【課題】
【解決手段】プラズマ形成領域およびホットエッジリングを有するウエハ処理チャンバ内で用いる装置が開示されている。ホットエッジリングは、第１の表面と第２の表面とを有する。第１の表面は、プラズマ形成領域と接触する。第２の表面は、プラズマ形成領域と接触しない。装置は、ホットエッジリングの第２の表面と接触するよう動作可能な検出器を備える。検出器は、ホットエッジリングのパラメータを検出し、検出されたパラメータに基づいて検出信号を供給することができる。 （もっと読む）

【課題】コンダクタンスを確保しつつ、プラズマの閉じ込め効果を高めることのできるバッフル板及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部でプラズマを発生させて基板を処理する処理チャンバー内に配置され、前記処理チャンバー内を、前記基板を処理する処理空間と、前記処理チャンバー内から排気するための排気空間とに隔てるバッフル板９０である。バッフル板９０は、排気を行うための複数の開口部９１，９２，９３を有し、かつ、前記開口部の周縁部の高さに高低差が形成されるように、前記処理空間側の面に凹凸が形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増大を招くことなく異常放電が生じる可能性を低減することができ、寿命の長期化による生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置用電極及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー内に配置され、被処理基板を載置する載置台を兼ねた下部電極と対向するように当該下部電極の上側に配置されるシャワープレート電極の構成とガス孔の配置を、処理ガスを供給するための複数のガス通路孔１８５が設けられた上側部材１８２と、前記上側部材の下側に設けられ、処理ガスを吐出するための複数のガス吐出孔１８４が設けられた下側部材１８１と、中間部材１８３と、からなる構成とし、前記ガス通路孔１８５は前記ガス吐出孔１８４より大径で、１つの前記ガス通路孔１８５に対して複数の前記ガス吐出孔１８４が連通され、かつ、平面的に見て、前記ガス通路孔１８５の外周より外側に前記ガス吐出孔１８４が配置されるようにする。 （もっと読む）

【課題】高電圧の高周波を基板載置電極に印加し堆積性の強い処理条件を用いて基板を処理するエッチング装置において、基板載置電極のエッジの堆積物の除去の効率を上げる。
【解決手段】本発明は真空処理容器内に被処理基板を載置し、高周波電力を印可する手段を備えた下部電極と、下部電極と対向する位置に配置され、高周波電力を印可する手段を備えた上部電極と、プラズマ処理に用いるガスを導入するガス導入機構と、真空処理容器内を所望の圧力に保持できる排気機構とを有するプラズマエッチング装置において、下部電極の外側の電極エッジ部に導体線路を形成し、プラズマクリーニング時に、この導体線路に電力供給を行い、電極エッジ部を加熱することによりプラズマクリーニングの効率化を図る。 （もっと読む）

【課題】加工用基板の表裏両面を同時に表面加工できようにし、生産効率の向上を図ることのできるプラズマ処理装置のプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗをステージ５から離間させ、半導体基板Ｗの表面Ｗｂに曝す酸素プラズマの一部を、同半導体基板Ｗの裏面Ｗａに回り込ませようにして、半導体基板Ｗの裏面Ｗａにその回り込んだプラズマを曝すようにした。そして、半導体基板Ｗの表面Ｗｂ及び裏面Ｗａに形成したレジスト膜を同時に、プラズマにてアッシング処理する。 （もっと読む）

