【課題】
ウエハの基板電極への吸着に対して、信頼性の高いプラズマ処理方法および装置を提供することにある。
【解決手段】
真空処理室と、被処理材を吸着するための静電吸着膜を有する基板電極と、基板電極に接続された静電吸着用直流電源および基板バイアス高周波電源と、真空処理室内にプラズマを生成させるためのプラズマ生成手段からなるプラズマ処理装置を用いた被処理材のプラズマ処理方法において、基板電極に印加されている高周波電圧Ｖppをモニターし、モニターされたＶpp信号を元に静電吸着用直流電源の出力電圧を制御することによって、静電吸着膜にかかる電圧を所望の値に保つとともに、基板バイアス高周波電源の出力を時間的にランプ状に制御する。 （もっと読む）

【課題】高周波電力及び直流電圧を同一又は別個の電極に印加して基板を処理する際に、処理容器内のプラズマを安定化し、基板を安定してプラズマ処理する。
【解決手段】プラズマ処理装置１が、電極５、６の少なくともいずれかに高周波電力を印加する高周波電源１６と、電極５、６の少なくともいずれかに直流電圧を印加する直流電源２２と、高周波電力が印加された電極５及び高周波電源１６の間に設けた整合器１５と、高周波電源１６によって電極５に高周波電力が印加された状態において、直流電源２２による電極５への直流電圧の印加が開始又は終了されるタイミングで、電極に印加された高周波電力を予め調整するように高周波電源１６を制御する制御装置２５を有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】大口径ウエハーに対しても均一なプラズマ処理を行うことができ、かつＩＣＰコイルが配設される天板の内壁面への反応生成物の付着を防止し、パーティクルの発生を防止できるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】ＩＣＰコイルを構成する複数のコイル３１、３２、３３が、ウエハー２１加工面と対向する位置に設けられたチャンバー１１の天板３０に配設されている。複数のコイル３１、３２、３３の間には、隣接するコイル間で各コイルが生成する電磁界の相互干渉を軽減する空間３７、３８、３９が設けられている。空間３７、３８、３９に対応する天板３０の外壁には、天板３０を介してチャンバー１１内のプラズマと容量結合するファラデーシールド電極１４、１５、１６が配置されている。 （もっと読む）

下地の薄膜をエッチングする前にマスク層を前処理する方法が記載されている。たとえば誘電体膜のような薄膜が、弾道電子ビームによって改善されるプラズマを用いてエッチングされる。パターン画定の損失-たとえばライン端部の粗さ効果-を減少させるため、前記マスク層は、前記エッチング処理を進める前に、酸素含有プラズマ、若しくはハロゲンガス含有プラズマ、若しくは希ガス含有プラズマ、又はこれらの2種類以上の混合プラズマによって処理される。
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【課題】板状試料の表面におけるプラズマ分布に乱れ等の影響が生じる虞が無く、プラズマ密度を均一化することができ、その結果、板状試料の全面に亘って均一なプラズマ処理を施すことができる静電チャック装置を提供する。
【解決手段】本発明の静電チャック装置は、表面を板状試料を載置する載置面とするとともに静電吸着用内部電極２５を内蔵した基体と、この静電吸着用内部電極２５に直流電圧を印加する給電用端子とを備えた静電チャック部と、この静電チャック部に固定されて一体化され、高周波発生用電極となる金属ベース部とを備え、静電吸着用内部電極２５は１つ以上の電極部２９からなり、この電極部２９の内部における２点間の距離のうち、基体の中心軸Ａに最も近い点２９ａと、この中心軸Ａに最も遠い点２９ｂとを結ぶ最短距離Ｌにおける抵抗値が１０^２Ω以上かつ１０^１０Ω以下である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置に適用した場合に、プラズマ中の電界強度の面内均一性が向上し、板状試料に対して面内均一性の高いプラズマ処理を行うことができる静電チャック装置を提供する。
【解決手段】本発明の静電チャック装置２１は、上面３１ａが板状試料Ｗを載置する載置面とされた載置板３１と支持板３２と静電吸着用内部電極２５と絶縁部材３３とにより構成された静電チャック部２２と、金属ベース部２３と、誘電体板２４とにより構成され、金属ベース部２３の凹部３４内には、誘電率が誘電体板２４及び基体２６のいずれよりも小さい絶縁性の接着・接合剤層３５を介して誘電体板２４が接着・固定され、この誘電体板２４と静電チャック部２２の支持板３２も、この絶縁性の接着・接合剤層３５を介して接着・接合されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置に適用した場合に、プラズマ中の電界強度の面内均一性が向上し、板状試料に対して面内均一性の高いプラズマ処理を行うことができる静電チャック装置を提供する。
【解決手段】本発明の静電チャック装置２１は、上面３１ａが板状試料Ｗを載置する載置面とされた載置板３１と支持板３２と静電吸着用内部電極２５と絶縁部材３３とにより構成された静電チャック部２２と、金属ベース部２３と、誘電体板２４とにより構成され、金属ベース部２３の凹部３４内には、体積固有抵抗が１．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の導電性の接着・接合剤層３５を介して誘電体板２４が接着・固定され、この誘電体板２４と静電チャック部２２の支持板３２とは、絶縁性の接着・接合剤層３６を介して接着・接合されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内の温度分布を高精度制御することができ、また制御できるウエハ温度
の範囲を広くすることができるプラズマ処理装置および処理方法を供給する。
【解決手段】被処理材と電極表面との間の伝熱用ガスを独立して供給または排気する手段
を複数設け、伝熱用ガス圧の面内分布を制御するとともに、複数の独立した領域となるよ
うに静電吸着用電極を電極表面に埋め込み、各領域に印加する直流電圧をそれぞれ制御し
、ウエハ面内の温度分布を制御する。 （もっと読む）

