【課題】ＤＣ印加方式に用いる直流接地電極に不所望な堆積物が付着するのを簡易な構成で効率的に除去して、ＤＣ接地機能を良好に保ち、プラズマプロセスを向上させる。
【解決手段】このプラズマエッチング装置においては、高周波電源３２，３４よりプラズマ生成用の第１高周波およびイオン引き込み用の第２高周波がサセプタ１２に重畳して印加される。また、可変直流電源７８よりフィルタ回路７６を介して上部電極６４に直流電圧が印加される。そして、サセプタ１２の上部側面に取付されている環状のＤＣグランドパーツ（直流接地電極）５２にはフィルタ回路５４が接続されている。このフィルタ回路５４は、プラズマ内で発生する相互変調歪の特定周波数成分が直列共振で選択的に通して接地ラインへ流す。 （もっと読む）

負イオンプラズマを生成する処理システムが記載されている。当該処理システムでは、負の電荷を有する静かなプラズマが生成される。当該処理システムは、第1プロセスガスを用いてプラズマを発生させる第1チャンバ領域、及び分離部材によって前記第1チャンバ領域から隔離されている第2チャンバ領域を有する。前記第1チャンバ領域内のプラズマから生じる電子は前記第2チャンバ領域へ輸送されて、第2プロセスガスとの衝突によって静かなプラズマを生成する。前記第2チャンバ領域と結合する圧力制御システムが前記第2チャンバ領域内の圧力を制御するのに利用される。前記第2チャンバ領域内の圧力が制御されることによって、前記第1チャンバ領域から生じた電子は前記第2プロセスガスとの衝突を抑制して、負の電荷を有する前記静かなプラズマを生成するエネルギーの小さな電子を生成する。
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【課題】被加工物の切断時の温度の上昇を抑制する。
【解決手段】プラズマ加工装置は、被加工物としてのシリコンインゴット１００を切断するための第１スライス電極４と、第１スライス電極４に対して水平方向に間隔をおいて配置され、シリコンインゴット１００を切断するための第２スライス電極６と、第１スライス電極４と第２スライス電極６がシリコンインゴット１００に対してそのシリコンインゴット１００の切断方向に対向するように配置されたときに当該シリコンインゴット１００を切断するためのプラズマが発生するように第１スライス電極４と第２スライス電極６との間に所定の電位差を生じさせる電圧印加部８とを備える。 （もっと読む）

本発明の目的は、二次真空のオーダの圧力のガスを分析するためのガス分析システム（２）である。このシステムは、円筒状ボリューム（１１）を画成する導電性壁部（１２）と、少なくとも１つの中央貫通穴（３１）を有するディスク（１５）とを有するカソード（１４）と、穴（３１）の実質的に中央に配置されるアノード（１３）と、電場Ｅ（１７）、および電場Ｅ（１７）に対して直交する磁場Ｂ（１９）の作用の組合せにより円筒状ボリューム中で生成されるプラズマのプラズマ発生源とを備えるガス・イオン化デバイス（４）と、プラズマにより発せられる光放射を集めるためのシステムと、円筒状ボリューム（１１）のコンダクタンスよりも低いコンダクタンスを有し、イオン化デバイス（５）と集光システム（５）との間に配置される、アノード（１３）と同軸の円筒状空洞部（２３）と、放射スペクトルの展開を分析するための光学分光器（４１）を備える、イオン化されたガスの分析デバイス（６）とを備える。好ましくは、円筒状ボリューム（１１）の対向側の空洞部（２３）の端部が、プラズマにより発せられる光放射に対して直交する窓（２１）によって閉じられる。
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【課題】ＳｉＣ膜を下地膜としてＳｉＯＣ系のＬｏｗ−ｋ膜をエッチングする場合等、下地膜に対して選択比を十分に取り難い場合であっても、高選択比および高エッチングレートで被エッチング膜をエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】真空排気可能な処理容器10内に、上部電極34と下部電極16を対向するように配置し、上部電極34プラズマ形成用の高周波電力を供給する第１の高周波電源48を接続し、下部電極16にイオン引き込みバイアス用の高周波電力を印加する第２の高周波電源90を接続し、第２の高周波電源90に制御器95を設け、この制御器95は、第２の高周波電源90を、ウエハＷの所定の膜にポリマーが堆積される第１のパワーとウエハＷの所定の膜のエッチングが進行する第２のパワーとの間で所定周期でパワー変調するパワー変調モードで動作するように制御する。 （もっと読む）

