【課題】チャンバー内部の上部電極の妨げなしに基板の位置を正確に知ることができ、また、基板の上下エッジ及び側面だけではなく基板の背面の全体に存在するパーチクルと堆積物を効率よく除去することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】反応空間を提供するチャンバー１００と、基板が載置される分割形成された下部電極２１０と、前記下部電極に対向する上部電極３００と、前記基板を感知するために前記チャンバーの上側に設置された基板センサー７１０とを備え、前記上部電極は、電極板３１０と、前記電極板の下部に取り付けられた絶縁板３２０とを備え、前記上部電極には前記基板センサーからの光を前記基板に向かってガイドするための少なくとも１本のガイド孔３１２が穿設されている。前記ガイド孔が設けられているので、前記上部電極と前記下部電極との間の間隔をより精度よく制御できる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に用いられる基板の表面にセル形成用のフィンガー電極用の凹溝をより細い溝幅にて直接且つ均一に形成するプラズマ加工方法とその装置を提供する。
【解決手段】大気圧より大なる作動ガス含有雰囲気ガス中において、被加工物載置用放電電極１上に被加工物１０を設置し、前記被加工物載置用放電電極１に対向して配置された対向放電電極２の被加工物１０側の面に設けられ、背後電極３ｂが内蔵された固体誘電体３を被加工物１０に接触させて配置し、前記電極１、２間に高電圧を印加して固体誘電体３の側面に沿面放電プラズマＰを発生させ、該沿面放電プラズマＰにより固体誘電体３の被加工物１０との接触縁に沿って被加工物１０の表面に表面加工線状部１０ａを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスにおけるプラズマエッチングに使用したときに、エッチングレートを高く維持しながら、面内均一性を向上させることができるプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】厚さ方向に貫通するガス通過用の複数の貫通孔５を有する板状のセラミックプレート４、及び、セラミックプレート４内部に配設された、線状の放電部７をそれぞれ有する複数組の線状電極６を有する第１電極１と、第１電極１との間に間隔を開けて、一方の面２ａと第１電極１の一方の面１ａとが向かい合うように平行に配置された、板状の第２電極２と、第１電極１に配設された複数組の線状電極６のそれぞれに別々に接続され、各組の線状電極６と第２電極２との間にそれぞれ独立してナノパルス電圧を印加できる複数のパルス発生回路を有する電源３ａ，３ｂとを備えたプラズマ発生装置１００。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマ処理チャンバは、片持梁アセンブリと、大気負荷をなくすよう構成された少なくとも１つの真空隔離部材とを備える。チャンバは、内部領域を取り囲み開口部を有する壁を備える。片持梁アセンブリは、チャンバ内で基板を支持するための基板支持体を備える。片持梁アセンブリは、一部がチャンバ外に位置するように、開口部を介して伸びる。チャンバは、壁と相対的に片持梁アセンブリを移動させるよう動作可能な駆動機構を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理チャンバのパーツのための保護被覆およびその使用方法
【解決手段】フッ素ラジカルおよび酸素ラジカルなどのプラズマ生成ラジカルからＲＦストラップを保護するためにプラズマチャンバにおいて使用される、可撓性のポリマまたはエラストマを被覆されたＲＦ帰還ストラップと、プラズマ処理装置内において、粒子汚染を抑えられた状態で半導体基板を処理する方法。被覆されたＲＦストラップは、粒子の生成を最小限に抑え、被覆されていないベース・コンポーネントよりも低い浸食速度を呈する。伝導性で可撓性のベース・コンポーネント上に可撓性被覆を被覆された被覆部材は、ギャップを調整可能な静電結合プラズマリアクタチャンバ内において１つまたは２つ以上の電極の移動を可能にするように構成されたＲＦ地帰還を提供する。 （もっと読む）

【解決手段】基板のべベル端部（面取りされた端部）近傍の不要な被膜を除去して、プロセス歩留まりを改善する装置及び方法をさまざまな実施形態として提供する。実施形態に従う装置及び方法は、中央ガス供給部及び端部ガス供給部を備えることにより、端部除外領域を基板端面方向に狭めるための最適なべベル端部エッチングプロセスを選択することが可能になる。さらに実施形態に従う装置及び方法は、調整ガスを用いてべベル端部におけるエッチングプロファイルを変化させるものであり、中央ガス供給部と端部ガス供給部との組み合わせによりチャンバ内にプロセスガスと調整ガスを導入する。調整ガスの使用とガス供給部の配置は、いずれも、べベル端部におけるエッチング特性に影響を与える。また、ガスの総流量、ガス供給プレートと基板表面との間隔距離、圧力及びプロセスガスの種類も、べベル端部のエッチングプロファイルに影響を与える。 （もっと読む）

