【課題】 被処理物に静電気が帯電するのを低減することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 電極１の少なくとも一面を誘電体カバー２で被覆する。誘電体カバー２で被覆された面を対向させて複数の電極１、１を対向配置することにより、対向する電極１、１間を放電空間３として形成する。放電空間３内にガスＧを導入すると共に対向する電極１、１間に電圧を印加することにより、大気圧近傍の圧力下で放電空間１、１内にプラズマＰを生成する。このプラズマＰを放電空間３の下側開口から吹き出して被処理物Ｓに供給することにより被処理物Ｓにプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置に関する。電極１の下側に誘電体で被覆された導電体４を設けると共に導電体４を接地する。 （もっと読む）

【課題】
大面積基板に均一な膜厚及び膜質分布で成膜できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】
電極の離間した複数の位置に複数のパルス変調された高周波電力を供給する高周波電力供給手段が設けられ、複数のパルス変調された高周波電力をそれぞれ電極表面上に全体的に伝播するように構成される。 （もっと読む）

【課題】高真空の装置が必要なく、付随する高度な保守作業も不要とし、多品種・少量のＭＥＭＳ製品の製造を簡便、安価に行える経済性に優れたプラズマ加工装置を提供する。
【解決手段】大気圧にてプラズマ放電を発生る一組のプラズマ発生用電極２、３と、プラズマ発生用電極２、３の外側に配置され、プラズマを引き出す開口４１、４２を有する引き出し電極４と、引き出し電極４に対向して配置され、加工用基板５を支持する基板ホルダ６とで構成され、プラズマ発生用電極２、３で発生したプラズマを開口４１、４２から基板ホルダ６方向に引き出して加工用基板５に照射し、開口４１、４２の形状に倣った溝５１、５２を加工用基板５に形成する。 （もっと読む）

【課題】 固有のインピーダンスを高感度かつ高精度で検出して部品の差を定量的に比較して、部品単体レベルで性能および劣化度の管理を行なう検査方法および装置を実現する。
【解決手段】 測定対象部品（１）を、電磁シールド（２、６）内で下側電極（３）および上側電極（４）に密着させる。下側電極およびシールドをアースに接地し、上側電極をシールドから絶縁体（５）により絶縁し、ネットワークアナライザ（８）から周波数を掃引して高周波信号を上側電極に供給して、そのインピーダンスを測定する。 （もっと読む）

【課題】 グロー放電が維持できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置１００は、電源部１０３と、昇圧トランス１０７と、電極１０１ａ，１０１ｂと、予め接地されている接地電極１０９ａ，１０９ｂとを含む。電源部１０３は、高周波発振器１０５と、周波数逓倍器１０６とを含む。プラズマ処理装置１００には、外部から被処理基材１０８が搬入され、電極１０１ａと電極１０１ｂとの間において予め定められた位置に配置され、予め定められたプラズマ処理が実行される。電極１０１ａと接地電極１０９ａとは、これらの電極の間隔が、電極１０１ａと搬入予定の被処理基材１０８との表面との距離よりも短くなるように、配置されている。電極１０１ｂと接地電極１０９ｂとの位置関係も同様である。 （もっと読む）

真空プラズマプロセッサは、接地された壁および出口ポートを有するチャンバを含む。プラズマは、壁および出口ポートから離間したチャンバ領域内で第１ＲＦ周波数で励起される。構造は、プラズマを領域に閉じ込めるとともに、ガスが領域から出口ポートへ流れることを可能にする。閉じ込め構造に接続された第２周波数のＲＦ電力は、閉じ込め構造を、接地と異なる電位になるようにさせて、プラズマと閉じ込め構造との間のシースのサイズが増加し、閉じ込め構造の有効性が増す。領域は、第１周波数に対して直列共振し、シースの静電容量を含む回路によってアースに接続された電極を含む。
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【課題】レジストパターンを形成することなく、被処理膜に微細なパターンを形成可能なパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】一主面側に凹状パターン１３が設けられたエッチングマスク１０を、凹状パターン１３を被処理基板２０に対向させて、接触状態または所定幅の間隙を有した状態で、被処理基板２０上に配置するとともに、エッチングマスク１０と被処理基板２０との間にエッチングガスを導入する工程と、エッチングガスにより、被処理基板２０の凹状パターン１３との対向領域をエッチングすることで、被処理基板２０の表面側に設けられた有機膜２２にパターンを形成する工程とを有することを特徴とするパターンの形成方法である。 （もっと読む）

