基板処理装置
【課題】基板の周囲を整流部材で囲んだ状態でプラズマ処理を行う基板処理装置において、基板の搬入出の際にパーティクル等による基板の汚染を生じ難くすること。
【解決手段】チャンバ２の載置台３上に基板Ｇを載置し、その基板Ｇを整流部材９で囲繞した状態で、チャンバ２内に処理ガスのプラズマを形成して基板Ｇにプラズマ処理を行う基板処理装置１において、整流部材９は、角筒状をなす４つの側板９ａ、９ｂからなり、少なくとも基板搬入出口３１に対応する位置に存在する可動部材としての側板９ａが、載置台３に対する基板Ｇの搬入出が可能なように退避位置に移動可能に設けられ、側板９ａは、回転軸４７を回転させることにより、処理の際の処理位置と退避位置との間で回動するように構成され、回転軸４７と側板９ａとが連結部材４５で結合され、連結部材４５の回転により側板９ａを回動させる。
【解決手段】チャンバ２の載置台３上に基板Ｇを載置し、その基板Ｇを整流部材９で囲繞した状態で、チャンバ２内に処理ガスのプラズマを形成して基板Ｇにプラズマ処理を行う基板処理装置１において、整流部材９は、角筒状をなす４つの側板９ａ、９ｂからなり、少なくとも基板搬入出口３１に対応する位置に存在する可動部材としての側板９ａが、載置台３に対する基板Ｇの搬入出が可能なように退避位置に移動可能に設けられ、側板９ａは、回転軸４７を回転させることにより、処理の際の処理位置と退避位置との間で回動するように構成され、回転軸４７と側板９ａとが連結部材４５で結合され、連結部材４５の回転により側板９ａを回動させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ）等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）製造用のガラス基板等の基板に対してドライエッチング等の処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に代表されるフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造過程においては、真空下でガラス基板に形成された所定の膜をプラズマエッチング処理が存在する。
【０００３】
このようなガラス基板に対してプラズマエッチング処理を行う基板処理装置としては、真空に保持可能なチャンバ内に、下部電極として機能する基板載置台、およびこの載置台に対向して上部電極として機能するガス導入用のシャワーヘッドを配置し、下部電極に高周波電力を印加する高周波電源を接続し、チャンバ内を真空排気し、チャンバ内にシャワーヘッドを介して処理ガスを導入するとともに、載置台に高周波電力を印加し、それによって形成された処理ガスのプラズマによりガラス基板上の所定の膜をエッチングするものが知られている。
【０００４】
ところで、ＬＣＤにおいてはアルミニウム（Ａｌ）膜をエッチングする工程が存在し、このようなＡｌ膜のエッチングにおいては、処理ガスとして塩素（Ｃｌ２）を含有するものが用いられるが、処理ガスの供給量とエッチング量とが比例するため、ローディング効果により基板の外周部のエッチングレートが中央部のエッチングレートよりも極端に速くなってしまうという現象が発生する。つまり、プラズマ中のエッチング種であるＣｌラジカルからみると、基板の最外周領域では単位量のＣｌラジカルがエッチングすべき基板面積は、中央領域の約半分であり、中央領域に供給される流量と同じ流量で最外周領域に処理ガスが供給されると、最外周領域のエッチングレートは中央領域のエッチングレートの約２倍となってしまう。
【０００５】
このため、載置台上の基板の周囲を囲繞するように整流部材を設け、それによりガラス基板の外周領域近傍から基板外周に向かう処理ガスの流れを遮ることにより、基板の最外周領域に供給されるＣｌラジカル量を減らし、基板面内におけるエッチングレートの均一性を高める技術が提案されている（特許文献１）。
【０００６】
この技術を実施するに際しては、整流部材がガラス基板の搬入出の妨げとなるため、ガラス基板の搬入出の際に整流部材を搬入出の妨げにならない位置まで退避させる必要がある。そして、スペース等の関係から、整流部材を上方に退避させることが行われていた。
