【課題】接地電極の絶縁性膜を除去することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、処理空間Ｓを有する基板処理室１１と、処理空間Ｓに直流電圧を印加する上部電極板３９と、処理空間Ｓに４０ＭＨｚの高周波電力を印加するサセプタ１２の導電体部２９及びフォーカスリング２６と、該フォーカスリング２６に隣接するように配置される接地電位のシリコン電極２７と、フォーカスリング２６及びシリコン電極２７の間に配置されるインシュレーターリング２８とを備え、シリコン電極２７及びフォーカスリング２６の間の距離は０．５ｍｍ乃至１０ｍｍのいずれか、好ましくは０．５ｍｍ乃至５ｍｍのいずれかに設定される。 （もっと読む）

【課題】被エッチング基板を静電チャックから取り出して搬送工程に移る前に被エッチング基板に対する残留吸着を除去し、被エッチング基板の破損を防止するドライエッチング方法およびその装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】被エッチング基板１の端部を微小突出させ、被エッチング基板１の一部を浮かせてプラズマ処理を行うため、残留電荷が除去され、被エッチング基板１の残留吸着力を低減させる構成とする。 （もっと読む）

プラズマエッチング方法は、重合エッチングプロセスガスを用いて、ワークピース上のフォトレジストマスクにプラズマエッチング工程を実施するものであり、重合エッチングプロセスガスは、エッチング工程中に該フォトレジストマスクの表面に保護ポリマー層として堆積するプラズマ重合種を生成するものであり、エッチング工程後及びフォトレジストマスク除去前に、（ａ）ＲＦプラズマソース電力をチャンバに結合し、一方で、ＲＦプラズマバイアス電力をチャンバに実質的に結合しないことにより、ポリマー材料を含む種類の残渣を、該チャンバの天井を含むチャンバ表面から除去し、該残渣がチャンバ表面から除去されるまで、水素含有ガスをチャンバに導入し、（ｂ）ＲＦプラズマバイアス電力をチャンバに結合し、一方で、ＲＦプラズマソース電力をチャンバに実質的に結合しないことにより、保護ポリマー層を、フォトレジストマスクの表面から除去し、ポリマー層が、フォトレジストマスクの表面から除去されるまで、酸素及び一酸化炭素を含むプロセスガスをチャンバに導入する工程と含む。
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【課題】プラズマの排気空間へのリークを防止することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は基板処理室１１を備え、該基板処理室１１は、プラズマが発生する処理空間ＰＳと、該処理空間ＰＳのガス等を排気するための排気空間ＥＳと、処理空間ＰＳ及び排気空間ＥＳを連通させる排気流路１６と、処理空間ＰＳに高周波電力を印加するサセプタ１２と、処理空間ＰＳに直流電圧を印加する上部電極板３７と、排気流路１６に配置されている接地リング４４とを有し、該接地リング４４は電気的に接地され、且つシリコンから成る導電部４５及び該導電部４５の表面を部分的に覆う絶縁膜４６を有し、導電部４５の排気流路１６に対する暴露面積は１００ｃｍ^２乃至１０００ｃｍ^２のいずれかに設定される。 （もっと読む）

デュアルダマシン構造においてＢＡＲＣ層を２工程エッチングするための方法を提供する。一実施形態において、本方法は、基板上に配置されたＢＡＲＣ層で充填されたビアを有する基板をエッチングリアクタ内に配置し、第１ガス混合物をリアクタに供給してビアを充填しているＢＡＲＣ層の第１部位をエッチングし、ＮＨ_３ガスを含む第２ガス混合物をリアクタに供給してビア内のＢＡＲＣ層の第２部位をエッチングすることを含む。
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【課題】高周波パワーに拘わらず、基板に直接または基板上に形成された膜に対して面内均一性良くトレンチのエッチングを行うことができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】基板または基板上に形成された層間絶縁膜等の膜にトレンチを形成するにあたり、第１電極および第２電極が上下に対向して設けられた処理容器内に、トレンチが形成されるべき基板を配置させ、処理容器内にエッチングのための処理ガスを導入し、第１電極および第２電極のいずれかに高周波電力を印加してプラズマを生成させ、いずれかの電極に直流電圧を印加してプラズマエッチングによりトレンチを形成する。 （もっと読む）

【課題】電極温度制御の能力増大と静電吸着力の全面均一性の確保が可能な、ヒータを用いた温度制御型の試料載置電極を提供する。
【解決手段】処理室内に設けられ被処理基板０１１２が配置される試料載置電極０１１３であって、試料載置面を有する誘電体膜０１２２と、誘電体膜０１２２を挟んで試料載置面と相対応するように設けられ、静電吸着用電極とヒータ電極とを兼ねる実質的に同じ高さの層からなる電極薄膜０１２３と、電極薄膜０１２３にヒータ用の交流電力０１１８と静電吸着用の直流電力０１１７とを同時に供給し得る電源装置とを備えた。 （もっと読む）