【課題】 ガスを供給する開口部がスパッタされにくくなるようにする。
【解決手段】 処理室と、基板を載置する基板載置手段と、前記基板載置手段と対向する前記処理室の上部に設けられたガス供給用の開口と、前記開口を塞ぐ接地された蓋体と、前記蓋体に設けられ前記処理室内にガスを供給するためのガス導入口と、前記処理室から処理ガスを排出する排気口と、前記ガス導入口から前記処理室内に供給されるガスを用いて、前記処理室内にプラズマ生成領域を形成するプラズマ生成手段と、前記基板載置手段と前記蓋体との間に設けられ、前記ガス供給用開口を覆って前記プラズマ生成領域から前記蓋体を見通せないようにする誘電体材料から成る遮蔽プレートと、前記遮蔽プレートの周辺に前記ガス導入口から前記蓋体内に導入される前記ガスを前記処理室内に吹き出すガス吹出口とを備える。 （もっと読む）

【課題】被処理基板にパーティクルを付着させない可動機構によりプラズマ密度分布の容易かつ自在な制御を可能とし、プラズマプロセスの均一性や歩留まりを向上させる。
【解決手段】チャンバ１０の天井には、サセプタ１２と平行に向かい合って、石英隔壁板３４が水平に取り付けられ、この石英隔壁板３４の裏側（上方）に上部電極３６が配置されている。電極位置可変機構３８は、鉛直方向に延びるネジ軸４０の上端に結合されているステップモータ４２と、上部電極３６に一体結合され、かつネジ軸４０と螺合する可動ナット部４４とを有している。ステップモータ４２の回転方向および回転量により、上部電極３６の移動方向および移動量を制御し、上部電極３６の高さ位置ひいては上部電極３６とサセプタ１２との電極間距離を一定範囲内で連続的に可変できる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理された被処理基板上に帯電した電荷量を低減し、プラズマダメージや絶縁破壊を防止するのに優れたプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板をプラズマ処理する前に、不活性ガスを主体としたガス中で微弱なプラズマにて被処理基板の表裏を同時に曝すことで、被処理基板の電荷を取り除くことが可能となる。このとき、不活性ガスをＡｒ、Ｈｅ、Ｎ₂および気化したＨ₂Ｏガス或いはこれらの混合ガスであると好適となる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の処理装置において、基板又はその載置台を振動をほとんど与えずに昇降させるとともに、昇降の上下停止位置を自在に変えることのできる手段を提供する。
【解決手段】ピストンとシャフトを有し流体圧で駆動するシリンダに対して、シャフトに貫通係止されたストッパと、該ストッパと当接し前記ピストンの進退を停止させる一対のリミッタと、このリミッタ位置を可変せしめるリミッタ移動機構とを備えたシリンダ停止位置可変機構。また、このリミッタ移動機構をモータで制御し、前記一対のリミッタ毎に移動機構を設けて、各々独立に位置制御できるようにする。 （もっと読む）

【課題】単結晶ＡｌＮ基板を表面にダメージを与えることなく高速かつ均一に加工可能なプラズマ加工方法を提供する。
【解決手段】このプラズマ加工方法では、ガス導入ライン８から反応容器１の中にヘリウム、塩素、窒素、アルゴンを含む塩素含有ガスが導入され反応容器１の内部の圧力は大気圧または大気圧近傍の圧力とされる。また、高周波電源７からの高周波電力により回転電極２と基板ステージ４との間に電場を形成して回転電極２と単結晶ＡｌＮ基板６の表面との間に供給された塩素含有ガスを分解,励起しプラズマ１０を形成する。大気圧プラズマ中には多数の原子や分子などが存在することから、大気圧プラズマ中のイオンは単結晶ＡｌＮ基板６の表面６Ａに衝突する前に何らかの原子や分子と衝突し、直接単結晶ＡｌＮ基板６の表面６Ａに衝突しないので、表面６Ａにダメージを与えない。 （もっと読む）

【課題】
大口径の試料について微細パターンの精密な加工が容易で、また、微細加工時の選択比も向上させたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】
真空処理室と、該真空処理室内で処理される試料を配置するための試料台と、高周波電源を含むプラズマ生成手段とを有するプラズマ処理装置であって、前記試料を静電吸着力によって前記試料台に保持する静電吸着手段と、前記試料にパルスバイアス電圧を印加するパルスバイアス印加手段とを備え、前記高周波電源として１０MHｚ〜５００MHｚの高周波電圧を印加するとともに、前記真空処理室を０．５〜４．０Ｐａに減圧するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置用の電極として好適に用いることが可能な電気特性を備え、かつ、長期間にわたって安定したプラズマが生成可能なプラズマ処理装置用電極を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置に備えられ、高周波電圧が印加されることでプラズマ生成容器内にプラズマを生成するための電極であって、少なくともプラズマに曝される表面部分が、化学気相成長法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって作成されたＳｉＣからなり、ＳｉＣ中の不純物濃度が３．０×１０^１５（個／ｃｍ^３）以上かつ１．０×１０^１９（個／ｃｍ^３）以下であることを特徴とするプラズマ処置装置用電極を提供する。 （もっと読む）

