誘電体セラミック組成物、積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
【課題】 Ｘ８Ｒ特性を満足する温度特性を有しかつ高温環境下における比抵抗の高い積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスを形成する誘電体セラミック組成物が、ＢａＴｉＯ３＋ａＭｇＯ＋ｂＭＯｘ＋ｃＲｅＯ３／２＋ｄＳｉＯ２で表記したとき、ＢａＴｉＯ３ １００ｍｏｌに対して０．４ ≦ａ≦ ３．０ｍｏｌ、０．０５≦ｂ≦ ４．０ｍｏｌ、６．０ ≦ｃ≦１６．５ｍｏｌ、３．０ ≦ｄ≦ ５．０ｍｏｌ、２．０≦ｃ／ｄ≦３．３の範囲であることを特徴とする。
【解決手段】 誘電体セラミックスを形成する誘電体セラミック組成物が、ＢａＴｉＯ３＋ａＭｇＯ＋ｂＭＯｘ＋ｃＲｅＯ３／２＋ｄＳｉＯ２で表記したとき、ＢａＴｉＯ３ １００ｍｏｌに対して０．４ ≦ａ≦ ３．０ｍｏｌ、０．０５≦ｂ≦ ４．０ｍｏｌ、６．０ ≦ｃ≦１６．５ｍｏｌ、３．０ ≦ｄ≦ ５．０ｍｏｌ、２．０≦ｃ／ｄ≦３．３の範囲であることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を主体とする誘電体セラミック組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサに関するもので、ＮｉまたはＮｉ合金で構成された内部電極を有し、静電容量の温度変化の小さな積層セラミックコンデンサを得ることができるものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯機器、通信機器等の電子機器に用いられる積層セラミックコンデンサは、小型化及び大容量化の要求が高まっている。このような小型大容量の積層セラミックコンデンサとしては、例えば特開２００１−３９７６５号公報にあるような、内部電極がＮｉで構成された積層セラミックコンデンサがある。このような積層セラミックコンデンサはＸ７Ｒ特性（２５℃基準で−５５℃〜１２５℃の温度範囲における誘電率の変化率が±１５％以内）を満足し、誘電率が２５００以上であり、薄層化しても信頼性に優れた積層セラミックコンデンサが得られるものである。
【０００３】
しかし、近年、このような積層セラミックコンデンサは、用途によってはより厳しい環境下における信頼性が要求されている。例えば自動車のエンジンルーム内に搭載するエンジン電子制御ユニット、アンチロックブレーキシステム等の車載電子装置に積層セラミックコンデンサが用いられるようになってきている。このような車載電子装置は、−２０℃以下から＋１３０℃以上の温度環境下での安定な動作が求められるため、これに用いられる積層セラミックコンデンサにもこのような環境下でも良好な温度安定性を示すものが求められてきている。
【０００４】
このような要求に応えるため、例えば特開２００５−２７２２６３号公報に示されているような、Ｘ８Ｒ特性（２５℃基準でー５５℃〜１５０℃の温度範囲における誘電率の変化率が±１５％以内）を満足する誘電体セラミック組成物及び積層セラミックコンデンサが提案されてきている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３９７６５号公報
【特許文献２】特開２００５−２７２２６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このような誘電体セラミック組成物及び積層セラミックコンデンサでは、より小型大容量化を進めるために内部電極間の誘電体セラミック厚みをさらに薄くした場合、必ずしも充分な比抵抗が得られないという問題があった。特に１２５℃を超える高温環境下での比抵抗が充分でないという問題があった。
【０００７】
本発明は、このような課題を解決するために提案されたものであり、その第一の目的はＸ８Ｒ特性を満足する温度特性を有しかつ高温環境下における比抵抗の高い積層セラミックコンデンサを提供することである。また、第二の目的はそのような積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することである。また、第三の目的はそのような積層セラミックコンデンサに用いられる誘電体セラミック組成物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は第一の手段として、ＢａＴｉＯ３＋ａＭｇＯ＋ｂＭＯｘ＋ｃＲｅＯ３／２＋ｄＳｉＯ２（ただし、ＭｇＯはＭｇＯ換算であることを示し、ＭＯｘはＶ、Ｃｒ及びＭｎから選ばれる少なくとも１種の金属の１分子中１原子の酸化物換算であることを示し、ＲｅＯ３／２はＳｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＹから選ばれる少なくとも１種類の希土類金属の１分子中１原子の酸化物換算であることを示し、ＳｉＯ２はＳｉＯ２換算であることを示す。）で表記したとき、ＢａＴｉＯ３ １００ｍｏｌに対して０．４ ≦ａ≦ ３．０ｍｏｌ、０．０５≦ｂ≦ ４．０ｍｏｌ、６．０ ≦ｃ≦１６．５ｍｏｌ、３．０ ≦ｄ≦ ５．０ｍｏｌ、２．０≦ｃ／ｄ≦３．３の範囲であることを特徴とする誘電体セラミック組成物を提案する。この第一の手段によれば、温度特性がＸ８Ｒ特性を満足しかつ高温環境下における比抵抗が１００ＭΩｍ以上である誘電体セラミック組成物を得ることができる。
【０００９】
また、第二の手段として、原料として用いるＢａＴｉＯ３の粒子径の平均値が０．２３〜０．３５μｍであることを特徴とする誘電体セラミック組成物を提案する。この第二の手段によれば、さらに高温環境下における比抵抗が１０００ＭΩｍ以上である誘電体セラミック組成物を得ることができる。
【００１０】
また、本発明は第三の手段として、略直方体形状のセラミック積層体と、該セラミック積層体中に誘電体セラミックスを介して対向しかつ交互に異なる端面へ引出されるように形成された内部電極と、前記セラミック積層体の両端面に形成され、該端面に引き出された前記内部電極のそれぞれに電気的に接続された外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体セラミックスが上記の第一の手段に示されている誘電体セラミック組成物で形成されており、前記内部電極がＮｉまたはＮｉ合金で形成されていることを特徴とする積層セラミックコンデンサを提案する。この第三の手段によれば、温度特性がＸ８Ｒ特性を満足しかつ高温環境下における比抵抗が１００ＭΩｍ以上であり、さらに高温加速寿命特性が１５０℃−２５Ｖ／μｍで１００００秒以上である積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００１１】
