プラズマチャンバは、大気負荷を中立化するように構成されたカンチレバー組立体を含む。前記チャンバは壁を含み、前記壁は、内部領域を囲み、かつ、該壁に形成された開口部を有する。前記カンチレバー組立体は、前記チャンバ内で基板を支持する基板体を含む。前記カンチレバー組立体は、一部分が前記チャンバの外に配置されるように開口部を通って伸びている。前記チャンバは、前記壁に対して相対的に前記カンチレバー組立体を動かすように動作する駆動機構を含む。
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【課題】 導電体でない基板でも効率よくバイアスを印加し、かつ、基板の表裏両面に形成されたパターンに損傷を与えずに両面処理ができるプラズマエッチング装置を実現する。
【解決手段】 基板支持部材が被エッチング基板面鉛直方向に可動する可動式基板支持部材を備える。
【効果】 被エッチング基板を保持した可動式基板支持部材を、バイアス電圧を出力する電極側に密着させることで、バイアス電圧が印加される電極と基板の間の距離を縮め、基板に効率よくバイアスを印加できる。 （もっと読む）

【課題】平行平板電極の間で高周波電力によりプラズマを発生させるにあたり、高周波電流のリターン経路の電気抵抗を小さくすること。
【解決手段】昇降自在のアノード電極をなす上部電極３に導電性の昇降棒５１ａ，５１ｂを介して処理容器２の外において導電性の移動側接触部材５ａ，５ｂを設ける。一方、処理容器２の外部には導電性の支持部材６１〜６３を介して、プラズマ処理を行う位置に前記上部電極３が設定されたときに、前記移動側接触部材５ａ，５ｂと接触して高周波電流のリターン経路を形成するように導電性の固定側接触部７１〜７３を設ける。高周波電流は、下部電極４→プラズマ→上部電極３→昇降棒５１ａ，５１ｂ→移動側接触部材５ａ，５ｂ→固定側接触部７１〜７３→支持部材６１〜６３→処理容器２→高周波電源部４４のアース側の経路で流れるので、前記リターン経路の電気抵抗を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】装置の複雑化を伴うことなく、ワークの被処理面の目的とする微細な領域を選択的に処理し得るプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワーク１００の被処理面１０１を処理する装置であり、第１の電極２と、ワーク１００を介して第１の電極２と反対側に設けられ、平面視におけるワーク１００の被処理面１０１の面積より、ワーク１００に対向する面の面積が小さい第２の電極４と、第１の電極２と第２の電極４との間に電圧を印加する電源回路８と、ワーク１００の被処理面１０１との間に、プラズマを生成するための処理ガスを供給するガス供給手段１１とを有し、第１の電極２と被処理面１０１との間に、処理ガスを供給しつつ、第１の電極２と第２の電極４との間に電圧を印加することにより、処理ガスを活性化してプラズマを生成させ、このプラズマにより被処理面１０１が処理されるよう構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置の複雑化を伴うことなく、ワークの被処理面の各部に応じた処理を行い得るプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、プラズマを用いて、ワーク１００の被処理面１０１を処理する装置であり、第１の電極２と、複数の単位電極４１で構成され、各単位電極４１がそれぞれ第１の電極２に対して接近および離間可能なように、ワーク１００を介して第１の電極２に対向して設置された第２の電極４と、第１の電極２と第２の電極４との間に電圧を印加する電源回路（通電手段）８と、第１の電極２と第２の電極４との間に、ワーク１００の被処理面１０１を処理する処理ガスを供給するガス供給手段１１と、複数の単位電極４１と第１の電極２との離間距離を規定する離間距離規定手段５とを有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体工程に用いられうるプラズマ生成装置及び方法を提供する。
【解決手段】 プラズマ生成空間を有するチャンバと、前記チャンバ内に位置する下部電極部と、前記下部電極部と対向してチャンバ内に位置して第１プラズマ生成ソース部を形成する上部電極部と、前記上部電極部の外周で上部電極部の下面よりも高い位置に形成される第２プラズマ生成ソース部と、前記第１及び第２プラズマ生成ソース部に電力を供給する電力供給部とを備える構成とした。 （もっと読む）

