【課題】 電極を確実に絶縁できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置の電極３１は、プラズマ化空間３０ａから基材Ｗへ向かう方向とは直交する方向に延びている。電極３１のプラズマ化空間３０ａを形成する側とは逆側に金属製のフレーム部材２２Ｌを設ける。電極３１とフレーム部材２２Ｌの間には、絶縁性のスペーサ７０，７５を電極３１の長手方向に間欠的に配置する。電極３１と基材Ｗ配置位置の間には、電気的に接地された導電部材５０を介在させ、この電極３１と導電部材５０の間にＬ形をなすスペーサ７０の第２側部７２を介在させる。隣り合うスペーサ７０，７５どうしの間には絶縁空間を形成する。 （もっと読む）

【課題】低オフ角の炭化珪素基板上に、表面欠陥密度の小さいホモエピタキシャル成長層を形成する。
【解決手段】炭化珪素の｛０００１｝面を、機械加工する機械加工工程と、前記機械加工工程後に、前記炭化珪素の表面を、少なくともハロゲンを含有する物質のプラズマによりエッチングする工程と、前記エッチング工程後に、前記炭化珪素の表面を、ハロゲンを含有せず、なおかつ少なくとも酸素を含有する物質のプラズマに曝露する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 内外二重の電極構造を有するプラズマ処理装置において、組み付けの精度等による芯ずれの問題を解消する。
【解決手段】 プラズマ処理装置の環状の第１電極３０に雌ネジ孔３０ｃを形成する。第１電極３０の内部には、環状の第１ホルダ部１３を配置する。この第１ホルダ部１３の内側から第１ネジ部材１７を雌ネジ孔３０ｃにねじ込み、第１電極３０を所定の基準位置に固定する。この第１電極３０を環状の第２電極４０で囲み、その外側の第２ホルダ部１４には、第２ネジ部材１８を周方向に離間して複数設ける。これらネジ部材１８を第２電極４０に押し当て、第２電極４０を芯出しする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板処理のシステムおよび方法には、プラズマ室に基板を装填しプラズマ室の圧力を所定の圧力設定値に設定することが含まれる。プラズマ領域を構成するいくつかの内面が約２００℃以上の処理温度に加熱される。プラズマを形成するために処理ガスがプラズマ領域に注入され、基板が処理される。 （もっと読む）

チャンバ（２）内の略中央には、所定対象のウエハ（Ｗ）を載置するサセプタ（１６）と、サセプタ（１６）を支持する支持台（１５）が設置されている。処理ガス供給装置（４）は、ウエハ（Ｗ）を処理するための処理ガスをチャンバ（２）内に供給する。第１高周波電源（５）及び第２高周波電源（７）は、それぞれ所定の高周波電圧を印加することにより、供給された処理ガスのプラズマを生成してウエハ（Ｗ）を処理する。支持台（１５）及びサセプタ（１６）の周囲には、接地された導電部材（１８ａ）を有する堰（１８）が設けられており、これにより、生成されたプラズマがサセプタ（１６）に載置されたウエハ（Ｗ）上の領域に封じ込められる。 （もっと読む）

いくつかの周波数でプラズマを励起し、それによってそのいくつかの周波数によるプラズマの励起がプラズマ中でいくつかの異なる現象を同時に発生させることにより、加工物が真空プラズマ処理チャンバ内のプラズマで処理される。チャンバは、ＲＦによって電力供給され、またはプラズマ励起周波数のうちの少なくとも１つを他の周波数を除外して通過させるフィルタ構成によって基準電位に接続される中央の頂部電極および底部電極ならびに周辺の頂部および／または底部電極構成を含む。
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【課題】基板を処理するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ壁を持つプラズマ処理チャンバが提供される。基板支持部が前記チャンバ壁内に提供される。少なくとも１つの閉じ込めリングが提供され、前記閉じ込めリングおよび前記基板支持部はプラズマ空間を定義する。前記少なくとも１つの閉じ込めリングによって提供される物理的閉じ込めを磁気的に向上させる磁界を発生する磁界源が提供される。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ上のレイヤのプラズマエッチングを行う装置を提供する。
【解決手段】容量的に結合されたプロセスチャンバが提供される。ガス源は、前記容量的に結合されたプロセスチャンバに流体的に連通する。前記プロセスチャンバ内に第１電極が提供される。前記第１電極から間隔が置かれ対向する第２電極が提供される。第１高周波電源は、前記第１および第２電極のうちの少なくとも１つに電気的に接続され、前記第１高周波電源は１５０ｋＨｚおよび１０ＭＨｚの間の高周波電力を供給する。第２高周波電源は、前記第１および第２電極のうちの少なくとも１つに電気的に接続され、前記第２高周波電源は１２ＭＨｚおよび２００ＭＨｚの間の高周波電力を供給する。第１変調制御器は、前記第１高周波電源に接続され、１ｋＨｚから１００ｋＨｚの間の周波数において前記第１高周波電源の制御された変調を提供する。 （もっと読む）

【技術課題】 基板に損傷や表面汚染を与えることなく、エッチングや成膜が行え、チャンバや電極等の構造は同一であるにも拘らず、導入するガスやプラズマ励起周波数を変えることにより、エッチングや成膜にも応用可能であり、生産性に優れるとともに、低価格で高性能なプラズマプロセス用装置を提供すること。
【解決手段】 容器内105に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第１及び第２電極102，104と、プラズマに対して安定な材料から成り第１電極102上を覆うように設けられる保護部材101と、第２電極104上に被処理物103を取り付けるための保持手段と、第１電極102に接続される第１の高周波電源111と、第２電極104に接続される第２の高周波電源110と、容器105内に所望のガスを導入するためのガス供給手段とを少くとも備え、第１の高周波電源の周波数が前記第２の高周波電源の周波数より高いことを特徴とする。 （もっと読む）