【課題】 メートル級の大面積基板を処理するプラズマ処理装置において、真空槽内外の圧力差で押されることによって真空容器の開口部に設置されたプラズマ電極が変形することを防ぎ、プラズマ処理の均一性を向上する。
【解決手段】第一の真空槽５の外部でプラズマ電極４を取り囲むように第二の真空槽１１を設置し、内部を真空排気する。プラズマ電極４のシャワープレート１９側と背面板１８側での圧力差を減らすことができ、圧力差で押されることによるプラズマ電極４の変形を防ぐことができる。これにより、プラズマ処理の均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】有機膜および無機膜を備えた積層膜の各膜に対して均一に一貫処理を施す。
【解決手段】処理ガスを供給するガス供給管を備えた真空容器１と、該真空容器内に配置された基板電極３と、前記真空容器内で前記基板電極に対向して配置されたアンテナ電極７と、前記基板電極とアンテナ電極間の距離を処理雰囲気中で変更可能な電極間距離調整手段を備え、前記アンテナ電極に高周波エネルギを供給して供給された処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成し、前記基板電極にイオン引き込み用高周波電圧を供給して、生成された前記プラズマ中のイオンを加速して前記基板電極上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記試料は有機膜と無機膜を積層した構造を備える絶縁膜構造を具備し、前記有機膜をエッチングするときは、前記無機膜をエッチングするときよりも前記電極間距離を大きく設定する。 （もっと読む）

【解決手段】可動下側電極を有するプラズマ処理チャンバ内の検出回路装置が提供されている。その装置は、第１の可撓コネクタ端と、第２の可撓コネクタ端と、少なくとも１つのスリットとを有する可撓コネクタを備える。スリットの少なくとも一部は、２つの可撓コネクタ端の間に引かれた線に平行な方向に配置される。一端は、可動下側電極に接続され、他端は、プラズマ処理チャンバの構成要素に接続される。可撓導体は、可動下側電極とプラズマ処理チャンバの構成要素との間に低インピーダンス電極路を提供する。装置は、さらに、スリットの片側に配置されたコネクタ材料を通る電流フローを検出するための手段を備える。検出手段は、導体材料の周りに巻き付けられた少なくとも１つのコイルと、断裂による電流フローの遮断を検出するためにコイルに接続された検出回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】設置場所を確保する上でレイアウト上の問題がなく、且つ可動する電極に追従して確実にガスを供給することができる信頼性の高いガス流路構造体を提供する。
【解決手段】 内部を減圧可能な処理室１１と、処理室１１内に配置された対向電極２４を載置電極１２に対して移動可能に支持するシャフト２６と、シャフト２６が処理室１１の壁面１３を貫通する貫通部において壁面１３に対する対向電極２４の変位を吸収し、シャフト２６周辺の雰囲気から処理室１１内をシールするようにシャフト２６の外周部に、シャフト２６と同心状に配置された環状の第１のベローズ３１と、第１のベローズ３１の外周部に、同心状に配置された第２のベローズ３２とを有し、第１のベローズ３１と第２のベローズ３２で環状のガス流路３５を形成する。 （もっと読む）

【課題】効率的な製造工程を提供し、製造コストを低減することができる半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造装置１００は、ウェハカセット２，３，４と、ウェハの洗浄および表面改質を行う装置５と、ウェハの位置合わせを行う装置６と、ウェハ表面にパッシベーション膜となる材料を射出する装置７と、パッシベーション膜の外観検査を行う装置８と、パッシベーション膜に熱処理を行う装置９と、処理順にウェハを各装置に搬送する装置１０を備えている。製造装置１００では、インクジェット技術を用いて、洗浄後のウェハ表面に、選択的にパッシベーション膜のパターンを形成する。次いで、パッシベーション膜のパターンが、所望のパターン条件を有しているか否かを検査する。パッシベーション膜が所望のパターンで形成されている場合に、パッシベーション膜を硬化および焼成する熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】効率良く、局所的なプラズマ加工を行うことができるプラズマ加工装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ加工装置１００は、凸部２２を有し、被加工物６０を載置する載置台２０と、載置台２０の上方に形成された加工電極３０と、を含み、載置台２０は、電気的に導電性であり、凸部２２と加工電極３０との間にプラズマを発生させることにより、凸部２２の上方に位置する被加工物６０の表面６２をプラズマ加工する。 （もっと読む）

【課題】電極板の中心部と外周部に生じる温度差を小さくして、エッチング深さの面内均一性を向上させる。
【解決手段】プラズマ処理装置に用いられる電極板構成体２０であって、高周波電圧が印加される電極板３と、該電極板３の背面に緊密接触状態に固定される冷却板１４とから構成され、電極板３は中心部の厚さｔ１が外周部の厚さｔ２より小さく形成され、冷却板１４は、電極板３に対応して中心部の厚さが外周部より大きく形成されている。 （もっと読む）

