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Fターム[5E033BB02]の内容

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Fターム[5E033BB02]に分類される特許

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【課題】本発明は、耐硫化性を有するチップ抵抗器に関する。
【解決手段】本発明のチップ抵抗体は、絶縁基板11、銀ベースのサーメットを使用して基板の上面に形成された上部端子電極12、底部電極13、上部端子電極12間に位置され、それらに部分的に重なる抵抗素子14、抵抗素子14を完全にまたは部分的に覆うオプションの内側保護コーティング15、内側保護コーティング15を完全に覆い、上部端子電極12を部分的に覆う外側保護コーティング16、基板の端面と上部電極12と底部電極13を覆い外側保護コーティング16に部分的に重なるニッケルのメッキ層17と、ニッケル層17を覆う仕上げメッキ層18とを備える。ニッケル層17と外側保護層16との重なり合いは、ニッケルメッキプロセスの前に外側保護層16の縁部をメッキ可能にするので封止特性を有する。 (もっと読む)


【課題】半田接合部がヒートショックで損傷する可能性の低いチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器1の裏面電極3は、セラミック基板2の裏面に固着された焼成銀からなる第1電極層3aと、第1電極層3aの中央部を横断する領域に積層された焼成銀からなる第2電極層3bとで構成されており、第2電極層3bの側面から第1電極層3aの表面へ至る段差12が形成され、メッキ層(ニッケルメッキ層9および半田メッキ層10)の裏面電極3を覆う部分には段差12と対応する段差13が形成されている。したがって、このチップ抵抗器1が回路基板30上に実装されると、裏面電極3とランド31との間に介設される半田接合部(半田32)の厚みが段差13部分で増大し、第1および第2電極層3a,3bの境界部分に熱応力が集中する虞もないため、半田接合部がヒートショックで損傷する可能性は低いものとなる。 (もっと読む)


【課題】ハンダフィレットを介してプリント基板に実装した状態で通電を繰り返した場合でも、チップ抵抗器とハンダとの間の接合部にクラックが発生するのを防止することができるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】絶縁基板10の下面に樹脂ペーストにより形成された絶縁膜12が設けられ、一対の電極部30における各電極部が、上面電極32と、絶縁膜12の下面に形成された下面電極40と、絶縁基板10の側面と下面電極40の下面に設けられた側面電極50と、を有している。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電気抵抗率が低く、TCR特性に優れ、貴金属を含有していない導電性材料及びそれを含有する抵抗体ペースト、抵抗体、薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】LaBaCu13で表わされるペロブスカイト酸化物の一部をPrで置換することにより電気抵抗率を低減した導電性材料であって、La4-XPrBaCu13(0.05≦X≦0.60)で表されることを特徴とする導電性材料及び該導電材料を含有する抵抗体ペースト、抵抗体、薄膜を提供する。
また、LaBaCu13で表わされるペロブスカイト酸化物の一部をCoで置換することにより電気抵抗率を低減した導電性材料であって、LaBaCu5-YCo13(0.05≦Y≦0.35)で表されることを特徴とする導電性材料及び該導電材料を含有する抵抗体ペースト、抵抗体、薄膜を提供する。 (もっと読む)


【課題】回路基板からの熱膨張や熱収縮による応力を緩和する。
【解決手段】面実装型抵抗器100は、長辺及び短辺を有する第1主面及び第2主面を有する板状母材102と、板状母材102の第1主面上に形成される抵抗体素子106と、抵抗体素子106の長辺の端部側に抵抗体素子106と一体的に設けられる一対の内部電極104を備える。さらに内部電極固着部112と側片114で形成されるL字状の形態を成す第1屈曲部110aと側片114と基板固着部116とで形成されるL字状の形態を成す第2屈曲部110bを有する一対の外部電極110とを備える。内部電極104と内部電極固着部116とは導電性固着材108によって固着され、板状母材102の厚み方向の位置が第1屈曲部110a側に偏倚している。 (もっと読む)


