【課題】エッチング処理装置用のシリコン製部品に使用するシリコン廃材の選定を適正化する。
【解決手段】エッチング処理装置内に配置されるシリコン製部品をシリコン廃材から再生して製造するエッチング処理装置用のシリコン製部品の製造方法であって、シリコン廃材の不純物を測定する工程と、測定された不純物含有量と目標値に基づきシリコン廃材、シリコン原料、ドープ材の投入量を算出する工程と、算出された投入量のシリコン廃材、シリコン原料、ドープ材をるつぼに投入し、溶解する工程と、前記溶解された材料を冷却して固める工程と、前記固められた材料の少なくとも上面を含む部分を切除して多結晶シリコンを生成する工程と、前記生成された多結晶シリコンから前記シリコン製部品を製造する工程と、を含むことを特徴とするシリコン製部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対するプラズマ処理の均一化を損なうことがなく、また、プラズマ処理によって消耗したときの交換部分を極力少なくすることができるプラズマ処理装置用トレイ及びそのようなトレイを備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置用トレイ１０は、反応容器２内に設けられた基板載置台２７の上面に、被処理基板１１を収容した状態で載置されるトレイであって、前記基板載置台２７の上面に載置されるトレイ本体１０１と、前記トレイ本体１０１に設けられた、該トレイ本体１０１の厚み方向に貫通する開口１０２と、開口１０２に着脱可能に装着される環状の基板保持部材と１０３とを備える。基板保持部材１０３は、開口１０２に係合する係合部１０６と、該基板保持部材１０３の内周縁の下部に形成された被処理基板１１の下面の外周縁を支持する基板支持部１０５とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面をエッチングして穴部を形成する際に、穴部の側壁を基板の表面に対して垂直にできるとともに、高速にシリコン層をエッチングできるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン層の上方にレジスト層が形成されてなる被処理基板が設置されている処理容器内に、酸素ガスとフッ化硫黄ガスとを含んだエッチングガスを所定の流量で供給し、供給したエッチングガスをプラズマ化したプラズマにより、シリコン層をエッチングするプラズマエッチング方法において、フッ化硫黄ガスの流量に対する酸素ガスの流量の流量比を第１の流量比とした状態でエッチングする第１のステップＳ１と、流量比が第１の流量比から第１の流量比よりも小さい第２の流量比になるように、酸素ガスの流量を減少させながらエッチングする第２のステップＳ２と、流量比を第２の流量比とした状態でエッチングする第３のステップＳ３とを有する。 （もっと読む）

【課題】ガス供給系の簡略化を図るとともに、エッチング形状の異方性を向上することができるドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】酸化ケイ素膜を有する基板Ｓｂを収容する処理室１２と、高周波電力が供給されるとともに誘電体を介して基板Ｓｂと接触する基板電極ステージ２０と、基板電極ステージ２０上に直接接触した状態で配置されるカーボンリング２６と、処理室１２に、四フッ化炭素と不活性ガスとからなるエッチングガスを供給するガス供給系１５と、エッチングガスを誘導結合によりプラズマ化する高周波アンテナ３０及び高周波電源３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】全体工程の時間を減らすことができる基板処理装置が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置は内部に空間が形成された工程チャンバーと、前記工程チャンバーの内部に位置し、基板を支持するチャックと、前記工程チャンバー内部に反応ガスを供給するガス供給部と、前記チャックの上部に位置し、前記反応ガスに高周波電力を印加する上部電極と、前記上部電極に設置され、前記上部電極を加熱するヒーターを含む。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に処理できるアンテナユニット、それを含む基板処理装置、及び前記装置を利用する基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置は、内部に空間が形成された工程チャンバー１００と、工程チャンバー１００の内部に位置し、基板Ｗを支持する基板支持部２００と、工程チャンバー１００の内部へ工程ガスを供給するガス供給部と、工程チャンバー１００の内部へ高周波電力を印加して工程チャンバー１００の内部へ供給された工程ガスを励起させるアンテナと、アンテナのサイズを可変させる駆動部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】反応器チャンバ内部のパーティクル汚染度を低減するプラズマ反応器の構成部品を提供する。
【解決手段】反応器１５０のプラズマ処理チャンバ１５２において、プラズマ閉じ込めリング（不図示）、チャンバ壁１７２、チャンバライナ（不図示）及び／又はシャワーヘッド１５４のプラズマ露出面は、ポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つプラズマ溶射された被膜１６０を備え得る。更に、基板支持体１６８のプラズマ露出面は、プラズマ溶射された被膜（不図示）も備え得る。高密度プラズマを閉じ込める実質的に全ての面がポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つことができ、反応器内のパーティクル汚染は実質的に減少され得る。 （もっと読む）

