【課題】 生産性に優れる温度補償型の静電容量素子を提供する。
【解決手段】 静電容量素子１０は、基板２０と、基板２０の上に位置する第１コンデンサ３０と、基板２０の上に位置して第１コンデンサ３０と電気的に並列接続されている第２コンデンサ４０とを有し、第１コンデンサ３０は、第１下部電極３１と第１誘電体３２と第１上部電極３３とで構成され、第２コンデンサ４０は、基板２０側から順に第１下部電極３１と異なる材料からなる第１層４１ｘと、第１下部電極３１と同じ材料からなる第２層４１ｙとが積層されてなる第２下部電極４１と、第１誘電体３２と同じ組成の材料からなる第２誘電体４２と、第２上部電極４３とで構成され、温度が上昇する際の第１コンデンサ３０の静電容量の変化量と第２コンデンサ４０の静電容量の変化量とで変化の正負が異なっている。 （もっと読む）

【課題】高い電界強度下においても良好な特性を示す誘電体磁器組成物、および該誘電体磁器組成物が誘電体層に適用されたセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを、主成分として含有し、チタン酸バリウム１００モルに対して、副成分を５．０モル以上含む誘電体磁器組成物である。副成分は希土類元素の酸化物を有している。誘電体磁器組成物には、誘電体粒子として、コア２１ａと、コアの周囲に存在し、Ｒ元素が固溶しているシェル２１ｂと、からなるコアシェル構造を有するコアシェル構造粒子２１と、Ｒ元素が誘電体粒子全体に固溶している全固溶粒子２２と、が存在しており、誘電体粒子の個数１００％に対して、全固溶粒子２２の個数割合をｘ（％）としたとき、ｘ≧１０である。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の温度特性の安定性に優れ、しかも比誘電率が高く、信頼性に優れた積層セラミックコンデンサを提供すること。
【解決手段】誘電体層が、Ｔｉに対してＺｒが１〜８モル％で置換されているＢＴＺ系誘電体磁器組成物を主成分として含み、ＢＴＺ系誘電体磁器組成物を構成する誘電体粒子がシェル構造を実質的に有さず、前記ＢＴＺ系誘電体磁器組成物のキュリー温度が、前記積層セラミックコンデンサの使用温度範囲よりも高い。 （もっと読む）

【課題】コンデンサ形計器用変圧器の電圧検出精度を向上する。
【解決手段】主コンデンサ２回路と分圧コンデンサ３回路とを直列に接続し、この直列回路１の両端が入力端に導かれ、直列回路内の接続点４が出力端に導かれたコンデンサ形計器用変圧器において、高圧側のコンデンサ（主コンデンサ２）として真空コンデンサを用い、低圧側のコンデンサ（分圧コンデンサ３）として、温度に対する静電容量変化率が正特性（温度が高くなるにつれ静電容量が増加する特性）のフィルムコンデンサと温度に対する静電容量変化率が負特性（温度が高くなるにつれ静電容量が減少する特性）のフィルムコンデンサと、を組み合わせて用いる。 （もっと読む）

【課題】高容量及び優れた信頼性を有する耐還元性誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】本発明は耐還元性誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品に関し、本発明による耐還元性誘電体組成物は、ＢａＴｉＯ_３系母材粉末、前記母材粉末１００モルに対して、遷移金属酸化物または炭酸塩０．１から１．０モル、及びＳｉＯ_２を含む焼結助剤０．１から３．０モルを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｙ５Ｖ特性を有する積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】多数に積層された誘電体層１１０と該誘電体層１１０間に形成された内部電極１２０を備えるセラミック積層体１３０と、該内部電極１２０に電気的に接続され、該セラミック積層体１３０の外面に配設された外部電極１４０とを含み、該誘電体層１１０は、（Ｂａ_１-ｘＣａ_ｘ）_ｍ（Ｔｉ_１-ｚＺｒ_ｚ）Ｏ_３（ここで、０．０３≦ｘ≦０．０７ｍｏｌ％、０．０５≦ｚ≦０．１５ｍｏｌ％、１≦ｍ≦１.０５ｍｏｌ％を満たす）を含み、該内部電極１２０は、ニッケル粉末、ＢａＴｉＯ_３（ＢＴ）を含有するセラミック粉末及びキュリー温度シフタを含む導電性ペーストで形成される。 （もっと読む）

