【課題】簡易な構造で製造コストを抑制でき、装置の製品寿命の低下を防止するとともに被処理体に対する処理精度を向上させ被処理体にプラズマダメージを生じさせない放電プラズマ処理装置及び放電プラズマ処理方法を得る。
【解決手段】第３電極１８から所定距離以上に離間した第１電極１２と第２電極１６との間にプラズマ化するガスが供給され第１電極１２に高周波電圧が印加されて第１電極１２と第２電極１６との間にプラズマＰ１を発生させる。第１電極１２と第３電極１８との離間距離が小さくなるように第１電極１２が第２電極１６とともに第３電極１８側に移動される。第１電極１２が第２電極１６とともに第３電極１８側に移動され、第１電極１２と第３電極１８との間にプラズマ化するガスが供給されて第１電極１２と第３電極１８との間にプラズマを発生させる。この発生したプラズマにより被処理体２６の処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】形状が良好で、深さが深いトレンチをより速い形成速度で得るドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】処理室において、エッチングガスをプラズマ化して、Ｓｉから成る被処理体をドライエッチングする方法であって、（ａ）第一エッチングガスを用いて、Ｓｉから成る被処理体を、その内壁が逆テーパー形状となるように、エッチングによる前処理を施す工程、及び（ｂ）第二エッチングガスを用いて、更にエッチングを行う第二工程を含んで成るドライエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】 位相制御にとって最適なモニタ信号を用いる機能を備えたプラズマ処理装置とプラズマ処理装置の制御方法を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置の真空容器外に設けた第１の高周波電源から真空容器内または真空容器外に設けた第１の電極に第１の高周波電圧を供給し、真空容器外に設けた第２の高周波電源から上面に試料が載置され真空容器内に設けた第２の電極に第２の高周波電圧を供給し、第１の電極の高周波電圧を測定した信号を用いて、第２の高周波電圧と第３の高周波電源からの第３の高周波電圧の位相差を制御する。 （もっと読む）

【課題】従来の装置よりも高いエッチングレートを得られ、エッチングによる被処理物へのダメージが少なく、ラジオ周波数帯で表面波ダウンストリーム負イオンの生成が可能であるプラズマ処理装置およびプラズマ発生方法を提供する。
【解決手段】比誘電率が４０以上２００以下である円筒状体の外周面上に、前記円筒状体の長さ方向中心よりも一方端側に全体が配されているようにして環状の給電部を取着させてなること。 （もっと読む）

【課題】積層形成を行う半導体装置の製造において、界面の汚染のうち特に従来の方法では除去できない炭素の一重結合を含む汚染物を除去し、清浄な界面を得る。
【解決手段】水素ラジカルや水素イオンなどの活性化した水素を、プラズマ法または触媒法によって形成し、その活性化した水素によってゲート絶縁膜中の炭素の一重結合を含む汚染物をガス化して除去する。また、酸素ラジカルや酸素イオン、オゾンなどの活性化した酸素をプラズマ法または紫外線照射法によって形成し、その活性化した酸素によってゲート絶縁膜中の炭素を含む汚染物をガス化して除去する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】チャンバーと、前記チャンバー内に位置して基板を支える基板支持部と、前記基板の中心部上にプラズマが生じないほどの間隔を隔てて配設される遮蔽部と、前記チャンバーの外壁の一部に配設されて前記基板の端部とチャンバーの内壁との間の領域にプラズマ電源を印加するアンテナと、前記基板支持部にバイアスを印加するバイアス印加部と、を備えるプラズマエッチング装置を提供する。これにより、遮蔽部と基板支持部により基板の周縁部を除く領域でのプラズマ生成を防ぎ、誘導結合型プラズマ放電を用いて高密度のプラズマを生じさせて、基板の端部領域のパーチクル及び薄膜を除去することができ、誘導結合型プラズマ放電により基板の端部のエッチング率を高めることができる。さらには、低い工程圧力でエッチング工程のプロファイルを調節することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】基板が載置される基板支持台と、前記エッチング対象となる基板面と隣り合うように配設された電極と、前記基板と隣り合う電極の表面上に形成された誘電膜、及び前記電極と基板支持台との間に電位差を生じさせるための電源手段を備えるプラズマエッチング装置を提供する。このように、基板が載置された基板支持台と基板の端部領域を取り囲む電極との間に電位差を与え、基板と電極との距離を３ｍｍ以下にし、且つ、基板と電極との間の領域において局部的にプラズマを生じさせて、基板の端部領域のパーチクル及び薄膜を除去することができ、しかも、基板の上部中心領域にカーテンの役割を果たすガスを吹き付けて基板と電極との間で生じたプラズマが基板の上部中心領域に流れ込む現象を防ぐことができる。さらには、大気圧近くで且つ常温の状態でプラズマを生じさせることができる。 （もっと読む）

