【課題】プロセス処理に最適なプラズマ着火レシピを自動的に作成する。
【解決手段】プロセス処理レシピを特定パラメータでパターン化した複数のレシピパターンと，これらレシピパターンにそれぞれプラズマ着火用のパラメータ値を関連づけたレシピ作成ルール情報を記憶する記憶部３２０を設け，実行しようとするプロセス処理レシピが含まれるレシピパターンに関連づけられたプラズマ着火用のパラメータ値（例えば処理室内圧力６０ｍＴｏｒｒ）をレシピ作成ルール情報から取得し，当該プロセス処理レシピの一部のパラメータ値を当該プラズマ着火用のパラメータ値に置き換えてプラズマ着火レシピを作成する。 （もっと読む）

【課題】基板載置台を兼ねる高周波電極と被処理基板との間で静電チャックの貫通孔を介した異常放電を確実に防止して、プラズマプロセスの歩留まりを向上させる。
【解決手段】本発明では、サセプタ（第１電極）上に基板をローディングした後の第１の時点ｔ₁でＥＳＣ（静電チャック）の導電体に対して高圧ＤＣ電圧Ｖ_Pの印加を開始する際に、サセプタを電気的に接地しておく。これにより、ＥＳＣ導電体の電位が立ち上がるのと同時に、静電誘導によってウエハ（被処理基板）の電位がいったんＶ_Pに略等しい電位に上昇するのに対して、サセプタの電位はグランド電位に保たれる。ここで、ウエハ電位の上昇は一瞬であり、直ぐにグランド電位に戻るので、ウエハとサセプタとの間に高圧の直流電圧が実質的に掛かることはなく、静電チャックの貫通孔を介して異常放電が発生することはない。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気において処理容器内の基板に対して処理ガスをプラズマ化したプラズマを供給してプラズマ処理を行うにあたって、面内均一性高く処理を行うこと。
【解決手段】基板を載置する載置台に対向するように、下面に多数のガス吐出孔が形成されたガスシャワーヘッドを処理容器の天壁に設けると共に、このガスシャワーヘッドの周囲における処理容器の天壁を誘電体により構成し、この誘電体上に基板の上方の処理領域の周囲に電磁誘導により前記基板の径方向に概略平行な電界を形成し、更にガスシャワーヘッドに負の直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】
静電吸着を用いたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法において、異常放電の発生を抑え、静電吸着用電源の出力電圧を最適に制御する手段を得る。
【解決手段】
処理室内にプラズマを発生させるプラズマ生成用高周波電源と、試料を載せる電極に高周波バイアス電力を印加するバイアス用高周波電源と、電極に印加された高周波バイアス電力のピークトゥピーク値を監視するモニタと、試料を電極に静電吸着させる静電吸着用電源とを有するプラズマ処理装置において、電極に印加された高周波バイアス電力のピークトゥピーク値をモニタして試料の自己バイアス電圧を算出する自己バイアス電圧算出手段と、算出した自己バイアス電圧を基に静電吸着用電源の出力電圧を制御する出力電圧制御手段とを備えた。 （もっと読む）

【課題】チャック電極に直流電圧を印加する際及び遮断する際のチャック等価回路の時定数を小さくして、電荷の貯留及び電荷の放出をそれぞれ迅速に行うようにした載置台機構を提供する。
【解決手段】処理容器５２内でプラズマ処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台機構において、載置台８４と、内部にチャック電極１１４が設けられた静電チャック８６と、給電ライン１１６を介して接続された直流高圧電源１２０と、給電ラインに介設したチャック用スイッチ部１２４と、載置台の直流成分を検出する直流成分検出回路９６と、直流成分検出回路をバイパスするバイパスライン１０８と、バイパスラインの途中に介設して直流成分検出回路をバイパスさせて載置台を接地させるバイパス用スイッチ部１１０と、スイッチ部を制御するスイッチ制御部１１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】効率的に活性な分子に対する耐性を発揮して交換頻度を低下させることができるパーティクルモニタ用窓部材及び窓部材を提供する。
【解決手段】半導体製造装置１０００ウェハに製品化処理を施すために備えるプロセスチャンバ１００は、パージガスを導入する給気ラインが上部に、排気を行う粗引きライン２００が下部にそれぞれ接続され、粗引きライン２００にパーティクルモニタ装置２１０が配設さられている。粗引きライン２００とパーティクルモニタ装置２１０の間に、透明なベース２１９ａと、ベース２１９ａ上に設けられた表面処理層２１９ｂとから成るパーティクルモニタ用窓部材２１９が設けられる。ベース２１９ａは、粗引きライン２００内のガスに対面するガス当接面と、パーティクルモニタ装置２１０に接続するモニタ面とを有し、表面処理層２１９ｂは、ベース２１９ａのガス当接面に設けられている。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ効果的なレジスト改質法によりレジストパターンのエッチング耐性を強化して、薄膜加工の精度・安定性を向上させる。
【解決手段】チャンバ１０内で上部電極（シャワーヘッド）６０より吐出された処理ガスが両電極１２，６０間で高周波放電により解離・電離してプラズマＰＲが生成される。ここで、可変直流電源８０より直流電圧Ｖ_DCを負極性の高圧で上部電極６０に印加する。そうすると、γ放電によって電極板６２より放出された２次電子ｅ^-は、上部イオンシースＳＨ_Uの電界でイオンとは逆方向に加速されてプラズマＰＲを通り抜け、さらに下部イオンシースＳＨ_Lを横断して、サセプタ１２上の半導体ウエハＷ表面のレジストパターン１００に所定の高エネルギーで打ち込まれる。 （もっと読む）

