【課題】電界分布特性を制御することで、プラズマ処理の均一性と歩留まりの向上を実現可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部が真空に保持可能な処理室を含む処理容器と、該処理室で被処理基板１５を載置するとともに下部電極を兼ねた載置台２と、該載置台２において前記被処理基板１５の周縁を囲むように配される円環状部品５と、前記下部電極に対向してその上方に配置される上部電極２１と、前記載置台２に高周波電力を供給する給電体とを備え、前記処理室で発生するプラズマにより前記被処理基板１５にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置１において、前記円環状部品５には、プラズマが生成されるプラズマ生成空間の電界分布を所望の分布に調整する少なくとも１つの環状の溝が、前記プラズマ生成空間側の反対側の面に形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板上へのパーティクルの付着を効果的に防止することが可能なプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】高周波電圧が印加され、その上面に沿って処理対象基板が配置されるものであって、傾斜した側面を有する電極１０と、電極１０の側面に沿って設けられた電極カバー２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の二酸化シリコン含有材料をエッチング形状（例えば、トレンチ、コンタクト、またはビア等）を形成するための改良された装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体の基板２１４を処理するプラズマ処理リアクタ装置２００は、チャンバ、第１のＲＦ周波数を有した第１のＲＦ電源２０６に結合されるように構成されたトップ電極２０４と、第１のＲＦ周波数より低い第２のＲＦ周波数を有した第２のＲＦ電源２１２に結合されるように構成されたボトム電極２１０とを備える。この装置は、また、チャンバの内壁に沿った絶縁シュラウド２２０とボトム電極２１０の外周の外側に配置された穿孔プラズマ閉じ込めリング２２２をさらに備え、この穿孔プラズマ閉じ込めリング２２２の上面は、基板２１４の上面の下方に配置され、処理中には電気的に接地されている。 （もっと読む）

【課題】処理対象物を支持部材上の正確な位置に載置して処理対象物を支持部材上に正しい姿勢で支持することができるようにしたプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置におけるトレイの載置方法を提供することを目的とする。
【解決手段】トレイ６の下面側から下方に突出して設けられた突起５２と、トレイ載置面５に下方に窪んで設けられた突起嵌入穴５３を有する。昇降ピン７によってトレイ６がトレイ載置面５に載置される過程で、トレイ６の下面側に設けられた突起５２が突起嵌入穴５３に上方から嵌入する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の周囲を覆うように下部電極に取り付けられるフォーカスリングを電極温度から独立して任意・簡便かつ効率的に加熱すること。
【解決手段】
このプラズマエッチング装置において、チャンバ１０の処理空間に処理ガスを供給しない時は高周波放電が起こらず、プラズマ生成用負荷は実質的に存在しない。この場合、プラズマ生成用負荷に置き換わってフォーカスリング加熱用負荷が高周波電源２８に対して実質上の負荷となり、整合器３２Ａは高周波電源２８に対してその負荷をインピーダンス整合させるように動作する。ここで、サセプタ１２からフォーカスリング３６および誘電体４４を介して接地電位の筒状支持部材１６に至る高周波伝搬経路がフォーカスリング加熱用負荷として利用される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は基板に塗布したレジスト除去に関し、より詳細には基板の周辺部に形成されたエッジビードと呼ばれるレジストのみをアッシング除去するレジスト除去装置およびレジスト除去方法に関するものである。
【解決手段】 本発明のレジスト除去装置は、レジスト除去装置のチャンバー内にマスク支持台と、そのマスク支持台の内側に配置されて基板を載置する基板支持台と、マスク支持台の基板を覆う位置に配置されて基板の周辺部を露出させる開口部を有する蓋状のアッシングマスクとを備える。 （もっと読む）

【課題】異常放電の発生を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理物Ｗを収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器１と、前記処理容器に設けられた排気口７を介して前記処理容器内を減圧する減圧手段３１と、前記処理容器内のプラズマを発生させる空間にプラズマを発生させるプラズマ発生手段６と、前記プラズマを発生させる空間に処理ガスを供給する処理ガス供給手段３０と、誘電体から形成され、前記プラズマを発生させる空間を囲うように設けられた異常放電抑制手段１０と、導電体から形成され、前記異常放電抑制手段を囲うように設けられるとともに電気的に絶縁された第１の遮蔽体１２と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマに投入するＲＦパワーを広範囲に変えても（特に低パワー領域を選択したときでも）、あるいはプラズマのインピーダンスが大きく変動しても、整合器のマッチング動作を安定かつスムースに行い、プラズマプロセスの安定性・再現性を向上させる。
【解決手段】容量結合型プラズマエッチング装置において、チャンバ１０内で半導体ウエハＷを載置するサセプタ１２には、高周波電源２８がマッチングユニット３０および給電棒３２を介して電気的に接続されている。給電棒３２の途中で、あるいはマッチングユニット３０内の整合器の後段で、ＲＦパワー分岐吸収部４４にＲＦパワーの一部を分岐させ吸収させることより、整合器から見える見掛け上の負荷インピーダンスの変動を低減させる。 （もっと読む）