【０００７】
しかしながら、整流部材を基板よりも上方に退避させた状態で基板の搬入出を行うと、整流部材に付着したパーティクル等がガラス基板に落下してガラス基板を汚染させてしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−３１５６７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、基板の周囲を整流部材で囲んだ状態でプラズマ処理を行う基板処理装置において、基板の搬入出の際にパーティクル等による基板の汚染が生じ難い基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明は、基板を収容する処理容器と、前記処理容器の側壁に形成された基板を搬入出する基板搬入出部と、前記処理容器内で基板を載置する載置台と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、前記処理容器内で処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構と、前記処理容器内を排気する排気機構と、前記載置台上に前記載置台上の基板を囲繞するように設けられた整流部材とを具備し、前記載置台上の基板に対してプラズマ処理を行う基板処理装置であって、前記整流部材は、少なくとも前記基板搬入出部に対応する位置に、前記載置台に対する基板の搬入出が可能なように退避位置に移動可能に設けられた可動部材を有し、前記整流部材は、４つの側板からなる角筒状をなし、これら側板のうち前記基板搬入出部に対応する位置にある側板が前記載置台に対する基板の搬入出が可能なように退避位置に移動可能な可動部材として機能し、前記可動部材として機能する側板は、回転軸を回転させることにより、処理の際の処理位置と前記退避位置との間で回動するように構成され、前記回転軸と前記可動部材として機能する側板とが連結部材で結合され、前記連結部材の回転により前記可動部材として機能する側板を回動させることを特徴とする基板処理装置を提供する。
【００１１】
本発明において、前記基板搬入出部に対応する位置にある側板と対向する側板も退避可能な可動部材として機能するように構成することができる。
【００１２】
前記可動部材として機能する側板は、水平方向に延びる回転軸を回転させることにより、垂直方向に回動可能である構成とすることができる。
【００１３】
前記可動部材として機能する側板は、前記処理位置において隣接する側板に密着するように構成することができる。また、前記可動部材として機能する側板は、前記処理位置において隣接する側板との間に隙間が形成され、処理ガスが前記隙間を通過する経路は屈曲したラビリンス構造をとるように構成することができる。
【００１４】
前記可動部材として機能する側板は、前記処理位置において前記載置台と密着している構成とすることができる。また、前記可動部材として機能する側板は、前記処理位置において前記載置台との間に隙間が形成され、前記載置台における前記可動部材として機能する側板の近傍位置に、その側板の幅方向に沿って基板の搬入出を妨げない高さの抵抗部材が設けられている構成とすることができる。
【００１５】
前記可動部材として機能する側板は、上下方向に複数に分割され、これらが折りたたみ可能に連結され、退避位置に回動される際に折りたたまれるように構成することができる。また、前記可動部材として機能する側板は、上下方向に複数に分割され、これらがスライド可能に連結され、退避位置に回動される際に分割片がスライドして重ねられるように構成することができる。
【００１６】
前記可動部材として機能する側板は、前記退避位置から前記処理位置に回動される際に、隣接する側板との間に隙間が形成された状態まで駆動機構により駆動させ、その後自重により前記隣接する側板との間が密着されるように構成することができる。
【００１７】
前記回転軸は、シール部材を介して前記処理容器の外側に延び、前記処理容器の外側に設けられた回転モータにより回転されるものとすることができる。この場合に、前記シール部材としては、Ｏリングシールまたはスプリング荷重式シールを用いることができる。また、前記回転軸は、前記処理容器の外側にベローズを介して設けられたシリンダ機構の駆動により、ラックアンドピニオン機構を介して回転されるものとすることができる。