また、第四の手段として、前記誘電体セラミックスが上記第二の手段に示されている誘電体セラミック組成物で形成されていることを特徴とする積層セラミックコンデンサを提案する。この第四の手段によれば、さらに高温環境下における比抵抗が１０００ＭΩｍ以上であり、高温加速寿命特性が１５０℃−２５Ｖ／μｍで１０００００秒以上である積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００１２】
また、本発明では、誘電体セラミック組成物をセラミックグリーンシートに成形するステップと、前記セラミックグリーンシート上に内部電極を形成するステップと、内部電極を形成した前記セラミックグリーンシートを積み重ねて未焼成セラミック積層体を形成するステップと、前記未焼成セラミック積層体を焼成するステップと、外部電極を形成するステップと、を有する積層セラミックコンデンサの製造方法において、前記誘電体セラミック組成物が上記の第一の手段に示されている誘電体セラミック組成物であることを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法を提案する。この製造方法によれば、温度特性がＸ８Ｒ特性を満足しかつ高温環境下における比抵抗が１００ＭΩｍ以上であり、さらに高温加速寿命特性が１５０℃−２５Ｖ／μｍで１００００秒以上である積層セラミックコンデンサを製造することができる。
【００１３】
また、さらに前記未焼成セラミック積層体を焼成するステップにおいて、焼成温度から室温まで温度を下げるときに、降温速度を１００℃／ｈｒ〜５００℃／ｈｒとしたことを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法を提案する。この製造方法によれば、２５℃基準でー５５℃〜１５０℃の温度範囲における誘電率（もしくは静電容量）の変化率が±１０％以内と、さらに良好な温度安定性を有する積層セラミックコンデンサを製造することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、Ｘ８Ｒ特性を満足する温度特性を有しかつ高温環境下における比抵抗が１００ＭΩｍ以上の高い積層セラミックコンデンサ及びその積層セラミックコンデンサを構成する誘電体セラミック組成物を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の誘電体セラミック組成物に係る実施形態について説明する。本発明の誘電体セラミック組成物は、ＢａＴｉＯ３、ＭｇＯ、ＭＯｘ（ＭＯｘはＶ、Ｃｒ及びＭｎから選ばれる少なくとも１種の金属を１分子中１原子の酸化物で換算したもの。）、ＲｅＯ３／２（ＲｅＯ３／２はＳｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＹから選ばれる少なくとも１種類の希土類金属を１分子中１原子の酸化物で換算したもの。）及びＳｉＯ２を上記の組成比で混合して形成した組成物である。なお、ＭｇＯは、Ｍｇの添加量をＭｇＯ換算で示すもので、Ｍｇを添加する場合は、ＭｇＯ以外の化合物を用いてもよい。また、ＳｉＯ２も同様にＳｉの添加量をＳｉＯ２換算で示すもので、ＳｉＯ２以外の化合物を用いてもよい。また、ＢａＴｉＯ３は固相法、水熱合成法、シュウ酸法またはゾルゲル法のいずれかの方法で合成されたものである。
【００１６】
このような誘電体セラミック組成物は、次ようにして得られる。まず、出発原料としてＢａＴｉＯ３ １００ｍｏｌに対してＭｇＯを０．４〜３．０ｍｏｌ、Ｖ、ＣｒまたはＭｎの酸化物（ＭＯｘ）を０．０５〜４．０ｍｏｌ、希土類の酸化物（ＲｅＯ３／２）を６．０〜１６．５ｍｏｌ及びＳｉＯ２を３．０〜５．０ｍｏｌの範囲になるように秤量して準備する。このときＲｅＯ３／２のｍｏｌ数ｃとＳｉＯ２のｍｏｌ数ｄの比ｃ／ｄが２．０〜３．３になるようにする。なお、ここでのｍｏｌ数は、１分子中１原子の酸化物に換算した場合のｍｏｌ数を示す。すなわち例えばＨｏ２Ｏ３であればＨｏＯ３／２で換算したｍｏｌ数、Ｖ２Ｏ５であればＶＯ５／２で換算したｍｏｌ数で示すものとする。これらの原料に水を加えてボールミル、ビーズミル、ディスパミル等を用いて湿式混合する。混合したものを乾燥し、これを４００℃で仮焼を行い、誘電体セラミック組成物を得る。得られた誘電体セラミック粉末は、積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を形成するために用いられる。
【００１７】
次に本発明の実施形態に係る積層セラミックコンデンサについて説明する。本実施形態による積層セラミックコンデンサ１は、図１に示すように、誘電体セラミックス３と、該誘電体セラミックス３を介して対向しかつ交互に異なる端面へ引出されるように形成された内部電極４とを有する略直方体形状のセラミック積層体２を備え、該セラミック積層体２の両端面上には、内部電極と電気的に接続するように外部電極５が形成されている。その外部電極５上には必要に応じて第一のメッキ層６、第二のメッキ層７が形成される。
【００１８】
次に、この積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。まず、本発明の誘電体セラミック組成物を用意する。これをブチラール系またはアクリル系の有機バインダー、溶剤及びその他添加剤と混合してセラミックスラリーを形成する。このセラミックスラリーをロールコータ等の塗布装置を用いてシート化し、誘電体セラミックス３となる所定の厚みのセラミックグリーンシートを形成する（セラミックグリーンシート成形ステップ）。
【００１９】
このセラミックグリーンシート上に、スクリーン印刷によって所定のパターン形状にＮｉまたはＮｉ合金の導電ペーストを塗布して内部電極４となる導電体層を形成する（内部電極形成ステップ）。導電体層を形成したセラミックグリーンシートを必要枚数積層した後、圧着し、未焼成セラミック積層体を形成する。これを個別チップに切断分割した後、大気中または窒素等の非酸化性ガス中で脱バインダーする（積層体形成ステップ）。
【００２０】