【課題】平行平板型エッチング装置の下部電極に印加するＲＦ電源から基板加熱ヒータを通じてＲＦ接地部に流れるＲＦ電流をブロックするＲＦブロックフィルタを提供する。
【解決手段】ＲＦブロックフィルタ４２，４６は、二相ＡＣ電力供給部４０，４４を、抵抗性加熱要素にリアクタンス結合されたＨＦ周波数の少なくとも２ｋＶｐ−ｐの電力から分離すると共に、二相ＡＣ電力供給部４０，４４からの６０Ｈｚの数ｋＷのＡＣ電力をオーバーヒートなしに抵抗性加熱要素に導き、二相ＡＣ電力供給部は１対のターミナルを有し、前記抵抗性加熱要素は１対のターミナルを有する。フィルタは、１対の円筒状非伝導性エンベロープと、対の円筒状エンベロープの各々内で同軸的に重ねられた約１０のオーダーの透磁率の複数の溶融鉄粉トロイドを備え、トロイドの外径は前記エンベロープの各々の内径とほぼ同一である。 （もっと読む）

【課題】酸化膜に微細かつ高アスペクト比のホールをエッチングする際に、良好なエッチング選択性および形状性を両立することができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１０内にエッチング対象の酸化膜、ハードマスク層、パターン化されたフォトレジストが順次形成された基板を搬入し、前記下部電極に載置する工程と、処理容器１０内にＣ_ｘＦ_ｙ（ｘは３以下の整数、ｙは８以下の整数）、Ｃ_４Ｆ_８、希ガス、Ｏ_２を含む処理ガスを供給する工程と、上部電極３４に第１の高周波印加手段４８から高周波電力を印加して処理ガスのプラズマを生成する工程と、下部電極１６に第２の高周波電力印加手段９０からバイアス用の高周波電力を印加する工程と、上部電極３４に直流電圧印加手段５０から直流電圧を印加する工程とを有する。 （もっと読む）

弾道電子ビーム(135)を用いて基板を処理する方法及びシステムが記載されている。ビーム源の高周波(RF)出力を変調することによって、電子ビーム束の半径方向の均一性が調節される。たとえば、前記基板(125)の支持が可能な下部電極(120)と結合する第1RF出力、前記下部電極に対向する上部電極(172)と結合する第2RF出力、及び、前記弾道電子ビームを生成するため前記上部電極と結合する負の高電圧直流(DC)出力(150)を有するプラズマ処理システムが記載されている。前記第2RF出力の振幅は、前記弾道電子ビーム束の均一性の変化に影響を及ぼすように変調される。
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【課題】所定のエッチング条件がエッチング開口性が低くなるようなものである場合であっても、良好な開口性および選択性を両立することができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１０内にエッチング対象の酸化膜、パターン化されたフォトレジストが順次形成された半導体ウエハＷを搬入し、下部電極１６に載置し、処理容器１０内に処理ガスとしてＣ_ｘＦ_ｙ、希ガス、Ｏ_２を含むものを供給し、上部電極３４にプラズマ生成用の高周波を印加し、下部電極１６にバイアス用の高周波を印加し、処理ガスのプラズマを生成して酸化膜をエッチングするにあたり、ウエハ温度やパターン形状等のエッチング条件が、エッチング開口性が低くなるようなものである場合に、上部電極３４に、良好なエッチング開口性が得られるように所定の直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理精度を向上させるとともに、電極の低コスト化および長寿命化を図り、基板の処理面積の大型化にも対応する。
【解決手段】内部を０．００１気圧以上１気圧未満に保持可能な処理容器１１と、この処理容器１１内に配置される導電性の基板Ｗに３ｅＶ以上の仕事エネルギを有する紫外線Ｌを照射する光源１２と、基板Ｗと光源１２との間に基板Ｗに対向して配置されてこの基板Ｗを負にバイアスさせる電極１３と、処理容器１１内にプロセスガスＧを供給する導入口１４とが備えられ、処理容器１１内に配置された基板Ｗに、負のバイアス電圧を印加しつつ紫外線Ｌを照射するとともに、導入口１４から処理容器１１内にプロセスガスＧを供給することにより基板Ｗを処理する基板の処理装置１０であって、電極１３は、板厚が０．１ｍｍ以上とされた平板の表面に多数の貫通孔が形成されて、その開口率が５０％以上９５以下％とされている。 （もっと読む）