【００１８】
本発明において、前記基板搬入出部は、前記処理容器に設けられた基板搬入出口と、該基板搬入口を開閉するゲートバルブとを有するものとし、前記ゲートバルブの開放と、前記可動部材の退避位置への移動とを同期して実行させる制御部をさらに具備するように構成することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、整流部材は、少なくとも基板搬入出部に対応する位置に、前記載置台に対する基板の搬入出が可能なように退避位置に移動可能に設けられた可動部材を有するので、基板を搬入出する際に可動部材を退避位置に移動させることにより、整流部材を基板の高さよりも高い位置に上昇させずに基板の搬入出が可能になる。このため、整流部材から基板にパーティクルが落下することを回避することができ、基板の汚染を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置を示す垂直断面図。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の水平断面図。
【図３】図１の基板処理装置の整流部材の要部を示す側面図。
【図４】図１の基板処理装置の整流部材の要部を示す斜視図。
【図５】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の動作を説明するための概略図。
【図６】整流部材の変形例を説明するための模式図。
【図７】整流部材の他の変形例を示す模式図。
【図８】整流部材のさらに他の変形例を示す模式図。
【図９】整流部材のさらに他の変形例の動きを示す模式図。
【図１０】整流部材の側板を回動させるための駆動系の他の例を示す図。
【図１１】整流部材の側板を回動させるための駆動系のさらに他の例を示す図。
【図１２】整流部材のさらに他の変形例を説明するための模式図。
【図１３】整流部材のさらにまた他の変形例を説明するための模式図。
【図１４】整流部材の別の変形例を説明するための模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置を示す垂直断面図、図２はその水平断面図である。このプラズマ処理装置１は、ＦＰＤ用ガラス基板Ｇの所定の処理を行う装置の断面図であり、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置として構成されている。ここで、ＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネセンス（Electro Luminescence；ＥＬ）ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等が例示される。
【００２２】
このプラズマ処理装置１は、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる角筒形状に成形されたチャンバ２を有している。このチャンバ２内の底部には被処理基板であるガラス基板Ｇを載置するための載置台３が設けられている。
【００２３】
載置台３は、絶縁部材４を介して処理チャンバ２の底部に支持されており、金属製の凸型の基材５と基材５の凸部５ａの上に設けられたガラス基板Ｇを静電吸着する静電チャック６と、静電チャック６および基材５の凸部５ａの周囲に設けられた、絶縁性セラミックス、例えばアルミナからなる額縁状のシールドリング７と、シールドリング７の下に基材５を囲繞するように設けられた絶縁性セラミックス、例えばアルミナからなるリング状の絶縁リング８とを有している。また、シールドリング７の上には、ガラス基板Ｇを囲繞するように、角筒状の整流部材９が設けられている。
【００２４】
チャンバ２の底壁、絶縁部材４および載置台３を貫通するように、その上へのガラス基板Ｇのローディングおよびアンローディングを行うための昇降ピン１０が昇降可能に挿通されている。この昇降ピン１０はガラス基板Ｇを搬送する際には、載置台３の上方の搬送位置まで上昇され、それ以外のときには載置台３内に没した状態となる。