脱バインダー後、個別チップの内部電極露出面に導電ペーストを塗布して外部電極５となる導電体膜を形成する（外部電極形成ステップ）。この導電体膜を形成した個別チップを所定の温度の窒素―水素雰囲気中（酸素分圧１０−１０ａｔｍ程度）で焼成する（焼成ステップ）。なお、外部電極５は、個別チップを焼成してセラミック積層体２を形成した後、内部電極露出面にガラスフリットを含有する導電ペーストを塗布して焼付けても良い。外部電極５は、内部電極と同じ金属を使用できる他、Ａｇ、Ｐｄ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ、Ｃｕ合金などが使用できる。さらに外部電極５上にＮｉ、Ｃｕ等で第一のメッキ層６、その上にＳｎまたはＳｎ合金等で第二のメッキ層７を形成し、積層セラミックコンデンサ１が得られる。
【実施例】
【００２１】
（実施例１）
出発原料として、表１の組成比になるように、粒子径の平均値が０．４５μｍのＢａＴｉＯ３と、ＭｇＯ、Ｍｎ２Ｏ３（ＭｎＯ３／２換算）、Ｈｏ２Ｏ３（ＨｏＯ３／２換算）及びＳｉＯ２を秤量して準備した。なお、ＢａＴｉＯ３の粒子径の平均値は、ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）で粒子を観察して、一定方向で最大径を３００個分測定して、この３００個分の最大径を算術平均したものである。以降のＢａＴｉＯ３の粒子径の平均値の表記も同様である。
【００２２】
【表１】
【００２３】
準備したＢａＴｉＯ３、ＭｇＯ、Ｍｎ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３及びＳｉＯ２をボールミルにて湿式混合し、乾燥後４００℃にて仮焼して誘電体セラミック粉末を得た。
【００２４】
上記の粉末に、ポリビニルブチラール、有機溶剤、可塑剤を加えて混合し、セラミックスラリーを形成した。このセラミックスラリーをロールコータにてシート化し、厚みが５μｍのセラミックグリーンシートを得た。このセラミックグリーンシート上にスクリーン印刷でＮｉ内部電極ペーストを塗布して、内部電極パターンを形成した。内部電極パターンを形成したセラミックグリーンシートを、２１枚積み重ね、圧着し、４．０×２．０ｍｍの大きさに切断分割して生チップを形成した。この生チップを窒素雰囲気中で脱バインダーし、Ｎｉ外部電極ペーストを塗布して、還元雰囲気中（窒素−水素雰囲気、酸素分圧１０−１０ａｔｍ）にて１２００℃で１時間保持して焼成し、その後室温まで７５０℃／ｈｒの降温速度で温度を下げた。
【００２５】
こうして得られた３．２×１．６ｍｍサイズで誘電体セラミック層の厚み３μｍの積層セラミックコンデンサについて、誘電率、温度特性（ＴＣ）、比抵抗及び寿命特性を測定し、表２にまとめた。なお温度特性は２５℃基準で−５５℃〜１５０℃の範囲における静電容量変化率の最大値で示した。また比抵抗は、１７０℃の温度下で測定電圧７Ｖ／μｍにてメガオームメータによって抵抗値を測定し、内部電極の交差面積と内部電極間の誘電体セラミックスの厚みから比抵抗を算出し、これを各試料無作為で１０個選んだものについて行いその平均値とした。また高温加速寿命特性は、１５０℃、２５Ｖ／μｍの負荷で各試料無作為で選んだ１０個について行い、その１０個の抵抗値が１ＭΩ以下になった時間の平均値とした。
【００２６】
【表２】
【００２７】
上記の結果から、ＲｅＯ３／２が６．０〜１６．５ｍｏｌかつＳｉＯ２が３．０〜５．０ｍｏｌかつＲｅＯ３／２のｍｏｌ数ｃとＳｉＯ２のｍｏｌ数ｄの比ｃ／ｄが２．０〜３．３の範囲であれば、温度特性がＸ８Ｒ特性を満足しかつ高温環境下における比抵抗が１００ＭΩｍ以上である誘電体セラミック組成物を得ることができ、さらに高温加速寿命特性が１５０℃−２５Ｖ／μｍで１００００秒以上である積層セラミックコンデンサを得られることがわかった。
【００２８】
（実施例２）
表３の組成比になるように原料を準備し、実施例１と同様にして誘電体セラミック粉末を形成した。ここではＨｏをその他の希土類元素に変えてその効果を検証した。
【００２９】
【表３】
【００３０】
上記の誘電体セラミック粉末を、実施例１と同様にして積層セラミックコンデンサを形成し、誘電率、温度特性（ＴＣ）、比抵抗及び寿命特性を測定し、表４にまとめた。
【００３１】
【表４】
【００３２】
上記の結果から、希土類（Ｒｅ）をＨｏ以外のものに置き換えても同様の効果を得ることができることがわかった。また、試料Ｎｏ．３０の結果から、２種類の希土類元素を用いてもよいことがわかった。
【００３３】
（実施例３）
表５の組成比になるように原料を準備し、実施例１と同様にして誘電体セラミック粉末を形成した。ここではＭｇの添加量をふってその効果を検証した。
【００３４】
【表５】
【００３５】
上記の誘電体セラミック粉末を、実施例１と同様にして積層セラミックコンデンサを形成し、誘電率、温度特性（ＴＣ）、比抵抗及び寿命特性を測定し、表６にまとめた。
【００３６】
【表６】
【００３７】
上記の結果から、Ｍｇが０．４〜３．０ｍｏｌの範囲であれば、温度特性がＸ８Ｒ特性を満足しかつ高温環境下における比抵抗が１００ＭΩｍ以上である誘電体セラミック組成物を得ることができ、さらに高温加速寿命特性が１５０℃−２５Ｖ／μｍで１００００秒以上である積層セラミックコンデンサを得られることがわかった。
【００３８】
（実施例４）
表７の組成比になるように原料を準備し、実施例１と同様にして誘電体セラミック粉末を形成した。ここではＭｎの添加量及びＭの種類を変えてその効果を検証した。
【００３９】
【表７】
【００４０】
上記の誘電体セラミック粉末を、実施例１と同様にして積層セラミックコンデンサを形成し、誘電率、温度特性（ＴＣ）、比抵抗及び寿命特性を測定し、表８にまとめた。
【００４１】
【表８】
【００４２】
上記の結果から、Ｍｎが０．０５〜０．４ｍｏｌの範囲であれば、温度特性がＸ８Ｒ特性を満足しかつ高温環境下における比抵抗が１００ＭΩｍ以上である誘電体セラミック組成物を得ることができ、さらに高温加速寿命特性が１５０℃−２５Ｖ／μｍで１００００秒以上である積層セラミックコンデンサを得られることがわかった。また、試料Ｎｏ．４４〜４６より、ＭｎをＶやＣｒに置き換えても同様の効果が得られ、また、２種類の金属元素を用いてもよいことがわかった。
【００４３】
（実施例５）
組成比を試料Ｎｏ．４０と同様にして、ＢａＴｉＯ３について、その粒子径の平均値が表９に示したとおりのものを用意し、実施例１と同様にして誘電体セラミック粉末を形成した。次いでこの誘電体セラミック粉末を、実施例１と同様にして積層セラミックコンデンサを形成し、誘電率、温度特性（ＴＣ）、比抵抗及び寿命特性を測定し、表９にまとめた。