【課題】有効な磁場の分布を変えることによって膜の堆積／エッチング特性を変えるための磁気フィルタ装置を備えたプラズマ・システムを提供すること。
【解決手段】磁気フィルタ装置が磁石または磁石群とターゲット（通常では半導体ウェハ）の間に配置され、望ましい処理結果を得るために磁場を変えるために選択され、構成される。堆積ごとに、この磁気フィルタはより均一な堆積を供給するように、後に続くエッチングまたは研磨処理におけるウェハのエッジでの増大したエッチング速度を補償するためにウェハのエッジまたは隣接部で増大した堆積速度を供給するように選択される。アニール処理とドーピングに関して、磁場はウェハ全域にわたってより均一で同等のアニール処理またはドーピングを供給するように変える。様々な応用が開示される。 （もっと読む）

【課題】電気的に絶縁されている電極からポリマーを除去することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、処理空間Ｓを有する基板処理室１１と、該基板処理室１１内に配置され且つ高周波電源２０等が接続されたサセプタ１２と、処理空間Ｓに露出する下面を有し且つ基板処理室１１の壁部やサセプタ１２から電気的に絶縁されている上部電極板３８と、該上部電極板３８に接続された直流電源４９と、制御部５２とを備え、該制御部５２は実行するＲＩＥ処理の処理条件に応じて上部電極板３８に印加する負の直流電圧の値を決定する。 （もっと読む）

【課題】温度変化による電極板の抵抗率の変化を抑えることでプラズマの電子密度のドリフトを抑制し、これにより基板間の処理のばらつきを低減することのできるプラズマ処理用の電極板及びプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理される基板に対向して設けられるプラズマ処理装置用の電極板において、その抵抗率が０．０１ｍΩｃｍ〜２Ωｃｍであるように構成する。また基板が載置される下部電極をその内部に備えた処理容器と、前記下部電極に接続されたプラズマ発生用の高周波電源と、前記下部電極に対向し、処理雰囲気に接するように設けられた抵抗率が０．０１ｍΩｃｍ〜２Ωｃｍである電極板を備えた上部電極と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、処理容器内を真空排気する排気手段と、を備えるようにプラズマ処理装置を構成してプラズマの電子密度のドリフトを抑える。 （もっと読む）

【課題】異常放電の発生及び金属汚染の発生を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、チャンバ１１の側壁４２において、サセプタ１２及びガス導入シャワーヘッド３４の間の処理空間Ｓに対向する側壁部品としてのデポシールド４３を備え、デポシールド４３は、上部電極層４４と、下部電極層４５と、上部電極層４４及び下部電極層４５を包むように成形されたイットリアからなる絶縁部４６と、上部電極層４４に接続された上部直流電源４７と、下部電極層４５に接続された下部直流電源４８とを有し、絶縁部４６はイットリアの溶射によって形成される。 （もっと読む）

【課題】容量結合型の片側電極（特に下部電極）に周波数の異なる２つの高周波を印加する方式において両高周波のそれぞれの作用または働きを同時に最適化できるようにする。
【解決手段】下部電極と基板保持台を兼ねるサセプタ１４は、上下に２分割された上部サセプタ電極１６および下部サセプタ電極１８を有している。第１高周波電源２２より出力されるたとえば２ＭＨｚの第１高周波は、整合器２４、給電棒２６および円筒給電体２０を通って上部サセプタ電極１６に供給され、上部サセプタ電極１６の主面（上面）より上方のプラズマ空間ＰＳに向けて放出される。第２高周波電源３４より出力されるたとえば４０ＭＨｚの第２高周波は、整合器３６および給電棒３８を通って下部サセプタ電極１８に供給され、下部サセプタ電極１８の主面（上面）より上方のプラズマ空間ＰＳに向けて放出される。 （もっと読む）

【課題】誘電体の表面に形成される凹凸の形状および配置を最適化すること。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００は，導波管２２にマイクロ波を伝播させ，Ｔ字型のスロット２３ａから漏れ出したマイクロ波を誘電体２４に透過させ，マイクロ波の電界エネルギーにより処理ガスをプラズマ化させて，基板Ｗをプラズマ処理する。マイクロ波を透過させる誘電体２４には，処理容器１０の天上部に露出した表面にて一定のピッチでシリンダ形状の凹部２４ａが周期的に形成される。発明者らがシミュレーションした結果，電界の広がりを効果的に抑制するためには，ピッチを３０×ε^１／２以下にすればよいことがわかった。すなわち，上記ピッチで凹部２４ａを誘電体２４の下面に設けることにより，定在波の電界のバラツキを抑止して，プラズマをより均一に生成させることができる。 （もっと読む）

【課題】被エッチング基板を静電チャックから取り出して搬送工程に移る前に被エッチング基板に対する残留吸着を除去し、被エッチング基板の破損を防止するドライエッチング方法およびその装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】被エッチング基板１の端部を微小突出させ、被エッチング基板１の一部を浮かせてプラズマ処理を行うため、残留電荷が除去され、被エッチング基板１の残留吸着力を低減させる構成とする。 （もっと読む）