【課題】 太陽電池に用いられる基板の表面にパターニングにて形成されるセル形成用の凹溝を高効率にて直接且つ均一に形成するプラズマ加工装置の開発を課題とする。
【解決手段】 被加工物載置用放電電極(1)と、該放電電極(1)に対向して配置された対向放電電極(2)と、対向放電電極(2)の被加工物載置用放電電極(1)側の面に設けられた固体誘電体(3)と、固体誘電体(3)と被加工物載置用放電電極間(1)の空間(4)に雰囲気ガスを供給する雰囲気ガス供給管(5a)とで構成されたプラズマ加工装置であって、固体誘電体(3)の被加工物載置用放電電極(1)に対する対向面に放電用凸部(8)又は放電用凹部(7)が形成されていることを特徴とする。
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【課題】 大気圧雰囲気下において局所的なプラズマを発生させ、電極表面上に形成した任意の凹凸パターンを転写することにより、マスクを用いることなくシリコン、石英ガラス、水晶等の誘電体基板からなる機能材料表面上に、所望の凹凸構造を形成することが可能な誘電体基板のパターン転写加工方法を提供する。
【解決手段】 大気圧近傍のガス雰囲気中に回転電極２と表面に凹凸パターン８を形成したパターン電極３とを間隔を置いて配設し、パターン電極表面に密接した厚さが１μｍ〜１ｍｍの誘電体や比抵抗が大きな半導体からなる加工基板７の表面と回転電極との間に加工ギャップｇを維持しつつ、回転電極を高速に回転させ、回転電極とパターン電極間に高周波電圧を印加し、回転電極に対してパターン電極表面と加工基板を相対的に移動させ、凹凸パターンと反転した凹凸構造を加工基板の表面に形成する。 （もっと読む）

【課題】 フェンスの発生を回避するとともに、高エッチングレートでＴｉをエッチング可能であり、さらには、エッチングの過程でチャンバー内堆積物の発生を抑制し、パーティクル汚染を未然に防止できるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 真空に保持可能な処理容器内で、少なくとも所定形状のパターンが形成されたマスク層と、前記マスク層の下に形成された被エッチング層としてのＴｉ層と、が形成された被処理体に対し、チャンバー内圧力４Ｐａ以下でフッ素化合物を含むエッチングガスのプラズマを作用させ、前記Ｔｉ層をエッチングする第１のプラズマ処理工程と、第１のプラズマ処理工程の終了後、クリーニングガスのプラズマにより前記処理チャンバー内に導入しドライクリーニングを行なう第２のプラズマ処理工程と、を含み、前記第２のプラズマ処理工程では前記第１のプラズマ処理工程によって生成したＴｉ化合物を含む堆積物を除去する。 （もっと読む）

従来のフォトリソグラフィーを用いた配線作製工程では、レジストや配線材料、またプラズマ処理時に必要なプロセスガス等の多くが無駄になってしまう。また真空装置等の排気手段が必要であることから、装置全体が大型化するため、処理基板の大型化に伴い製造コストが増加する。そこで、レジストや配線材料を液滴として基板上の必要な箇所に直接噴射し、パターンを描画するという手段を適用する。またアッシングやエッチング等の気相反応プロセスを大気圧又は大気圧近傍下で行う手段を適用する。
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【課題】被処理基板の上に均一な電界を形成することにより、被処理基板におけるエッチングレート分布の均一化を図る。
【解決手段】ドライエッチング装置Ｓは、真空容器である処理室１２と、処理室１２内の上部に配置され、電気的に接地された上部電極１１と、処理室１２内の下部において上部電極１１に対向して配置され、上部電極１１側の表面に被処理基板Ｌが載置される下部電極１５と、下部電極１５に接続された電源部２５と、処理室１２の内部に処理ガスを導入するガス供給手段１０とを備えている。そして、電源部２５は、下部電極１５に対して並列に接続され、下部電極１５へ同時に電圧を印加するように構成された高周波電源２６と低周波電源２７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】１２インチ以上の大口径ウェハに対して均一なエッチング処理を可能にする。
【解決手段】エッチング処理室１００内にステージ電極１０２とガス供給電極１０３が対向して設置されており，ガス供給電極１０３のガス供給面は第１のガス供給領域２００，第２のガス供給領域２０１，及び第３のガス供給領域２０２に分かれており，各々に対応して第１のガス流量制御系１０７，第２のガス流量制御系１０８，及び第３のガス流量制御系１０９を用いて個別に制御している。前記第１のガス供給領域２００，第２のガス供給領域２０１，及び第３のガス供給領域２０２より，エッチングガスの流量及び電離電圧の異なるガスの流量比を最適化してガス供給を行う。 （もっと読む）

【課題】１２インチ以上の大口径ウェハに対して均一なエッチング処理を可能にする。
【解決手段】エッチング処理室１００内にステージ電極１０２とガス供給電極１０３が対向して設置されており，ガス供給電極１０３のガス供給面は第１のガス供給領域２００，第２のガス供給領域２０１，及び第３のガス供給領域２０２に分かれており，各々に対応して第１のガス流量制御系１０７，第２のガス流量制御系１０８，及び第３のガス流量制御系１０９を用いて個別に制御している。前記第１のガス供給領域２００，第２のガス供給領域２０１，及び第３のガス供給領域２０２より，エッチングガスの流量及び電離電圧の異なるガスの流量比を最適化してガス供給を行う。 （もっと読む）

