【課題】固体絶縁方式における絶縁樹脂の諸特性を損ねることなく、耐クラック性に優れる電気絶縁材料およびこれを用いた高電圧機器を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と硬化剤と、添加材としてエラストマー粒子と無機粒子とを含む電気絶縁材料において、エラストマー粒子が放射線架橋されている電気絶縁材料。この電気絶縁材料が、電気機器の絶縁を必要とする箇所に適用されている変圧器，遮断器，モータ，インバータなどの高電圧機器。 （もっと読む）

【課題】（１１０）面に優先的に結晶配向が制御された強誘電体薄膜をシード層やバッファ層を設けることなく、簡便に得ることが可能な、強誘電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶面が（１１１）軸方向に配向した下部電極を有する基板の下部電極上に、強誘電体薄膜形成用組成物を塗布し、加熱して結晶化させることにより下部電極上に強誘電体薄膜を製造する方法の改良であり、強誘電体薄膜が（１１０）面に優先的に結晶配向が制御された配向制御層により構成され、配向制御層を結晶化後の層厚を５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内にすることにより形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足する誘電体磁器組成物の製造方法及び積層セラミックコンデンサなどの電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯ等を含む第１副成分と、酸化シリコンを含む第２副成分と、Ｖ_２Ｏ_５等を含む第３副成分と、Ｙｂ_２Ｏ_３等を第４ａ副成分と、ＢａＯからなる第５ａ副成分と、ＺｒＯ_２からなる第５ｂ副成分と、を含む誘電体磁器組成物の製造方法であって、前記チタン酸バリウムに前記第５ａ副成分の少なくとも一部を付着させる工程と、前記各副成分の原料と、前記第５ａ副成分が付着したチタン酸バリウムと、を混合することにより誘電体磁器組成物粉末を得る工程と、前記誘電体磁器組成物粉末を成形して焼成する工程と、を有する誘電体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】交流破壊電界が高く、静電容量の温度特性が良好であり、比誘電率が高く、耐還元性が良好な誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_ｘ Ｂｉ_ｙ ）ＴｉＯ_３ の組成式で表わされる主成分と、第１副成分と、第２副成分と、を有する誘電体磁器組成物であって、前記組成式中のｙが０．００１≦ｙ≦０．０１０であり、かつ、前記組成式中のｘとｙの合計が０．９７５≦ｘ＋ｙ≦１．０１０であり、前記第１副成分は、酸化亜鉛であり、前記第２副成分は、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、ＭｎおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種の酸化物であり、前記第１副成分が前記主成分１００重量部に対して２重量部以上１２重量部以下含有されており、前記第２副成分は前記主成分１００重量部に対して酸化物換算で０．００８重量部以上０．０８重量部以下含有されている誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】多数回の重ね塗りを行っても厚膜高精細パターンが実現可能な絶縁パターンを形成する方法を提供すること。
【解決手段】絶縁ペーストを基板上にパターン印刷して露光する工程を２回以上繰り返した後、焼成する工程を含む絶縁パターンの形成方法であって、絶縁ペーストが絶縁性の無機粉末および感光性有機成分を含み、該絶縁ペースト中の有機溶剤の含有量が５質量％以下であることを特徴とする絶縁パターンの形成方法とする。 （もっと読む）

【課題】 磁性体の混合濃度を比較的大きくすることなく、透磁率増加の効果を得ることができ、これによって得られた磁性体含有絶縁体を回路基板に適用することで、特性インピーダンスを向上することができ、低消費電力化の効果を得ることができる磁性体含有絶縁体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 樹脂ワニスと磁性体を溶剤に分散したスラリーを混合し、塗布、乾燥、焼成を行うことによって得られる磁性体含有絶縁体の製造方法であって、
前記スラリーの製造工程は、溶剤に界面活性剤を添加した分散溶剤を製造する工程と、該分散溶剤に磁性体微粉を混合する工程、とからなり、前記磁性体微粉を混合する工程は、前記スクリュー攪拌を行う工程と、１００ｋＨｚ未満の周波数の超音波を照射する工程と、１００ｋＨｚ以上の周波数の超音波を照射する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】環境への負荷が大きい物質を含まず、薄膜キャパシタ用途に適した誘電体薄膜を簡便な手法で作製することができ、また、保存安定性に優れ、塗膜性の良好な誘電体薄膜形成用組成物、誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】一般式：Ｃａ_(4-3x)Ｃｕ_3xＴｉ₄Ｏ₁₂（式中０．５≦ｘ≦１．１）で示される複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状誘電体薄膜形成用組成物であり、この複合金属酸化物を構成するための原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で、一般式：Ｃ_nＨ_2n+1ＣＯＯＨ（但し、ｎが２〜６の整数。）で表される直鎖、或いは１本又は２本以上の側鎖を有するカルボン酸を主成分とする有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高容量及び優れた信頼性を有する耐還元性誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】本発明は耐還元性誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品に関し、本発明による耐還元性誘電体組成物は、ＢａＴｉＯ_３系母材粉末、前記母材粉末１００モルに対して、遷移金属酸化物または炭酸塩０．１から１．０モル、及びＳｉＯ_２を含む焼結助剤０．１から３．０モルを含む。 （もっと読む）