【００４４】
【表９】
【００４５】
上記の結果から、ＢａＴｉＯ３の粒子径の平均値が０．２３〜０．３５μｍの範囲であれば、温度特性がＸ８Ｒ特性を満足しかつ高温環境下における比抵抗が１０００ＭΩｍ以上である誘電体セラミック組成物が得られ、さらに高温加速寿命特性が１５０℃−２５Ｖ／μｍで１０００００秒以上である積層セラミックコンデンサを得ることができることがわかった。
【００４６】
（実施例６）
組成比が試料Ｎｏ．４０と同様の誘電体セラミック組成物を用いて、実施例１と同様にして、積層セラミックコンデンサを形成した。そのときに焼成後に室温まで温度を下げる時の降温速度を、表１０に示したとおりにふって、それぞれの試料について誘電率、温度特性（ＴＣ）、比抵抗及び寿命特性を測定し、表１０にまとめた。
【００４７】
【表１０】
【００４８】
上記の結果から、降温速度が１００℃／ｈｒ〜５００℃／ｈｒの範囲であれば、温度特性が２５℃基準で−５５℃〜１５０℃の温度範囲における誘電率（もしくは静電容量）の変化率が±１０％以内になることがわかった。なお、２５℃／ｈｒでも効果はあるが、生産効率の点から１００℃／ｈｒ〜５００℃／ｈｒの範囲が望ましい。
【００４９】
以上の結果から、本発明によれば、Ｘ８Ｒ特性を満足する温度特性を有しかつ高温環境下における比抵抗が１００ＭΩｍ以上の高い積層セラミックコンデンサ及びその積層セラミックコンデンサを構成する誘電体セラミック組成物を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】積層セラミックコンデンサの断面を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５１】
１ 積層セラミックコンデンサ
２ セラミック積層体
３ 誘電体セラミックス
４ 内部電極
５ 外部電極
６ 第一のメッキ層
７ 第二のメッキ層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を主体とする誘電体セラミック組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサに関するもので、ＮｉまたはＮｉ合金で構成された内部電極を有し、静電容量の温度変化の小さな積層セラミックコンデンサを得ることができるものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯機器、通信機器等の電子機器に用いられる積層セラミックコンデンサは、小型化及び大容量化の要求が高まっている。このような小型大容量の積層セラミックコンデンサとしては、例えば特開２００１−３９７６５号公報にあるような、内部電極がＮｉで構成された積層セラミックコンデンサがある。このような積層セラミックコンデンサはＸ７Ｒ特性（２５℃基準で−５５℃〜１２５℃の温度範囲における誘電率の変化率が±１５％以内）を満足し、誘電率が２５００以上であり、薄層化しても信頼性に優れた積層セラミックコンデンサが得られるものである。
【０００３】
しかし、近年、このような積層セラミックコンデンサは、用途によってはより厳しい環境下における信頼性が要求されている。例えば自動車のエンジンルーム内に搭載するエンジン電子制御ユニット、アンチロックブレーキシステム等の車載電子装置に積層セラミックコンデンサが用いられるようになってきている。このような車載電子装置は、−２０℃以下から＋１３０℃以上の温度環境下での安定な動作が求められるため、これに用いられる積層セラミックコンデンサにもこのような環境下でも良好な温度安定性を示すものが求められてきている。
【０００４】
このような要求に応えるため、例えば特開２００５−２７２２６３号公報に示されているような、Ｘ８Ｒ特性（２５℃基準でー５５℃〜１５０℃の温度範囲における誘電率の変化率が±１５％以内）を満足する誘電体セラミック組成物及び積層セラミックコンデンサが提案されてきている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３９７６５号公報
【特許文献２】特開２００５−２７２２６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このような誘電体セラミック組成物及び積層セラミックコンデンサでは、より小型大容量化を進めるために内部電極間の誘電体セラミック厚みをさらに薄くした場合、必ずしも充分な比抵抗が得られないという問題があった。特に１２５℃を超える高温環境下での比抵抗が充分でないという問題があった。
【０００７】
本発明は、このような課題を解決するために提案されたものであり、その第一の目的はＸ８Ｒ特性を満足する温度特性を有しかつ高温環境下における比抵抗の高い積層セラミックコンデンサを提供することである。また、第二の目的はそのような積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することである。また、第三の目的はそのような積層セラミックコンデンサに用いられる誘電体セラミック組成物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は第一の手段として、ＢａＴｉＯ３＋ａＭｇＯ＋ｂＭＯｘ＋ｃＲｅＯ３／２＋ｄＳｉＯ２（ただし、ＭｇＯはＭｇＯ換算であることを示し、ＭＯｘはＶ、Ｃｒ及びＭｎから選ばれる少なくとも１種の金属の１分子中１原子の酸化物換算であることを示し、ＲｅＯ３／２はＳｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＹから選ばれる少なくとも１種類の希土類金属の１分子中１原子の酸化物換算であることを示し、ＳｉＯ２はＳｉＯ２換算であることを示す。）で表記したとき、ＢａＴｉＯ３ １００ｍｏｌに対して０．４ ≦ａ≦ ３．０ｍｏｌ、０．０５≦ｂ≦ ４．０ｍｏｌ、６．０ ≦ｃ≦１６．５ｍｏｌ、３．０ ≦ｄ≦ ５．０ｍｏｌ、２．０≦ｃ／ｄ≦３．３の範囲であることを特徴とする誘電体セラミック組成物を提案する。この第一の手段によれば、温度特性がＸ８Ｒ特性を満足しかつ高温環境下における比抵抗が１００ＭΩｍ以上である誘電体セラミック組成物を得ることができる。
【０００９】