【課題】大がかりな可動部を設けることなくＡＣ比を可変にすることが可能な、プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置１０は、処理容器内部１００にてウエハＷをプラズマ処理する装置であって、処理容器内のプラズマ存在領域に少なくとも一部が接するように配設された調整部材２００と、調整部材に連結され、調整部材と接地面との電気的接続状態を制御することによりプラズマ存在領域の接地容量を調整するインピーダンス調整回路２１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、基板サセプタに対して基板を高い密着度で保持する。
【解決手段】トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面１５ｃを支持するトレイ支持面２８と上向きに突出する基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、静電吸着用電極４０を内蔵している。基板載置部２９Ａ〜２９Ｄはトレイ１５の下面側から基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに挿入され、その上端面である基板載置面に反りを有する基板２が載置される。基板載置面は曲面状である。 （もっと読む）

【課題】加熱対象を選択して加熱することが可能な、プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、処理室内に設置された載置台１１０ａの外周近傍に設けられたフォーカスリング１３０と、載置台１１０ａの外周近傍にてフォーカスリング１３０に近接して設けられ、フォーカスリング１３０を加熱する加熱用電極１３５とを有している。加熱用電極１３５の内部には、往路及び復路のコイル１３５ａ１、１３５ａ２が載置台１１０ａの外周に沿って互いに近接して配線されている。 （もっと読む）

【課題】処理の面内均一性を向上させることができるとともに、半導体ウエハの周縁部裏面側に対するデポジションの発生を従来に比べて低減することのできるフォーカスリング及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板を収容して所定のプラズマ処理を施すための処理チャンバー内の被処理基板が載置される下部電極上に、かつ、被処理基板の周囲を囲むように配置された環状のフォーカスリングであって、誘電体からなる下側部材と、この下側部材の上部に配置され導電性材料からなる上側部材とを具備し、上側部材は、高周波電力に対して、接地電位に接続されている。 （もっと読む）

【解決手段】ドライバ及び材料供給源とともに使用するためのウエハ処理システムが提供される。ドライバは、駆動信号を生成するように動作可能である。材料供給源は、材料を提供するように動作可能である。ウエハ処理システムは、上側閉じ込めチャンバ部分と、下側閉じ込めチャンバ部分と、閉じ込めリングと、静電チャックとを含む。上側閉じ込めチャンバ部分は、上側閉じ込めチャンバ部分内表面を有する。下側閉じ込めチャンバ部分は、上側閉じ込めチャンバ部分に接触するように分離可能に配される。下側閉じ込めチャンバ部分は、下側閉じ込めチャンバ部分内表面を有する。閉じ込めリングは、上側閉じ込めチャンバ部分内表面及び下側閉じ込めチャンバ部分内表面に接触するように着脱可能に配される。閉じ込めリングは、閉じ込めリング内表面を有する。静電チャックは、静電チャック上表面を有し、駆動信号を受信するように構成される。上側閉じ込めチャンバ部分、下側閉じ込めチャンバ部分、閉じ込めリング、及び静電チャックは、上側閉じ込めチャンバ部分内表面と、下側閉じ込めチャンバ部分内表面と、閉じ込めリング内表面と、静電チャック上表面とが材料を受け取り可能なプラズマ形成空間を取り巻くように配置される。上側閉じ込めチャンバ部分、下側閉じ込めチャンバ部分、閉じ込めリング、及び静電チャックは、静電チャックが駆動信号を受信するときに材料をプラズマに変換するように動作可能である。閉じ込めリングは、非矩形の断面を有する。 （もっと読む）

【課題】冷却層と加熱層を併用しても装置構造が複雑にならず、加熱応答性及び冷却応答性に優れた温度調節装置を提供する。
【解決手段】ウエハを載置するサセプタ１２と、サセプタ１２と対向するように配置されたシャワーヘッド２２とを有し、サセプタ１２及びシャワーヘッド２２の間に供給される処理ガスを励起してプラズマを生成し、プラズマによってウエハにプラズマ処理を施す基板処理装置内のプラズマに晒される部材の温度を調整し、シャワーヘッド２２が有する上部電極板２４を加熱する加熱層３１と、加熱層３１の上部電極板２４に対向する面とは反対側の面に当接するように配置された断熱層３２と、断熱層３２の加熱層３１に対向する面とは反対側の面に当接するように配置された冷却層３３とからなり、冷却層３３の冷媒として流水を使用する。 （もっと読む）