【課題】銅の薄膜上に成膜した誘電体薄膜の膜質を維持できる簡易な誘電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２上には、（１１１）の一軸配向性を有するＣｕ下部電極１４が形成される。該Ｃｕ下部電極１４上に、ペロブスカイト型誘電体のナノ粒子の単分散スラリーをスピンコート法により塗布し、窒素雰囲気で乾燥させる。その後、還元性雰囲気で熱処理を行うことにより、ナノ粒子をＣｕ下部電極１４上でエピタキシャル成長させて一軸配向性を有する誘電体薄膜１６を形成する。該誘電体薄膜１６に上部電極１８を形成すると薄膜キャパシタ１０が得られる。この製造方法によれば、Ｃｕ下部電極１４に与えるダメージが少なく変質・変形を抑制できるため、該Ｃｕ下部電極１４上に形成される誘電体薄膜１６の膜質の維持が可能になるとともに、少ない工程で高結晶性の誘電体薄膜１６の作製が可能となる。 （もっと読む）

【課題】薄膜キャパシタ等に用いた場合に、高いチューナビリティを発現させ得る誘電体薄膜を形成する方法及び該方法により得られた誘電体薄膜を有する薄膜キャパシタとチューナブルデバイスを提供する。
【解決手段】Ｂａ_1-xＳｒ_xＴｉ_yＯ₃（０．２＜ｘ＜０．６、０．９＜ｙ＜１．１）の誘電体薄膜をゾルゲル法で形成するときに、塗布から焼成までの工程は２〜９回行い、初回の焼成後に形成される薄膜の厚さは２０〜８０ｎｍとし、２回目以降の焼成後に形成される各薄膜の厚さは２０〜２００ｎｍ未満とし、初回から２〜９回までのそれぞれの焼成は大気圧雰囲気下、昇温速度１〜５０℃／分で５００〜８００℃の範囲内の所定の温度まで昇温させることにより行い、誘電体薄膜の総厚は１００〜６００ｎｍとする。 （もっと読む）

【課題】十分に低い誘電率、誘電正接を有する低誘電樹脂組成物、該低誘電樹脂組成物からなる低誘電膜、低誘電樹脂組成物及び低誘電膜の製造方法、並びに低誘電膜用コーティング剤を提供する。
【解決手段】（１）平均粒子径が０．０５〜１μｍで、粒子全体の８０質量％以上が平均粒子径±３０％以内の粒子径を有し、かつＢＥＴ比表面積が３０ｍ²／ｇ未満である中空シリカ粒子が、マトリクス樹脂中に分散されてなる低誘電樹脂組成物、（２）その低誘電樹脂組成物からなる低誘電膜、（３）粒子内部に空気を含有する中空シリカ粒子（Ａ）、又は焼成により消失して中空部位を形成する材料を内包するコアシェル型シリカ粒子（Ｂ）を調製し、９５０℃を超える温度で焼成して、中空シリカ粒子（Ｃ）を調製し、それをマトリクス樹脂形成材中に分散させた分散液を調製する工程を含む低誘電樹脂組成物の製造方法、及び（４）前記中空シリカ粒子がマトリクス樹脂形成材中に分散されてなる低誘電膜用コーティング剤である。 （もっと読む）

【課題】従来の強誘電体薄膜よりも低いリーク電流密度、かつ、高い絶縁耐圧が得られる、薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｓｉを含む複合酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、複合金属酸化物Ａを構成するための原料並びに複合金属酸化物Ｂを構成するための原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｂｉを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高機能であるＢＳＴ（チタン酸バリウムストロンチウム）系の誘電体単結晶薄膜などの単結晶薄膜を容易にかつ安価に製造することができるとともに、製造されるＢＳＴ系の誘電体単結晶薄膜などの単結晶薄膜における組成の調整を容易に行うことができる、単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】たとえば、ＭｇＯ（１００）基板のＭｇＯ（１００）面上に形成されたＢａＺｒＯ₃の薄膜上に、（Ｂａ_xＳｒ_yＣａ_z）ＴｉＯ₃（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）の単結晶薄膜の原料となる化学溶液をスピンコートし、そのスピンコートされた化学溶液を配向が起こるような温度で熱処理することによって、（Ｂａ_xＳｒ_yＣａ_z）ＴｉＯ₃の単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】誘電特性は改質前と同等以上で、ペロブスカイト型複合酸化物を改質する被覆成分からの被覆成分の溶出も実質的になく、ペロブスカイト型複合酸化物の比表面積の経時変化及びＡサイト金属の溶出を効果的に抑制すると共に、解砕性の良好な改質ペロブスカイト型複合酸化物を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型複合酸化物の粒子表面を、ＴｉＯ₂と、Ｎｄ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ及びＳｍの群から選択される少なくとも１種とで被覆した改質ペロブスカイト型複合酸化物であって、前記被覆が、加水分解性ＴｉＯ₂前駆体と、Ｎｄ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ及びＳｍの群から選択される少なくとも１種の塩とを加水分解した後、焼成することにより形成されたものであることを特徴とする改質ペロブスカイト型複合酸化物である。 （もっと読む）