【課題】 均一で薄膜の絶縁膜を形成することが可能なチップ部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】内部電極4,6が形成された素子本体を10用意する工程と、素子本体10の表面に絶縁膜16を形成する工程と、絶縁膜16が形成された素子本体10の端面に端子電極15a,15bを形成する工程とを有するチップ型電子部品2の製造方法であって、絶縁膜16を形成する際に、低圧力容器22内に配置されたバレル38に素子本体10を投入し、バレル38の回転軸Pを中心にバレル38を回転させながら、バレル38を揺動させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】オーディオ信号処理回路に最適なTaN膜とTa膜との積層膜を使用して、TCR値が小さく、シート抵抗が大きく、実用上必要な膜厚を確保できる高抵抗の高音質抵抗膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高音質抵抗膜は、窒化タンタル膜2aとタンタル膜2bとの積層膜2からなり、この積層膜全体として、抵抗値温度係数TCRが−50乃至+50ppm/℃であると共に、シート抵抗が100Ω/□以上であり、前記窒化タンタル膜は、半導体装置の製造工程で常温から400℃までの温度で、窒素分圧比を3乃至15%として、2.5kW以下の低パワーで、スパッタリングにより成膜されたものである。前記TaN膜のスパッタリング時の基板温度をTとし、窒素ガス分圧比をmとしたとき、前記基板温度T及び窒素ガス分圧比mは、(2/165)T+(91/33)≦m≦(1/66)T+(155/33)を満たすことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】N、O、Taの元素組成プロファイルが安定し、抵抗膜中にNを安定して含有し、Oが少なく、化学量論的な組成に近いTaN膜が得られ、耐酸化性が優れていて信頼性が高いオーディオ用抵抗体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に、TaN膜を含む抵抗膜をパターン形成する。そして、前記抵抗膜上に層間絶縁膜を形成し、その後、前記抵抗膜を750乃至1100℃で焼鈍する。その後、前記層間絶縁膜上に、前記抵抗膜に接続された抵抗引き出し用の電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】 厚膜抵抗体層の抵抗値を所望の値に維持でき、信頼性を向上することができる配線基板を提供する。
【解決手段】 絶縁基体2と、絶縁基体2の上面に配置された、印加電圧に応じて面方向に伸縮する板状の圧電体4と、圧電体4の上面に積層された、酸化物導電体,ホウ化物導電体またはケイ化物導電体からなる抵抗体粒子がガラス中または樹脂中に分散されてなる厚膜抵抗体層3と、絶縁基体2の上面に形成された、圧電体4および厚膜抵抗体層3にそれぞれ電気的に接続されている複数の配線導体5,6とを備えている配線基板1である。圧電体4を面方向に伸縮させて厚膜抵抗体層3を伸縮させることによって、厚膜抵抗体層3の抵抗値を所望の値に維持することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、過負荷特性の劣化を防止できる抵抗器およびその製造方法、並びにその実装方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の抵抗器は、セラミック碍子からなり断面が略方形の基台11と、この基台11の全表面に設けられた金属皮膜12とを備え、前記金属皮膜12を前記基台11の両端部に位置する電極部13とこの電極部13間に位置する素子部14とで構成し、前記電極部13における前記金属皮膜12に貫通孔16を形成したものである。 (もっと読む)


【課題】 より正確にチップ抵抗器を製造できるチップ抵抗器の製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板材料7の表面7aに抵抗体層2を形成する工程と、基板材料7に、方向xに沿って延びているとともに表面7aから凹む複数の溝71を形成する工程と、溝71の側面711に導電体層3を形成する工程と、基板材料7に含まれているとともに溝71により区画された複数の基材73をそれぞれ方向yに沿って分離する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】本発明は、耐半田喰われ性と耐酸性を兼ね備えた特性を有するチップ抵抗器の電極を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器の電極は、導電性粉、鉛フリーのガラスフリットおよび樹脂バインダーを含む導電性ペーストから形成されるチップ抵抗器の電極であって、導電性粉は、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)およびそれらの合金よりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属粉であり、かつ、ガラスフリットは、SiO2を60wt%以上含む第一のガラスフリットおよびTiO2を5wt%以上含む第二のガラスフリットを1:3〜5:1の重量比で含むことを特徴とする。本発明はさらに、上記チップ抵抗器の電極の製造方法を含む。 (もっと読む)


【課題】銅−マンガン系合金の低抵抗率、低TCRを維持しながら、高い密着力を得ることができる抵抗体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】銅及びマンガンを少なくとも含む導電性金属粉体と、ガラス粉体と、有機ビヒクルとを含有する抵抗体ペーストを用いて、抵抗体膜を製造する方法に関する。抵抗体ペーストを絶縁基板に塗布する工程と、絶縁基板に塗布された抵抗体ペーストを酸化性雰囲気下200〜240℃で加熱して酸化処理する工程と、酸化処理された抵抗体ペーストを750℃以上の温度で焼成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】電子部品素子が緻密な外装樹脂により被覆された、信頼性の高い電子部品を効率よく製造することが可能な電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】(a)熱硬化性樹脂と、(b)球状無機フィラーと不定形無機フィラーとを、球状無機フィラー55〜65重量部、不定形無機フィラー35〜45重量部の割合で配合した無機フィラーと、(c)溶剤とを含む熱硬化性樹脂ペーストに電子部品素子10を浸漬して、電子部品素子10の表面に熱硬化性樹脂ペーストを塗布し、これを乾燥させた後、加熱して硬化させることにより外装樹脂本体層11を形成するとともに、この外装樹脂本体層11の表面に、トップコート用樹脂ペースト塗布して、外装樹脂本体層11を被覆するトップコート層12を形成する。
熱硬化性樹脂ペーストとして、無機フィラーの含有量が75〜80重量%の範囲にあるものを用いる。 (もっと読む)