【課題】被処理基板上の有機膜またはアモルファスカーボン膜を、シリコンを含むマスクを用いてエッチングする際に、高エッチングレートでかつ高選択比でエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０内のウエハ支持用の下部電極１６に、第１の高周波電源８９からの相対的に周波数の高い第１の高周波電力と、第２の高周波電源９０からの相対的に周波数の低い第２の高周波電力とを印加し、下部電極１６と対向して配置される上部電極３４に可変直流電源５０からの直流電圧を印加し、チャンバ１０内にＣＦ系ガスを含まない処理ガスを供給してプラズマ化し、被処理基板上の有機膜またはアモルファスカーボン膜を、シリコンを含むマスクを用いてプラズマエッチングする。 （もっと読む）

【課題】各種のラジカルを選択的発生し、それらの濃度を制御できるようにすること。
【解決手段】第１平板１１には多数の第１貫通孔３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、第２平板１２には多数の第２貫通孔３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、第３平板１３には、多数の第３貫通孔３３ａ、３３ｂ、３３ｃが形成されている。第１貫通孔３１ａ、３１ｂ、３１ｃの内周面には、リング状の陽電極４１ａ、４１ｂ、４１ｃが、第２貫通孔３２ａ、３２ｂ、３２ｃの内周面には、リング状の陰電極４２ａ、４２ｂ、４２ｃが、第３貫通孔３３ａ、３３ｂ、３３ｃの内周面には、リング状の中性化電極４３ａ、４３ｂ、４３ｃが、それぞれ、配設されている。また、第１平板１１の陽電極４１ａ、４１ｂ、４１ｃの端面と接触して配線層５１ａ、５１ｂ、５１ｃが形成されいる。この配線層は、第１平板１１の側面に引き出されており、その端子から電圧が、それぞれに、独立して印加できるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜内部に設置される電極が２つ以上ある試料台において、より効果的に短時間で除電して処理の効率が向上したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】誘電体製の膜内に配置され試料をこの誘電体膜上に静電気により吸着するために各々電圧が印加されて２つの電極と、試料台の内側に配置された電極に高周波電力を供給する高周波電源とを備え、試料台に前記高周波電力を印加しつつ２つの電極の各々に電圧を印加して一方に正、他方に負の極性を形成して試料を試料台上に保持しつつこの試料台の上方の処理室内に形成したプラズマ用いて処理するプラズマ処理装置において、２つの電極の面積が略同一であって、この試料の処理後に２つの電極の各々に一方を負、他方を正の極性を形成する電力が印加され、一方を負にするための電力が他方を正にするための電力より大きい。 （もっと読む）

【課題】プラズマで処理中のウエハの温度分布を応答性良く変化させることが出来るヒ−タ内臓の静電吸着装置を低コストで提供し、なおかつエッチング条件毎にウエハ面内のＣＤのバラツキを抑え均一なエッチングを実現する静電吸着装置を提供する。
【解決手段】静電吸着装置の基材に溶射法によりセラミックス製の膜２１を形成し、セラミックス製の膜表面に溶射法により静電吸着のための電極膜３３，３４を形成し、なおかつ溶射法によりリング状のヒ−タ膜２２を電極膜３４の半径方向の間に形成し、前記セラミックス製の膜２１、電極膜３３，３４及びヒ−タ膜２２の上面に溶射法によりセラミックス製の膜２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 静電吸着で基板の保持を行って処理した後に，基板の脱離を容易に行うことを可能とするプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 被処理基板１０３をプラズマ処理するための処理室１０１と、該処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段１０５〜１０８と、処理室１０１内に設けられ被処理基板１０３を保持する静電チャックを備えたウエハステージ１０２を具備したプラズマ処理装置において、静電吸着のための電源１１２，静電チャック１０２，基板１０３，プラズマ１０９，アースライン１１３で形成される回路に流れるリーク電流値の検知手段１１４を備え，電流値で吸着条件を設定し，設定した電流値に達するよう印加電圧を制御する手段１１５を備える。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ縁部のエッチング均一性をも向上できるとともに、ウエハの端面及び裏面のエッチングを防止できるドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】 ウエハ７が載置される下部電極３と、下部電極３との間にプラズマを発生させるための上部電極４とを備えたドライエッチング装置において、下部電極３は内側印加部３ａと外側印加部３ｂとに分割されて互いに電気的に絶縁され、少なくとも下部電極３の外周を囲んで配置された絶縁リング９と、絶縁リング９の外周側に配置された周辺部電極１３と、上部電極４に高周波電力を印加する高周波電源１１と、下部電極３の内側印加部３ａと外側印加部３ｂにそれぞれ高周波電力を印加する高周波電源１０ａ，１０ｂと、周辺部電極１３に高周波電力を印加する高周波電源１４とを有した構造とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の面内均一性が高く、かつチャージアップダメージが生じ難い容量結合容量結合型のプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】真空雰囲気に保持されるチャンバー１と、チャンバー１内に互いに平行に配置された第１および第２の電極２，１８と、第１および第２の電極２，１８の間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構１０とを有する容量結合型のプラズマ処理装置１００において、第２の電極１８は、その少なくとも第１の電極２との対向部分が、導体からなりフローティング状態かまたは接地されている第１の分割片１８ｃ_１および第２の分割片１８ｃ_２に分割されており、第１の分割片１８ｃ_１および第２の分割片１８ｃ_２の間に電圧を印加する可変直流電源をさらに有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの状態によらず、プラズマの均一性を容易に確保することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】上部電極34および下部電極16との間に処理ガスのプラズマを生成してウエハＷにプラズマエッチングを施すプラズマエッチング装置であって、上部電極34には高周波電源48および可変直流電源50が接続され、上部電極34は外側部分36aと内側部分36bとを有し、高周波電源48からの高周波電流は外側部分36aおよび内側部分36bの両方に流れ、可変直流電源50からの直流電流は、内側部分36aには流れ、外側部分36bには実質的に流れないように構成されている。 （もっと読む）