また、第二の手段として、原料として用いるＢａＴｉＯ３の粒子径の平均値が０．２３〜０．３５μｍであることを特徴とする誘電体セラミック組成物を提案する。この第二の手段によれば、さらに高温環境下における比抵抗が１０００ＭΩｍ以上である誘電体セラミック組成物を得ることができる。
【００１０】
また、本発明は第三の手段として、略直方体形状のセラミック積層体と、該セラミック積層体中に誘電体セラミックスを介して対向しかつ交互に異なる端面へ引出されるように形成された内部電極と、前記セラミック積層体の両端面に形成され、該端面に引き出された前記内部電極のそれぞれに電気的に接続された外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体セラミックスが上記の第一の手段に示されている誘電体セラミック組成物で形成されており、前記内部電極がＮｉまたはＮｉ合金で形成されていることを特徴とする積層セラミックコンデンサを提案する。この第三の手段によれば、温度特性がＸ８Ｒ特性を満足しかつ高温環境下における比抵抗が１００ＭΩｍ以上であり、さらに高温加速寿命特性が１５０℃−２５Ｖ／μｍで１００００秒以上である積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００１１】
また、第四の手段として、前記誘電体セラミックスが上記第二の手段に示されている誘電体セラミック組成物で形成されていることを特徴とする積層セラミックコンデンサを提案する。この第四の手段によれば、さらに高温環境下における比抵抗が１０００ＭΩｍ以上であり、高温加速寿命特性が１５０℃−２５Ｖ／μｍで１０００００秒以上である積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００１２】
また、本発明では、誘電体セラミック組成物をセラミックグリーンシートに成形するステップと、前記セラミックグリーンシート上に内部電極を形成するステップと、内部電極を形成した前記セラミックグリーンシートを積み重ねて未焼成セラミック積層体を形成するステップと、前記未焼成セラミック積層体を焼成するステップと、外部電極を形成するステップと、を有する積層セラミックコンデンサの製造方法において、前記誘電体セラミック組成物が上記の第一の手段に示されている誘電体セラミック組成物であることを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法を提案する。この製造方法によれば、温度特性がＸ８Ｒ特性を満足しかつ高温環境下における比抵抗が１００ＭΩｍ以上であり、さらに高温加速寿命特性が１５０℃−２５Ｖ／μｍで１００００秒以上である積層セラミックコンデンサを製造することができる。
【００１３】
また、さらに前記未焼成セラミック積層体を焼成するステップにおいて、焼成温度から室温まで温度を下げるときに、降温速度を１００℃／ｈｒ〜５００℃／ｈｒとしたことを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法を提案する。この製造方法によれば、２５℃基準でー５５℃〜１５０℃の温度範囲における誘電率（もしくは静電容量）の変化率が±１０％以内と、さらに良好な温度安定性を有する積層セラミックコンデンサを製造することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、Ｘ８Ｒ特性を満足する温度特性を有しかつ高温環境下における比抵抗が１００ＭΩｍ以上の高い積層セラミックコンデンサ及びその積層セラミックコンデンサを構成する誘電体セラミック組成物を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の誘電体セラミック組成物に係る実施形態について説明する。本発明の誘電体セラミック組成物は、ＢａＴｉＯ３、ＭｇＯ、ＭＯｘ（ＭＯｘはＶ、Ｃｒ及びＭｎから選ばれる少なくとも１種の金属を１分子中１原子の酸化物で換算したもの。）、ＲｅＯ３／２（ＲｅＯ３／２はＳｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＹから選ばれる少なくとも１種類の希土類金属を１分子中１原子の酸化物で換算したもの。）及びＳｉＯ２を上記の組成比で混合して形成した組成物である。なお、ＭｇＯは、Ｍｇの添加量をＭｇＯ換算で示すもので、Ｍｇを添加する場合は、ＭｇＯ以外の化合物を用いてもよい。また、ＳｉＯ２も同様にＳｉの添加量をＳｉＯ２換算で示すもので、ＳｉＯ２以外の化合物を用いてもよい。また、ＢａＴｉＯ３は固相法、水熱合成法、シュウ酸法またはゾルゲル法のいずれかの方法で合成されたものである。
【００１６】
このような誘電体セラミック組成物は、次ようにして得られる。まず、出発原料としてＢａＴｉＯ３ １００ｍｏｌに対してＭｇＯを０．４〜３．０ｍｏｌ、Ｖ、ＣｒまたはＭｎの酸化物（ＭＯｘ）を０．０５〜４．０ｍｏｌ、希土類の酸化物（ＲｅＯ３／２）を６．０〜１６．５ｍｏｌ及びＳｉＯ２を３．０〜５．０ｍｏｌの範囲になるように秤量して準備する。このときＲｅＯ３／２のｍｏｌ数ｃとＳｉＯ２のｍｏｌ数ｄの比ｃ／ｄが２．０〜３．３になるようにする。なお、ここでのｍｏｌ数は、１分子中１原子の酸化物に換算した場合のｍｏｌ数を示す。すなわち例えばＨｏ２Ｏ３であればＨｏＯ３／２で換算したｍｏｌ数、Ｖ２Ｏ５であればＶＯ５／２で換算したｍｏｌ数で示すものとする。これらの原料に水を加えてボールミル、ビーズミル、ディスパミル等を用いて湿式混合する。混合したものを乾燥し、これを４００℃で仮焼を行い、誘電体セラミック組成物を得る。得られた誘電体セラミック粉末は、積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を形成するために用いられる。
【００１７】
次に本発明の実施形態に係る積層セラミックコンデンサについて説明する。本実施形態による積層セラミックコンデンサ１は、図１に示すように、誘電体セラミックス３と、該誘電体セラミックス３を介して対向しかつ交互に異なる端面へ引出されるように形成された内部電極４とを有する略直方体形状のセラミック積層体２を備え、該セラミック積層体２の両端面上には、内部電極と電気的に接続するように外部電極５が形成されている。その外部電極５上には必要に応じて第一のメッキ層６、第二のメッキ層７が形成される。
【００１８】