【課題】下部電極を構成する電極部材を長寿命化して部品消耗コストを低減するとともに、飛散物付着による装置内部の汚染を防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用の電極部材を提供することを目的とする。
【解決手段】板状のワークを対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置においてワークの下面に当接する電極部材４６を、複数の貫通孔４５ａが形成された板状の吸着部材４５と冷却プレート４４とをろう付けして構成し、吸着部材４５の上面にアルミナを溶射した溶射膜６５を形成するとともに、貫通孔４５ａが開口した孔部４５ｄのエッジを溶射膜６５によって覆うようにする。これにより、電極部材のスパッタリングによる消耗を低減させて長寿命化し部品消耗コストを低減するとともに、飛散物による装置内部の汚染を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】異常放電の発生を抑制可能とするプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】反応室αを有するように、絶縁フランジ８１を挟んでチャンバ２と電極フランジ４から構成される処理室内に、被処理体１０を載置する支持手段１５と、これを上下移動する昇降機構と、被処理体に向けてプロセスガスを供給するシャワープレート５を収容する。チャンバの側壁に、反応室に被処理体の搬出入口１２を設けると共に、支持手段に一端が接続され、チャンバに他端が接続されるプレート部材４０を設ける。該プレート部材は、支持手段の外周縁部に設けた第一部位と、チャンバの側壁部に設けた第二部位、及び支持手段の移動に伴い、第一部位と第二部位とに電気的に接続する導電性の弾性部材からなる第三部位から構成されている。シャワープレートに配置されたガス噴出口６を通して導出されたプロセスガスがプラズマ化するように印加する電圧印加手段３３を備える。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板を処理するように構成されるプラズマ処理チャンバを備えるプラズマ処理システムを提供する。プラズマ処理システムは、基板を処理するための上部電極と下部電極とを少なくとも備える。プラズマ処理の際に基板は下部電極上に載置され、上部電極と基板とにより第１のギャップが形成される。プラズマ処理システムは、また、上部電極周縁外延部(upper electrode peripheral extension:UE-PE)を備える。UE-PEは、上部電極の周囲に機械的に連結され、かつ、上部電極と同一平面上にならないように構成される。プラズマ処理システムは、さらに、カバーリングを備える。カバーリングは、下部電極を同心円状に囲むように構成され、UE-PEとカバーリングとにより第２のギャップが形成される。 （もっと読む）

【課題】プラズマの状態によらず、プラズマの均一性を容易に確保することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】上部電極434および下部電極16との間に処理ガスのプラズマを生成してウエハＷにプラズマエッチングを施すプラズマエッチング装置であって、上部電極434には高周波電源48および可変直流電源50が接続され、上部電極434は、電極板536と、電極板536を支持する一体構造の電極支持部材438とを有し、電極板536は、面内方向に所定の電気抵抗の分布が形成され、上部電極434の表面に所定の直流電界および高周波電界の分布を形成する。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン法による解像限界以下の溝（トレンチ）及び凹部（孔又はビア）のパターンをＣＤ値を高精度に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング層上に、第１のハードマスク膜と、第２のハードマスク膜とを成膜する成膜工程Ｓ１１と、第１のピッチを有し、第２のハードマスク膜よりなるパターンであって、溝のパターンを形成する際のエッチングマスクとなる溝形成用マスクパターンを形成するための第１の溝形成用マスクパターン形成工程Ｓ１２〜Ｓ１４と、第４のピッチで設けられた開口部を有する第２のレジスト膜と、第２のレジスト膜の開口部と連通し、第２のレジスト膜の開口部の寸法より小さい寸法の開口部を有する第１の有機膜とよりなる第２レジストパターンを用いて、第１のハードマスク膜をエッチングする第１の凹部形成用マスクパターン形成工程Ｓ１５〜Ｓ１８とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極上の基板の電圧変化を効果的に抑制し，基板へ入射するイオンの入射エネルギの変動を抑えた基板処理装置および基板処理方法を得る。
【解決手段】基板処理装置は，処理対象である基板を主面に保持する第１の電極と，第１の電極に対向する第２の電極と，第１の電極に対して周波数が４０ＭＨｚ以上のＲＦ電圧を印加するＲＦ電源と，ＲＦ電圧に重畳して，時間に対応して電圧が低下するパルス電圧を第１の電極へ印加するパルス電圧印加部と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】ウエハのような大型でかつ薄いワークを用いた場合であっても、割れを防止しつつ、十分な加工量でワークの縁部の角に面取り加工を施すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１は、板状のワーク１０を支持する支持部４と、支持部４に支持されたワーク１０の縁部１０２付近に、互いの離間距離が当該ワーク１０の中央部側から縁部１０２側に向けて漸減するように対向配置された第１の電極２１および第２の電極２２と、第１の電極２１と第２の電極２２との間に処理ガスを供給する処理ガス供給手段６と、第１の電極２１と第２の電極２２との間へ通電する通電手段７とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板へのパーティクルの付着を効果的に防止した、優れた性能の絶縁膜エッチング装置を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバー１内の基板ホルダー２上に基板９が保持され、エッチング用ガスがガス導入系３により導入される。プラズマ形成手段４に手段によりプラズマが形成され、プラズマ中の活性種やイオンの作用により基板９の表面の絶縁膜のエッチングが行われる。制御部８は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系３により導入し、プラズマ形成用手段４によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー１内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。基板保持面より下方に設けられた冷却トラップ１２は、強制冷却され、堆積作用のあるガス分子を捕集して多くの膜を堆積させる。冷却トラップ１２は交換可能である。 （もっと読む）