【００２５】
載置台３の基材５には、高周波電力を供給するための給電線１２が接続されており、この給電線１２には整合器１３および高周波電源１４が接続されている。高周波電源１４からは例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が載置台３の基材５に供給される。したがって、載置台３は下部電極として機能する。
【００２６】
前記載置台３の上方には、この載置台３と平行に対向して上部電極として機能する処理ガス導入用のシャワーヘッド２０が設けられている。シャワーヘッド２０は処理チャンバ２の上部に支持されており、内部に空間２１を有するとともに、載置台３との対向面に処理ガスを吐出する複数の吐出孔２２が形成されている。このシャワーヘッド２０は接地されており、下部電極として機能する載置台３とともに一対の平行平板電極を構成している。
【００２７】
シャワーヘッド２０の上面にはガス導入口２４が設けられ、このガス導入口２４には、処理ガス供給管２５が接続されており、この処理ガス供給管２５は処理ガス供給源２８に接続されている。また、処理ガス供給管２５には、開閉バルブ２６およびマスフローコントローラ２７が介在されている。処理ガス供給源２８からは、プラズマ処理、例えばプラズマエッチングのための処理ガスが供給される。処理ガスとしては、Ｃｌ２ガス等のハロゲン系のガス、Ｏ２ガス、Ａｒガス等、通常この分野で用いられるガスを用いることができる。
【００２８】
処理チャンバ２の底部の四隅には排気管２９が形成されており、この排気管２９には排気装置３０が接続されている。排気装置３０はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、これにより処理チャンバ２内を所定の真空雰囲気まで真空引き可能なように構成されている。また、処理チャンバ２の側壁には基板搬入出口３１が設けられており、この基板搬入出口３１がゲートバルブ３２により開閉可能となっている。そして、このゲートバルブ３２を開にした状態で搬送装置（図示せず）によりガラス基板Ｇが搬入出されるようになっている。一方、チャンバ２の基板搬入出口３１と対向する側の側壁には、チャンバ２の内部を覗く覗き窓３３が形成されている。覗き窓３３は耐熱性の高い透明材料、例えば石英やサファイアからなる。
【００２９】
上記静電チャック６は、表面にセラミックス溶射皮膜４１を有し、内部に電極４２が埋設されている。電極４２は、ガラス基板Ｇよりも若干小さい矩形状をなしており、例えば溶射で形成されている。電極４２には給電線４３が接続されており、給電線４３には直流電源４４が接続されていて、電極４２に直流電源４４からの直流電圧が印加されることにより、クーロン力等の静電吸着力によりガラス基板Ｇが吸着される。
【００３０】
上記整流部材９は、アルミナ等のセラミックスで形成され、ガラス基板Ｇの周囲を囲繞してガラス基板Ｇの外周領域近傍から基板の外周に向かう処理ガスの流れを遮ることにより、基板の最外周領域に供給されるＣｌラジカル量を減らし、ガラス基板Ｇの面内におけるエッチングレートの均一性を高めるためのものであり、その機能を発揮する観点から例えば１００〜１５０ｍｍ程度の高さが必要である。この整流部材９は基板搬入出口３１側およびそれと対向する側の一対の側板９ａが水平方向に延びる回転軸に対して外側へ回動可能な可動部材として機能し、ガラス基板Ｇの搬入出の際に側板９ａが外側へ退避するようになっている。残りの側壁９ｂは、固定ブラケット（図示せず）により載置台３に固定されている。
【００３１】
基板搬入出口３１側の側板９ａが外側へ回動して退避することにより、ガラス基板Ｇの搬入出の際に整流部材９が妨げとなることが回避される。また、このとき基板搬入出口３１と対向する側の側板９ａをも外側へ回動させることにより、上記覗き窓３３からガラス基板Ｇの搬送状態および載置状態を見ることができる。
【００３２】
図３の側面図および図４の斜視図に示すように、この側板９ａの外側には、水平方向に延びるセラミックス製の当て板４６を介して一対の連結部材４５がその両端部にボルト４５ａにより固定されている。なお、側板９ａは、図４に示すように縦に２分割されており、当て板４６により補強されている。