【課題】電極を交換することなく、ワークへのプラズマ処理の程度を変えることができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワーク１０の被処理面１０１をプラズマにより処理するプラズマ処理装置１であって、ワーク１０を介して互いに対向して設けられた１対の電極２、３と、１対の電極２、３間に電圧を印加する電源７２を備えた電源回路７と、１対の電極２、３間にプラズマ生成のための処理ガスを供給するガス供給手段８と、１対の電極２、３間に処理ガスを噴出するノズル５と、必要時に１対の電極２、３の電極間距離を局部的に変えるように１対の電極２、３のうちの一方の電極と他方の電極とのなす角度を調整する角度調整手段９とを備え、１対の電極２、３間に、処理ガスを供給しつつ、電圧を印加することにより、処理ガスを活性化してプラズマを生成させ、該プラズマによりワーク１０の被処理面１０１が処理されるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】局所的にプラズマを集中させ、ワークに対し微細な処理が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワーク１０を介して互いに対向して設けられた１対の電極２，３と、電源７２を備えた電源回路７と、処理ガスを供給するガス供給手段８と、１対の電極２，３間において、各電極２、３の中心部同士を結ぶ線分２０の外周側に周方向に沿って形成された処理ガス噴出部５と、ガス供給手段８から供給された処理ガスを処理ガス噴出部５に導く処理ガス供給流路６とを備え、処理ガス噴出部５から噴出された処理ガスが、線分２０に向かう方向と、線分２０から離間する方向とに流れるように構成され、１対の電極２，３間に電圧を印加することにより、処理ガスを活性化してプラズマを生成させ、該プラズマによりワーク１０の被処理面１０１が処理されるよう構成されている。 （もっと読む）

処理システムにおいて、ワークピースを取り扱うための装置及び方法である。ワークピース垂直昇降機構（２００）は、処理システムの処理チャンバ（４０）の内側に配置され、ワークピース（５５）を、電極（２４）の基底部分（２８６）へ／から移すように適合している。基底部分（２８６）は、処理中に、ワークピース（５５）を支持するように構成されている。ワークピース垂直昇降機構（２００）は、ワークピース固定具（２９０）を、基底部分（２８６）に対して可動に具備し、基底部分（２８６）に対して非接触の関係にてワークピース固定具（２９０）がワークピース（５５）を保持する第１の位置と、基底部分（２８６）がワークピース固定具（２９０）の上方に突出する第２の位置との間にて動き、ワークピース（５５）をワークピース固定具（２９０）から基底部分（２８６）へ移す。
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【課題】 Ｏ_２系エッチングガスのプラズマを使用して３層レジストの下層レジスト膜をドライ現像する際に、エッチング形状の制御と残渣の抑制を両立させることが可能なプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 プラズマエッチング装置１の処理室内で、エッチングガスとして、分子内に炭素原子を含む炭素含有化合物ガスとＯ_２ガスとを含む混合ガスを用い、かつ総ガス流量に対する炭素含有化合物ガスの流量比を４０〜９９％として、上層有機系材料膜および中間層をマスクとして下層有機系材料膜をエッチングすることにより、前記中間層のパターンを前記下層有機系材料膜に転写する工程を含む、プラズマエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】容量結合型の高周波放電によって生成するプラズマの密度の空間的な分布を均一化ないし任意に制御してプロセスの面内均一性を向上させる。
【解決手段】下部電極のサセプタ１６には被処理基板Ｗが載置され、高周波電源３０よりプラズマ生成用の高周波が印加される。サセプタ１６の上方にこれと平行に対向して配置される上部電極３４は、チャンバ１０にリング状の絶縁体３５を介して電気的に浮いた状態で取り付けられている。上部電極３４の中心部にはサセプタ１６に向って突出する凸面部３７が形成されている。 （もっと読む）

イン・サイチュでの裏側ポリマー除去のプラズマエッチングプロセスは、多孔性又は非多孔性カーボンドープされた酸化ケイ素誘電体層とフォトレジストマスクを表面に有するワークピースで開始される。ワークピースは、エッチングリアクタチャンバにおいて静電チャック上にクランプされる。このプロセスには、フルオロ−カーボンベースのプロセスガスを導入し、ＲＦバイアス電力を静電チャックに、ＲＦソース電力をオーバーヘッド電極に印加して、誘電体層の露出した部分をエッチングし、一方で、保護フルオロ−カーボンポリマーをフォトレジストマスク上に堆積することが含まれる。このプロセスには、フルオロ−カーボンベースのプロセスガスを除去し、水素ベースのプロセスガスを導入し、ＲＦソース電力をオーバーヘッド電極に印加することが更に含まれる。静電チャックのリフトピンを伸ばして、静電チャックの上にワークピースを上昇し、ワークピースの裏側をリアクタチャンバのプラズマに露出して、ポリマーが裏側から除去されるまで、裏側に以前に堆積したポリマーを還元する。
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【課題】接地電極の絶縁性膜を除去することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、処理空間Ｓを有する基板処理室１１と、処理空間Ｓに直流電圧を印加する上部電極板３９と、処理空間Ｓに４０ＭＨｚの高周波電力を印加するサセプタ１２の導電体部２９及びフォーカスリング２６と、該フォーカスリング２６に隣接するように配置される接地電位のシリコン電極２７と、フォーカスリング２６及びシリコン電極２７の間に配置されるインシュレーターリング２８とを備え、シリコン電極２７及びフォーカスリング２６の間の距離は０．５ｍｍ乃至１０ｍｍのいずれか、好ましくは０．５ｍｍ乃至５ｍｍのいずれかに設定される。 （もっと読む）