次に、この積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。まず、本発明の誘電体セラミック組成物を用意する。これをブチラール系またはアクリル系の有機バインダー、溶剤及びその他添加剤と混合してセラミックスラリーを形成する。このセラミックスラリーをロールコータ等の塗布装置を用いてシート化し、誘電体セラミックス３となる所定の厚みのセラミックグリーンシートを形成する（セラミックグリーンシート成形ステップ）。
【００１９】
このセラミックグリーンシート上に、スクリーン印刷によって所定のパターン形状にＮｉまたはＮｉ合金の導電ペーストを塗布して内部電極４となる導電体層を形成する（内部電極形成ステップ）。導電体層を形成したセラミックグリーンシートを必要枚数積層した後、圧着し、未焼成セラミック積層体を形成する。これを個別チップに切断分割した後、大気中または窒素等の非酸化性ガス中で脱バインダーする（積層体形成ステップ）。
【００２０】
脱バインダー後、個別チップの内部電極露出面に導電ペーストを塗布して外部電極５となる導電体膜を形成する（外部電極形成ステップ）。この導電体膜を形成した個別チップを所定の温度の窒素―水素雰囲気中（酸素分圧１０−１０ａｔｍ程度）で焼成する（焼成ステップ）。なお、外部電極５は、個別チップを焼成してセラミック積層体２を形成した後、内部電極露出面にガラスフリットを含有する導電ペーストを塗布して焼付けても良い。外部電極５は、内部電極と同じ金属を使用できる他、Ａｇ、Ｐｄ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ、Ｃｕ合金などが使用できる。さらに外部電極５上にＮｉ、Ｃｕ等で第一のメッキ層６、その上にＳｎまたはＳｎ合金等で第二のメッキ層７を形成し、積層セラミックコンデンサ１が得られる。
【実施例】
【００２１】
（実施例１）
出発原料として、表１の組成比になるように、粒子径の平均値が０．４５μｍのＢａＴｉＯ３と、ＭｇＯ、Ｍｎ２Ｏ３（ＭｎＯ３／２換算）、Ｈｏ２Ｏ３（ＨｏＯ３／２換算）及びＳｉＯ２を秤量して準備した。なお、ＢａＴｉＯ３の粒子径の平均値は、ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）で粒子を観察して、一定方向で最大径を３００個分測定して、この３００個分の最大径を算術平均したものである。以降のＢａＴｉＯ３の粒子径の平均値の表記も同様である。
【００２２】
【表１】
【００２３】
準備したＢａＴｉＯ３、ＭｇＯ、Ｍｎ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３及びＳｉＯ２をボールミルにて湿式混合し、乾燥後４００℃にて仮焼して誘電体セラミック粉末を得た。
【００２４】
上記の粉末に、ポリビニルブチラール、有機溶剤、可塑剤を加えて混合し、セラミックスラリーを形成した。このセラミックスラリーをロールコータにてシート化し、厚みが５μｍのセラミックグリーンシートを得た。このセラミックグリーンシート上にスクリーン印刷でＮｉ内部電極ペーストを塗布して、内部電極パターンを形成した。内部電極パターンを形成したセラミックグリーンシートを、２１枚積み重ね、圧着し、４．０×２．０ｍｍの大きさに切断分割して生チップを形成した。この生チップを窒素雰囲気中で脱バインダーし、Ｎｉ外部電極ペーストを塗布して、還元雰囲気中（窒素−水素雰囲気、酸素分圧１０−１０ａｔｍ）にて１２００℃で１時間保持して焼成し、その後室温まで７５０℃／ｈｒの降温速度で温度を下げた。
【００２５】
こうして得られた３．２×１．６ｍｍサイズで誘電体セラミック層の厚み３μｍの積層セラミックコンデンサについて、誘電率、温度特性（ＴＣ）、比抵抗及び寿命特性を測定し、表２にまとめた。なお温度特性は２５℃基準で−５５℃〜１５０℃の範囲における静電容量変化率の最大値で示した。また比抵抗は、１７０℃の温度下で測定電圧７Ｖ／μｍにてメガオームメータによって抵抗値を測定し、内部電極の交差面積と内部電極間の誘電体セラミックスの厚みから比抵抗を算出し、これを各試料無作為で１０個選んだものについて行いその平均値とした。また高温加速寿命特性は、１５０℃、２５Ｖ／μｍの負荷で各試料無作為で選んだ１０個について行い、その１０個の抵抗値が１ＭΩ以下になった時間の平均値とした。
【００２６】
【表２】
【００２７】
上記の結果から、ＲｅＯ３／２が６．０〜１６．５ｍｏｌかつＳｉＯ２が３．０〜５．０ｍｏｌかつＲｅＯ３／２のｍｏｌ数ｃとＳｉＯ２のｍｏｌ数ｄの比ｃ／ｄが２．０〜３．３の範囲であれば、温度特性がＸ８Ｒ特性を満足しかつ高温環境下における比抵抗が１００ＭΩｍ以上である誘電体セラミック組成物を得ることができ、さらに高温加速寿命特性が１５０℃−２５Ｖ／μｍで１００００秒以上である積層セラミックコンデンサを得られることがわかった。
【００２８】
（実施例２）
表３の組成比になるように原料を準備し、実施例１と同様にして誘電体セラミック粉末を形成した。ここではＨｏをその他の希土類元素に変えてその効果を検証した。
【００２９】
【表３】
【００３０】
上記の誘電体セラミック粉末を、実施例１と同様にして積層セラミックコンデンサを形成し、誘電率、温度特性（ＴＣ）、比抵抗及び寿命特性を測定し、表４にまとめた。
【００３１】
【表４】
【００３２】
上記の結果から、希土類（Ｒｅ）をＨｏ以外のものに置き換えても同様の効果を得ることができることがわかった。また、試料Ｎｏ．３０の結果から、２種類の希土類元素を用いてもよいことがわかった。
【００３３】
（実施例３）
表５の組成比になるように原料を準備し、実施例１と同様にして誘電体セラミック粉末を形成した。ここではＭｇの添加量をふってその効果を検証した。
【００３４】
【表５】
【００３５】
上記の誘電体セラミック粉末を、実施例１と同様にして積層セラミックコンデンサを形成し、誘電率、温度特性（ＴＣ）、比抵抗及び寿命特性を測定し、表６にまとめた。
【００３６】
【表６】
【００３７】
上記の結果から、Ｍｇが０．４〜３．０ｍｏｌの範囲であれば、温度特性がＸ８Ｒ特性を満足しかつ高温環境下における比抵抗が１００ＭΩｍ以上である誘電体セラミック組成物を得ることができ、さらに高温加速寿命特性が１５０℃−２５Ｖ／μｍで１００００秒以上である積層セラミックコンデンサを得られることがわかった。
【００３８】
（実施例４）
表７の組成比になるように原料を準備し、実施例１と同様にして誘電体セラミック粉末を形成した。ここではＭｎの添加量及びＭの種類を変えてその効果を検証した。
【００３９】
【表７】
【００４０】