【課題】 製造が容易で、しかも価格を上げることなく、絶縁基板にクラックや割れが入るのを防止したチップ抵抗器等のチップ状電気部品を提供する。
【解決手段】 一対の表面電極21,23が、抵抗層13から一対の表面電極21,23が並ぶ方向に位置する絶縁基板29の一対の端部に向かうに従って厚みが厚くなるように形成する。表面電極21,23と絶縁保護層15との間にメッキ溜まりSが形成される。1層以上のメッキ層33を形成する際に、メッキ溜まりSにメッキ金属が溜まり、メッキ層33によって半田付け電極部と保護層との間に形成される段差をある程度小さくすることができる。 (もっと読む)


【課題】電極の抵抗値変化の影響を排除すると共に電圧を測定する電圧端子に電圧の誤差が含まれないようにした電流検出用抵抗器と、当該電流検出用抵抗器の実装構造を提供すること。
【解決手段】電流検出用抵抗器10は、略方形状の抵抗体層12a,12bと、被測定電流を流す一対の電流電極13と、両端部間の電圧を取り出す一対の電圧電極14とからなる。上面電流電極13を絶縁基板11の上面に形成した左右両抵抗体層の一方の対向辺に沿って形成し、該左右両抵抗体層の他方の対向辺間に、一方の上面電圧電極を左右両抵抗体層の一方の角隅部に接する上面電流電極から引き出して接続した接続部14aと、該接続部の中間から略直角に絶縁基板の他方の側面に向かって延びる脚部14bとから略T字形に形成し、他方の上面電圧電極14c,14dを左右両抵抗体層の他方の角隅部に接する上面電流電極から引き出して前記脚部に関して線対称をなすように形成した。 (もっと読む)


【課題】本発明は、低い抵抗値でTCR特性が良好な微小サイズのチップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器の製造方法は、絶縁基板11の上面の両端部に一対の第1上面電極13を印刷して焼成する工程と、この一対の第1上面電極13を橋絡するように第1の抵抗体14を印刷する工程と、この第1の抵抗体14および前記一対の第1上面電極13と電気的に接続されるように一対の第2上面電極15を印刷する工程と、前記第1の抵抗体14の一部を覆う第2の抵抗体16を印刷する工程とを備えるとともに、前記第2の抵抗体16の長さを前記第1の抵抗体14の長さより短く形成したものである。 (もっと読む)


【課題】平板型厚膜抵抗器において、高抵抗化且つ対ノイズ特性の向上が可能であり、そのうえ抵抗値の微調整が可能な厚膜抵抗器を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に一対の電極と厚膜抵抗体よりなる抵抗線とが形成され、次のような特徴を有する。1つは、抵抗線を複数用い、これらの抵抗線は、並列配置され、それぞれの一端が一対の電極の一方に接続され、他端が少なくとも1本のトリミング可能な配線を介して一対の電極の他方に接続される。もう1つは、上記特徴に代えて、抵抗線は少なくとも1本で足りる構成として、トリミング可能な配線を複数とする。抵抗線の一端が、一対の電極のいずれか一方に接続される。また、抵抗線の異なる部位にトリミング可能な複数の配線の各一端が接続され、これらの配線の各他端が前記一対の電極のいずれか一方に接続される。 (もっと読む)


【課題】厚膜抵抗器の製造工程においてトリミング加工が不要で、最終抵抗値の精度が確保でき、かつ実使用時の電流ノイズの少ない厚膜抵抗器を提供する。
【解決手段】絶縁基板101上に、厚膜抵抗体よりなる抵抗線301と、抵抗線301の電極として選択可能な複数の導電体201、202とが形成される。複数の導電体201、202は、抵抗線301の抵抗値がこれらの導電体の選択により調整し得るように、抵抗線301上の異なる部位に接続されていることを特徴とする。 (もっと読む)


ポリマー結合剤、および1つの部類以上の粒子成分を含む組成物が提供される。少なくとも1つの部類の粒子成分は、個別に2eV以下のバンドギャップを有する半導体粒子を含む。VSD材料として、この組成物は、(i)固有の電圧レベルを超えた電圧の存在しない状況下で誘電性であり、(ii)固有の電圧レベルを超えた電圧の印加により導電性である。
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