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Fターム[5E034AB04]の内容

サーミスタ、バリスタ (5,260) | PTCの種類 (197) | 皮膜型 (101)

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Fターム[5E034AB04]に分類される特許

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【課題】有底筒状のケース内に形成されたガス通路を流通するガスを加熱するために、ケースの筒部および端壁部の外面にPTC素子が配設されるガスの加熱装置において、PTC素子への通電構造を簡単化する。
【解決手段】筒部73aの外周および端壁部73bの外面にそれぞれ配設されるPTC素子75,76に共通に接続される通電部材78が、端壁部73bの外方に筒部73aと同軸に配置される環状の集合部78aと、該集合部78aの外周から筒部73aの長手方向に延びるとともに該筒部73aの外周に配設される複数のPTC素子75に個別にかつ弾発的に接触する複数の第1電極部78bと、集合部78aの内周から内側に延びるとともに端壁部73bの外面に配設されるPTC素子76に弾発的に接触する第2電極部78cと、集合部78aに一端が連設される端子部を備える。 (もっと読む)


【課題】 チタン酸バリウムを主成分とした場合でも室温での電気抵抗が小さく、更に所要のPTC特性を備えるサーミスタを効率的に製造する方法及びサーミスタを提供する。
【解決手段】 BaTiO3を主成分とし、平均直径が5nm〜500nm程度のナノ粒子を所定溶媒中に分散させた分散液を調製し、基板と他の対向電極とを分散液中に浸漬させ、両電極間に所定の電圧を印加する電気泳動法により成膜する。そして、還元雰囲気中又は中性雰囲気中、略1200℃以下の適宜温度で前記基板を焼成する。 (もっと読む)


【課題】 蓄電装置の性能に悪影響を与えることなく、発電要素の温度を検出することのできる蓄電装置を提供する。
【解決手段】 充放電を行う発電要素(11)と、発電要素の温度を検出するための温度検出ユニット(30)と、発電要素及び温度検出ユニットを収容するケース(10)とを有する。温度検出ユニットは、薄膜の温度検出素子(32)及び温度検出素子の検出情報を外部に取り出すための信号線(33〜35)が形成されたフレキシブル基板(31)を有しており、発電要素に沿って配置されている。 (もっと読む)


【課題】少なくとも1つのPTC抵抗を有し、PTC抵抗に接続された少なくとも1つのAC電源を有する装置を提供する。
【解決手段】PTC抵抗は、前記PTC抵抗の両端の電圧降下が40V/mmの値を超えないようなサイズで製造される。 (もっと読む)


【課題】導通状態で低電気抵抗、非導通状態で高電気抵抗である温度感応電流遮断回路、過電流保護回路等に有用な電流スイッチング素子を提供するものである。
【解決手段】基板上に融解状態で体積収縮を起こすビスマス金属またはビスマス基合金薄膜を形成し、前記薄膜上に電気絶縁性物質からなる保護層を設けた構造を特徴とする電流スイッチング素子に関する。 (もっと読む)


【課題】正特性サーミスタの損傷不良がなく、絶緑層の損傷及び破壊の虞がなくて絶縁安全性が高く、組み込みにより生じる部品間の隙間が小さく熱伝達効率が向上し、組み込みが容易で製造工程が簡単であり、製造コストを低減させることが出来る正特性サーミスタを利用したヒータの提供。
【解決手段】正特性サーミスタ7を嵌込み固定する固定部材8と、正特性サーミスタ7を通電する為に挟む1対の電極板5,6と、電極板5,6に夫々接触する1対の部分3,9からなり、正特性サーミスタ7、固定部材8及び電極板5,6を収納し、正特性サーミスタ7が発生させた熱を伝導するケース3,9と、ケースの各部分3,9の対向する各対向部を加圧固定する1対のクランプ部材1,1−1と、ケースの各部分3,9に密着固定され、各部分3,9が伝導した熱を放射する1対の放熱フィン2,2−1とを備えている。 (もっと読む)


【課題】表面実装型のリセット可能な過電流保護デバイスを効率的かつ経済的に製造する。
【解決手段】本発明の表面実装型のリセット可能な過電流保護デバイスの端子電極の構造は、2つの端部を有する原料基板であって、両表面の各々の上に、パターニングされた金属ホイルが形成される、原料基板と、原料基板を囲む絶縁層であって、原料基板の2つの端部上のパターニングされた金属ホイルの切断部位が露出する、絶縁層と、原料基板の両端部上に構成された2つの端子電極であって、2つの端子電極はそれぞれ、絶縁層と原料基板の2つの端部上に露出したパターニングされた導電性の金属ホイルの切断部位とを囲み、かつ、露出したパターニングされた導電性の金属ホイルに電気的に接続するための5つの導電面を有する端子電極とを備える。 (もっと読む)


