【課題】基板の裏面に微粒子がめり込むのを防止できる基板脱着方法を提供する。
【解決手段】直流電圧が印加される静電電極板を内蔵し、該静電電極板に印加される直流電圧に起因して生じる静電気力によってウエハを吸着する静電チャックと、吸着されたウエハＷ及び静電チャックの間の伝熱間隙にヘリウムガスを供給する伝熱ガス供給孔とを備える基板処理装置において、静電電極板に印加される直流電圧を徐変させながら上昇させる際、直流電圧の上昇に応じて伝熱間隙へ供給されるヘリウムガスの圧力を段階的に上昇させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理プロセスの種類に応じて適切なマルチポール磁場の状態を容易に制御、設定することができ、良好な処理を容易に行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】磁場形成機構が、上下に分離して設けられた上側磁場形成機構２２ａと下側磁場形成機構２２ｂとから構成され、これらの上側磁場形成機構と下側磁場形成機構を、互いに近接、離間するよう上下方向に移動可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置用電極板の表面温度を正確に測定して、プラズマ処理の品質を向上させる。
【解決手段】電極板３は、背面の少なくとも一部に赤外線透過防止膜３０が形成されるとともに、赤外線透過防止膜３０の表面が粗面３０ａとされており、その電極板３の背面に冷却板１４が接触配置されるとともに、冷却板１４に、電極板３の温度を測定する赤外放射温度計２１を設置するための貫通孔２０が形成され、貫通孔２０に赤外線透過防止膜３０が臨ませられている。 （もっと読む）

【課題】深さが深いホールであっても、良好な形状にエッチングすることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】所定のパターンが形成されたフォトレジスト層と、フォトレジスト層の下層に位置する有機系の反射防止膜と、反射防止膜の下層に位置するＳｉＯＮ膜と、ＳｉＯＮ膜の下層に位置するアモルファスカーボン層と、により多層マスクを構成し、アモルファスカーボン層の下層に位置するシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を最終的なマスクとなるアモルファスカーボン層のパターンによりプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜のプラズマエッチングを開始する際の初期マスクが、アモルファスカーボン層の上にＳｉＯＮ膜が残った状態であり、かつ、アモルファスカーボン層の膜厚／残ったＳｉＯＮ膜の膜厚≦１４である。 （もっと読む）

【課題】無機膜と有機膜とを含む積層マスク膜をエッチングしてライン部を形成する場合、又は、マスク膜をエッチングして隣接するライン部の間隔が異なる複数種類のライン部を形成する場合に、ウェハの面内におけるライン部の線幅及び高さの分布を独立して制御できるプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗに荷電粒子と中性粒子とを含むプラズマを照射することによって、基板Ｗにプラズマエッチングを行うプラズマエッチング方法において、支持部１０５に支持されている基板Ｗの面内における温度分布を調整することによって、基板Ｗの面内における、基板Ｗが中性粒子と反応する反応量の分布を制御し、支持部１０５に支持されている基板Ｗと、支持部１０５と対向するように設けられている電極１２０との間隔を調整することによって、基板Ｗの面内における荷電粒子の照射量の分布を制御する。 （もっと読む）

【課題】整合速度低下を招く事なくハンチングを効果的に抑制できるプラズマ処理装置用自動整合装置を提供する。
【解決手段】コントローラ９０は、インピーダンス測定部８４より得られる負荷側インピーダンスの絶対値測定値ＺＭ_mおよび位相測定値Ｚθ_mをそれぞれ所定の絶対値基準値ＺＭ_S及び位相基準値Ｚθ_Sに可及的に近づける様に、第１及び第２ステッピングモータ８６，８８を介して第１及び第２可変コンデンサ８０，８２の静電容量をそれぞれ可変制御する第１及び第２整合調節部１００，１０２と、第１及び第２静電容量モニタ部１０８，１１０と、ゲイン制御部１１２とを有している。ゲイン制御部１１２は、第１及び第２静電容量モニタ部１０８，１１０よりそれぞれ得られる第１及び第２の可変コンデンサ８０，８２の静電容量現在値ＮＣ₁，ＮＣ₂に基づいて、第１及び第２の整合調節部１００，１０２における比例ゲインの少なくとも一方を可変制御する。 （もっと読む）