【課題】容量温度特性の絶対値が大きい場合であっても、広い温度範囲において、容量変化率を該絶対値に対し所定の範囲にすることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ} Ｓｒ_ｘ Ｃａ_ｙ ）_ｍ （Ｔｉ_１−ｚ Ｚｒ_ｚ ）Ｏ_３で表される主成分と、Ｍｇ酸化物と、Ｍｎ（Ｃｒ）酸化物と、希土類酸化物と、Ｓｉを含む酸化物と、Ｂａ、ＳｒおよびＺｒを含む複合酸化物と、を有し、０.２０≦ｘ≦０．４０、０≦ｙ≦０．２０、０≦ｚ≦０．３０、かつ０．９５０≦ｍ≦１．０５０であり、−２５〜１０５℃の温度範囲において、２５℃における静電容量を基準とした容量温度特性を示す傾きａを有する直線に対して、２５℃を基準とした静電容量変化率が−１５〜＋５％の範囲内にあり、傾きａが−５５００〜−１８００ｐｐｍ／℃である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

コンデンサにおいて、次の構成要素すなわち第１の加熱部材（１）と第１のコンデンサ領域（２）とを含んでおり、該コンデンサ領域は、誘電性層（３）と、それぞれの誘電性層（３）の間に配置された内部電極（４）とを含んでおり、第１の加熱部材と第１のコンデンサ領域（２）は熱伝導式に相互に結合されている。
（もっと読む）

【課題】 高誘電率でありかつ静電容量の温度特性に優れるとともに、高温負荷試験での寿命特性が高い積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５を構成する誘電体磁器が、チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ_２Ｏ_５換算で０．０５〜０．３モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算で０．５〜１．５モル含有するとともに、その誘電体磁器を構成する結晶粒子はカルシウムの濃度が０．２原子％以上の結晶粒子から構成されており、前記誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、正方晶系のチタン酸バリウムを示す（００４）面の回折強度が、立方晶系のチタン酸バリウムを示す（４００）面の回折強度よりも大きく、かつキュリー温度が１００〜１２０℃である。 （もっと読む）

【課題】 還元雰囲気中での焼成後において高い絶縁抵抗を有し、高誘電率かつ容量温度特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５が、バナジウムおよび希土類元素を含み、厚みが１〜３μｍであるとともに、結晶粒子の平均粒径が０．１５〜０．４μｍであり、かつ、コンデンサ本体を酸素分圧で１０^−８〜１０^−１６気圧中、１２００℃、２時間の条件にて熱処理後、コンデンサ本体の一部を研磨して得られた前記導体材料と前記結晶粒子とが接している試料についてＥＥＬＳ分析を行ったとき、導体材料と結晶粒子１との界面から結晶粒子１側に向けた１０〜５０ｎｍの範囲におけるチタンの価数が４価である。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率かつ比誘電率の温度特性に優れた誘電体磁器と、それを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ_２Ｏ_５換算で０．０５〜０．３モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算で０．５〜１．５モル含有するとともに、Ｘ線回折チャートにおいて、正方晶系のチタン酸バリウムを示す（００４）面の回折強度が、立方晶系のチタン酸バリウムを示す（４００）面の回折強度よりも大きく、かつキュリー温度が１００〜１２０℃である。 （もっと読む）

【課題】
高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示す誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】
チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子と、該結晶粒子間に形成された粒界相とを有する誘電体磁器であって、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１モルに対してマグネシウム、ガドリニウム，テルビウム，ディスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）、マンガンを酸化物換算で所定の割合で含有するとともに、チタン酸バリウム１００質量部に対して、イッテルビウムを酸化物換算で所定の割合で含有し、結晶粒子の平均粒径が０．０５〜０．２μｍである。また、上記誘電体磁器を誘電体層として適用することにより、高容量かつ容量温度特性の安定なコンデンサを形成できる。 （もっと読む）

