【課題】 Ｚｎを含むＢａＴｉＯ_３系のＰＴＣ素子用焼結体においてジャンプ特性に優れたＰＴＣ素子用焼結体、その製造方法、及びこのＰＴＣ素子用焼結体を用いたＰＴＣ素子、発熱モジュールを提供する。
【解決手段】 Ｂａ、Ｔｉを必須とするペロブスカイト系のＰＴＣ素子用焼結体であって、Ｚｎを焼結体全体に対して酸化物換算でＺｎＯ：０．０００１−０．００３０ｍｏｌ％含み、平均結晶粒径が１０μｍ以上１００μｍ以下であり、室温抵抗率Ｒｒが１×１０^５Ω・ｃｍ以下、抵抗温度係数αが０．５％／℃以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】内部電極と外部電極との接合強度を高めると共に、緻密な外部電極を得るセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】本発明のセラミック電子部品は、セラミック素体と、前記セラミック素体の内部に設けられ、少なくともＰｄを含む内部電極と、前記セラミック素体の端面に設けられ、金属成分として少なくともＣｕとＡｇとを含むと共に、ガラス成分として結晶化ガラスを一種類以上含み、前記内部電極と導通する一対の外部電極とを有し、前記外部電極は、軟化点Ｔｓが焼付温度よりも高い結晶化ガラスを５０％以上含有する。 （もっと読む）

【課題】 高い応答特性が得られると共に金属系の電極材料との密着性が良い保護膜が形成された薄膜サーミスタ素子を提供すること。
【解決手段】 アルミナ基板３と、アルミナ基板３上にサーミスタ材料で形成されたサーミスタ薄膜４と、サーミスタ薄膜４上に形成された一対の櫛形電極５と、櫛形電極５の少なくとも一部と共にサーミスタ薄膜４を覆うハフニウム酸化物またはハフニウム−金属酸化物で形成された保護膜６と、を備えている。 （もっと読む）

本発明は電気的な抵抗素子に関している。この抵抗素子は、半導体材料によって形成された基体（２）と、この基体（２）と導電的に接続されている第１のコンタクト素子（５）と第２のコンタクト素子（６）とを有している。さらに前記基体（２）は第１の主要面（２ａ）を有しており、該第１の主要面（２ａ）内には凹部（３）が設けられており、前記第１のコンタクト素子（５）は前記凹部（３）内で少なくとも部分的に前記基体（２）と導電的に接続されており、前記基体（２）は、第２の主要面（２ｂ）を有しており、該第２の主要面（２ｂ）は前記第１の主要面（２ａ）と対向的に設けられており、前記第２のコンタクト要素（６）は第２の主要面（２ｂ）に少なくとも部分的に前記基体（２）と導電的に接続されている。
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【課題】広範囲な温度域にわたる温度計測と、特定の温度域における温度の高精度計測とを、従来より好適に両立できる温度センサを提供すること。
【解決手段】第１のサーミスタ素子５４と第２のサーミスタ素子５６とを、電気的に並列に接続した温度センサ１において、第１のサーミスタ素子５４のＢ定数は１０００〜２０００Ｋで、第２のサーミスタ素子５６のＢ定数は４０００〜８０００Ｋであり、且つ、第１のサーミスタ素子５４のＢ定数と第２のサーミスタ素子５６のＢ定数とが３．０倍以上異なる特性を有する。更に、所定温度より低温側にて、第１のサーミスタ素子５４の抵抗値が第２のサーミスタ素子５６の抵抗値より低く、且つ、所定温度より高温側にて、第１のサーミスタ素子５４の抵抗値が第２のサーミスタ素子５６の抵抗値より高い特性を有する。 （もっと読む）

【課題】温度変化に起因して外装筒から封止樹脂が外れるのを防止し、耐久性を高めることができる樹脂封止型センサを提供する。
【解決手段】樹脂封止型センサ１０は、金属製の外装筒１５の内部に、封止樹脂１４によってセンサ素子１３を封止している。外装筒１５は、軸方向に弾性変形可能な構造を有する。外装筒１５は、周壁部２３が線状部材２４を螺旋状に巻回してなるコイルばねによって構成することができる。 （もっと読む）

【課題】素体と外気との気密性が高く、比較的低温で処理することができ、サーミスタ素体と被覆材との反応が少なく、低温度から高温にわたり正確な温度検知が可能で、且つ安定性が高いサーミスタ素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】サーミスタ素体１０とその電極線１２を被覆しシール性を有するコロイダルシリカを主成分とした第一の被覆材１６と、電極線１２が接続された耐熱リード線１４と熱膨張係数が整合性を有する第二の被覆材１８により覆われている。第二の被覆材１８は、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４：Ｙ_２Ｏ_３材料を主成分とする。第二の被覆材１８は、耐熱衝撃性を有するセラミクスシール材として、コロイダルシリカと酸化鉄を主成分とする第三の被覆材２０により覆われている。 （もっと読む）