【課題】保持シートに保持された基板を対象とするプラズマ処理において、保持シートを覆うカバーから基板への輻射熱を効果的に抑制する。
【解決手段】搬送キャリア５は、ウエハ２を保持する保持シート６とフレーム７とを有する。保持シート６とフレーム７を覆うカバー３１の本体３２の下面３２ｂには突出部３４が設けられている。突出部３４は保持シート６に設けられた開口部８を貫通し、先端３４ａが電極部２１の上端面２１ａに接触する。電極部２１を含むステージ部１６は冷却装置２４で冷却される。 （もっと読む）

【課題】基板の周囲を整流部材で囲んだ状態でプラズマ処理を行う基板処理装置において、基板の搬入出の際にパーティクル等による基板の汚染を生じ難くすること。
【解決手段】チャンバ２の載置台３上に基板Ｇを載置し、その基板Ｇを整流部材９で囲繞した状態で、チャンバ２内に処理ガスのプラズマを形成して基板Ｇにプラズマ処理を行う基板処理装置１において、整流部材９は、角筒状をなす４つの側板９ａ、９ｂからなり、少なくとも基板搬入出口３１に対応する位置に存在する可動部材としての側板９ａが、載置台３に対する基板Ｇの搬入出が可能なように退避位置に移動可能に設けられ、側板９ａは、回転軸４７を回転させることにより、処理の際の処理位置と退避位置との間で回動するように構成され、回転軸４７と側板９ａとが連結部材４５で結合され、連結部材４５の回転により側板９ａを回動させる。 （もっと読む）

【課題】基板全体でエッチングを均一に行うことができるプラズマ装置を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるプラズマ装置は、反応チャンバーと、反応チャンバー内の上部に配置された上部電極と、上部電極と対向する下部電極と、下部電極を取り囲んで、周縁に複数の切り欠きを含むバッフルプレートとを含み、各切り欠きの境界線は、バッフルプレートの境界線と連結されて、バッフルプレートの周縁に凹部を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中に基板の縁部およびトレイに付着した副生成物の除去を行って、製品の品質を向上させる。
【解決手段】基板が収容される複数の基板収容孔が設けられ、基板収容孔の内壁から突出する基板支持部を有するトレイを基板ステージのトレイ支持部上に載置するとともに基板保持部上に基板を載置して、基板保持部の端縁よりはみ出した基板の縁部と基板支持部とを離間させる基板載置工程と、トレイおよび基板が基板ステージ上に載置された状態にて、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給し、基板に対するプラズマ処理を行う第１プラズマ処理工程と、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給してプラズマ処理を行い、第１プラズマ処理工程により基板の縁部と基板支持部とに付着した副生成物を除去する第２プラズマ処理工程とを実施する。第２プラズマ処理工程は、副生成物の基板保持部への付着を抑制する位置までトレイを上昇させて行う。 （もっと読む）

【課題】高温状態のトレイによる基板の加熱を抑制する。
【解決手段】基板２の下面縁と当接可能なテーパー面２１ｅ，２１ｆを含む内周面を備える基板収容孔２１ｄが形成されたトレイ２１を用いる基板のドライエッチング方法において、基板収容孔２１ｄの中心軸Ａｃと静電チャック１１の基板載置面１３ａの中心Ｃ２とが重なるようにトレイ２１を位置決めして所定の位置に降下させることにより、下面縁の少なくとも一部がテーパー面２１ｅ，２１ｆから離間した状態で基板２を基板載置面１３ａに載置し、基板２が基板載置面１３ａから離れるまでトレイ２１を上昇させることにより、テーパー面２１ｅ，２１ｆと接触する基板２の下面縁の部分を該テーパー面にならわせ、基板２の中心Ｃ１を基板収容孔２１ｄの中心軸Ａｃ上に位置合わせし、トレイ２１を所定の位置に降下させることにより、トレイ２１から離間した状態で基板２を基板載置面１３ａに載置する。 （もっと読む）