【課題】表面のポリシリコン層の膜厚を維持して基板の表面を平坦化することができる表面平坦化方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置のチャンバ内においてポリシリコン層４０を表面に有するウエハＷの表面を平坦化する際、ウエハＷをチャンバ内のサセプタに載置し、チャンバ内の圧力を１００ｍＴｏｒｒ以上乃至８００ｍＴｏｒｒ以下のいずれかに設定し、酸素ガス及びアルゴンガスの混合ガスにおけるアルゴンガスの流量比を５０％以上乃至９５％以下のいずれかに設定してチャンバ内部へ導入し、周波数が１３ＭＨｚ以上乃至１００ＭＨｚ以下のいずれかに設定されているプラズマ生成用の高周波電力をサセプタに印加して導入された混合ガスを励起し、プラズマを生じさせ、生じたプラズマ中の酸素の陽イオン４３やアルゴンの陽イオン４４によってウエハＷの表面をスパッタする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理に適した膜厚の伝熱シートを有するフォーカスリングを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置において、フォーカスリング２５は、冷媒室を有するサセプタ１２に載置されたウエハＷの外周を囲い、サセプタ１２と接触するサセプタ接触面４０と、該サセプタ接触面４０に形成された伝熱シート３８とを備え、伝熱シート３８は、熱伝導率が０．５〜５．０Ｗ／ｍ・Ｋの範囲にあり、シリコンを成分に含む耐熱性の粘着剤やゴム、及び該粘着剤やゴムに混入された酸化物、窒化物または炭化物のセラミックスフィラーを、該粘着剤やゴム中に２５〜６０体積％で含み、伝熱シート３８の膜厚は４０μｍ以上且つ１００μｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】被処理体のエッチングレートの均一性を悪化させず、フォーカスリングがエッチングされることによるパーティクルの発生を減らすことができるプラズマ処理装置及びフォーカスリングを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、エッチングガスが供給されるチャンバ１と、チャンバ１内に配置され、互いに対向する上部電極２及び下部電極１１と、被処理体であるウエハ４の外周を囲むフォーカスリング１３と、フォーカスリング１３の外周を囲むインシュレータリング１４とを備え、フォーカスリング１３は、ウエハ４側を構成する第１のフォーカスリング部分１３ａと、インシュレータリング１４側を構成する第２のフォーカスリング部分１３ｂとを有し、第２のフォーカスリング部分１３ｂは、第１のフォーカスリング部分１３ａよりも導電性が低く、インシュレータリング１４よりも導電性が高い。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを精度良く均一に、かつ、高選択比で形成することのできる半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー内に混合ガスからなる処理ガスを供給し、かつ複数種のガスのうち少なくとも１種のガスの流量を第１の時間中第１の流量とする第１工程と、第２の時間中前記第１の流量とは異なる流量の第２流量とする第２工程とからなる１サイクルの工程を、プラズマを途中で消すことなく連続的に少なくとも３回以上繰り返して行い、第１の時間及び第２の時間は、１秒以上１５秒以下、第１工程における処理ガスの総流量と、第２工程における前記処理ガスの総流量は、同一若しくは異なる場合は、総流量の差が多い方の総流量の１０％以下であり、第１工程と第２工程のいずれにおいても被エッチング膜のエッチングを進行させるガスを処理ガス中に含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複雑な工程を要することなく、簡易にターボ分子ポンプの内部に付着した付着物を除去することのできる基板処理装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】処理ガス供給機構１０２からの処理ガスの供給を停止する工程と、ターボ分子ポンプ１０３を停止する工程と、真空ポンプ１０４を駆動してターボ分子ポンプ１０３の排気側圧力を低下させつつターボ分子ポンプ１０３を加熱機構１０７によって加熱してターボ分子ポンプ１０３内に付着した付着物を除去する除去工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性の優れた樹脂組成物を部材に印刷塗布し、硬化させることにより、放熱特性に優れた放熱部材と製造方法を提供する。
【解決手段】ポリオルガノシロキサン４０〜７５体積％、最大粒子径が８０μｍ以下の無機充填材２５〜６０体積％を含有し、粘度が５００〜５００００ｍＰａ・ｓである樹脂組成物を部材に印刷塗布し、前記樹脂組成物を該部材上で硬化させた放熱部材。ポリオルガノシロキサンの平均分子量が１００００以上５００００以下であることが好ましい。無機充填材がアルミナ、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、銀、銅、アルミニウム、カーボン、ダイヤモンド、酸化亜鉛、マグネシア、水酸化アルミニウムおよび水酸化マグネシウムからなる群より選ばれた１種以上を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板載置台内部の流路を流れる温度調整媒体の温度を各部で連続的に正確に測定することができ、基板の各部を所定温度に正確に温度調節することのできる温度測定方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】主線１０１に、当該主線と熱電対を構成する枝線１０２を間隔を設けて複数溶接して構成した温度測定機構１００を、基板載置台内部に配設された温度調整媒体の流路内に挿入し、当該流路内を循環する前記温度調整媒体の温度を複数箇所において前記温度測定機構により直接測定する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の面内均一性を向上させるとともに、消耗した上部電極の交換が容易に行えるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】複数の電極構成板が積層されるとともに、電極構成板の厚さ方向に貫通するガス通過孔１１が複数設けられてなる電極板３に、隣り合う電極構成板３ａ，３ｂの対向面間の外周部にガス通過孔１１を避けて複数の溝状の凹部３２Ａ〜３２Ｅによる空隙部ｓ１が設けられるとともに、空隙部ｓ１は電極構成板３ａの外周面に開口するように設けられており、両電極構成板３ａ，３ｂの単位面積当たりの接触面積が電極板３の中央部に比べて外周部の方が小さく形成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の面内均一性を向上させるとともに、消耗した上部電極の交換が容易に行えるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】複数の電極構成板が積層されるとともに、電極構成板の厚さ方向に貫通するガス通過孔が複数設けられてなるプラズマ処理装置用電極板３であって、隣り合う固定側電極構成板３ａと放電側電極構成板３ｂとの積層面の外周部に、板厚の一部を周方向に沿って切欠してなる空隙部ｓ１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ等の板状試料を囲むように設けられたフォーカスリングの温度を調整することにより、処理中のフォーカスリングの温度を一定に保持することができ、板状試料の外周部の温度を安定化することができ、よって板状試料の面内におけるエッチング特性を均一化することができ、フォーカスリング上に堆積物が堆積するのを防止することができる静電チャック装置を提供する。
【解決手段】静電チャック装置１は、静電チャック部２と、この静電チャック部２を囲むように設けられた環状のフォーカスリング部３と、これら静電チャック部２及びフォーカスリング部３を冷却する冷却ベース部４とにより構成され、フォーカスリング部３は、環状のフォーカスリング２１と、環状の熱伝導シート２２と、環状のセラミックリング２３と、非磁性体のヒータ２５とを重ね合わせたもので、ヒータ２５には給電用端子２６が取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】異物あるいは金属汚染の発生を抑制し、長期にわたって連続運転することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】所定の圧力に減圧排気される処理室と、該処理室内に配置され、試料を静電吸着して保持する静電チャックを備えた吸着装置と、該吸着装置の温度を調整する温度調整手段と、前記吸着装置と該吸着装置上に載置された試料の間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給手段と、前記処理室内にプラズマを生成する手段を備え、生成されたプラズマ用いて前記吸着装置上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記吸着装置２の試料載置面の外周の試料載置面より低い部分を保護するリング状の保護カバー１１８を備え、該カバーは静電チャックの吸着面の外周に設けたＶ字型の切欠き４００に間隔を空けて嵌合するＶ字型の張り出し４０１をリングの内周側に備えた。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理装置において、直流アース不足により発生するプラズマ電位の上昇を防ぎ、異常放電の発生を阻止する。
【解決手段】内部にプラズマが生成される真空容器１と、真空容器１の下部を構成し、接地されたベースフランジと、真空容器１内に設けられ、被加工試料３を載置する下部電極２と、下部電極２を上下駆動する上下駆動機構と、下部電極２が有す接地電位部に固定され、上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第１のカバー２７と、ベースフランジに固定され上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第２のカバー２８とを有し、プラズマにより被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、円筒形状の第２のカバー２８を導体とする。 （もっと読む）

