【課題】簡易な配管構成を採用しながら、基板の最外周の特性補正を有効に行うこと。
【解決手段】ガス供給装置６０は、シャワーヘッド１６と、処理ガスをシャワーヘッド１６に向けて供給する処理ガス供給部６６と、処理ガス供給部６６からの処理ガスを流す処理ガス供給流路６４と、処理ガス供給流路６４から分岐してシャワーヘッド１６に処理ガスを供給する分岐流路６４ａ，６４ｂと、付加ガスをシャワーヘッド１６に向けて供給する付加ガス供給部７５と、付加ガス供給部７５からの付加ガスをシャワーヘッド１６に流す付加ガス供給流路７６とを具備し、シャワーヘッド１６は、ウエハＷの配置領域にガスを供給する第１、第２ガス導入部５１，５２と、ウエハＷの外縁よりも外側にガスを供給する第３ガス導入部５３とを有し、分岐流路６４ａ，６４ｂは第１、第２ガス導入部５１，５２に接続され、付加ガス供給流路７６は、第３ガス導入部５３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】処理空間内に発生する磁界における垂直成分を極力小さくして該垂直成分の影響をなくし、これによって処理空間内のプラズマ密度分布を良好に制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１２と、該サセプタ１２と対向して配置された上部電極２３とで処理空間Ｓを形成するプラズマ処理装置１０は、上部電極２３に関して処理空間Ｓとは反対側に配置された磁場形成部を有し、この磁場形成部は、上部電極２３の処理空間Ｓとは反対側の面において平面視で同心円状に配置された一対の環状の磁石列２７ａ及び２７ｂを備えた少なくとも１つの磁力線生成ユニット２７を有し、この磁力線生成ユニット２７の磁石列２７ａ及び２７ｂにおける磁石の軸線によって形成される角度θ１が０°＜θ１≦１８０°である。 （もっと読む）

【課題】製造コストの上昇や基板へのパーティクルの付着を防止するとともに、処理空間におけるプラズマ密度分布の制御幅を大きくすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、サセプタ１２と対向して配置されるシャワーヘッド１３の上面１３ａに配置される８つの磁石列２７ａ〜３０ｂを備え、該磁石列２７ａ〜３０ｂはシャワーヘッド１３の上面１３ａにおいて同心円状に配置されるとともに、隣接する２つの磁石列からなる磁力線生成ユニット２７〜３０に分けられ、磁力線生成ユニット２７〜３０では、ヨーク２７ｃ〜３０ｃが隣接する２つの磁石列の処理空間Ｓ側と反対側の各端部を互いに接続し、各磁力線生成ユニット２７〜３０が独立して処理空間Ｓに対して近接及び離脱自在である。 （もっと読む）

【課題】磁性金属薄膜その他プラズマに対して不安定な薄膜及び基板をエッチングする際に、表面平坦性良くエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】チャンバ２０と、基板Ｗを保持する保持部３０と、処理ガス供給部４０と、高周波電力供給部６０と、保持部３０に保持されている基板Ｗと対向する所定位置Ｐ１に設けられており、基板Ｗの表面に略平行な第１の磁界Ｈ１を印加可能な第１の磁界印加部７０と、第１の磁界印加部７０の基板Ｗ側に設けられており、基板Ｗの表面に略平行な第２の磁界を印加可能な第２の磁界印加部８０と、発生したプラズマが安定するまで、第１の磁界Ｈ１によりプラズマを閉じ込め、発生したプラズマが安定した後、第１の磁界Ｈ１の印加の停止後または停止直前に、第２の磁界を印加することによって、プラズマを基板Ｗ側に移動させ、プラズマを基板Ｗに接触させる、制御部１１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 エンドポイントを検出するための方法及び装置
【解決手段】 本発明は、基板をエッチングすることと、少なくとも１つのエンドポイント信号を測定することと、該少なくとも１つのエンドポイント信号をフィルタリングすることにより少なくとも１つのフィルタリングされたエンドポイント信号を発生させ、該フィルタリングがＳａｖｉｔｓｋｙ Ｇｏｌａｙフィルタ（１２）を該少なくとも１つのエンドポイント信号に適用することを備えることと、該エッチ処理のエンドポイントを該少なくとも１つのフィルタリングされたエンドポイント信号から決定する（１４）こととを備える、プラズマ処理システム（１）内の基板をエッチングするための、エッチ処理のエンドポイントを検出するための方法を提示する。 （もっと読む）