【００３３】
一対の連結部材４５の下部には、側板９ａの長手方向に沿って水平に延びる回転軸４７が取り付けられている。回転軸４７はチャンバ２の外部まで延びて回転モータ４８に連結されている。そして、回転モータ４８により回転軸４７を回転させることにより、連結部材４５および当て板４６を介して側板９ａが、図３の実線で示すガラス基板Ｇを囲繞する処理位置と、破線で示すガラス基板Ｇの搬入出が可能となる退避位置との間で垂直方向に回動可能となっている。回転軸４７のチャンバ２の壁部に挿通する部分には、シール部材４９が取り付けられている。シール部材４９としては、Ｏリングシールやスプリング荷重式シール、典型的にはスプリング荷重式テフロン（登録商標）シール（オムニシール（商品名））を用いることができる。
【００３４】
制御部５０は、基板処理装置１の各構成要素の制御を行うようになっている。例えばバルブ２６の制御、ゲートバルブ３２の制御、高周波電源１４の制御、直流電源４４の制御、排気装置３０の制御、側板９ａの制御、昇降ピン１０の昇降制御等を行う。制御部５０はプロセスレシピを記憶した記憶部や、入力手段およびディスプレイ等を備えており、選択されたレシピに従って基板処理装置１を制御するようになっている。
【００３５】
次に、このように構成される基板処理装置１における処理動作について、図５を参照しながら説明する。
【００３６】
まず、ゲートバルブ３２を開き、モータ４８（図４）により整流部材９の側板９ａを外側に回動させて退避位置まで移動させ、エッチング対象膜として例えばＡｌ膜が形成されたガラス基板Ｇを搬送アーム８１により基板搬入出口３１を介してチャンバ２内へと搬入する（図５の（ａ））。
【００３７】
次いで、昇降ピン１０を上方に突出させて支持位置に位置させ、搬送アーム上のガラス基板Ｇを昇降ピン１０の上に受け渡し、昇降ピン１０を下降させてガラス基板Ｇを載置台３の静電チャック６（図１参照）の上に載置する（図５の（ｂ））。
【００３８】
その後、ゲートバルブ３２を閉じ、整流部材９の側板９ａをガラス基板Ｇを囲繞する処理位置まで回動させる（図５の（ｃ））。
【００３９】
この状態で、排気装置３０によって、チャンバ２内を所定の真空度まで真空引きし、直流電源４４から静電チャック６の電極４２に電圧を印加することにより、ガラス基板Ｇを静電吸着し、バルブ２６を開放して、処理ガス供給源２８から例えばＣｌ２ガス等の処理ガスを、マスフローコントローラ２７によってその流量を調整しつつ処理ガス供給管２５、ガス導入口２４を通ってシャワーヘッド２０の内部空間２１へ導入し、さらに吐出孔２２を通って基板Ｇに対して均一に吐出し、排気量を調節しつつチャンバ２内を所定圧力に制御する。そして、この状態で高周波電源１４から整合器１３を介してプラズマ生成用の高周波電力を載置台３の基材５に供給し、下部電極としての載置台３と上部電極としてのシャワーヘッド２０との間に高周波電界を生じさせて、処理ガスのプラズマを生成し、このプラズマによりガラス基板Ｇの被エッチング対象膜であるＡｌ膜にプラズマエッチング処理を施す（図５の（ｄ））。
【００４０】
この場合に、整流部材９によりガラス基板Ｇの外周領域近傍から基板の外周に向かう処理ガスの流れが遮られ、基板の最外周領域に供給されるＣｌラジカル量が減るため、ガラス基板の外周領域のエッチングレートは低下して、ガラス基板ＧのＡｌ膜に対し均一の高いプラズマエッチングを施すことができる。
【００４１】
このようにしてプラズマエッチング処理を行った後、処理ガスの供給を停止して、ガラス基板Ｇの搬出に備えてチャンバ２内の圧力を調整し、ゲートバルブ３２を開くとともに、整流部材９の側板９ａを外側に回動させて退避位置まで移動させ昇降ピン１０によりガラス基板Ｇを持ち上げる（図５の（ｅ））。
【００４２】
次いで、チャンバ２内に搬送アーム８１を挿入し、搬送アーム８１がエッチング処理後のガラス基板Ｇを受け取ってチャンバ２から搬出する（図５の（ｆ））。
【００４３】