【課題】保存性の良好な安定性の高い塗布液であって、無機ＥＬ素子に用いる誘電体層等に好適な、平坦性に優れ、空隙の少ない緻密な表面を有する誘電体層を得ることができる誘電体膜形成用塗布液の製造方法を提供する。
【解決手段】アルコール類、エステル類及びカルボン酸からなる混合溶剤中に、少なくとも１種の金属元素を含む有機酸塩と、チタン、スズ及びジルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む金属アルコキシドを含有する前駆体溶液中に、特定の種類である有機溶媒、特定の種類であって特定の平均分子量を有する高分子樹脂、及び特定の種類であって特定の粘度を有する粘度調整液を含む希釈液を添加し、希釈後の前駆体溶液中の金属元素濃度を０．２〜０．５ｍｏｌ／Ｌに調整することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ［（ＣａＳｒ）Ｏ］_ｍ［（ＴｉＺｒＨｆＭｎ）Ｏ_２］系の誘電体磁器組成物が有する優れた諸特性を有しつつ、誘電体層の厚みを薄く、たとえば２μｍ以下にしても、クラックの発生を防止できる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】〔（Ｃａ_１−ｘＳｒ_ｘ）Ｏ〕_ｍ〔（Ｚｒ_{１−ｙ−ｚ−α}Ｔｉ_ｙＨｆ_ｚＭｎ_α）Ｏ_２〕ただし、０．９９１≦ｍ≦１．０１０、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦０．１、０＜ｚ≦０．０２、０．００２＜α≦０．０５で示される組成の誘電体酸化物を含む主成分と、
主成分１００モル部に対して、
０．１〜０．５モル部のＡｌ_２Ｏ_３、および
０．５〜５．０モル部のＳｉＯ_２を含む誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】ＣａＺｒＯ_３を主成分とする誘電体磁器を用い、内部電極としてＣｕを用いた積層セラミックコンデンサの寿命特性を改善する誘電体器及びそれを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】Ｃａ_ｘＺｒＯ_３＋ａＭｎ＋ｂＬｉ＋ｃＢ＋ｄＳｉで表され、Ｃａ_ｘＺｒＯ_３（但し、１．００≦ｘ≦１．１０）１００ｍｏｌに対して、０．５≦ａ≦４．０ｍｏｌ、６．０≦（ｂ＋ｃ＋ｄ）≦１５．０ｍｏｌを含有し、０．１５≦（ｂ／（ｃ＋ｄ））≦０．５５、０．２０≦（ｄ／ｃ）≦３．３０であることを特徴とする誘電体磁器である。また、それを用いた積層セラミックコンデンサである。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率かつ比誘電率の温度特性の安定性に優れるとともに、絶縁抵抗の電圧依存性の小さい誘電体磁器と、このような誘電体磁器を誘電体層として備え、高温負荷試験での寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とし、バナジウム、マグネシウム、希土類元素およびマンガンをそれぞれ所定の割合で含ませて、結晶粒子の表面から１５ｎｍまでの深さの範囲で希土類元素の濃度勾配が０．１原子％／ｎｍ以上である第１結晶粒子と、同深さの範囲において０．０５原子％／ｎｍ以下である第２結晶粒子とを主体とし、第１結晶粒子および第２結晶粒子のそれぞれの平均結晶粒径を０．３〜０．５４μｍおよび０．４〜１μｍとして、さらに、誘電体磁器の研磨面の単位面積における、第１結晶粒子の面積割合をＣ１、第２結晶粒子の面積割合をＣ２としたときに、Ｃ２／（Ｃ１＋Ｃ２）比を０．３〜０．７の範囲とする。 （もっと読む）

【課題】耐圧が高く、絶縁抵抗の加速寿命に優れ、定格電圧の高い（たとえば１００Ｖ以上）中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 Ｂａ_ｍ ＴｉＯ_２＋ｍ （ただし、ｍは、０．９９≦ｍ≦１．０１）と、Ｂａ_ｎ ＺｒＯ_２＋ｎ （ただし、ｎは、０．９９≦ｎ≦１．０１）と、Ｍｇの酸化物と、Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）と、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＦｅから選択される少なくとも１種の元素の酸化物と、Ｓｉ、Ｌｉ、Ａｌ、ＧｅおよびＢから選択される少なくとも１種の元素の酸化物と、を有し、前記Ｂａ_ｍ ＴｉＯ_２＋ｍ １００モルに対し、Ｂａ_ｎ ＺｒＯ_２＋ｎ ：３５〜６５モル、Ｍｇの酸化物：４〜１２モル、Ｒの酸化物：４〜１５モル、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＦｅの酸化物：０．５〜３モル、Ｓｉ、Ｌｉ、Ａｌ、ＧｅおよびＢの酸化物：３〜９モル、である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）