【課題】エッチングの均一性を得るためにウエハ面に対する磁界の方向（ウエハのエッチング面近傍での磁界の方向）を制御できるマグネトロンプラズマ磁場発生装置を提供すること。
【解決手段】複数の柱状のセグメント磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石を具えたマグネトロンプラズマ用磁場発生装置において、ダイポールリング磁石の磁界方向を制御するための磁界方向制御手段を具え、この磁界方向制御手段は、例えば、ディスク状磁石であってこの磁石はその主面の夫々に２極を持つように磁化され、前記主面はダイポールリング磁石の中心軸に直角の面内にあるように配置され、前記ディスク状磁石はダイポールリング磁石の上端近傍に置かれている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理プロセスの種類に応じて適切なマルチポール磁場の状態を容易に制御、設定することができ、良好な処理を容易に行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】磁場形成機構が、上下に分離して設けられた上側磁場形成機構２２ａと下側磁場形成機構２２ｂとから構成され、これらの上側磁場形成機構と下側磁場形成機構を、互いに近接、離間するよう上下方向に移動可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】周方向全体に渡ってカスプ磁場によるプラズマの閉じこめ効果を高めることでプラズマ処理の均一性を高める。
【解決手段】減圧された処理室内に処理ガスのプラズマを生成することにより基板に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置であって，処理室の周囲に沿って上下に離間して設けられた２つのマグネットリング２１０，２２０を有し，各マグネットリングは内周面にその周方向に沿って２個ずつ交互に極性が逆になる順序で同じように配列された多数のセグメント２１２，２２２を有する磁場形成部２００を備え，磁場形成部は，下部マグネットリング２２０を上部マグネットリング２１０に対して周方向にずらして配置することで上下の磁極配置をずらしたものである。 （もっと読む）

【課題】基板から残留物を除去する装置および方法を提供する。
【解決手段】基板から残留物を除去する方法を開示する。この方法においては、まず、誘電体層と、パターンが形成され該誘電体層を覆うマスク層とを有する基板がプラズマ処理システムに配置される。ここで、マスク層にはパターンが形成されており、このパターンを誘電体層に転写するのに使用されるエッチング処理の結果として、このパターンに対応した幾何形状が誘電体層に形成される。この幾何形状は、エッチング処理に起因する第１の粗さを有する側壁を含んでいる。二酸化炭素および一酸化炭素を含む処理ガスがプラズマ処理システムへ導入され、処理ガスからプラズマが生成される。基板からマスク層が除去され、二酸化炭素の流量に対する一酸化炭素の流量の比を選択することにより、第１の粗さよりも小さい第２の粗さが生成される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の製造コストの増大を招くことなく、従来に比べてプラズマ処理における処理状態の制御の多様化を図るとのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】ダイポールリング磁石は、上下に分割されて設けられた上側ダイポールリング磁石と、この上側ダイポールリング磁石の下側に配置された下側ダイポールリング磁石を具備し、上側ダイポールリング磁石の磁極の方向と下側ダイポールリング磁石の磁極の方向を、所望角度ずらした位置に設定可能とされているプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】 高性能な可変磁場ダイポールリング磁気回路を提供するものである。
【解決手段】 中心軸を共有する内周側および外周側ダイポールリングと、両ダイポールリングを囲むヨークとを備え、上記内周側ダイポールリングの内部空間に一方向の可変磁場を発生させる永久磁石式磁界発生装置であって、上記内周側ダイポールリングを固定する固定手段と、上記中心軸を回転中心軸として上記外周側ダイポールリングを回転可能にする回転手段とを備え、上記内周側および外周側ダイポールリングの各々が、環状に配置された複数の永久磁石を備え、各永久磁石の着磁方向が環の半周で１回転可能に配列されている永久磁石式磁界発生装置等を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣＰ源プラズマ処理装置において、プラズマの均一性および着火性を改善する。
【解決手段】真空処理室１、絶縁体からなりドーム状の真空容器蓋１２、ガス導入口３、真空処理室１の外部上方に設けた高周波誘導アンテナ（アンテナ）７、真空処理室１内に磁場を形成する磁場コイル８１、８２、磁場の分布を制御するヨーク８３、アンテナ７に高周波電流を供給するプラズマ生成用高周波電源５１、前記磁場コイルに電力を供給する電源とを備え、アンテナ７をｎ個の高周波誘導アンテナ要素７−１（図示せず）、７−２、７−３（図示せず）、７−４に分割し、分割されたアンテナ要素を一つの円周上に縦列に並べ、縦列に配置された各アンテナ要素に遅延手段７−２〜７−４を介して順次高周波電源の波長λ／ｎずつ遅延させた高周波電流を右回りに順に遅れて流れるようにするとともに、前記磁場コイルより磁場を印加してＥＣＲ現象を発生させるプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】１つの処理チャンバ内で複数のプラズマエッチング工程を順次連続的に行うマルチステップのプラズマエッチングにおいて、一旦プラズマを消した後の次のステップにおけるプラズマの着火性を向上させることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】マルチステップのプラズマエッチングの工程において、プラズマを消す際は、まず、周波数の低い高周波電力（ＬＦ）をオフとするとともに、周波数の高い高周波電力（ＨＦ）を処理中に比べて所定の電力例えば３００Ｗまで低下させ、この状態（プラズマが着いた状態）を所定時間（例えば、０．５秒）維持した後、周波数の高い高周波電力（ＨＦ）オフとしてプラズマを消す。これによって、次のステップでプラズマを着火する際のプラズマの着火性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 ワークピースの表面の上に一様なイオン流束の瞬間分布を生成する。具体的には、我々の発明において磁気励起は、新規な磁界パターンを生成するマグネットによってなされる。ワークピースに平行且つこれに隣接する領域内では、その地点における磁界の方向が、（１）その点における磁界の大きさの勾配と（２）ワークピース面から垂直にプラズマの方へ延びるベクトルとのベクトル外積となるように、瞬間磁界の大きさと方向が関連している。
【解決手段】 磁気励起は、新規な磁界パターンを生成するマグネットによってなされる。ワークピースに平行且つこれに隣接する領域内では、その地点における磁界の方向が、（１）その点における磁界の大きさの勾配と（２）ワークピース面から垂直にプラズマの方へ延びるベクトルとのベクトル外積となるように、瞬間磁界の大きさと方向が関連している。 （もっと読む）

