【課題】フロー式はんだ付け技術において、稼動に伴って増加するはんだ材料中の不純物を効率的に除去する。
【解決手段】不純物を含んだはんだ材料を処理槽に貯留し、貯留されたはんだ材料を加熱溶融させるとともに加熱溶融位置を処理槽の外周部から中心部へと移動させ、加熱溶融が終わった後再び固化する部分のはんだ材料中の、はんだ材料よるも低融点の不純物が、処理槽の中心部に集まって蓄積され、処理槽の中心部からはんだ材料を排出することで、不純物除去処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】 半田の濡れ性の高い高半田濡れ性領域と、半田濡れ性の低い、あるいは半田が濡れない低半田濡れ性領域を効率よく形成することのできる表面処理方法、および電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】 実装基板１の端子３を形成する際、ニッケルめっき層１２の表面に金めっき層１３を形成しておき、所定領域にレーザ光を照射する。その結果、レーザ光の照射領域では、金めっき層１３の一部が除去されるとともに、金とニッケルとが拡散し合い、ニッケルと金との混合層１５からなる低半田濡れ性領域３２０が形成され、レーザ光の照射されなかった領域に、金めっき層１３がそのまま残る高半田濡れ性領域３１０、３３０が形成される。このようなレーザ照射を行う際、実装基板１の表面に気流を発生させて、溶融気化した異物の再付着を防止する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の正確な配線接続として、４００ｎｍよりも短い波長の紫外線レ−ザ光を用いることにより、非熱的加工方法による高精度および微細な配線接続加工を行うレ−ザ加工方法及びレ−ザ加工装置を提供する。
【解決手段】配線接続加工する際、４００ｎｍよりも短い波長の紫外線レ−ザ光Ｌを紫外線レ−ザ発振機１、紫外線レ−ザ光Ｌのビ−ム直径を拡大するためのビ−ム・エキスパンダ２、紫外線レ−ザ光Ｌのエネルギ−量を調整するためのアッテネイタ３、紫外線レ−ザ光Ｌの走査を行うためのガルバノ・メ−タ型ビ−ム走査装置４、紫外線レ−ザ光Ｌを集光させるためのｆθレンズ５で構成されるレ−ザ加工装置本体６から被加工対象物７の配線接続部である被加工箇所の金属配線の上面または斜め側面または近傍に集光させ、その集光光をガルバノ・メ−タ型ビ−ム走査装置で移動させる。 （もっと読む）

回路部品１７を回路基板１に接着させるため、まず、少なくとも１つの先行接着ドット１４を、接触エリア２内において、回路部品１７と回路基板１との間に配置する。次に、接着ドット４を、規則的に配列する。そして最後に、回路部品１７及び回路基板１を互いに押圧して、接着ドット１４を一体化する。
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【課題】 ＬＥＤチップがパッド上にフリップチップ実装により接合されるプリント配線板において、ＬＥＤチップとの接合強度を高められ、パッドがエッチングにより形成される際のエッチング不良を低減できるプリント配線板を提供すること。
【解決手段】 プリント配線板上に対向配置された、ＬＥＤチップのｐ電極用のパッド８１と、ｎ電極用のパッド８５を、その間の絶縁領域８９における一方端の間隔（エッジ８１１と８５１の間隔）がＤ１、他方端の間隔がＤ２（＞Ｄ１）になるように、エッチングにより形成する。 （もっと読む）

【課題】 ループインダクタンスを低減できるプリント配線板及び該プリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】 プリント配線板１０内にチップコンデンサ２０を配置するため、ＩＣチップ９０とチップコンデンサ２０との距離が短くなり、ループインダクタンスを低減することができる。また、メタライズからなる電極２１，２２の表面に導電性ペースト２６が塗布されてるため、電極２１，２２の表面の接続抵抗を低減でき、特に、表面の凹凸を無くすため、導電性接着剤３４との密着性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 コンデンサを内蔵すると共に内蔵コンデンサとの接続を適切に取ることができるプリント配線板を提供する。
【解決手段】 チップコンデンサ２０をコア基板３０内に収容する。チップコンデンサ２０は、銅めっき膜２９を被覆した第１、第２電極２１，２２に銅めっきによりなるバイアホール４６で電気的接続を取ってある。銅めっき膜２９により第１、第２電極２１，２２の表面が平滑になり、接続層４０に非貫通孔４３を穿設した際に樹脂残さが残らず、バイアホール４６とチップコンデンサ２０との接続信頼性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 この発明に係る半導体装置及びその製造方法は、半導体チップの基板側に熱可塑性樹脂を塗布して仮硬化状態として生産性の向上を図るとともに、半導体チップと基板との接着強度を確保することを目的とする。
【解決手段】 この発明に係る半導体装置及びその製造方法は、半導体チップの基板側に熱可塑性樹脂を塗布して仮硬化状態とし、その半導体チップを基板に接合するリフロー時又はフェイスダウンボンデイング時の加熱により、熱可塑性樹脂の仮硬化状態を溶融して半導体チップと基板との間に充填するようにしたものである。 （もっと読む）

本発明は、金属マトリックス複合材料（ＭＭＣ）から形成される成形体（１）、特にヒートシンクまたは銅から形成される成形体（１）をセラミック成形体（２）、特にセラミックプリント基板と結合する方法に関する。本発明により、ＭＭＣ成形体（１）または銅成形体（１）に隣接するセラミック成形体（２）の表面に第１金属（４）が被覆され、これによりセラミック成形体（２）をＭＭＣ成形体または銅成形体（１）に載置する。更に２つの成形体（１、２）をＭＭＣ成形体（１）のマトリックス金属または銅成形体（１）の銅またはセラミック成形体（１）の表面に被覆された第１金属（４）から形成される系の共融温度より高い温度に加熱し、引き続き室温に冷却させる。 （もっと読む）