基板の表面をパターニングするためにプラズマ放電を起こすデバイスは、第１の放電部分を含む第１の電極および第２の放電部分を含む第２の電極と、第１および第２の電極間に高電圧差を発生させる高電圧源と、第１の電極を基板に対して位置決めする位置決め手段とを含み、位置決め手段は、第１の放電部分と第２の放電部分との間の距離が高電圧差のプラズマ放電を助長するのに十分に小さい第１の位置、および第１の放電部分と第２の放電部分との間の距離が高電圧差のプラズマ放電を防止するのに十分に大きい第２の位置に、第１の電極を第２の電極に対して選択的に位置決めするように構成される。
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【解決手段】構成要素の温度制御を改善されたプラズマ処理システムが開示される。システムは、チャンバ壁を有するプラズマ処理チャンバを含み得る。システムは、また、プラズマ処理チャンバの内部に配置される電極も含み得る。システムは、また、電極を支えるためにプラズマ処理チャンバの内部に配置されるサポート部材も含み得る。システムは、また、チャンバ壁の外側に配置されるサポート板も含み得る。システムは、また、サポート部材をサポート板に結合するためにチャンバを通るように配置されるカンチレバーも含み得る。システムは、また、チャンバ壁とサポート板との間に配置されるリフト板も含み得る。システムは、また、リフト板をサポート板に機械的に結合するための耐熱性結合機構も含み得る。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内への放電部の充填率を増加することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】反応室Ｒと、反応ガスを導入するガス導入部１ａと、反応ガスＧ１を排気する排気部６と、対向配置されかつ第１電極１と第２電極２の組からなる３組以上の放電部３と、各組の第１電極１および第２電極２を支持しかつ並列させる支持手段５と、全組の放電部３に電力を供給する電源部Ｅとを備え、電源部Ｅは、高周波発生器と、該高周波発生器からの高周波電力を増幅して第１電極１に供給する増幅器とを備え、全組の放電部３のうち、一の放電部３の第１電極１と、それに隣接する他の放電部３の第１電極１とは、同一の高周波発生器に個別の増幅器を介してそれぞれ接続されるか、或いは異なる高周波発生器に増幅器を介してそれぞれ接続され、複数の第２電極２はそれぞれ接地される。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造でありながら高精度に電極間距離を調整することができるプラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】反応室Ｒと、反応室Ｒに反応ガスＧ１を導入するガス導入部１ａと、反応室Ｒから反応ガスＧ１を排気する排気部６と、反応室Ｒ内に対向状に配置されかつ反応ガスＧ１を介してプラズマ放電させる平板状の第１電極１および第２電極２と、第１電極１または第２電極２を支持または固定して対向方向に移動可能とする移動手段５と、第１電極と第２電極の少なくとも一方を支持または固定する固定片７ａ、７ｂとを備え、第１電極１または第２電極２が移動手段５により移動され、かつ第１電極１および第２電極２の周縁部が固定片７ａ、７ｂと当接することにより、第１電極１と第２電極２との最小電極間距離が決定されることを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

プラズマプロセス中に局所プラズマ密度を調節するための方法および装置。一実施形態は、非平面状の表面を有する導電性フェースプレートを備える電極アセンブリを提供する。非平面状の表面は、処理中に基板に面するように構成され、導電性フェースプレートは、電極を有する基板支持体に非平面状の表面が対向するように配置される。導電性フェースプレートおよび基板支持体は、プラズマ体積を形成する。非平面状の表面は、導電性フェースプレートと電極との間の距離を変えることによって、導電性フェースプレートと電極との間の電場を調節するように構成される。
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