【課題】高ｋ材料を高温でエッチングする方法を提供する。
【解決手段】一実施形態において、基板上の高ｋ材料をエッチングする方法は、高ｋ材料層をその上に有する基板をエッチングチャンバ内に設置し、少なくともハロゲン含有ガスを含むエッチングガス混合物からプラズマをエッチングチャンバ内に発生させ、プラズマの存在下で高ｋ材料層をエッチングしながらエッチングチャンバの内部表面の温度を約１００℃を越えて維持し、プラズマの存在下で高ｋ材料層をエッチングしながら基板温度を約１００℃〜約２５０℃に維持することを含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】ガス吐出部分が金属とセラミックスの２層構造のシャワープレートを有するシャワーヘッドを用い、均一な処理を行うことが可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】シャワーヘッド１８は、ガス導入孔６１ａが形成された金属製の上部プレート６１と、複数のガス通過孔６６が形成された金属製の下部プレート６２と、上部プレート６１と下部プレート６２との間に設けられたガス拡散空間Ｓと、下部プレート６２の下側全面を覆うように設けられ、ガス通過孔６６に対応して複数のガス吐出孔６７が形成されたセラミックス製のカバー部材６４と、ガス拡散空間Ｓ内に上部プレート６１と下部プレート６２との間を接続するように設けられ、処理にともなって発生する熱を上方へ伝熱する複数の伝熱部材７０ａ，７０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】
基材の処理中にプラズマ処理システム内に局所電源を供給する分散型電源装置を提供する
【解決手段】
分散型電源装置は、一組の直流（ＤＣ）電源ユニットを含む。また、分散型電源装置は複数の電源発生器を含み、複数の電源発生器は一組のＤＣ電源ユニットから電源を受け取るように構成される。複数の電源発生器の各電源発生器は一組の電気素子に結合されており、これによって、複数の電源発生器の各電源発生器が局所電源供給を制御できるようにする。 （もっと読む）

【解決手段】本装置および方法は、処理対象のエッジエンビロン領域を処理する際に、基板の中央の処理除外領域を保護する。望ましくない材料の除去は、エッジエンビロン領域からのみ行われ、中央デバイス領域は損傷しないよう保護される。場の強度は、処理チャンバ内でプラズマからの荷電粒子から中央領域を保護すると共に、エッジエンビロン領域からのみ望ましくない材料を除去することを支援するよう構成される。磁場が、中央領域およびエッジエンビロン領域の間の境界に近接する位置にピーク値を有するよう構成される。強い場の勾配が、境界かつ中央領域から半径方向に向かって離れるようにピークから延びて、中央領域から荷電粒子を反発させる。場の強度および位置は、磁石部を軸方向に相対移動させることにより調整可能であり、所望の保護を行うよう、磁場を方向変更するために、磁束板が構成される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に生じる不所望な放電の発生を防止して、従来に較べて生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】フォーカスリング９は、上面がプラズマ側に向く様に設けられた上側リング９ａと、この上側リング９ａの下部の内側に設けられた内側リング９ｂと、内側リング９ｂの外側に設けられた外側リング９ｃの３つのリング状部材から構成されている。外側リング９ｃの上面の高さが、内側リング９ｂの上面の高さより僅かに高くなるようにその寸法が設定されており、これによって、外側リング９ｃの上に上側リング９ａ載置した際に、上側リング９ａの下面と、内側リング９ｂの上面との間に僅かな間隙が形成されるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】高周波電力を印加する上部電極にさらに直流電圧を重畳して印加する場合に，高周波電力印加に起因する上部電極温度の上昇のみならず，直流電圧の印加に起因する上部電極温度の上昇も十分に抑える。
【解決手段】基板に対する処理を行うのに先立って，上部電極１２０と下部電極であるサセプタ１１２に印加する高周波電力及び上部電極に印加しようとする直流電圧に基づいて，上部電極の温度を所定の設定温度に調整するために必要な熱媒体の目標温度を算出し，ウエハに対する処理を行う際に，目標温度に基づいて温調した熱媒体を上部電極に形成した流路１３０を循環させて温度制御を行う。 （もっと読む）

【課題】使用条件が異なる場合に容易に対応できる汎用性をもたせると共に、ビーム照射中に電子ビームの分布を変更することにより、リアルタイムに基板の処理状態を制御可能にする。
【解決手段】陰極としての放電容器１の内部に、陽極となる棒状の電極２を２本配置し、これらの電極２に直流電源６を接続して電圧を印加する。また、２本の電極２の間に１本の棒状の絶縁体３を配置し、かつ、絶縁体３を絶縁体駆動部２０により上下左右に移動可能な構造にする。さらに、放電容器１には、容器内でプラズマを発生させるために必要なガスを導入するガス供給口４、および電子ビームを放出する放出部であるビーム放出孔５を設ける。 （もっと読む）

