【課題】平行平板型プラズマ処理装置において、基板の加工に適したイオンエネルギーを有し、さらにそのイオンエネルギー幅を小さくして、加工形状を精緻に制御することが可能な基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】内部が真空に保持されたチャンバー２１と、この内部に配置され、主面上において処理すべき基板を保持するように構成されたＲＦ電極２２、及びこのＲＦ電極２２と対向するように配置された対向電極２３と、前記ＲＦ電極２２に対して所定周波数のＲＦ電圧を印加するためのＲＦ電源２７と、前記ＲＦ電極２２に対して前記ＲＦ電圧と重畳するようにして所定のパルス電圧を印加するためのパルス電源２９とを有するようにプラズマ処理装置を構成する。前記パルス電源２９は、前記パルス電圧の前記印加のタイミングを調整し、前記パルス電圧を印加しない休止時間を設定する制御機構を有する。 （もっと読む）

【課題】シースが歪むのを防止できると共に、構成を簡素にすることができ、さらに、基板へのパーティクルの付着を防止することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配されてウエハＷを載置する静電チャック１２と、該静電チャック１２において載置されたウエハＷの周縁を囲むように配されるフォーカスリング２１と、静電チャック１２に高周波電力を供給する下部高周波電源１６と、チャンバ１１内のシースの厚さ分布（プラズマの分布）を光学的に観測するＣＣＤカメラ３７と、フォーカスリング２１にローパスフィルタ３４、給電棒１８及び静電チャック１２を介して負の直流電圧を印加するフォーカスリング用直流電源３３と、観測されたプラズマの分布に基づいて印加する直流電圧の値を設定するコントローラ３８とを備える。 （もっと読む）

【課題】静電吸着により載置台に保持された被処理体のデチャック状態を容易にかつ確実に検出することができるプラズマ処理装置およびデチャック異常の検出方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１はその内部に、ウエハ２を静電吸着により保持する下部電極３を備えている。ウエハ２と下部電極３との間には、流量制御器１２から、バックサイドガス導入路１１を通じて熱伝導用のバックサイドガスが輸送される。バックサイドガス導入路１１には、バックサイドガス導入路１１の圧力を計測する圧力測定器１３、及びバックサイドガス導入路１１内を減圧する減圧手段１４が設けられている。デチャック判定手段１６は、下部電極３からウエハ２をデチャックする際に、減圧手段１４によりバックサイドガス導入路１１内を所定圧力に減圧した後、所定時間内の圧力測定器１３の計測結果に基づいて、デチャック異常の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】シリコンと炭素とを含む被エッチング基板に対してプラズマエッチングを行ってホールを形成する場合、ホール同士の端部の間隔が例えば１０μｍ以上に広い場合や０．１μｍ程度に狭い場合であっても、エッチングストップ膜を貫通することなく、更に途中でエッチングが停止することなくエッチングを行うこと。
【解決手段】メインエッチングの後のオーバーエッチングを行う際に、炭素とフッ素とを含む処理ガスをプラズマ化して、更に基板に対向するように設けられた上部電極に負の直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】有機膜を、その上層に形成されたシリコン含有膜からなるマスクを介してプラズマエッチングする際に、有機膜の側壁部分にボーイングやアンダーカットが発生することを抑制することができ、良好なエッチング形状を得ることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。
【解決手段】パターニングしたＳｉＯＮ膜１０３をマスクとして、有機膜１０２をプラズマエッチングし、開口１０８を形成する。この有機膜１０２のプラズマエッチングに、酸素（Ｏ）含有ガスと、希ガスと、フッ化炭素ガス（ＣＦ系ガス）とを含む混合ガスからなる処理ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】プラズマシースの形成を調節可能なプラズマシース制御器を備えるイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム装置は、プラズマチャンバを備える。前記プラズマチャンバの一端にグリッドアセンブリ４９が配置される。グリッドアセンブリ４９は、第１イオン抽出口４９Ｈを備える。前記プラズマチャンバとグリッドアセンブリ４９との間にプラズマシース制御器４１及び４１‘が配置される。プラズマシース制御器４１及び４１‘は、第１イオン抽出口４９Ｈよりも小さい大きさの第２イオン抽出口４１Ｈを備える。この装置によると、プラズマシース制御器４１及び４１‘と平行な所にプラズマ表面を提供することができる。これによって、高いイオンフラックスを有するイオンビームを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理装置において、直流アース不足により発生する放電不安定を抑制する。
【解決手段】真空処理室１に接地された環状導体２６を直流アースとして設置し、環状導体２６からアースへ流れる電流を０Ａ付近になるように電流モニタ２９の値に基づき直流バイアス電源２８を制御系３０で制御することにより、プラズマの空間電位が上昇することによって起こる放電不安定を抑える。 （もっと読む）