【課題】 下部電極の四辺周囲における等電位面の歪を矯正して、被処理物の四辺周囲におけるプラズマ処理を、中央におけるプラズマ処理と同程度の均一性を以て処理することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置に備わる電界矯正用誘電体１は、対向配置された電極間に高周波電力を印加して反応チャンバ内に処理ガスのプラズマを発生させる反応チャンバ内において、一方の電極である下部電極１８上に配置された枠板２及び枠板２上の壁板３を備えている。電界矯正用誘電体１は、枠板２内において、下部電極１８上に載置された処理基板１２の特に周辺近傍での電界の変化を抑制し、下部電極１８の中央上方と同じ程度に平行な当電位面を形成する。したがって、処理基板１２の周辺部分におけるプラズマ処理速度が処理基板１２の中央部分と比較して不均一になるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 大開口サイズ、大開口率にパターン形成された被処理体に対してエッチングなどのプラズマ処理を行なう場合でも、エッチングむらを生じさせず、均一な処理が可能なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 被処理体を載置する載置台と、該載置台との間にプラズマ処理空間を形成する天井部と、を備えたプラズマ処理装置の処理容器内で被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、表面に開口部による開口パターンが形成され、その開口幅が５００μｍ以上である被処理体を載置台に載置する工程と、載置台と天井部との間隔を２５ｍｍ超６５ｍｍ未満に設定する工程と、処理空間にプラズマを生成し、被処理体をプラズマ処理する工程と、を含むプラズマ処理方法。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて被エッチング層を更に微細なパターンにエッチングすることのできるプラズマエッチング方法、制御プログラム、コンピュータ記憶媒体及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】上層レジスト層１０４をマスクとして、プラズマエッチングを行い、中間層１０３に、側壁面がテーパー状で、上層レジスト層１０４の開口部の寸法より小さい寸法の開口部を形成する。次に、中間層１０３を実質的なマスクとして、プラズマエッチングを行い、下層有機膜層１０２に、上層レジスト層１０４の開口部の寸法より小さい寸法の開口部を形成する。そして、下層有機膜層１０２を実質的なマスクとして、被エッチング層１０１をプラズマエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 温度制御性に優れた冷却構造を有する上部電極を提供する。
【解決手段】 上部電極１１は、サセプタ４に対し平行に対向配備された電極板１３と、この電極板１３の中央上部に当接配備され、内部に伝熱媒体流路１５が形成された温度調節プレート１４と、電極板１３の周辺部に当接配備され、内部に伝熱媒体流路１６を有する温度調節ブロック１７と、を有する。温度調節プレート１４は、電極板１３の中央上部に当接配備されることにより、電極板１３との間で熱交換を行い、伝熱媒体流路１５を流れる冷媒の冷熱を電極板１３に供給して冷却する。 （もっと読む）

プラズマリアクタは、チャンバと、上部電極と、下部電極と、下部電極に隣接し、下部電極をほぼ取り囲む下部接地拡張部と、を含む。上部接地拡張部は、上部電極に隣接し、上部電極にほぼ平行である。上部電極はまた、接地されている。上部接地拡張部は、下部接地拡張部の上方の領域を延伸して、独立して上昇または下降可能である。 （もっと読む）

【課題】 スルーホール挿入型である個別半導体（ＬＥＤ等）のリードフレーム部材のチップ実装部を効率よく洗浄処理する。
【解決手段】 処理室１７内に配置されたプラズマ生成用の下部電極１９に、略平板状のリードフレーム部材を多数、起立保持するための櫛歯形状の溝１９ａを形成し、その溝１９ａの両側部は開口とする。複数の未処理のリードフレーム部材は、処理対象であるチップ実装部が上向きになるように下部電極１９の各溝１９ａ内に起立状態で収容される。処理室１７が閉鎖された状態で、上部電極１８と下部電極１９との間に発生されるプラズマの作用により、多数のリードフレーム部材の実装部は一度に処理される。このため、処理効率が良く装置も小型化できる。 （もっと読む）