所定の薄膜パターンを持つ素子が形成されるウェーハのような基板を、安定的に支持して基板背面に形成された各種異物を取り除くための基板支持台と、これを備えるプラズマ処理装置が開示される。このプラズマ処理装置は、少なくとも一つのアームと、アームから基板の搭載位置方向に延設される支持部と、を備える。このようなプラズマ処理装置は、乾式蝕刻と比べて、アーク放電発生の可能性を低減させ、工程収率及び製品安全性を上昇させ、基板の安定した搭載を保障する。
（もっと読む）

【課題】プラズマ処理を効率よく行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、印加電極２と、ワーク１００を載置するとともに印加電極２の対向電極としての機能を併有するパレット（第１の電極）４と、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給手段１１と、印加電極２とパレット４との間に電圧を印加する第１の回路（電源部）８を備え、パレット４を載置するテーブル６の下面６３には、振動子９が配設され、ワーク１００の被処理面１１０と対向面３０との間の離間距離Ｌを検出する距離検出手段５３と、離間距離Ｌを規定する移動手段５と、移動手段５の作動を制御する制御手段７０とを有しており、この振動子９によりパレット４とワーク１００とを一体的に振動させながら被処理面１１０を処理するに際し、制御手段７０により、移動手段５が作動するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】ワークピースの背面から重合体を除去するための方法を提供する。
【解決手段】本方法には背面の周縁環状部を露出した状態で、真空チャンバ内においてワークピースを背面で支持することを含む。ガス流はワークピース縁部の間隙内でワークピース縁部で閉じ込められ、間隙はチャンバ直径の約１％となるように構成されており、間隙により正面側を含む上方処理ゾーンと背面を含む下方処理ゾーンとの間の境界が規定される。本発明は更に下方処理ゾーンから排気し、重合体エッチング前駆体ガスから外部チャンバ内でプラズマを発生させ、プラズマからの副生成物を下方処理ゾーンへと導入することを含む。この方法は、更に、上方処理ゾーンへとパージガスを送り込むことで上方処理ゾーンから重合体エッチング種を除去することを含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を効率よく行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、印加電極２と、ワーク１００を載置するとともに印加電極２の対向電極としての機能を併有するパレット（第１の電極）４と、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給手段１１と、印加電極２とパレット４との間に電圧を印加する第１の回路（電源部）８を備え、パレット４を載置するテーブル６の下面６３には、振動子９が配設され、振動子９の振動数を調整する周波数調整手段７４と、周波数調整手段７４の作動を制御する制御手段７０とを有しており、この振動子９によりパレット４とワーク１００とを一体的に振動させながらワーク１００の被処理面１１０を処理するに際し、制御手段７０により、周波数調整手段７４が作動するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ウエハのベベル上の材料を除去するための装置が開示されている。ウエハの直径よりも小さい直径を有するウエハ支持体が設けられており、ウエハ支持体はウエハの第１の側に位置し、ウエハの外周エッジはウエハの周囲においてウエハ支持体を越えて広がる。ＲＦ電源が、ウエハに対して電気的に接続される。中央カバーが、ウエハ支持体から離間して配置されている。第１の導電リングが、ウエハから離間してウエハの第１の側に配置される。第２の導電リングが、ウエハから離間して配置される。導電ライナが、ウエハの外周エッジを囲んでいる。スイッチが、ライナと接地との間に配置され、ライナを接地状態から浮遊状態に切り替えることを可能にする。 （もっと読む）

【課題】処理可能な被処理物が制限されることなく、処理効率を向上させることができる放電装置およびそれを製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘電体１の容量結合によって誘電体１に配設された２極の電極２，３間で放電させるために、放電側とは逆側の誘電体１の面に電極２，３をともに配設して構成する。放電側とは逆側の誘電体１の面に電極２，３をともに配設するので、従来のように電極を互いに対向させて放電させずに、電極２，３から誘電体１側へと放電する。したがって、従来のように互いに対向した電極間にワークを置く必要がなく、処理可能なワークＷが制限されることがない。また、従来のように互いに対向した電極間にワークを置く必要がないので、両電極２，３を配設した誘電体１にワークＷを近接させることができ、処理効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】幅の広い基板に対して一様なプラズマ処理を施すプラズマプロセス装置の提供。
【解決手段】被処理基板２０の搬送方向に直交する方向に配列された複数の細長い電極対（図上、上部電極１ａのみ示す）を備え、各電極対は電極の両端部に近づくほど大きくなるギャップを有し、複数の電極対は、それぞれが（図上、右）先端部と（図上、左）後端部を有する第１、第２および第３電極対からなり、第１電極対の（右）先端部が前記搬送方向から見て第２電極対の（左）後端部に重なり、第２電極対の（右）先端部が前記搬送方向から見て第３電極対の（左）後端部に重なるように配列される。 （もっと読む）