【課題】静電チャックと基板との間にトレーを介在させることなく、静電チャックに複数枚の基板を設置できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】静電チャック１０は、そのチャック台１３の上面に、複数のチャック領域１６（１６Ａ〜１６Ｅ）を備えている。各チャック領域１６は、チャック台１３の上面に複数突出形成された島状部１７の各々の上面に形成されている。各島状部１７の内部には、基板吸着用の双極型の電極層２０ａ，２０ｂと、基板冷却用ガスの流出孔１８がそれぞれ設けられている。この構成により、複数の基板が載置されたトレー上面にカバーを取り付けて基板をトレーに保持する作業が不要となるので、作業性および生産性が向上し、基板の冷却効率も高められる。 （もっと読む）

【課題】異常放電が発生した際に速やかに消弧し、異常放電が繰り返されないようにする真空負荷用電源を提供することを目的とする。
【解決手段】真空負荷に並列に接続され、真空負荷に直流電圧を印加する直流電源と、真空負荷に並列に接続され、真空負荷に直流逆電圧を印加する異常放電消弧用回路と、真空負荷内の異常放電を検出して異常放電消弧用回路の直流逆電圧を制御する制御回路と、を備える真空負荷用電源であって、異常放電消弧用回路は、符号が逆の直流逆電圧を真空負荷に印加する逆電圧直流電圧源を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】中性粒子ビームにより、プラズマ処理に比べて被処理物に損傷を与えることなく有機半導体化合物をエッチングすることが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】有機半導体からなる薄膜２８が形成されている基板２６に中性粒子ビームを照射することによってエッチングを行なうエッチング方法であり、中性粒子ビームは酸素からなることが好ましく、有機半導体はアセン類、ビススチリルベンゼン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、フタロシアニン類、ペリレン誘導体、フラーレンまたはフラーレン誘導体のいずれかであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高速電子による有機膜の改質効果を十分に発揮することができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】プラズマエッチングによりエッチング対象膜にホールを形成するにあたり、プラズマ生成用高周波電力印加ユニットをオンにして処理容器内にプラズマを生成する第１条件と、プラズマ生成用高周波電力印加ユニットをオフにして処理容器内のプラズマを消滅させる第２条件とを交互に繰り返し、第１の直流電源から、第１条件の期間よりも第２条件の期間のほうが印加電圧の絶対値が大きくなるように負の直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】電磁輻射の起こらない、かつ、チャンバー内壁への強靭蒸着膜形成が起こらないプラズマ発生装置を提供することを目的としている
【解決手段】電位０状態で接地されたチャンバー２と、このチャンバー２内に設けられプラズマを発生させるプラズマ発生電極３と、自励式の高周波発振部６と、前記チャンバー２、該チャンバー２に導電形態で一体化されて前記高周波発振部６を覆うように設けられた高周波発振部シールドカバー７とからなるシールド体９と、前記トランス５の中位点と前記チャンバー２を電位０状態で接地してなる中位点接続部８と、前記発振器４に電力を供給する発振器用電源１０と、前記チャンバー２内に該チャンバー２と絶縁状態で設けられたワーク電極形成部１１と、このワーク電極形成部１１にバイアス電圧を印加する前記シールド体９と電位０状態で接地されたバイアス形成用電源１２とからなっている。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置において、被処理物の表面上での処理ガスの流れを調節する。
【解決手段】被処理物９を支持部２１にて処理領域に配置して支持する。第１処理ガス供給系６０Ａにて、処理ガスを被処理物９の相対的に内側の部分に供給する。第２処理ガス供給系６０Ｂにて、処理ガスを被処理物９の相対的に外周側の部分に供給する。第１処理ガス供給系６０Ａの処理ガスの供給流量と第２処理ガス供給系６０Ｂの処理ガスの供給流量を互いに連関させて調節する。好ましくは、第１処理ガス供給系６０Ａの供給流量を第２処理ガス供給系６０Ｂの供給流量より大きくする。 （もっと読む）

【課題】性能の変動を抑制したプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器内に配置された処理室と、この処理室内に配置された試料台上に載せられたウエハを該処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記ウエハ上に配置された金属の物質を有する膜およびこの下方に配置された酸化膜又は高誘電率を有する材料から構成された膜層をエッチングする処理の前に、予め前記金属の物質と同種の金属を含む膜を表面に備えた別のウエハを処理してこの金属から構成された粒子を堆積させてから前記ウエハ上の前記膜層を処理する。 （もっと読む）