【課題】基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、トレイを高効率で冷却する装置の提供。
【解決手段】トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面１５ｃを支持するトレイ支持面と上向きに突出する基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、静電吸着用電極４０を内蔵している。基板載置部２９Ａ〜２９Ｄはトレイ１５の下面側から基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに挿入され、その上端面である基板載置面に基板２が載置される。トレイ１５とトレイ支持面との間の空間をＯリングでシールし、この空間に伝熱ガス供給機構１０９から伝熱ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】処理対象膜において形状の乱れが少ない開口部を形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】被処理膜３７と、被処理膜３７の上に形成された複数の小幅のライン３８ａからなるフォトレジスト膜と、各ライン３８ａの間において露出する被処理膜３７及びライン３８ａを覆うＳｉ酸化膜４０とを有するウエハにおいて、Ｓｉ酸化膜４０にエッチングを施してフォトレジスト膜の各ライン３８ａと被処理膜３７を露出させ、露出したフォトレジスト膜を選択的に除去し、さらに、残存するＳｉ酸化膜４０（一対のライン４２ａ，４２ｂ）にエッチングを施す。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦフォトレジストのダメージ（荒れ）を抑制しつつ、シリコンを含有する反射防止膜（Ｓｉ−ＡＲＣ）を高いエッチングレート及び十分な選択比でプラズマエッチングすることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】基板に形成されたＡｒＦフォトレジスト１０３をマスクとして、ＡｒＦフォトレジスト１０３の下層に位置するＳｉを含有する反射防止膜１０２を、処理ガスのプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法であって、処理ガスとして、ＣＦ系ガス及び／又はＣＨＦ系ガスと、ＣＦ_３Ｉガスと、酸素ガスとを含む混合ガスを使用し、かつ、上部電極に直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】サセプタと試料台を同軸に配置してウエハ温度の偏りを抑制することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理容器内に配置された円板状の試料台を備え、該試料台にイオン引き込み用高周波電圧を供給して、前記プラズマ中のイオンを加速して前記試料台上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台は、その上面の内周側にウエハを載置する円板状の凸部４０１を備え、該凸部の外周側に前記試料台のウエハ載置面以外を覆うサセプタ２５３を保持する段差部４０２を備え、前記サセプタは、前記段差部の上面および試料台の側面を覆うとともに、前記段差部の上面に対向する面には半径方向に延びる凹溝３０１を円周方向に複数個備え、該凹溝を前記段差部の上面に形成したピン３０２にそれぞれ係合することにより前記サセプタを試料台２５０に取り付けた。 （もっと読む）

【課題】 ハロゲン元素を含む腐食性ガスやそのプラズマに対して良好な耐食性を有する耐食性部材を提供する。
【解決手段】 少なくともハロゲン元素を含む腐食性ガスまたはそのプラズマに曝される部位が、ＹをＹ_２Ｏ_３換算で９５質量％以上、ランタノイド元素（ＬＮ）をＬＮ_２Ｏ_３換算で０．０１質量％以上５質量％以下、かつＹとＬＮをそれぞれＹ_２Ｏ_３、ＬＮ_２Ｏ_３換算で合計９９．５質量％以上含有するとともに、炭素の含有量が１００質量ｐｐｍ以下であり、さらにＳｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇのうち少なくとも１種以上の金属元素を含むＹ_２Ｏ_３質焼結体からなり、Ｘ線回折による立方晶Ｙ_２Ｏ_３の（２２２）面帰属ピークの半値幅が０．４°以下である耐食性部材とする。 （もっと読む）

【課題】基板等の温度を精度良く測定することができ、より精度良くかつ効率良く基板のプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置及び温度測定方法並びに温度測定装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２と、載置台３と、載置台３の下方に、載置台３と間隙を設けて配設されたベースプレート９と、温度測定手段とを具備し、載置台３の上方が真空雰囲気とされ、載置台３とベースプレート９との間の間隙が常圧雰囲気とされるプラズマ処理装置である。載置台３の上面と下面とを温度測定手段の測定光が透過可能なように光学的に連通し、かつ、気密封止された温度測定用窓１２〜１５を設けるとともに、載置台３とベースプレート９との間に、これらを連結する連結部材３０が設けられている。 （もっと読む）