【課題】 高周波電源の周波数を増大させた場合においても電界分布を均一にして均一なプラズマを発生し、大きな被処理基板に対しても均一に処理を行うことができるプラズマプロセス装置を提供する。
【解決手段】 被処理基板１２にプラズマ処理を施すプラズマプロセス装置１１は、プラズマ放電発生部１４を備え、そのプラズマ放電発生部１４は、被処理基板１２の被処理面１２ａに対して略平行に設けられる第１電極１７と、被処理面１２ａと第１電極１７との間にＹ方向に延びてストライプ状に設けられる第２電極１８とを含んで構成される。第１電極１７と第２電極１８とは、第１電極１７と第２電極１８との互いに対向する側の面同士で形成される間隔ｄ１が、給電点２８から遠ざかるのにつれて小さくなるように設けられる。 （もっと読む）

【課題】良質のプラズマを均一に供給する。
【解決手段】プラズマ発生空間２２がプラズマ処理空間１３に隣接し且つ連通しているプラズマ発生装置において、プラズマ発生空間２２が線状に形成されており、且つ、プラズマ発生空間２２とプラズマ処理空間１３との連通路１４を延伸させる連通路延伸部材１１０がプラズマ処理空間１３側に付加され、連通路延伸部材が場所によって異なる厚さに調整されている。高密度プラズマ２０が低温プラズマ１０へ送り込まれる量が連通路延長部１１４の長さに応じて調節される。 （もっと読む）

【課題】パターンニング形状を制御でき、かつ、加工精度に優れた加工方法及び装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内に、ガス供給装置２からガスを導入しつつ、ターボ分子ポンプ３により排気を行い、真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、コイル用高周波電源４により高周波電力をコイル６に供給することにより、真空容器１内にプラズマを発生させる。マスク９と基板８の距離を徐々に変化させながらエッチング加工することにより、パターンニング形状を制御することができた。 （もっと読む）

【課題】 チャンバー内部品の腐蝕やダメージを抑制しつつ、クリーニング効率が高く、短時間で確実にクリーニングを行なうことが可能なプラズマクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 プラズマクリーニング方法は、上部電極と下部電極との間隔を第１のギャップに設定し、ガス導入手段からクリーニングガスを導入するとともに、上部電極および／または下部電極に高周波電力を印加してクリーニングガスのプラズマを生成せしめ、処理容器内をクリーニングする第１のステップと、第１のギャップより広い第２のギャップでクリーニングガスのプラズマを生成してプラズマクリーニングを行なう第２のステップと、第２のギャップで、少なくとも、外部で生成したクリーニングガスのプラズマを導入してクリーニングを行なう第３のステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 既存の成膜装置に大きな変更を加えることなく、外部で生成したプラズマを利用して、効率よく、かつ確実に処理容器内のクリーニングを行なうことが可能なプラズマクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 プラズマを利用して成膜装置の処理容器内のクリーニングを行なうプラズマクリーニング方法は、クリーニング時に外部で生成したクリーニングガスのプラズマを、ガス導入部を介して処理容器内に供給するとともに、処理容器内で、ガス導入部を通過することによって失活した状態のクリーニングガスのプラズマを再活性化させる。 （もっと読む）

【課題】レジスト層等の有機マスク層の耐プラズマ性を高く維持して高選択比でエッチングすることができ、また、電極への堆積物の付着を有効に解消することができ、さらにプラズマ密度のコントロールが可能なプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ10に互いに対向して配置される上部電極34およびウエハ支持用の下部電極16を有し、上部電極34に相対的に周波数の高い第１の高周波電力を印加する第１の高周波電源48を接続し、下部電極16に相対的に周波数の低い第２の高周波電力を印加する第２の高周波電源90を接続し、上部電極34に可変直流電源50を接続し、チャンバ10内に処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】 被処理物に静電気が帯電するのを低減することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 電極１の少なくとも一面を誘電体カバー２で被覆する。誘電体カバー２で被覆された面を対向させて複数の電極１、１を対向配置することにより、対向する電極１、１間を放電空間３として形成する。放電空間３内にガスＧを導入すると共に対向する電極１、１間に電圧を印加することにより、大気圧近傍の圧力下で放電空間１、１内にプラズマＰを生成する。このプラズマＰを放電空間３の下側開口から吹き出して被処理物Ｓに供給することにより被処理物Ｓにプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置に関する。各電極１、１の下側に誘電体で被覆された導電体４を設けると共に導電体４、４間に電圧を印加するための導電体印加電源６０を備える。 （もっと読む）