【課題】処理室を構成する部材中に含まれる汚染物質を除去し、処理基板の汚染を防止することができる基板処理装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１外部に設けられた上部電極３０１ａと、処理室２０１内部に設けられた下部電極３０１ｂとを有し、処理室２０１を構成する部材の少なくとも一部を横切る電界を形成する電界形成機構２９０と、処理室２０１内にガスを供給するガス供給管２３２と、処理室２０１内のガスを排気するガス排気管２３１とを有する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスのリークの抑制と、装置コストの低減化とを図り得るプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】原料ガスに電圧を印加してこれをプラズマ化させるイオン発生部２と、接地電位に接続され、且つ、処理対象物１２が配置される処理部３と、イオン発生部２と処理部３とを電気的に絶縁する絶縁部４と、ガス導入口１４から導入された原料ガスをイオン発生部２に導くためのガス導入路５とを備えるプラズマ処理装置を用いる。イオン発生部２、絶縁部４、及び処理部３は、これらの接合体の内部にチャンバー１となる空間が設けられるように形成される。ガス導入口１４は、処理部３に設けられる。ガス導入路５は、チャンバー１の側壁の内部に形成された孔５ａ〜５ｃを備え、ガス導入口１４とイオン発生部２とを電気的に絶縁する。 （もっと読む）

【課題】収容室内を流れる直流電流の値の低下を長時間に亘って抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、ウエハＷを収容してエッチング処理を施す収容室１１と、収容室１１内の処理空間ＰＳに高周波電力を供給するサセプタ１２と、処理空間ＰＳに直流電圧を印加する上部電極板３９と、排気流路１８に設けられる接地リング４５と、処理空間ＰＳや排気流路１８を排気する排気装置とを備え、さらに、プラズマ処理装置１０は、排気流路１８において、排気の流れに沿い、該排気の流れ及び接地リング４５の間に介在し、且つ接地リング４５との間に断面が長尺状の溝状空間４７を形成するように配置される遮蔽部材４６を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理後に誘電体層に蓄積する残留電荷を抑えることができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理方法は、被処理基板を吸着保持できるように、静電チャック１９のＨＶ(High Voltage)電極２０にプラス又はマイナスの極性の直流電圧を印加する直流電圧印加工程と、高周波電源１３，４３が高周波電力を印加し始めてから終了するまでのプラズマ処理中に、静電チャック１９のＨＶ電極２０に印加する直流電圧の極性を逆の極性に入れ替える極性入替え工程と、を備える。被処理基板のプラズマ処理中にＨＶ電極２０に印加する直流電圧の極性を入れ替えるので、誘電体層に蓄積する残留電荷がプラズマ処理中に抜ける。よって、プラズマ処理後に誘電体層に蓄積する残留電荷量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】プロセスに実質的な影響を与えることなくフォーカスリングの消耗を効果的に抑えること。
【解決手段】サセプタ１２の主面は、ウエハＷと略同形状かつ略同サイズのウエハ載置部と、その外側に延在する環状の周辺部とに２分割されており、ウエハ載置部の上には半導体ウエハＷが載置され、環状周辺部の上にフォーカスリング３６が取り付けられる。サセプタ１２上面の周辺部には、フォーカスリング３６の下面と接触する環状の周辺誘電体４２が設けられる。この周辺誘電体４２は、サセプタ１２上面のウエハ載置部に設けられるウエハ吸着用の静電チャック３８の誘電体３８ａよりも大きな単位面積当たりの静電容量を有するように構成される。 （もっと読む）

【課題】基板に施すプラズマ処理の均一性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されてチャンバ１１内に収容されたウエハＷを載置するサセプタ１２と、該サセプタ１２の上方においてウエハＷの周りを囲むように配置された円環状のフォーカスリング２４と、チャンバ１１の反応室１７におけるフォーカスリング２４の上方に配置され、高温ガス導入部３８に接続されたノズル３９とを有し、エッチング処理を施すウエハＷをチャンバ１１内に収容する前に、ノズル３９から高温ガスをフォーカスリング２４の少なくとも一部に向けて噴射する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】
基板を処理する方法が開示される。この方法は第１の電極および第２の電極を備えて構成されたプラズマ処理チャンバ内で基板を支持することを含む。この方法は、高周波受動回路を第２の電極に結合することを更に含んでおり、この高周波受動回路は、高周波インピーダンスと、高周波電位と、前記第２の電極上の直流バイアス電位とを調整するように構成される。
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【課題】電極構造の特別な改変や磁界装置等の大掛かりな外部装置の付加を必要とせずに、プラズマ密度分布制御の自由度を改善すること。
【解決手段】サセプタ１２主面の静電チャック３８は、膜状の誘電体４０の中に半径方向で分割された中心導体４２および周辺導体４４を埋設している。中心導体４２には、外付けのＤＣ電源４６が中心インピーダンス調整部６４を介して電気的に接続されている。周辺導体４４には、別の外付けＤＣ電源５４が周辺インピーダンス調整部６６を介してインピーダンス回路５６を介して電気的に接続されている。サセプタ１２主面の中心部および周辺部より処理空間Ｓに向けてそれぞれ放射されるＲＦ電子電流の比を中心および周辺インピーダンス調整部６４，６６により任意に可変調整することができる。 （もっと読む）