【課題】プロセス中の吸着力の維持と、プロセス後の残留吸着力の低減との間のトレードオフを解決すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、（Ａ）ウエーハ３を静電チャック３０の試料台１に載置する工程と、（Ｂ）試料台１に直流電圧を印加する工程と、（Ｃ）複数のステップにおいてウエーハ３にプラズマ５を照射する工程とを備える。その直流電圧の極性は、複数のステップのステップ間において反転する。 （もっと読む）

【課題】オーバーヘッドコイルを用いたプラズマ分布の制御によりウエハーまたは加工物表面の均一性改善できるプラズマ反応器とプラズマ分布の制御方法を提供する。
【解決手段】加工物１１０を処理するプラズマ反応器は、側壁およびシーリングによって画定される真空チャンバと、チャンバ内に加工物支持表面を有し、シーリングに面し、カソード電極を含む加工物支持用ペデスタルを含む。ＲＦパワー発生器がカソード電極に結合されている。プラズマ分布は、加工物支持表面の上にある第１の平面内の外部環状内側電磁石６０と、加工物支持表面の上にある第２の平面内の、内側電磁石よりも大きな直径を有する外部環状外側電磁石６５と、加工物支持表面の下にある第３の平面内の外部環状底部磁石４０１とによって制御される。ＤＣ電流供給源が、内側、外側および底部電磁石のそれぞれに接続されている。 （もっと読む）

気体を活性化し解離する方法及び装置であって、チャンバの中のプラズマを用いて活性化気体を発生するステップを含む。下流気体入力をチャンバの出力に対して配置することにより、気体入力によって導かれる下流気体の解離を容易化し、解離された下流気体がチャンバの内側表面と実質的に相互作用しないようにする。
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【課題】絶縁性下層付き基板の局所的ノッチングを減少させる方法を提供する。
【解決手段】チャンバー内の絶縁性下層３付き基板１に形状をエッチングする際に、プラズマによるエッチング・ステップとプラズマによる不動態化層の蒸着ステップとを交互に繰り返す。そして、少なくともエッチング・ステップ期間中にプラズマ中に存在するイオン群６，７の主要成分のイオンプラズマ周波数以下のバイアス（低周波数バイアス）を基板１に印加することにより、又はエッチング・ステップ期間中に繰り返しパルス化されるパルス化バイアス周波数を基板１に印加することにより、基板１の局所的エッチング又は絶縁性下層３との界面における電荷損傷を減少又は排除する。好ましくは、少なくともエッチング・ステップ期間中に繰り返しパルス化される低周波数バイアスを基板に印加する。 （もっと読む）

【発明の課題】 電子陰影効果を制限することができ、高エネルギのイオンまたは電子を生じることなくダメージのないウェハー処理として構成されるプラズマ処理装置および方法を提供すること。
【解決手段】 プラズマ処理装置は、プラズマ生成部１００と、処理されるべきウェハー１５が配置されているウェハー処理部２００と、プラズマ生成部およびウェハー処理部を分離する金属グリッド２２と、プラズマ生成部に配置され、電子を放出するためのポーラスシリコン層２７を有する上部電極２１と、ガスを導入するガス導入ユニットと、プロセスガスを導入するためのガス導入口とから構成される。 （もっと読む）