【課題】静電容量の容量変化率（ΔＣ／Ｃ）が広い温度域において小さく、比誘電率が大きく、誘電損失が小さい、鉛を含有しないニオブ酸系の誘電体磁器組成物、その製造方法、及びその誘電体磁器組成物を用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】一般式［Ｎａ_１−ｘＫ_ｘ］_１−ｙＬｉ_ｙ［Ｎｂ_１−ｚＴａ_ｚ］Ｏ_３(但し、ｘ、ｙ、ｚは、０≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦０．３０、０≦ｚ≦０．４０)で示される主成分と、副成分として、主成分に対するモル％で１．０〜８．０モル％のＮｂ_２Ｏ_５、１．０〜８．０モル％のＭｇＯ、３．０〜１６．０％のＲＯ（但しＲはＣａ、Ｓｒ、Ｂａの内、少なくとも１種）を含む誘電体磁器組成物である。また、同様の組成の粉末を焼成することによる誘電体磁器組成物の製造方法であり、その誘電体磁器組成物よりなる誘電体を有する誘電体磁器コンデンサである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、セラミック多層デバイスの電子デバイスレベルにおける誘電率の温度特性向上と機械的強度向上とを同時に満たすことが課題であった。
【解決手段】セラミック誘電体層１の材料として希土類及び酸化チタンの少なくとも一方を用いることでセラミック誘電体層１の誘電率の温度特性を向上させ、またセラミック誘電体層の主表面部４に圧縮応力を導入することで機械的強度を向上させているので、機械的強度向上と誘電率の温度特性向上の２つを同時に満たすことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ８Ｒ特性を満足する温度特性を有しかつ１５０℃付近の高温環境下における絶縁抵抗値がセラミック誘電体層の比抵抗に換算して１００ＭΩ・μｍまたはそれよりも高い積層セラミックコンデンサを得ること。
【解決手段】 セラミック誘電体３は、Ｘ８Ｒ特性を満足する温度特性を有するセラミック誘電体で形成された第一のセラミック誘電体層３ａと、この第一のセラミック誘電体層３ａよりも高い絶縁抵抗値を有するセラミック誘電体で形成された第二のセラミック誘電体層３ｂで構成されている。第二のセラミック誘電体層３ｂ一層につき内部電極４一層が埋設されている。そして内部電極４が埋設された第二のセラミック誘電体層３ｂと、第一のセラミック誘電体層３ａとが交互に積層されて、セラミック積層体２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 結晶粒子の平均粒径が０．５μｍよりも小さくしても高誘電率であり、また、比誘電率の温度変化率が小さく、かつ高温負荷寿命を向上できる積層セラミックコンデンサおよびその製法を提供する。
【解決手段】 誘電体層５が、チタン酸バリウム１００モル部に対して、ＭｇをＭｇＯ換算で０．５〜２モル部、ＭｎをＭｎＯ換算で０．２〜０．５モル部、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選ばれる１種の第１希土類元素と、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、ＴｂおよびＤｙから選ばれる１種の第２希土類元素とを含み、前記誘電体層５を構成する結晶粒子の平均結晶粒径が０．１５〜０．３μｍであり、かつ第１希土類元素の結晶粒子の粒界から中心部への濃度勾配が−０．００５〜−０．０５原子％／ｎｍであり、かつ第２希土類元素の結晶粒子の粒界から中心部への濃度勾配が−０．０００５〜−０．００５原子％／ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ８Ｒ特性を満足する温度特性を有しかつ高温環境下における比抵抗の高い積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスを形成する誘電体セラミック組成物が、ＢａＴｉＯ_３＋ａＭｇＯ＋ｂＭＯ_ｘ＋ｃＲｅＯ_３／２＋ｄＳｉＯ_２で表記したとき、ＢａＴｉＯ_３ １００ｍｏｌに対して０．４ ≦ａ≦ ３．０ｍｏｌ、０．０５≦ｂ≦ ４．０ｍｏｌ、６．０ ≦ｃ≦１６．５ｍｏｌ、３．０ ≦ｄ≦ ５．０ｍｏｌ、２．０≦ｃ／ｄ≦３．３の範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】還元雰囲気下において１０８０℃以下での焼結が可能であり、誘電率が２０００以上であり、温度特性がＸ７Ｒ特性またはＸ８Ｒ特性であり、寿命特性の良好な積層セラミックコンデンサを得る。
【解決手段】内部電極はＣｕまたはＣｕ合金で構成されており、誘電体セラミックスは断面で見たときの径の平均値が４００ｎｍ以下のグレイン８と粒界とで構成されており、前記グレイン８はドメインパターン１１を有する誘電体９と該誘電体の表面に形成された殻１０とで構成され、断面で見たときの前記グレインの径の平均値をＤ、前記殻の厚さの平均値をｔとしたとき、ｔ／Ｄが２％〜１０％である。 （もっと読む）

純粋な成分Ａ及びＢの２つの相の混合物を含むセラミックの混合システムが、提案される。相Ａは、Ｂｉ_３ＮｂＯ_７の立方晶−正方晶変態をベースとし、相Ｂは、Ｂｉ_２（Ｚｎ_２／３Ｎｂ_４／３）Ｏ_７の単斜晶パイロクロア変態をベースとする。これからなるセラミック体の電気的特性は、コンデンサ及びインダクタが集積化された多層構造を有する部品に適した材料をなす。これは、データ処理又は信号処理に使用され得る。 （もっと読む）

【課題】従来から、周囲の温度が高くなってもリーク特性が劣化せず十分なリーク特性を有する薄膜コンデンサ素子が求められている。そこで、本発明では、高温環境下でも比誘電率が高く、且つリーク特性が良好で、さらに製造容易な薄膜誘電体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る薄膜誘電体は、組成式が（Ｓｒ_１−ｘＣａ_ｘ）_ｙＴｉＯ_３で表されるチタン酸ストロンチウムカルシウムを含む薄膜誘電体であって、前記組成式中のｘ、ｙを０．２≦ｘ≦０．６で且つ０．９７≦ｙ≦１．１０としたことを特徴とする。 （もっと読む）