【課題】水晶基板をドライエッチングにより微細加工して水晶デバイスを製造する
【解決手段】洗浄装置２で洗浄済みの支持基板１１に真空貼付装置３により粘着剤フィルム２１を真空貼付する。マスク層１３ａ，１３ｂを形成済みの水晶基板９を、真空貼合装置４によって粘着剤フィルム２１を介して支持基板１１に真空貼り合わせする。支持基板１１を静電吸着すると共に、支持基板１１と基板載置面４１ａの間に伝熱ガスを供給して水晶基板９をドライエッチングする。表面９ａのドライエッチングで水晶デバイスの外形断面の一部が残る深さまでエッチングする。表面９ａのドライエッチング後に、ウエットエッチングにより粘着剤層を除去して支持基板１１から水晶基板９を剥離する。裏面９ｂのドライエッチングで水晶デバイスの外形断面の残りの一部が除去される深さまでエッチングする。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】エッチング装置８０は、イオンガン１１と、ＸＹステージ１２と、制御部１３と、ＰＣ１５と、測定装置８１とを備える。測定装置８１は、基板３１上の所定の測定点の厚みを測定する。予めイオンガン１１のエッチングレートの分布と、基板３１の被エッチング量の分布とに基づいて、エッチング中心の位置に応じて測定点における基板３１の厚みの中間目標厚みが設定される。各領域でエッチングを施した際、測定点の厚みが当該中間目標厚みからの許容範囲に入る場合、ＸＹステージ１２を駆動し、エッチングを終了させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ中のイオンに基板の処理に適したエネルギーをもたせるとともに、イオンエネルギーの分散を狭帯域化させることを可能とするプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置において、被処理基板を載置する第１電極１１と、一定間隔で第１電極と対向するように配置された第２電極１２と、前記第１電極１１，第２電極１２を収容し、その内部の雰囲気を調整可能に構成されたチャンバ１３と、第１電極上の自己バイアス電圧を制御するための所定の第１周波数の負の直流パルス電圧を第１電極１１に印加する第１電源装置１８Ａと、第１電極１１，第２電極１２間にプラズマを発生させるための所定の第２周波数のＲＦ電圧を直流パルス電圧と同期させて前記第１電極に印加する第２電源装置と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】隅部にデポが堆積するのを防止することができるプラズマ処理装置の構成部品を提供する。
【解決手段】プラズマを用いてウエハＷにドライエッチング処理を施すプラズマ処理装置１０が備える上部電極３３の外側電極３３ｂにおいて、内周部３３ｃ及び傾斜面３３ｄが成す隅部３３ｅの角度がθ_１が１４０°であり、溝４１の底面４１ａ及び傾斜面４１ｂが成す隅部４１ｃの角度θ_２が１２５°であり、さらに、溝４１の底面４１ａ及び傾斜面４１ｄが成す隅部４１ｅの角度θ_３が１２５°であり、溝４１の底面４１ａの幅はシース長の２倍以上である。 （もっと読む）

【課題】プラズマの状態によらず、プラズマの均一性を容易に確保することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】上部電極434および下部電極16との間に処理ガスのプラズマを生成してウエハＷにプラズマエッチングを施すプラズマエッチング装置であって、上部電極434には高周波電源48および可変直流電源50が接続され、上部電極434は、電極板536と、電極板536を支持する一体構造の電極支持部材438とを有し、電極板536は、面内方向に所定の電気抵抗の分布が形成され、上部電極434の表面に所定の直流電界および高周波電界の分布を形成する。 （もっと読む）

【課題】 真空状態にある容器の内部で、直流放電によりプラズマを発生させた場合であっても、プラズマの状態変化を、精度良くかつ高い自由度で検出できる技術を提供する。
【解決手段】 アノード１２およびカソード１３の間となるプラズマ処理容器１１の側壁の外面に、磁気センサ２１を設け、プラズマ処理容器１１のプラズマ生成空間に生成したプラズマＰの流れの周囲に発生する磁界を計測する。磁界変化量生成部は、磁気センサ２１で計測された磁界の初期値と当該初期値から変化した変化値との差分である、電磁界の変化量を生成し、プラズマ変化情報としてプラズマ処理制御部１７に出力する。プラズマ処理制御部１７は、取得したプラズマ変化情報に基づいて、例えば、プラズマ生成用電源１４の印加電圧を変化させる等の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気において処理容器内の基板に対して処理ガスをプラズマ化したプラズマを供給してプラズマ処理を行うにあたって、面内均一性高く処理を行うこと。
【解決手段】基板を載置する載置台に対向するように、下面に多数のガス吐出孔が形成されたガスシャワーヘッドを処理容器の天壁に設けると共に、このガスシャワーヘッドの周囲における処理容器の天壁を誘電体により構成し、この誘電体上にコイルを設置して、基板の上方の処理領域とこの処理領域を囲む周縁領域とにおける電界が同位相あるいは逆位相となるようにガスシャワーヘッド及びコイルに供給する高周波の位相を調整する。 （もっと読む）