上記の誘電体セラミック粉末を、実施例１と同様にして積層セラミックコンデンサを形成し、誘電率、温度特性（ＴＣ）、比抵抗及び寿命特性を測定し、表８にまとめた。
【００４１】
【表８】
【００４２】
上記の結果から、Ｍｎが０．０５〜０．４ｍｏｌの範囲であれば、温度特性がＸ８Ｒ特性を満足しかつ高温環境下における比抵抗が１００ＭΩｍ以上である誘電体セラミック組成物を得ることができ、さらに高温加速寿命特性が１５０℃−２５Ｖ／μｍで１００００秒以上である積層セラミックコンデンサを得られることがわかった。また、試料Ｎｏ．４４〜４６より、ＭｎをＶやＣｒに置き換えても同様の効果が得られ、また、２種類の金属元素を用いてもよいことがわかった。
【００４３】
（実施例５）
組成比を試料Ｎｏ．４０と同様にして、ＢａＴｉＯ３について、その粒子径の平均値が表９に示したとおりのものを用意し、実施例１と同様にして誘電体セラミック粉末を形成した。次いでこの誘電体セラミック粉末を、実施例１と同様にして積層セラミックコンデンサを形成し、誘電率、温度特性（ＴＣ）、比抵抗及び寿命特性を測定し、表９にまとめた。
【００４４】
【表９】
【００４５】
上記の結果から、ＢａＴｉＯ３の粒子径の平均値が０．２３〜０．３５μｍの範囲であれば、温度特性がＸ８Ｒ特性を満足しかつ高温環境下における比抵抗が１０００ＭΩｍ以上である誘電体セラミック組成物が得られ、さらに高温加速寿命特性が１５０℃−２５Ｖ／μｍで１０００００秒以上である積層セラミックコンデンサを得ることができることがわかった。
【００４６】
（実施例６）
組成比が試料Ｎｏ．４０と同様の誘電体セラミック組成物を用いて、実施例１と同様にして、積層セラミックコンデンサを形成した。そのときに焼成後に室温まで温度を下げる時の降温速度を、表１０に示したとおりにふって、それぞれの試料について誘電率、温度特性（ＴＣ）、比抵抗及び寿命特性を測定し、表１０にまとめた。
【００４７】
【表１０】
【００４８】
上記の結果から、降温速度が１００℃／ｈｒ〜５００℃／ｈｒの範囲であれば、温度特性が２５℃基準で−５５℃〜１５０℃の温度範囲における誘電率（もしくは静電容量）の変化率が±１０％以内になることがわかった。なお、２５℃／ｈｒでも効果はあるが、生産効率の点から１００℃／ｈｒ〜５００℃／ｈｒの範囲が望ましい。
【００４９】
以上の結果から、本発明によれば、Ｘ８Ｒ特性を満足する温度特性を有しかつ高温環境下における比抵抗が１００ＭΩｍ以上の高い積層セラミックコンデンサ及びその積層セラミックコンデンサを構成する誘電体セラミック組成物を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】積層セラミックコンデンサの断面を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５１】
１ 積層セラミックコンデンサ
２ セラミック積層体
３ 誘電体セラミックス
４ 内部電極
５ 外部電極
６ 第一のメッキ層
７ 第二のメッキ層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＢａＴｉＯ３＋ａＭｇＯ＋ｂＭＯｘ＋ｃＲｅＯ３／２＋ｄＳｉＯ２
（ただし、ＭｇＯはＭｇＯ換算であることを示し、ＭＯｘはＶ、Ｃｒ及びＭｎから選ばれる少なくとも１種の金属の１分子中１原子の酸化物換算であることを示し、ＲｅＯ３／２はＳｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＹから選ばれる少なくとも１種類の希土類金属の１分子中１原子の酸化物換算であることを示し、ＳｉＯ２はＳｉＯ２換算であることを示す。）
で表記したとき、
ＢａＴｉＯ３ １００ｍｏｌに対して
０．４ ≦ａ≦ ３．０ｍｏｌ
０．０５≦ｂ≦ ４．０ｍｏｌ
６．０ ≦ｃ≦１６．５ｍｏｌ
３．０ ≦ｄ≦ ５．０ｍｏｌ
２．０≦ｃ／ｄ≦３．３
の範囲であることを特徴とする誘電体セラミック組成物。
【請求項２】
原料として用いるＢａＴｉＯ３の粒子径の平均値が０．２３〜０．３５μｍであることを特徴とする請求項１に記載の誘電体セラミック組成物。
【請求項３】
略直方体形状のセラミック積層体と、該セラミック積層体中に誘電体セラミックスを介して対向しかつ交互に異なる端面へ引出されるように形成された内部電極と、前記セラミック積層体の両端面に形成され、該端面に引き出された前記内部電極のそれぞれに電気的に接続された外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサにおいて、
前記誘電体セラミックスの原料となる誘電体セラミック組成物が
ＢａＴｉＯ３＋ａＭｇＯ＋ｂＭＯｘ＋ｃＲｅＯ３／２＋ｄＳｉＯ２
（ただし、ＭｇＯはＭｇＯ換算であることを示し、ＭＯｘはＶ、Ｃｒ及びＭｎから選ばれる少なくとも１種の金属の１分子中１原子の酸化物換算であることを示し、ＲｅＯ３／２はＳｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＹから選ばれる少なくとも１種類の希土類金属の１分子中１原子の酸化物換算であることを示し、ＳｉＯ２はＳｉＯ２換算であることを示す。）
で表記したとき、
ＢａＴｉＯ３ １００ｍｏｌに対して
０．４ ≦ａ≦ ３．０ｍｏｌ
０．０５≦ｂ≦ ４．０ｍｏｌ
６．０ ≦ｃ≦１６．５ｍｏｌ
３．０ ≦ｄ≦ ５．０ｍｏｌ
２．０≦ｃ／ｄ≦３．３
の範囲であり、前記内部電極がＮｉまたはＮｉ合金で形成されている
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記誘電体セラミックスの原料として用いるＢａＴｉＯ３の粒子径の平均値が０．２３〜０．３５μｍであることを特徴とする請求項３に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
誘電体セラミック組成物をセラミックグリーンシートに成形するステップと、
前記セラミックグリーンシート上に内部電極を形成するステップと、
内部電極を形成した前記セラミックグリーンシートを積み重ねて未焼成セラミック積層体を形成するステップと、
前記未焼成セラミック積層体を焼成するステップと、
外部電極を形成するステップと、
を有する積層セラミックコンデンサの製造方法において、
前記誘電体セラミック組成物が
ＢａＴｉＯ３＋ａＭｇＯ＋ｂＭＯｘ＋ｃＲｅＯ３／２＋ｄＳｉＯ２
