【課題】基板に応力が加わって薄膜パターンが変形しても、温度検出精度への影響が少ない薄膜抵抗温度センサを提供する。
【解決手段】長方形状の基板２に、抵抗体を往復形状に接合した薄膜パターン３を形成する。薄膜パターン３は、往路部４と、往路部４に平行な復路部５と、これら往路部４と復路部５とを互い違いに接続する折り返し部６とから構成され、これら往路部４および復路部５の基板２短手方向に対する傾斜角度は、基板２の材料のポアソン比に基づいて決定される。 （もっと読む）

【課題】広範囲な温度域にわたる温度計測と、特定の温度域における温度の高精度計測とを、従来より好適に両立できる温度センサを提供すること。
【解決手段】第１のサーミスタ素子５４と第２のサーミスタ素子５６とを、電気的に並列に接続した温度センサ１において、第１のサーミスタ素子５４のＢ定数は１０００〜２０００Ｋで、第２のサーミスタ素子５６のＢ定数は４０００〜８０００Ｋであり、且つ、第１のサーミスタ素子５４のＢ定数と第２のサーミスタ素子５６のＢ定数とが３．０倍以上異なる特性を有する。更に、所定温度より低温側にて、第１のサーミスタ素子５４の抵抗値が第２のサーミスタ素子５６の抵抗値より低く、且つ、所定温度より高温側にて、第１のサーミスタ素子５４の抵抗値が第２のサーミスタ素子５６の抵抗値より高い特性を有する。 （もっと読む）

表面実装部品（１００）の製造方法は、Ｂ段階の上層（３００）と下層（３１５）と、開口部を有するＣ段階の中間層（３１０）とを含む複数の層を準備する工程を含む。コア部品（３０５）は、開口部に挿入され、それから、上層および下層は、それぞれ中間層の上下に配置される。これらの層はＣ段階になるまで硬化される。コア部品は、約０．４ｃｍ^３・ｍｍ／ｍ^２・ａｔｍ・ｄａｙよりも小さい酸素透過率を有する酸素遮蔽材料により実質的に囲まれる。
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【課題】静電気対策素子とコモンモードフィルタとを組み合わせて構成され、５ｋＶ以上の保護電圧を得ることが可能な複合電子部品を提供する。
【解決手段】複合電子部品１００は、第１及び第２の磁性基体１１ａ、１１ｂと、それらの間に挟まれた機能層１２とを備え、機能層１２はコモンモードフィルタ層１２ａと静電気対策素子層１２ｂによって構成されている。静電気対策素子の静電容量は０．３５ｐＦ以下である。コモンモードフィルタ層１２ａは、絶縁層１６ｂ上に形成された第１のスパイラル導体１７と、絶縁層１６ｃ上に形成された第２のスパイラル導体１８とを備え、コモンモードフィルタの直流抵抗は０．５Ω以上５Ω以下であり、静電気対策素子の静電容量は０．３５ｐＦ以下である。さらに第１及び第２のスパイラル導体１７，１８の幅Ｗ及び長さＬは、√（Ｌ／Ｗ）＜（７．６６５１−ｆｃ）／０．１３８５で表される関係式を満たしている。 （もっと読む）

【課題】静電容量が小さく、且つ、放電特性に優れるのみならず、耐熱性及び耐候性が高められた、静電気対策素子等を提供すること。
【解決手段】絶縁性基板１１上において相互に離間して対向配置された電極２１，２２の間に、絶縁性無機材料３２のマトリックス中に導電性無機材料３３が不連続に分散したコンポジットである機能層３１を配設する。 （もっと読む）

【課題】分析感度が高く、かつ、分析値のばらつきを小さくして、再現性のよい分析を行うことが可能な非直線抵抗体の残留炭素測定方法、非直線抵抗体の製造方法、及び非直線抵抗体を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、造粒、成形後に、焼成された非直線抵抗体に対して、焼成体を粉砕し分級する。そして、粉体の粒径が造粒粉の平均粒径の０．８〜１．２倍程度の大きさの粉体を分析試料とし、この分析試料を用いて残留炭素量を測定する。 （もっと読む）