【課題】 反りがある被処理部材を固定した場合でも、被処理部材に反り力が生じない状態で被処理部材を保持面に均一に当接させる。
【解決手段】 ウエハ１３の反りに応じた曲率のウエハステージ２１に吸引手段によりウエハ１３を吸引させ、反り力を生じさせることなくウエハ１３をウエハステージ２１の上面に保持させ、保持面に対してウエハ１３を均一に当接させる。また、ウエハ１３の反りに応じた傾斜面２９を有するホルダ２６により、ウエハ１３の周縁部に対して面方向の相対移動がない状態でウエハ１３をウエハステージ２１に固定する。 （もっと読む）

【課題】 従来の高周波電源装置６では、直流電圧設定値Ｖｓｅｔが適正でないために、所望の進行波電力を出力できる領域を広げることができない。
【解決手段】 高周波電力出力部２０に直流電力を供給する直流電力出力部１０を、目標電圧設定部１１、直流電源制御部１２、直流電源部１３、直流検出部１４および反射係数演算部１５によって構成する。目標電圧設定部１１は、反射係数と電圧値との対応関係が記憶されているとともに、反射係数演算部によって演算された反射係数に対応する電圧値を目標電圧値として設定し、この目標電圧値に対応する目標電圧信号Ｔｄｃを出力する。そして、直流電源制御部１２は、直流電圧検出信号Ｖｄｃに対応する電圧値が、目標電圧信号Ｔｄｃに対応する電圧値に等しくなるように、直流電源部１３の出力電圧値を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板上で相対的に中心部のエッチングレートがエッジ部のエッチングレートよりも不所望に低くなるのを簡便かつ効果的に補正すること。
【解決手段】チャンバ１０内には、被処理基板ハＷを載置するサセプタ（下部電極）１２とシャワーヘッドを兼ねる上部電極６０が向かい合って配置される。サセプタ１２には、第１および第２の高周波電源３０，３２がマッチングユニット３４および給電棒３６を介して電気的に接続されている。サセプタ１２の上面の周辺部にはフォーカスリング３８が設けられる。可変直流電源７４は、切替スイッチ７６および直流給電ライン７８，８０を介して、上部電極６０に接続可能であるとともに、フォーカスリング３８とも接続可能となっている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板上の電子密度あるいはプロセス特性の分布特性を容易かつ自在に制御すること。
【解決手段】この容量結合型プラズマ処理装置は、上部電極を径方向で内側上部電極６０と外側上部電極６２とに二分割し、２つの可変直流電源８０，８２より独立した第１および第２直流電圧Ｖ_C，Ｖ_Eを両上部電極６０，６２に同時に印加するようにしている。これらの２つの直流電圧Ｖ_C，Ｖ_Eの組み合わせを適宜選択することにより、種種のアプリケーションにおいてプラズマプロセスやエッチング特性の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造などの素子を破壊させることなく、基板を静電吸着できるようにすることにある。
【解決手段】処理容器１０内に配置され、基板Ｗが載置される下部電極１２と、処理容器１０内において下部電極１２に対向して配置される上部電極４０と、上部電極４０または下部電極１２に、プラズマ生成用の高周波電力を付与する高周波電源３７、４２と、下部電極１２に、基板Ｗを静電吸着させるための高圧電力を付与する高圧電源２６と、高周波電源３７、４２と高圧電源２６を制御する制御部４５を備えたプラズマ処理装置１であって、制御部４５は、下部電極２６に−１５００V以下の高圧電力を付与するように、高圧電源２６を制御する。 （もっと読む）