【課題】従来のプラズマ処理では、ウエハ外周周辺部の等電位面が湾曲し、ウエハ外周部周辺のエッチングレートが不均一であるという課題がある。
【解決手段】ウエハ載置用電極１１１の段差部に、ウエハ載置用電極１１１と同電位となるように設けたリング状部材３０３が配置され、かつ前記リング状部材３０３の上面をウエハ載置用電極１１１の上面より高くすることでウエハ外周部周辺の等電位面３０１の湾曲を改善し、ウエハ外周周辺部のエッチングレートを高均一化するプラズマ処理装置および処理方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＣＰプラズマ処理装置における誘導磁場分布を調整し試料上でのプラズマ分布を補正して、試料に対して均一なプラズマ処理を行う。
【解決手段】ＩＣＰプラズマ処理装置において、誘導コイル４と誘電体窓１ａの間に、誘導コイルに沿って少なくとも誘導コイルの周方向の一部に併設された導体１２を設け、誘導コイルから導体の表面までの最短距離をＬｒとし、誘導コイルから誘電体窓直下のプラズマまでの最短距離をＬｐとし、誘導コイルからの誘導磁場強度を弱めたい箇所で、Ｌｐ≧Ｌｒの関係を満たす位置に導体を設置する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの逆流を防止して冷却板の損傷を防ぐことができ、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置内においてウエハ（被処理基板）と対向配置されるプラズマ処理装置用電極板３に、プラズマ生成用ガスを通過させるための、厚さ方向に貫通する複数の通気孔１１を形成し、通気孔１１の内壁面に、その通気孔１１の長さ方向に沿う螺旋状の溝１１ａを、少なくとも一条設ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中に生じる石英系のダストの発生を従来に比して抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、プラズマ処理装置１０は、チャンバ１１内に処理対象保持手段とプラズマ生成手段とを備える。処理対象保持手段は、ウェハ１００が載置される支持テーブル２１と、支持テーブル２１の外周に設けられるリング状のインシュレータリング２２と、インシュレータリング２２の側面部２２４および上面部２２３を覆うイットリアを含有する保護膜５０と、を備える。保護膜５０は、インシュレータリング２２の側面部２２４上に比して上面部２２３上の方が厚く形成される。 （もっと読む）

【課題】電極板の洗浄回数を減らすことができ、洗浄から次の洗浄までのプラズマエッチング時間を一層長くして、効率良くプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】電極板３は、両電極構成板３１，３２が積層され、両電極構成板３１，３２の厚さ方向に貫通する通気孔１１が複数設けられてなり、通気孔１１は、放電側電極構成板３１に設けられる小径の第１穴部２１と、固定側電極構成板３２に設けられ第１穴部２１より穴径が大きい大径の第２穴部２２とが互いに連通して形成されており、第２穴部２２の内壁面には、その第２穴部２２の長さ方向に沿う複数の溝が周方向に間隔をおいて形成され、第１穴部２１と第２穴部２２との接続部には、第１穴部２１の開口を取り囲むようにリング状の凹溝部２３が設けられ、凹溝部２３の内周壁面と第１穴部２１の内壁面とで形成される立壁部２４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ外周部における反応生成物分布とウエハ最外周部への入射イオン分布を高精度に制御でき、エッチング条件に応じたエッチングレートで最適にエッチングを行う。
【解決手段】真空処理室内にプラズマを生成し、生成したプラズマにより前記真空容器内に配置した試料載置電極上に載置された試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料載置電極は、その表面外周部に配置したリング状の第１のサセプタ１１１と該第１のサセプタの外周に配置され放射方向に複数の貫通孔を穿設したリング状の第２のサセプタ１１２と、前記第２のサセプタを上下方向に駆動する駆動部を備え、第２のサセプタを上下方向に駆動して、試料の表面と第２のサセプタの表面、および第２のサセプタに穿設した貫通孔と第１のサセプタの相対位置を調整する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生当初から天井電極板の温度を安定させることができ、複数のウエハに対して均一なエッチング処理を施すことができる天井電極板を提供することにある。
【解決手段】プラズマ処理装置１０において、基板載置台１２と処理空間Ｓを挟んで対向するように配置された天井電極板３１は、クーリングプレート３２を介して電極支持体３３に当接、支持されており、クーリングプレート３２との当接面には伝熱シート３８が形成されている。伝熱シート３８は、熱伝導率が０．５〜２．０Ｗ／ｍ・Ｋの範囲にあり、シリコンを成分に含む耐熱性の粘着剤やゴム、及び該粘着剤やゴムに混入された酸化物、窒化物または炭化物のセラミックスフィラーを、該粘着剤やゴム中に２５〜６０体積％で含み、その膜厚は、例えば３０μｍ〜８０μｍであり、天井電極板３１の各ガス孔３４の近傍の所定領域を回避するように塗布し、形成されている。 （もっと読む）

【課題】エッチングにおける加工制御性を向上することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、内部が減圧されるチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されてウエハＷを載置するサセプタ１２と、プラズマ生成用高周波電圧をサセプタ１２に印加するＨＦ高周波電源１８と、バイアス電圧発生用高周波電圧をサセプタ１２に印加するＬＦ高周波電源２０と、矩形波状の直流電圧をサセプタ１２に印加する直流電圧印加ユニット２３とを備える。 （もっと読む）