【課題】 PTC素子に発生する耐圧不良を抑制することができるPTC素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 PTC素子を製造する場合は、まず端子電極3A,3Bを作製すると共に、導電性フィラーとポリエチレン樹脂等とを混錬させてPTC素体2を形成する。続いて、端子電極3A,3BがPTC素体2を挟んで対向するように、PTC素体2及び端子電極3A,3Bを配置する。続いて、加圧治具4A,4Bを用いて端子電極3A,3BをPTC素体2に対して熱プレスすることにより、端子電極3A,3BをPTC素体2の上面及び下面に接合する。具体的には、加圧治具4Aの治具本体5と端子電極3Aとの間、加圧治具4Bの治具本体5と端子電極3Bとの間にそれぞれスペーサ6を介在させる。このとき、スペーサ6をPTC素体2の上面及び下面の縁部に重ならないように配置する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、感熱膜に接続された外部引出用電極に起因する特性変動を無くし、長期信頼性に優れた薄膜サーミスタを提供する。
【解決手段】絶縁基板上に形成された感熱膜の電極として用いられている端子電極及び感熱膜全体をガラス保護膜によって被覆して外気雰囲気と遮断できる構造とし、前記一対の端子電極に接続する一対の外部接続用電極を前記ガラス保護膜の外側に延在するように形成したことを特徴とする薄膜サーミスタ。 (もっと読む)


【課題】 耐電圧および減衰電流特性をともに向上させた消磁用正特性サーミスタに用いられるチタン酸バリウム系半導体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 主成分が、組成式:(Ba1-p-q-r-sSrpPbqCarErsmTiO3で表されるチタン酸バリウム系半導体磁器組成物であって、p、q、r、sおよびmは、それぞれ、0.150≦p≦0.195、0.0195≦q≦0.0240、0.120≦r≦0.165、0.0029≦s≦0.0032、0.998≦m≦1.002の範囲にあり、副成分として、Mnを、主成分1モルに対して、0.000300モル以上0.000350モル以下含有し、Siを、主成分1モルに対して、0.018モル以上0.021モル以下含有し、かつFeを、主成分1モルに対して、0.000010モル以上0.000035モル以下含有することを特徴とするチタン酸バリウム系半導体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】 内蔵の抵抗素子が破損したときにはその破損片が一対の接点バネで挟持されない構造にして、通電しても発煙しないようにする。
【解決手段】 電気絶縁体の硬質樹脂からなる容器2に収納した正の抵抗温度係数を有する抵抗素子1を、導電性と弾性を備えた給電装置3、4の接点バネ56により押圧して、抵抗素子1を導通状態に挟持した始動リレーにおいて、接点バネ5、6は胴部と、胴部から延設された2本の腕部と、各腕部先端から延設されて抵抗素子を押圧する離間した押圧部とを備えて形成すると共に、接点バネ5の押圧部5C1、5C2と、接点バネ6の押圧部6C1、6C2とが互いに十字状に交差した方向に設けて、挟持している抵抗素子1が破損しても破損片が接点バネ5、6に挟持されないようにした。 (もっと読む)


【課題】PTCサーミスタの熱がベタパターンに逃げることを防止し、負荷を過電流から確実に保護することができる過電流保護素子の実装構造を提供する。
【解決手段】基板の上に電源ベタパターン3と導電体パターン4が形成され、電源ベタパターン3と導電体パターン4の端部とPTCサーミスタ1が接続されている。導電体パターン4側には、スルーホール8が形成され、このスルーホール8にはコネクタのピンが挿入されてはんだ付固定され、負荷に接続される。そして、電源ベタパターン3にはPTCサーミスタ1側に突出した、幅の狭い伝熱規制パターン9が形成されているので、PTCサーミスタ1から電源ベタパターン3への熱の拡散を少なくし、過電流時に温度を確実に上昇させることができる。
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【課題】 内部電極の薄層化を図った場合でも、デラミネーションの発生を抑制しつつ、より一層大きなサージ耐量を得ることを可能とする積層型バリスタ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 セラミック焼結体2内において、セラミック層を介して第1,第2の内部電極3,4が積層されており、第1,第2の内部電極3,4の第1,第2の外部電極5,6と接続されている接続端縁部を除く端縁部分である内部電極端縁部3c,4cの厚みが、内部電極端縁部3c,4cにより囲まれた内部電極中央部3a,4aの厚みの1.8〜4.0倍とされており、かつ内部電極端縁部3c,4cにおける貫通孔7aの存在割合が、内部電極中央部3a,4aにおける貫通孔7aの存在割合の0.017〜0.3倍の範囲とされている、積層型バリスタ1。 (もっと読む)


電子素子がプリント回路基板製造方法を用いて製造される。特に、薄層状素子は、第1金属層(12)と、第2金属層(14)と、第1金属層と第2金属層との間に挟まれた少なくとも一つの素子材料層とを備える。第1絶縁材料層(40)が第1金属層を実質上覆う。第3金属層(48)が第1絶縁材料層(40)上に設けられる。この第3金属層(48)は、第1端子(90)及び第2端子(92)を提供するために分けられる。第1端子(90)は、第1絶縁材料層(40)を通って形成された導電性相互配線(84)によって第1金属層(12)に電気的に接続される。第2端子(92)は、第1金属層(12)及び少なくとも一つの素子材料層(16)を貫通すると共に第1金属層(12)及び少なくとも一つの素子材料層(16)から絶縁される絶縁導電性チャネルを含む導電性通路(68)によって第2金属層(14)に電気的に接続される。絶縁チャネルの使用は、経済的な製造方法を提供し、使用する素子材料の実効面積を最大にする。PTCコンポーネントがこの方法により製造される。
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