【課題】リングの材料がシリコンであることから、半導体ウエハーと同様にリングもエッチングされてしまう。このため、被エッチング面積が増加してエッチングレートが低下してしまうという問題があった。
【解決手段】処理室内にウエハーＷＦが置かれ、導入される反応ガスをプラズマ化してウエハーＷＦにエッチング処理を施すドライエッチング装置であって、ウエハーＷＦを取り囲むように外側に配置され、導電性材料からなる環状の第１リング１１０と、第１リング１１０を取り囲むように外側に配置され、絶縁性材料からなる環状の第２リング１２０と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】本来プラズマが入り込まないと想定されている部位等における堆積物に対して、製造コストの増大を招くことなく簡易に対策を行うことのできる堆積物対策用カバー及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部でプラズマを発生させて基板を処理する処理チャンバー内に、所定部位を覆うように着脱自在に配置される堆積物対策用カバーであって、表面に陽極酸化処理を施したアルミニウム製の板材からなり、カバー本体から突出するように設けられた電極部を使用して陽極酸化処理を実施し、陽極酸化処理後に前記電極部を除去してアルミニウムの素地面の露出部面積を減少させ、かつ、電極部を除去した切断面が処理チャンバー内においてプラズマに直接晒されない部位に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理室の内部の汚染を抑制して、エッチングの均一性を可及的に高める。
【解決手段】被エッチング材２が設けられた被処理基板３を収容するための処理室３０と、処理室３０の内部に設けられ、被処理基板３を表面に保持するための基板保持部１０ａとを備え、処理室３０の内部のプラズマＰから生成したエッチング種Ｅにより被エッチング材２をエッチングするドライエッチング装置５０ａであって、基板保持部１０ａの被処理基板３を保持する領域の周囲に、被エッチング材２と同材質により構成され、エッチング種Ｅを消費するための周囲部材９ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】プロセス性能に悪影響を及ぼすことなく、また異物を発生させることなくプラズマ消火時のチャージングダメージの発生を抑制可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハを載置し、高周波バイアス電源と接続され高周波電力が印加されるウェハ載置電極１０３と、ウェハ載置電極１０３に対向して配置された上部電極１０２と、ウェハ載置電極１０３の周辺部に配置され、高周波電圧が印加される導電性リング１０５とを有するプラズマ処理装置において、過渡プラズマであるプラズマ消火の際、ウェハ中心部のセルフバイアスとウェハ外周部のセルフバイアスの差を低減できるようにウェハ載置電極１０３に印加される高周波電圧に対する導電性リング１０５に印加される高周波電圧の比率を制御する。 （もっと読む）

チャンバ内の基板を加熱するための装置および方法を提供する。一実施形態では、本装置は、基板を受けるように適合された支持表面を有する基板支持アセンブリと、支持表面から一定の距離に当該支持表面に平行に基板を支持するため、かつ支持表面に実質的に直交する基準軸を中心として基板をセンタリングするための複数のセンタリング部材とを備える。複数のセンタリング部材が、支持表面の周辺に沿って可動に配置され、複数のセンタリング部材の各々が、基板の周辺エッジに接触するため、または支持するための第１の端部を備える。
（もっと読む）

【課題】無駄を排除することができるプラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素がＣＶＤによって積層されて炭化硅素塊４１が生成され、炭化硅素塊４１が加工されてフォーカスリング２５が製造され、製造されたフォーカスリング２５がプラズマ処理装置１０に装着された後、プラズマエッチング処理が所定の回数ほど繰り返され、プラズマエッチング処理中に消耗したフォーカスリング２５’の表面が酸洗浄され、洗浄されたフォーカスリング２５の表面へＣＶＤによって炭化硅素が積層されて炭化硅素塊４２が生成され、炭化硅素塊４２が加工されてフォーカスリング２５”が再製造され、再製造されたフォーカスリング２５”がプラズマ処理装置１０に装着された後、プラズマエッチング処理が所定の回数ほど繰り返される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の均一性と歩留まりの向上を実現可能なプラズマ処理用基板載置台、プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】気密に構成された処理室内で被処理基板を載置するとともに下部電極を兼ねた載置台と、該載置台において前記被処理基板を囲むように配される円環状部品と、前記下部電極に対向してその上方に配置される上部電極と、前記載置台に高周波電力を供給する給電体と、処理ガスを排気する排気プレートと、前記処理室の外部に設けられ該処理室内に磁場を生成する磁場発生装置とを備え、前記処理室で発生するプラズマにより前記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理室内の構成部材に該処理室内に生成される磁場強度及び／又は磁力線形状を制御する磁場制御手段を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極板の中央部と外周部に生じる温度差を小さくして、プラズマ処理の面内均一性を向上させることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】厚さ方向に貫通するガス通過孔１１が複数形成されるとともに、これらガス通過孔１１を避けて溝状又はスポット状の凹部２１Ａ〜２１Ｆが背面部の面方向に分散するように形成され、電極板３の単位体積当たりの凹部２１Ａ〜２１Ｆの占有体積が、電極板３の中央部に比べて外周部の方が大きく形成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システムにおけるイオン支援エッチング処理に関する改良された方法及び装置を開示する。
【解決手段】本発明の様々な態様にしたがって、高位置エッジリング、溝付きエッジリング、及び高周波結合エッジリングが開示される。本発明は基板（ウェーハ）全体でのエッチング速度均一性を改良する働きをする。本発明により提供されるエッチング速度均一性の改良は、製造歩留まりを向上させるだけでなく、費用効率にも優れており、微粒子及び又は重金属汚染の危険を発生させない。 （もっと読む）