【課題】１つのチャンバー内にカソード・アノード電極体が複数組、同一方向に向けて設置されており、簡便な構造であって安定したプラズマ放電を確保することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板１を収容する密封可能なチャンバー（図示略）と、チャンバー内に反応性原料ガスを供給するガス導入管１０と、チャンバー内に配設され、外部の電源に接続されて反応性ガスを介してプラズマ放電させる三組のカソード・アノード電極体７とを備えてなる。これらのカソード・アノード電極体７は、同一方向に向けて略垂直にかつ直列状に配設されているとともに、隣接する左右二組のカソード・アノード電極体７における一方のカソード電極２と他方のアノード電極４との間隔Ｂが、それぞれのカソード・アノード電極体７におけるカソード電極２とアノード電極４との間隔Ａの２倍以上になるように配設されている。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布の均一性を向上させる。
【解決手段】ウエハＷを処理室７１で保持するサセプタ９８と、サセプタ９８に保持されたウエハＷへ処理ガス１２９をシャワー状に吹き付ける吹出プレート１１２とを備えた枚葉式ＣＶＤ装置７０において、吹出プレート１１２を弾性変形可能に形成し、吹出プレート１１２の周辺部を上下のシールリング１１４、１１４で挟み込んで水平に支承する。吹出プレート１１２は周辺部を凸用調整ボルト１１９で押し下げると凸形状に撓む。吹出プレート１１２は周辺部を凹用調整ボルト１２１で引き上げられると凹形状に撓む。例えば、吹出プレートが凹形状に変形してウエハの中央部の膜厚が薄くなった場合には、凸用調整ボルト１１９を締めて吹出プレート１１２を凸形状に撓ませると、ウエハＷに形成されるＣＶＤ膜の膜厚分布は全体にわたって均一に形成になる。
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【課題】 ノッチングを回避するとともに、高エッチングレートでのエッチングが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】 エッチング方法は、マスク層１０４と、シリコン層１０３と、ストッパー層１０２とを有する被処理体にエッチングガスのプラズマを作用させることによりストッパー層１０２に達する略垂直形状の開口を形成するものであり、フッ素含有ガスとＯ_２とを含み、ＨＢｒを含まない第１のエッチングガスにより、シリコン層１０２に壁面がテーパー形状の開口を形成する第１のエッチング工程と、フッ素含有ガスとＯ_２とＨＢｒとを含む第２のエッチングガスによりテーパー形状の開口に対してエッチングを行なう第２のエッチング工程と、を含んで実施される。 （もっと読む）

【課題】 種々の要因により発生した揺らぎについて対応でき、またプラズマ密度の揺らぎに対して高い制御性を持つプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマを発生し、被処理物をプラズマ処理する反応チャンバと、前記プラズマからの発光量を抽出する抽出部と、予め定められた処理条件の範囲内で、前記発光量に基づいて前記プラズマ密度をするパラメータ群の一つを可変制御してプラズマ状態を制御する。プラズマからの発光を分光せず検出するため、プラズマからの発光強度に強く依存するプラズマ密度を、分光を行なって制御する従来の方法と比べ、高いＳＮ比を確保して制御することが可能となる。 （もっと読む）

調整可能耐エッチング性反射防止（ＴＥＲＡ：ｔｕｎａｂｌｅ ｅｔｃｈ ｒｅｓｉｓｔａｎｔ ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ）コーティングをエッチングするための方法およびシステムが記載される。ＴＥＲＡコーティングは、例えば、リソグラフィ構造を補完するためのハード・マスクまたは反射防止コーティングとして利用できる。ＴＥＲＡコーティングは、構造式Ｒ：Ｃ：Ｈ：Ｘを有することができ、式中、Ｒは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、およびそれらの組み合わせのうちの少なくとも１つを含む群から選ばれ、Ｘは、存在しないかまたはＯ、Ｎ、Ｓ、およびＦのうちの１つ以上を含む群から選ばれる。膜スタック中の構造の形成の間、パターンが、ＳＦ_６ベースのエッチング化学的性質を有するドライ・プラズマ・エッチングを用いてＴＥＲＡコーティングに転写される。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ面内におけるエッチング処理の均一性を向上する。
【解決手段】 プラズマ生成用の高周波電力が供給される下部電極３に対向する上部電極４に対し，電気特性調整部２０を設ける。電気特性調整部２０は，下部電極３に供給される高周波電力の周波数に対する，プラズマＰ側から見た上部電極４側の回路におけるインピーダンスを当該回路が共振しないように調整できる。エッチング処理時に，前記インピーダンスを共振点から外れるように調整することによって，エッチング処理の面内均一性が向上する。 （もっと読む）