【課題】電子機器や家電機器に使用されるヒューズに関して、微小化、軽量化が容易で、断線が確認しやすいポリマーヒューズを提供する。
【解決手段】共役系ポリマーをドーパントにより導電化してなる導電性ポリマーを主成分とするヒューズ素子１の両端に電気導体２を形成した。当該ヒューズ素子１は当該導電性ポリマー２を溶解した後、塗布（印刷）して形成する。導電性ポリマーはポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体およびポリチオフェン誘導体からなる群から選ばれた少なくとも一つであり、ドーパントはスルホン酸基、リン酸基、カルボン酸基およびこれらの塩基からなる群から選ばれた少なくとも一つを有する。 （もっと読む）

【課題】短絡時の電池の胴体部の表面温度を低く抑えた信頼性の高い円筒型一次電池を提供することを目的とする。
【解決手段】ＰＴＣ素子９を具備した封口組立体１１の樹脂封口体５の熱伝導度λ（Ｗ／ｍ・Ｋ）と、ＰＴＣ素子９のトリップ時の発熱量Ｑ（Ｗ）とを、関係式(１)〜(３)を満たすように設定する。
（１）０．１２≦λ≦０．２７
（２）１．０≦Ｑ≦１．５
（３）Ｑ≦−３．３３λ＋１．９ （もっと読む）

【課題】 素子の方向を容易に且つ正確に識別することができるチップ型電子部品を提供する。
【解決手段】 チップ型電子部品１はＺｎＯ系バリスタ素子２を備えている。ＺｎＯ系バリスタ素子２は、バリスタ部、インダクタ部及び保護層が下から順に積層されてなる素体３と、この素体３の表面に設けられた端子電極４〜６及び外部導体７を備えている。素体３の保護層側の表面には、ＺｎＯ系バリスタ素子２の上下方向を識別するための方向識別マーク１９が設けられている。ここでは、素体３において方向識別マーク１９が付されている表面が、実装すべき回路基板に対して上面となる。方向識別マーク１９は、ＺｒＯ_２からなっている。このＺｒＯ_２からなる方向識別マーク１９は、ＺｎＯ系バリスタ素子２との同時焼成によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】 素体から延出するリード端子を他の端子に接合する際の接合強度を向上させることが可能なＰＴＣ素子を提供すること。
【解決手段】 このＰＴＣ素子１は、結晶性高分子に導電性フィラーを分散させてなる素体１０と、素体１０を挟んで熱圧着される一対の端子電極１２，１４とを備え、一対の端子電極１２，１４はそれぞれ、素体１０と重なる重複領域１２１，１４１と、素体１０と重ならない非重複領域１２２，１４２とを有し、一対の端子電極１２，１４それぞれの重複領域１２１，１４１には、大径部１６１と当該大径部１６１よりも根元側には小径部１６２とを有するアンカー突起１６，２０が形成されており、一対の端子電極１２，１４それぞれの非重複領域１２２，１４２においては、アンカー突起１６が押しつぶされて平坦化されている。 （もっと読む）

本発明は、ＺｎＯマイクロバリスター粒子を含有する非線形電界コントロール・テープに係る。ドープされたＺｎＯ粒子は、焼結されたＺｎＯのブロックを粉砕することにより、特に、仮焼され粒状化された粒子を粉砕することにより、または、仮焼されまたは焼結されたテープ（テープ・キャスティング）を粉砕することにより、製造される。実施形態は、とりわけ次のことに関係している：即ち、中空ＺｎＯマイクロバリスター粒子が造粒技術により製造され、これらの粒子は、減少された平均密度を有し、且つ、９０μｍよりも十分に小さい範囲の直径を有している；テープに含浸するために使用されるバインダの中に、ＺｎＯフィラーをコンパウンディングする。従来の非線形フィラー粒子が埋め込まれた非線形電界・コントロール・テープと比べて、より強く且つより信頼性が高い非線形抵抗が実現される。このＺｎＯフィラーは、製造することが容易で、且つ、バインダの中にコンパウンディングすることが容易である。その結果得られるテープは、フレキシブルであって、好ましくは自己接着性を有し、そして強い非線形電気抵抗を有している。これらのテープは、電気的コンポーネントの中の高いフィールド・ストレス領域を保護するために有用である。 （もっと読む）