【課題】ＣＦ_x膜のプラズマエッチングにおけるマイクロトレンチの発生を従来に比べて抑制することのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】半導体ウエハＷに形成されたＣＦ_x膜１０１を、エッチングガスのプラズマを発生させてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、エッチングガスとして、ＣＨ₄とＯ₂とを含む混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】いずれの被処理物であっても迅速な表面処理が行なえるようにする。
【解決手段】垂直面９及び水平な下面１１を備えた電界印加電極３と、その電界印加電極３の垂直面９と対向し合う垂直面１５及び水平な下面１７とを備えた接地電極５とによって構成する。各垂直面９，１５及び各下面１１，１７にはプラズマ供給口２３からプロセスガスが流れるようにする一方、高周波電圧が印加される電界印加電極３の垂直面９及び下面１１を、プラズマ生成領域を作る面状の放電電極面とし、生成されたプラズマが被処理物２７の上面に対して面状にあたるようにする。 （もっと読む）

【課題】 被処理物にチャージした電荷を短時間の中に除去でき、そして被処理物の損傷や搬送トラブル等が無く、かつ、安定したプラズマ処理が行われるプラズマ処理終了技術を提供することである。
【解決手段】 一対の電極間に電圧を印加して供給反応ガスのプラズマを被処理物に作用させてプラズマ処理を行った後にプラズマ処理を終了させるプラズマ処理終了方法であって、
プラズマ処理を終了させようとする時点において、プラズマ処理中の供給電力Ｗ_１よりも小さく、しかしながらプラズマ放電が安定して維持される条件を満たす電力Ｗ_２の中でも最も小さい電力Ｗ_２０に下げる電力低下ステップと、
前記電力低下ステップで低下させられた電力Ｗ_２０条件で、所定時間ｔの間、プラズマ放電を安定して行わしめる放電ステップと、
前記放電ステップの後、電力供給を停止する停止ステップ
とを具備し、
前記プラズマ処理中から前記放電ステップに掛けての間は前記反応ガスを同様に供給する。 （もっと読む）

【課題】 レジストをマスクとしてシリコンエッチングを行なう際に、エッチングレートの面内均一性を確保しつつエッチング形状を制御する。
【解決手段】 シャワーヘッド２０の下面２０ｂには、多数のガス吐出孔２２が設けられており、これらのガス吐出孔２２の周囲には、対向配置された支持テーブル２へ向けて突設された環状凸部４０が設けられている。また、ガス吐出孔２２は、ウエハＷの面積に対して小さな面積の領域Ｓに全てのガス吐出孔２２が入るようにシャワーヘッド２０の下面２０ｂの中央付近に集中させて設けた。 （もっと読む）

【課題】電極に印加される電源の出力を高くした場合でも、多孔質体に破損等を生じることなく常にガスの均一な分布と、それによる表面処理の高速化、処理能力の向上を図る表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置３０において、多孔質の電極３２の下面に多孔質の誘電体３７を、その外周縁部で支持部材４５により支持。支持部材４５には上向きの傾斜面を、誘電体３７には下向きの傾斜面を形成することで、誘電体の熱膨張変形が許容されながら、支持部材により誘電体を支持できる。また、共に多孔質の電極３２、誘電体３７を介して、放電領域５１に均一に放電ガスを供給できる。放電領域５１の周囲に多数の流量調整可能なガス排気口４１を配設し、放電領域５１での周囲にて均一にガスが排気される。特に、誘電体３７とワーク３９との間のギヤップが、取付精度等に依存して場所により一定でなくても、放電領域５１での周囲にて均一にガスを排気できる。 （もっと読む）

【課題】下部電極又は上部電極の少なくとも一方を支持する接地基板及び収容容器の内壁の間における電位差を低減することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、ガラス基板Ｇを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されてガラス基板Ｇを載置する載置台としての下部電極板２３と、該下部電極板２３に対向して配置され且つチャンバ１１内に処理ガスを供給するシャワーヘッド１２と、該シャワーヘッド１２の上部電極板１３に接続された高周波電源２０と、下部絶縁部２５を介して下部電極板２３を支持すると共にチャンバ１１の内壁から離間して配置される接地基板２６と、該接地基板２６及びチャンバ１１の内壁を短絡する短絡板３６とを備え、該短絡板３６及びチャンバ１１の内壁の間にコンデンサ３７が介在し、該コンデンサ３７はチャンバ１１の内壁に設けられる。 （もっと読む）

【課題】従来、プラチナ、イリジウム化合物の蒸気圧が高い物質のドライエッチングを行なったとき、真空容器内が低音であるため、これらの化合物が付着し、処理を重ねると剥がれが生じる。そのため、付着を防止するためにチャンバー壁にイオンを引き寄せる電極を追加する必要があった。
【解決手段】真空容器１のイオンを引き寄せる電極７に基板６を搬送できるようにし、複数の基板６をエッチングすることによって、真空容器１内部のエッチングできる表面積が増加し、パーティクル低減とスループット向上の両立ができる。 （もっと読む）