【解決手段】本装置および方法は、処理対象のエッジエンビロン領域を処理する際に、基板の中央の処理除外領域を保護する。望ましくない材料の除去は、エッジエンビロン領域からのみ行われ、中央デバイス領域は損傷しないよう保護される。場の強度は、処理チャンバ内でプラズマからの荷電粒子から中央領域を保護すると共に、エッジエンビロン領域からのみ望ましくない材料を除去することを支援するよう構成される。磁場が、中央領域およびエッジエンビロン領域の間の境界に近接する位置にピーク値を有するよう構成される。強い場の勾配が、境界かつ中央領域から半径方向に向かって離れるようにピークから延びて、中央領域から荷電粒子を反発させる。場の強度および位置は、磁石部を軸方向に相対移動させることにより調整可能であり、所望の保護を行うよう、磁場を方向変更するために、磁束板が構成される。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用し、基板を処理する装置に関する。
【解決手段】プラズマの特性を向上させるため磁気場を形成する磁石のユニットを提供する。ハウジングの側部の内、上部の領域には、第１磁石ユニットが、又、下部の領域には、第２磁石ユニットが提供される。各々の磁石ユニットは、複数の電磁石を有する。電磁石は、磁石ユニットが上部から見る際、正多角型の形状を有するように配置される。下部に配置される磁石ユニットは、上部に配置される磁石ユニットとの整列位置から、その中心軸を基準として一定角度回転された状態に配置される。上述した構造によって、ハウジング内のプラズマ密度の均一度が向上され、特に隣接する電磁石の間の領域でプラズマ均一度が低下することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】大面積において均一な高密度プラズマを励起し、原料ガス供給の均一化および反応副生成物ガスの高速除去ができるプラズマ装置を提供する。
【解決手段】４４０６は真空容器、４４０７は電極Ｉ、４４０８は基体、４４１０はシャワープレート、４４１１は電極ＩＩ、４４１２はガス導入口、４４１３は磁場の印加ロ手段、４４１４は真空ポンプ。磁場の印加手段４４１３として、複数の永久磁石を環状に並べたダイポールリングマグネットが用いられている。ガス導入口４４１２から導入されたガスは、シャワープレート４４１０の多数の小孔からプロセス空間に放出される。この導入ガス、及び基体表面から放出された反応生成ガスは、基体側部の磁場の印加手段４４１３ａ及び４４１３ｂに挟まれた空間を通り、複数の真空ポンプ４４１４から外部へ排気される。真空ポンプ４４１４の上部には、ガスのコンダクタンスを低下させないよう比較的広い空間が設けてある。 （もっと読む）

【課題】プラズマ源の大型化に伴うプラズマ密度分布の不均一性を改善し、基板の全面にわたって均一なプラズマ処理を実現することができるプラズマ形成方法を提供する。
【解決手段】高周波コイル２３の中心軸２３Ｘに対して磁気コイル２４の中心軸２４Ｘを相対移動させることによって、高周波電力の高密度領域においては電場と磁場との結合を弱めてプラズマ密度の低下を図る一方、高周波電力の低密度領域においては電場と磁場との結合を強めてプラズマ密度の向上を図る。これにより、高周波コイル２３上に形成される高周波電力の定在波を原因とするプラズマ密度分布の不均一性が改善され、基板の全面にわたって均一なプラズマ処理が実現可能となる。 （もっと読む）

下地の薄膜をエッチングする前にマスク層を前処理する方法が記載されている。たとえば誘電体膜のような薄膜が、弾道電子ビームによって改善されるプラズマを用いてエッチングされる。パターン画定の損失-たとえばライン端部の粗さ効果-を減少させるため、前記マスク層は、前記エッチング処理を進める前に、酸素含有プラズマ、若しくはハロゲンガス含有プラズマ、若しくは希ガス含有プラズマ、又はこれらの2種類以上の混合プラズマによって処理される。
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弾道電子ビーム(135)を用いて基板を処理する方法及びシステムが記載されている。ビーム源の高周波(RF)出力を変調することによって、電子ビーム束の半径方向の均一性が調節される。たとえば、前記基板(125)の支持が可能な下部電極(120)と結合する第1RF出力、前記下部電極に対向する上部電極(172)と結合する第2RF出力、及び、前記弾道電子ビームを生成するため前記上部電極と結合する負の高電圧直流(DC)出力(150)を有するプラズマ処理システムが記載されている。前記第2RF出力の振幅は、前記弾道電子ビーム束の均一性の変化に影響を及ぼすように変調される。
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