【解決手段】多層式電気部品は、交互に積層された複数のセラミック層（２）と複数の電極層（３）とを有する単一の基体（１）を備える。基体（１）は、互いに対向する２つの端面（４，４’）と、互いに対向する２つの側面（５，５’）とを備える。多層式電気部品は、複数の外部電極（６，６’）と、電極層（３）に配置された複数の内部電極（７，８，９）とを備え、複数の内部電極（７，８，９）が、少なくとも部分的に重なり合って重複領域を形成している。内部電極（７，８，９）のそれぞれは、外部電極（６，６’）に割り振られている。端面（４，４’）の一方から延びる少なくとも１つの第１内部電極（７）は、端面（４，４’）の他方から延びる少なくとも１つの第２内部電極（８）と重なっている。側面（５，５’）の１つから延びる少なくとも１つの第３内部電極（９）が第１内部電極（７）及び第２内部電極（８）に重なっている。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生及び、内部電極とスルーホール導体の接続不良を抑制することができる積層型チップバリスタを提供する。
【解決手段】内部電極２１を、スルーホール導体２７との接続部２８において、スルーホール１０の貫通方向に湾曲するように構成する。これにより、接続部２８の湾曲面２８ａとスルーホール導体２７との間に挟まれる領域Ｔを接続部２８付近のバリスタ層９に形成する。この領域Ｔでは、バリスタ層９に対して内部電極２１とスルーホール導体２７の金属が拡散することによって金属濃度が高くなるため、焼成終了時において、内部電極４１及びスルーホール導体４７の収縮率と、バリスタ層９の他の領域の収縮率の中間の収縮率を有することとなる。これにより、内部電極４１とスルーホール導体４７とバリスタ層９が密集してクラックが発生し易い接続部２８付近で、領域Ｔにより応力緩和する。 （もっと読む）

【課題】素体の表面を保護しつつ、端子電極の形成部位以外の部位へのめっき金属の析出を抑制可能な積層チップバリスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る積層チップバリスタ１は、半導体を主組成とした素体２と、素体２上に形成された端子電極８と、少なくとも端子電極８の形成部位以外の素体２の表層に形成された、アルカリ金属を含有する高抵抗層５と、高抵抗層５上に形成されたガラス層６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜サーミスタ及びその製造方法において、小型化が可能で、サーミスタ薄膜自体にダメージを与えずに高精度に抵抗値調整可能にすること。
【解決手段】 表面にＳｉＯ₂層２が形成されたシリコン基板３と、ＳｉＯ₂層２の上面にパターン形成されたサーミスタ薄膜４と、サーミスタ薄膜４上にパターン形成された一対の薄膜上電極５と、シリコン基板３の上面にサーミスタ薄膜４及び薄膜上電極５を覆って形成された絶縁性の保護膜６と、該保護膜６に形成された貫通孔の内面に一対の薄膜上電極５まで達した導電膜を形成した一対のスルーホール８と、保護膜６上に形成され一対のスルーホール８に一端が接続された一対の上部引き出し電極９と、を備え、一対の上部引き出し電極９の一部が、除去されて抵抗値調整されている。 （もっと読む）

第１の好ましい実施形態において、可撓式の柔軟な導電接続手段（１２，１４）によって第１の電極（２０１）が互いに導電接続されている抵抗素子（２１，２２，２３）を含んでなる抵抗装置が提案される。前記接続手段は互いに隣接する２個の前記抵抗素子間に位置する区域において撓みが反転変化する。第２の好ましい実施形態において、柔軟な接続手段によって互いに接続されている抵抗素子（２１，２２，２３）を含んでなる抵抗装置が提案される。前記抵抗素子（２１，２２，２３）にはそれぞれ溝状の窪み（２２１，２２２）が配置されている。
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【課題】 温度検出素子において、製造コストの増大を抑制しつつ熱伝導性を向上を図ること。
【解決手段】 チップ状のサーミスタ素体２の表面に、第１の端子電極３と、第２の端子電極４と、絶縁性熱受容部６と、を設け、絶縁性熱受容部６が、サーミスタ素体２の少なくとも実装面となる側面２ａに形成され側面２ａで第１の端子電極３及び第２の端子電極４に対して面一な又は突出する厚さに設定されている。これにより基板に実装した状態で、基板に絶縁性熱受容部６が接触して効率的に基板からの熱をサーミスタ素体２に伝導させることができる。 （もっと読む）