（ただし、ＭｇＯはＭｇＯ換算であることを示し、ＭＯｘはＶ、Ｃｒ及びＭｎから選ばれる少なくとも１種の金属の１分子中１原子の酸化物換算であることを示し、ＲｅＯ３／２はＳｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＹから選ばれる少なくとも１種類の希土類金属の１分子中１原子の酸化物換算であることを示し、ＳｉＯ２はＳｉＯ２換算であることを示す。）
で表記したとき、
ＢａＴｉＯ３ １００ｍｏｌに対して
０．４ ≦ａ≦ ３．０ｍｏｌ
０．０５≦ｂ≦ ４．０ｍｏｌ
６．０ ≦ｃ≦１６．５ｍｏｌ
３．０ ≦ｄ≦ ５．０ｍｏｌ
２．０≦ｃ／ｄ≦３．３
の範囲である
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項６】
前記未焼成セラミック積層体を焼成するステップにおいて、焼成温度から室温まで温度を下げるときに、降温速度を１００℃／ｈｒ〜５００℃／ｈｒとしたことを特徴とする請求項５に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１】
ＢａＴｉＯ３＋ａＭｇＯ＋ｂＭＯｘ＋ｃＲｅＯ３／２＋ｄＳｉＯ２
（ただし、ＭｇＯはＭｇＯ換算であることを示し、ＭＯｘはＶ、Ｃｒ及びＭｎから選ばれる少なくとも１種の金属の１分子中１原子の酸化物換算であることを示し、ＲｅＯ３／２はＳｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＹから選ばれる少なくとも１種類の希土類金属の１分子中１原子の酸化物換算であることを示し、ＳｉＯ２はＳｉＯ２換算であることを示す。）
で表記したとき、
ＢａＴｉＯ３ １００ｍｏｌに対して
０．４ ≦ａ≦ ３．０ｍｏｌ
０．０５≦ｂ≦ ４．０ｍｏｌ
６．０ ≦ｃ≦１６．５ｍｏｌ
３．０ ≦ｄ≦ ５．０ｍｏｌ
２．０≦ｃ／ｄ≦３．３
の範囲であることを特徴とする誘電体セラミック組成物。
【請求項２】
原料として用いるＢａＴｉＯ３の粒子径の平均値が０．２３〜０．３５μｍであることを特徴とする請求項１に記載の誘電体セラミック組成物。
【請求項３】
略直方体形状のセラミック積層体と、該セラミック積層体中に誘電体セラミックスを介して対向しかつ交互に異なる端面へ引出されるように形成された内部電極と、前記セラミック積層体の両端面に形成され、該端面に引き出された前記内部電極のそれぞれに電気的に接続された外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサにおいて、
前記誘電体セラミックスの原料となる誘電体セラミック組成物が
ＢａＴｉＯ３＋ａＭｇＯ＋ｂＭＯｘ＋ｃＲｅＯ３／２＋ｄＳｉＯ２
（ただし、ＭｇＯはＭｇＯ換算であることを示し、ＭＯｘはＶ、Ｃｒ及びＭｎから選ばれる少なくとも１種の金属の１分子中１原子の酸化物換算であることを示し、ＲｅＯ３／２はＳｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＹから選ばれる少なくとも１種類の希土類金属の１分子中１原子の酸化物換算であることを示し、ＳｉＯ２はＳｉＯ２換算であることを示す。）
で表記したとき、
ＢａＴｉＯ３ １００ｍｏｌに対して
０．４ ≦ａ≦ ３．０ｍｏｌ
０．０５≦ｂ≦ ４．０ｍｏｌ
６．０ ≦ｃ≦１６．５ｍｏｌ
３．０ ≦ｄ≦ ５．０ｍｏｌ
２．０≦ｃ／ｄ≦３．３
の範囲であり、前記内部電極がＮｉまたはＮｉ合金で形成されている
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記誘電体セラミックスの原料として用いるＢａＴｉＯ３の粒子径の平均値が０．２３〜０．３５μｍであることを特徴とする請求項３に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
誘電体セラミック組成物をセラミックグリーンシートに成形するステップと、
前記セラミックグリーンシート上に内部電極を形成するステップと、
内部電極を形成した前記セラミックグリーンシートを積み重ねて未焼成セラミック積層体を形成するステップと、
前記未焼成セラミック積層体を焼成するステップと、
外部電極を形成するステップと、
を有する積層セラミックコンデンサの製造方法において、
前記誘電体セラミック組成物が
ＢａＴｉＯ３＋ａＭｇＯ＋ｂＭＯｘ＋ｃＲｅＯ３／２＋ｄＳｉＯ２
（ただし、ＭｇＯはＭｇＯ換算であることを示し、ＭＯｘはＶ、Ｃｒ及びＭｎから選ばれる少なくとも１種の金属の１分子中１原子の酸化物換算であることを示し、ＲｅＯ３／２はＳｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＹから選ばれる少なくとも１種類の希土類金属の１分子中１原子の酸化物換算であることを示し、ＳｉＯ２はＳｉＯ２換算であることを示す。）
で表記したとき、
ＢａＴｉＯ３ １００ｍｏｌに対して
０．４ ≦ａ≦ ３．０ｍｏｌ
０．０５≦ｂ≦ ４．０ｍｏｌ
６．０ ≦ｃ≦１６．５ｍｏｌ
３．０ ≦ｄ≦ ５．０ｍｏｌ
２．０≦ｃ／ｄ≦３．３
の範囲である
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項６】
前記未焼成セラミック積層体を焼成するステップにおいて、焼成温度から室温まで温度を下げるときに、降温速度を１００℃／ｈｒ〜５００℃／ｈｒとしたことを特徴とする請求項５に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【図１】
【公開番号】特開２００８−９４６７３（Ｐ２００８−９４６７３Ａ）
【公開日】平成２０年４月２４日（２００８．４．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２７９５９２（Ｐ２００６−２７９５９２）
【出願日】平成１８年１０月１３日（２００６．１０．１３）
【出願人】（０００２０４２８４）太陽誘電株式会社 (964)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年４月２４日（２００８．４．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１０月１３日（２００６．１０．１３）
【出願人】（０００２０４２８４）太陽誘電株式会社 (964)
【Ｆターム（参考）】
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