【課題】ウエハエッジ部でのエッチング特性を長期間に渡り良好に維持し、エッジ部での歩留りを長期間良好に維持し、ウエット周期を延ばし、装置稼働率を向上させる。
【解決手段】基板ステージ５５の外周部に配置したフォーカスリング５１の下部に、静電吸着層５４、電極層５２、絶縁層６２を設け、電極層５２に高周波電力を印加することでフォーカスリング５１に高周波バイアスを印加するとともに、フォーカスリング５１を静電吸着層５４に静電吸着し、フォーカスリングと静電吸着層の間に伝熱ガスを介在させることでフォーカスリング５１を冷却可能とし、フォーカスリング５１の温度を所定値に制御する。 （もっと読む）

【課題】反応性イオンエッチング装置でのエッチングにおいて、チャンバー内に部分的なガス濃度の不均一が発生しやすく、さらにプロセス中での異常放電などの発生で基板毎の凹凸形成状態の不均一が発生することがあった。
【解決手段】複数の孔を有する第一電極板と、該第一電極板に対向して設けられた第二電極板と、前記第一電極板の前記第二電極板とは反対側に配置され、複数の孔を有する拡散板とをそれぞれ真空チャンバー内に平行に有し、反応性ガスが前記拡散板、前記第一電極板を通して前記第二電極板側の被処理物をエッチングするものであって、該拡散板が前記第一電極板に向かって移動可能であること。 （もっと読む）

【解決手段】基板処理中に自動的に障害状態を検出及び分類するための方法が提供される。方法は、基板処理中にセンサのセットによって処理データを収集することを含む。方法は、また、処理データを障害検出／分類コンポーネントに送信することを含む。方法は、更に、障害検出／分類コンポーネントによって処理データのデータ操作を実施することを含む。方法は、尚もまた、処理データと、障害ライブラリに保存されている複数の障害モデルとの間で比較を実施することを含む。複数の障害モデルの各障害モデルは、特定の障害状態を特徴付けるデータのセットを表している。各障害モデルは、少なくとも、障害徴候と、障害境界と、主成分解析（ＰＣＡ）パラメータのセットとを含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置における支持リング、フォーカスリング、シールドリングなどのシリコンリングを、材料ロスを少なくして安価に製造することができ、かつ、その取り扱いも容易で、しかも不純物の発生の少ないシリコンリングを提供する。
【解決手段】複数の円弧状部材２１が周方向に並べられてリング状に固着されるとともに、隣接する両円弧状部材２１の端部間に、各円弧状部材２１の板厚の範囲の一部をプラズマ対向面３１に沿って切除してなる凹部２５，２８と、該凹部２５，２８に係合する凸部２４，２７とが形成され、これら凹部及び凸部の係合面間に、各円弧状部材２１を固着する接着剤が、プラズマ対向面３１に露出する円弧状部材２１相互の突き合わせ面３４間を避けて設けられている。 （もっと読む）

【課題】重ね合わせ状態の電極板間の熱伝達特性を向上し、面内均一なプラズマ処理を行わせることができる電極板を提供する。
【解決手段】複数枚の電極構成板２１，２２が積層して固着されるとともに、これら電極構成板２１，２２の貫通孔２３，２４が相互に連通してなるガス通過孔１１が複数形成された電極板３であって、各電極構成板２１，２２の積層面２５，２７間に、相互に係合される凹部２６と凸部２８とがガス通過孔１１を避けた状態で電極構成板２１，２２の面方向に分布して配設され、これら凹部２６の底面２６ａと凸部２８の先端面２８ａとの間に、各電極構成板２１，２２どうしを固着する導電性接着剤２９が介在されている。 （もっと読む）

【課題】フォーカスリングの高さを変えることなく，基板周縁部における付着物低減と処理結果の両方をバランスよく改善できる最適な印加電圧を効率的に求め，その最適印加電圧を的確かつ簡単に調整する。
【解決手段】 載置台１０３の基板載置部を囲むように配置された誘電性リング２１０と，誘電性リング上に設けられた導電性リング２２０とを備え，導電性リングのフローティング電圧を検出する電圧センサ２３４と，導電性リングに直流電圧を印加する直流電源２３０とを備え，導電性リングから実際に検出したフローティング電圧に基づいて導電性リングに印加する最適な電圧を求め，さらにプラズマ処理ごとに実際に検出されたフローティング電圧から求められた変動量に応じてその最適印加電圧を調整する。 （もっと読む）