【課題】 ＭＨｚ〜ＧＨｚにおける誘電正接を小さくできるとともに、高強度のアルミナ質焼結体を提供する。
【解決手段】 元素としてＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で９９．３質量％以上含有し、他の元素としてＳｉおよびＭ（ＭはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａのうち少なくとも１種）を含有するアルミナ質焼結体であって、アルミナ結晶粒子を主結晶粒子とし、該アルミナ結晶粒子の平均粒径が体積分布平均で２０μｍ以上であるとともに、粒径が１０μｍ以上のアルミナ結晶粒子からなる大径粒子１で構成される３重点Ｒに、粒径が５μｍ以下のアルミナ結晶粒子からなる小径粒子２が複数集合した組織を有するとともに、３重点ＲにＭＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８で表される化合物が存在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中にウエハだけでなくトレイの冷却も可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】まず、トレイ１１に空けられた開口１１ａにウエハ１０を入れ、トレイ１１の下面に設けられた保持部材１３によりウエハ１０の下面周縁を保持する。次に、そのトレイ１１と静電チャックである下部電極１２を近づけ、下部電極１２に形成された凹部１４に保持部材１３を挿入し、下部電極１２のトレイ載置部にトレイ１１を載置し、ウエハ載置部にウエハ１０を載置する。次に、静電チャックによりウエハ１０及びトレイ１１を保持しつつ、ウエハ１０及びトレイ１１を冷却機構により冷却する。この状態でウエハ１０をプラズマ処理すれば、プラズマ処理中にウエハ１０とトレイ１１の両方が冷却されるため、ウエハ１０の中心部と外周部で温度差が生じにくくエッチングの均一性が向上する。 （もっと読む）