【課題】この発明は、ＣＦ_４以外の最適なフッ素系ガスを使用すると共にプラズマ処理能力を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】この発明は、処理ワークが配される処理空間と、該処理空間内にガスを導入するガス導入手段と、前記処理空間内に放電プラズマを形成するプラズマ生成手段とによって少なくとも構成されるプラズマ処理装置において、前記処理空間に導入されるガスは、フッ化カルボニル（ＣＯＦ_２）又はトリフルオロメタン（ＣＨＦ_３）を含むガスであり、このガス圧力は、０．００１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒの範囲内であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の均一性制御範囲が広くかつデポによるＣＤ不均一のような副作用が生じ難いプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ10に互いに対向して配置され、外側電極34aおよび内側電極34bからなる上部電極34およびウエハ支持用の下部電極16を有し、下部電極16に40ＭＨｚの第１の高周波電力を印加する第１の高周波電源89および3.2ＭＨｚの第２の高周波電力を印加する第２の高周波電源90を接続し、外側電極34ａおよび内側電極34bにそれぞれ直流電圧を印加する第１の直流電圧印加回路47aおよび第２の直流電圧印加回路47bを接続し、プラズマ生成空間側から上部電極34を見た際の外側電極34aにおける周波数−インピーダンス特性が、外側電極34aに印加される直流電圧が増加するに従い、40ＭＨｚにおいてインピーダンスが減少し、3.2ＭＨｚにおいてインピーダンスが増加する特性とされる。 （もっと読む）

【課題】基板の加工に適したラジカル種密度を増大させ、イオンラジカルエネルギーを基板の加工に適したエネルギー値、狭帯域エネルギー幅に制御して、精緻加工を行うことができ、また、優れた埋め込み成膜を行うことが可能な基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバー２１内に配置された基板保持電極２２及び対向電極２３と、基板保持電極２２に対して５０ＭＨｚ以上の高周波を印加する高周波発生装置２７と、この高周波と重畳するようにＤＣ負パルス電圧を印加するＤＣ負パルス発生装置２９と、高周波の印加が間欠的に行われるよう制御するとともに、高周波のオン・オフのタイミングに応じてＤＣ負パルス電圧の印加が間欠的に行われるよう制御する制御器３０を備えている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中のウエハ面内に直流的な電位差が発生することを防止し、半導体デバイスにダメージを発生させることなくウエハ温度を応答性よく制御しながらプラズマ処理することができるヒータ内蔵静電チャックを備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ヒータ内蔵静電チャックを備えたプラズマ処理装置において、ヒータ内蔵静電チャックの構造を、バイアス電圧を印加する導電性の基材の上に、下から順に絶縁材、２系統のヒータ、絶縁材、略同一の面積を有する２個の静電チャック電極、誘電体膜、の積層構造とし、２系統のヒータの面積を略同一とし、それぞれのヒータを２個の静電チャック電極の下側にそれぞれ配置させ、ヒータへの給電はローパスフィルタを介して同軸ケーブルにて行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、基板の冷却効率の向上等を図る。
【解決手段】ドライエッチング装置１のトレイ１５は、厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄと、基板２の下面２ａの外周縁部分を支持する基板支持部２１を備える。誘電体板２３は、トレイ１５の下面を支持するトレイ支持面２８、トレイ１５の下面側から基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに挿入され、かつその上端面である基板載置面３１に基板２が載置される基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備える。直流電圧印加機構４３は静電吸着用電極４０に直流電圧を印加する。伝熱ガス供給機構４５は基板２と基板載置面３１との間に伝熱ガスを供給する。基板支持部の上面（２１ａ）までの距離（Ｈ１）は、前記トレイ支持部から前記基板載置面までの距離（Ｈ２）よりも短く設定されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ等の試料の処理のスループットを向上して処理の効率を向上させることのできる真空処理技術を提供する。
【解決手段】真空容器と、該真空容器内に試料を載置して保持する試料台２５０と、前記試料と試料台の間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給手段と、前記真空容器内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記真空容器内のガスを排気する排気手段とを備え、前記試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台２５０は、試料載置面に配置された誘電体膜および該誘電体膜により絶縁された静電吸着用電極、前記試料載置面上に配置された試料外周縁を上方に押し上げる押し上げピン３０１、並びに該押し上げピンを駆動する駆動機構を備え、前記プラズマ生成手段によりプラズマを生成した状態で前記押し上げピン３０１を上方に駆動して試料をその外周縁側から引き剥がす。 （もっと読む）

【課題】部品の組立及び取り外しの簡便性に優れたものとすることができ、量産性を向上させるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】電極はセラミック層により包囲され、ベース部の下層に設けられた第１と第２の導電性部材によって、突き上げ機構の基板を昇降させる突き上げピンの昇降空間と、伝熱ガスを基板保持台に設けられた複数の穴に供給するガス溜まり空間とを包囲し、かつ、第１と第２の導電性部材を接地することで解決できる。 （もっと読む）

【課題】基板をａｃ又はｄｃプラズマ反応装置のいずれかによって発生されたプラズマ放電の陽光柱内に配置された機械的支持部上への取り付けステップを含んだ基板の低損傷、異方性エッチング及びクリーニングの方法を提供する。
【解決手段】この機械的支持部１２はプラズマ反応装置とは独立し、電気的にバイアスされる。基板は低エネルギー電子のプラズマの陽光柱１５、すなわち、電気的中性部及び、基板と反応する種に曝される。電気的にバイアス可能な付加構造１４がプラズマ内に配置され、プラズマからの粒子のさらなる抽出又は抑制を調整する。 （もっと読む）