【課題】フォーカスリング及び載置台の間の熱伝達効率を十分に改善することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されるサセプタ１２と、サセプタ１２の上部に配置され且つウエハＷを載置する静電チャック２２と、載置されたウエハＷの周縁部を囲うように静電チャック２２に載置されるフォーカスリング２４とを備え、フォーカスリング２４における静電チャック２２との接触面２４ａに、印刷処理によって樹脂からなる熱伝達膜３９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】各層の成膜に適した装置を複数使用する場合、特定の洗浄を行うことにより、大気開放による酸化膜、付着有機物およびコンタミの除去を行い、結晶性を向上させ、更には半導体素子特性を向上させることである。
【解決手段】基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる複数の積層膜を形成する積層工程を含むＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、前記積層工程には、一の積層膜の上に他の積層膜を形成する際に、前記一の積層膜を形成後の基板を成膜装置の外に取り出してから、前記他の積層膜を形成するために、前記成膜装置または他の成膜装置に導入する入替工程が含まれ、前記入替工程には、前記成膜装置から取り出した基板の前記一の積層膜上を洗浄する洗浄工程が備えられていることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】流体流路内に溶射残渣が残ることを防止することができ、溶射残渣による汚染の発生や、流体流路の孔詰まりの発生を防止することのできる基板載置台、基板載置台の製造方法、基板処理装置、流体供給機構を提供する。
【解決手段】基板載置台５は、円板状に形成された第１の板状部材５１０と、第２の板状部材５２０とを接合して構成され、全体として板状とされている。第１の板状部材５１０には、多数のガス吐出孔５１１が設けられている。第２の板状部材５２０には、ガス吐出孔５１１にガスを供給するガス供給路を形成するための溝５２１が形成され、溝５２１の底部５２１ａは曲面状とされている。第１の板状部材５１０の上側の載置面には、静電チャック１１が設けられている。静電チャック１１は、セラミック溶射膜からなる絶縁材１０の間に、電極１２を配置して構成されている。 （もっと読む）

【課題】流体流路内に溶射残渣が残ることを防止することができ、溶射残渣による汚染の発生や、流体流路の孔詰まりの発生を防止することのできる基板載置台の製造方法を提供する。
【解決手段】ガス吐出孔５１１の内側面及び溝５１２の内側面等のガス供給路となる部分に除去可能な皮膜５４０を形成する。次に、圧縮空気等の気体を供給して各ガス吐出孔５１１から圧縮空気等の気体を噴出しつつ、載置面にセラミック溶射膜１０、金属溶射膜（電極）１２、セラミック溶射膜１０を順次積層させて３層の静電チャック１１を形成する。次に、溝５１２内に流体、例えば、アセトン等の有機溶媒、圧縮空気、水等を導入して皮膜５４０の除去及び洗浄を行い、セラミック溶射工程で付着した塊状の溶射セラミック５３０を除去する。 （もっと読む）

【課題】
プラズマ処理システム内のプラズマの均一性を調整・制御する方法及びシステムを提供する。
【解決手段】
基板のエッチング中に弾道電子ビームを生成するために、プラズマ処理システムは、直流（ＤＣ）電力が結合される電子源電極を含んでいる。プラズマの密度分布の変化に影響を及ぼすリング状の中空陰極プラズマを作り出すために、電子源電極に対向するように基板の周囲に設けられたリング状電極が使用される。 （もっと読む）

【課題】伝熱ガスの絶縁破壊を防止し、信頼性の高いウエハ載置用電極を提供する。
【解決手段】内部に温度調整用の媒体を通流させるための流路を形成した電極本体１と、前記電極本体のウエハ載置面に形成した誘電体膜２と、該誘電体膜と該誘電体膜上に載置された試料により形成される空隙に伝熱ガスを前記電極本体内を貫通して供給する絶縁性のガス導入路１０を備え、前記誘電体膜上に載置したウエハ３を真空容器内に配置して該真空容器内に生成されたプラズマによりプラズマ処理を施すウエハ載置用電極において、前記ガス導入路の前記ウエハ載置面に臨む部分の内側には、導入路の軸と略直交する方向に凸部を備える襞を設けた。 （もっと読む）