【課題】電極上の基板の電圧変化を効果的に抑制し，基板へ入射するイオンの入射エネルギの変動を抑えた基板処理装置および基板処理方法を得る。
【解決手段】基板処理装置は，処理対象である基板を主面に保持する第１の電極と，第１の電極に対向する第２の電極と，第１の電極に対して周波数が４０ＭＨｚ以上のＲＦ電圧を印加するＲＦ電源と，ＲＦ電圧に重畳して，時間に対応して電圧が低下するパルス電圧を第１の電極へ印加するパルス電圧印加部と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】検査対象の電極パッド表面に触れること無く、電極パッド表面の酸化被膜を除去することができる、半導体の電極パッド表面の酸化被膜除去方法および半導体の電極パッド表面の酸化被膜除去装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に、半導体と、上記半導体と所定の間隔に平板電極を配置し、さらに、上記半導体と上記平板電極の間に上記半導体に設けられた電極と相対する位置に穴が設けられたメッシュ電極を配置し、チャンバ内を所定のガス雰囲気状態とし、上記平板電極と上記メッシュ電極に電圧を加えて上記平板電極と上記メッシュ電極の間にプラズマを発生させ、上記メッシュ電極に設けられた穴を通じて上記プラズマを上記電極へと誘導し、誘導されたプラズマによって上記電極の表面の酸化被膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気において処理容器内の基板に対して処理ガスをプラズマ化したプラズマを供給してプラズマ処理を行うにあたって、面内均一性高く処理を行うこと。
【解決手段】基板を載置する載置台に対向するように、下面に多数のガス吐出孔が形成されたガスシャワーヘッドを処理容器の天壁に設けると共に、このガスシャワーヘッドの周囲における処理容器の天壁を誘電体により構成し、この誘電体上に基板の上方の処理領域の周囲にマイクロ波により前記基板の径方向に概略平行な電界を形成し、更にガスシャワーヘッドに負の直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】基板上の半導体デバイスにおける絶縁膜の劣化を防止することができる載置台を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０の載置台１２は、第１の高周波電源２８及び第２の高周波電源２９に接続される下部電極２０と、該下部電極２０の上面中央部分において埋設される誘電体層２１と、該誘電体層２１の上に載置される静電チャック２２とを有し、該静電チャック２２が有する電極膜３７は以下の条件を満たす。
δ／ｚ ≧ ８５ （但し、δ＝（ρ_ｖ／（μπｆ））^１／２） 且つ
ウエハＷの表面抵抗率 ＞ 電極膜３７の中央部分３７ａにおける表面抵抗率
但し、ｚ：電極膜３７の厚さ（ｍ）、δ：第１の高周波電源２８から供給される高周波電力に対する電極膜３７のスキンデプス、ｆ：上記高周波電力の周波数（Ｈｚ）、π：円周率、μ：電極膜３７の透磁率（Ｈ／ｍ）、ρ_ｖ：電極膜３７の比抵抗（Ω・ｍ） （もっと読む）

【課題】基板上の半導体デバイスにおける絶縁膜の劣化を防止することができる載置台を提供する。
【解決手段】載置台１２は、イオン引き込み用高周波電源２９に接続される内側導電体部材２５と、プラズマ生成用高周波電源２８に接続される外側導電体部材２６と、内側導電体部材２５及び外側導電体部材２６を仕切り、且つ石英からなる仕切部材２７と、ウエハＷを静電吸着する静電チャック２２と、該静電チャック２２及び内側導電体部材２５の間に介在する誘電体層２１とを備え、該静電チャック２２は以下の条件を満たす電極膜３７を内部に有する。
δ／ｚ≧８５（但し、δ＝（ρ_ｖ／（μπｆ））^１／２）
但し、ｚ：電極膜３７の厚さ（ｍ）、δ：電極膜３７のスキンデプス、ｆ：プラズマ生成用高周波電力の周波数（Ｈｚ）、μ：電極膜３７の透磁率（Ｈ／ｍ）、ρ_ｖ：電極膜３７の比抵抗（Ω・ｍ） （もっと読む）

【課題】微小放電プラズマの生成領域を制御して処理対象の所望部位のみに親水性を高める処理を施すため、必要最低限の局部領域に対して表面改質を行なうことができる微細放電表面改質方法および装置を提供する。
【解決手段】二次元平面上に所定の間隔に配置された線状の高電圧電極と、二次元平面と実質的に平行な他の二次元平面上に所定の間隔に配置された線状の接地電極と、を二次元投影平面視野において互いに交差するように配置し、高電圧電極と接地電極との間に被処理基板を配置し、かつ接地電極を被処理基板と接触導通させ、かつ高電圧電極と被処理基板とを対向して配置し、高電圧電極と接地電極との間に高電圧を印加するとともに、高電圧印加領域に放電ガスを供給し、微細な非平衡放電プラズマを生成し、高電圧電極および接地電極に対する給電動作を制御することにより、二次元投影平面視野において高電圧電極と接地電極とが交差する領域に微小放電プラズマを発生させ、被処理基板の表面の所望部位を改質する。 （もっと読む）