、再生特性を良好に保つことが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 下部シールド層２３と上部シールド層３２間を導電層３１によって導通接続させる。これによって前記下部シールド層２３と上部シールド層３２を同電位にでき、製造工程中に使用される溶剤や空気中の水分が保護層４７内を浸透して前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２にまで到達しても電池効果によって前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２が腐食するのを適切に抑制することができる （もっと読む）