【課題】伝熱ガスとしてのヘリウムガスの絶縁破壊を防止し、信頼性の高いウエハ載置電極を提供する。
【解決手段】内部に温度調整用の媒体を通流させるための流路を形成した電極本体１と、
前記電極本体のウエハ載置面に形成した誘電体膜２と、該誘電体膜と該誘電体膜上に載置された試料３により形成される空隙に伝熱ガスを前記電極本体内を貫通して供給するガス導入路１０を備え、前記誘電体膜上に載置したウエハを真空容器内に配置して該真空容器内に生成されたプラズマによりプラズマ処理を施すウエハ載置用電極において、前記ガス導入路の前記ウエハ載置面に垂直に臨む部分は、複数の円筒状の貫通孔を備えたガス導入管５からなり、前記ガス導入管に形成した貫通孔の内径は、前記貫通孔内に放出された二次電子の貫通孔壁への衝突による電子なだれが発生しない値以下に設定した。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクをエッチングするための方法及び装置を提供する。
【解決手段】本装置は基板支持体上方にシールドを備えた処理チャンバを含む。シールドは開口部を有するプレートを備え、プレートは材料又は電位バイアス等の少なくとも１つの特性を有し、その特性が互いに異なる２つのゾーンを有する。本方法により、シールドを通過するイオンと中性種を分散させてフォトマスク基板をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクをエッチングするための方法及び装置を提供する。
【解決手段】一実施形態において、装置はフォトマスクを受けるように適合された支持台座部を有する処理チャンバを備える。イオン・中性種シールドが台座部上方に配置され、偏向板アセンブリがイオン・中性種シールド上方に設置されている。偏向板アセンブリにより、イオン・中性種シールドに向かう処理ガスのガス流方向が規定される。その一方、フォトマスクをエッチングするために、イオン・中性種シールドを用いてプラズマのイオンと中性種の所望の分布を確立する。 （もっと読む）

【課題】安価且つコンパクトな構成で大口径のビームを被処理物に照射することができると共に高い中性化率を得ることができ、チャージフリー且つダメージフリーな中性粒子ビーム処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の中性粒子ビーム処理装置は、被処理物Ｘを保持する保持部２０と、高周波電圧の印加と印加の停止とを交互に繰り返すことにより、真空チャンバ３内に正イオンと負イオンとを含むプラズマを生成するプラズマ生成部と、真空チャンバ内であって、プラズマ生成部と被処理物との間に配置され、プラズマから放出される紫外線を遮蔽するオリフィス電極４と、真空チャンバ内にオリフィス電極に対して上流側に配置されたグリッド電極５と、オリフィス電極とグリッド電極との間に電圧を印加することで、プラズマ生成部により生成されたプラズマから正イオンと負イオンとを交互に引き出すバイポーラ電源１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】平行平板型プラズマ処理装置において、基板の加工に適したイオンエネルギーを有し、さらにそのイオンエネルギー幅を小さくして、加工形状を精緻に制御することが可能な基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決方法】内部が真空に保持されたチャンバーと、このチャンバー内に配置され、主面上において処理すべき基板を保持するように構成されたＲＦ電極と、前記チャンバー内において、前記ＲＦ電極と対向するように配置された対向電極と、前記ＲＦ電極に対して所定周波数のＲＦ電圧を印加するためのＲＦ電圧印加手段と、前記ＲＦ電極に対して前記ＲＦ電圧と重畳するようにして所定のパルス電圧を印加するためのパルス電圧印加手段とから、目的とする基板のプラズマ処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてプラズマ処理の面内均一性を向上させることのできるフォーカスリング及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】フォーカスリング５は、導電性材料からなる第１のリング状部材５ａと、絶縁性材料からなる第２のリング状部材５ｂとから構成されている。第１のリング状部材５ａの内側縁部には、載置台２に載置された半導体ウエハ３０の下面より低位置となる段部５０が形成され、この段部５０が半導体ウエハ３０の周縁部下側に延在するよう構成されている。第２のリング状部材５ｂは、第１のリング状部材５ａと載置台２との間に介在する如く第１のリング状部材５ａの下側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 シリコン、窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭窒化珪素膜等を下地層として、Ｓｉ含有膜を含む被エッチング層をエッチングする際に、高いエッチングレートと同時に、下地層に対して高いエッチング選択比を得ることが可能なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 被処理基板を載置するとともに第１の高周波電源が接続された第１の電極と、この第１の電極に対向して設けられた第２の電極とを備えたプラズマ処理装置を用い、少なくとも、パターン形成されたレジスト層と、下層のＳｉ含有膜を含む被エッチング層と、さらに下層の下地層とを有する被処理基板に対し、第２の電極にその絶対値が１００Ｖ以上１５００Ｖ以下の負の直流電圧または４ＭＨｚ未満の高周波電力を印加しながら、被エッチング層をエッチングする。 （もっと読む）