以上の処理動作において、ガラス基板Ｇの搬入出の際には、ゲートバルブ３２の開放と整流部材９の側板９ａの退避位置への回動が同時期に行われ、ゲートバルブ３２の閉塞と側板９ａの処理位置への回動が同時期に行われるため、制御部５０から、ゲートバルブ３２を開放する信号と側板９ａが退避位置へ回動する信号を同期して出力し、ゲートバルブ３２を閉塞する信号と側板９ａが処理位置へ回動する信号を同期して出力することが好ましい。これにより、これらの動作をシリアルに行うよりも動作時間を短縮することができる。
【００４４】
以上のように、本実施形態では、整流部材９の搬入出口３１側の側板９ａが回動して外側へ回動可能となっており、ガラス基板Ｇの搬入出の際に側板９ａが外側へ退避することができるので、整流部材９をガラス基板Ｇの高さよりも高い位置に上昇させずにガラス基板Ｇの搬入出が可能になる。このため、整流部材９からガラス基板Ｇにパーティクルが落下することを回避することができ、ガラス基板Ｇの汚染を抑制することができる。
【００４５】
また、基板搬入出口３１側の側板９ａが外側へ回動して退避すると同時に、それと対向する側板９ａも外側へ回動して退避するので、ガラス基板Ｇの搬送状態およびガラス基板Ｇの載置状態をチャンバ２側壁の覗き窓３３から見ることができ、ガラス基板Ｇの搬入出時に異常があった場合に迅速に対応することができる。もちろん、整流部材９を上昇させずにガラス基板Ｇの搬入出を可能にする観点からは、基板搬入出３１側の側板９ａのみが回動できるようになっていればよい。
【００４６】
ところで、整流部材９は、ガラス基板の外周領域近傍から基板外周に向かう処理ガスの流れを遮ると同時に、ガラス基板外周領域における処理ガスの流れを抑制する構造であることが望ましい。そのような観点から、側板９ａと側板９ｂの間は密着されていることが好ましい。しかしながら、側板９ａと側板９ｂの間を密着させる場合には、側板９ａを外側に回動させて退避させた後、密着状態の処理位置に戻す際に、側板９ａが側板９ｂに当たってパーティクルが発生するおそれがある。
【００４７】
整流部材９の機能を極力維持したまま、このようなパーティクルを防止する観点からは、図６に示すように、側板９ａが処理位置にある場合に、側板９ａと側板９ｂとの間に０．５ｍｍ程度の微小隙間が形成されるようにし、側板９ａから側板９ｂを挟むように突出するように板材９ｃを側板９ａに取り付け、処理ガスが通過する側板９ａと側板９ｂ間の経路を屈曲したラビリンス構造とすることが好ましい。このようにすることにより、処理ガスが通過する側板９ａと側板９ｂ間の経路のコンダクタンスを十分に小さくすることができ、処理ガスが側板９ａと側板９ｂ間を抜けていくことが抑えられ、整流部材９の機能を維持することができる。この場合に、板材９ｃと側板９ｂとのオーバーラップ長さ（図６においてＤで示す部分の長さ）は２０〜３０ｍｍ程度とすることができる。
【００４８】
また、同様に、側板９ａとシールドリング７との間も密着していることが好ましいが、側板９ａを退避位置から処理位置に戻す際に密着状態にしようとすると、側板９ａとシールドリング７との間に擦れが生じてやはりパーティクルが発生するおそれがある。
【００４９】
このため、図７に示すように、側板９ａが処理位置にある場合に、側板９ａとシールドリング７との間に０．５ｍｍ程度の微小隙間が形成されるようにし、側板９ａに近接した位置に側板９ａの幅方向に沿って、ガラス基板Ｇの搬入出を妨げない高さの抵抗部材６１を設けて、処理ガスが側板９aの下を通過する経路を屈曲したラビリンス構造となるようにし、この経路のコンダクタンスを十分に小さくすることが好ましい。この場合に、抵抗部材６１の高さは１０ｍｍ以上とすることができる。
【００５０】
図８は、整流部材のさらに他の変形例を示す模式図、図９は、図８に示す整流部材の動きを示す模式図である。
【００５１】
図７に示した他の変形例に係る整流部材９ａは、シールドリング７上に抵抗部材６１を設け、側板９aの下を通過する処理ガスの経路を屈曲したラビリンス構造となるようにした。
【００５２】
これに対して、図８に示すさらに他の変形例に係る整流部材９ａは、シールドリング７上にガラス基板Ｇの搬入出を妨げない高さの抵抗部材６２を設け、図９に示すように、側板９ａがシールドリング７側に回動してきた際、側板９ａの下部が抵抗部材６２の上部に載るようにしている。
【００５３】
このように、側板９ａが回動した際に、側板９ａの下部を抵抗部材６２の上部に載せるようにすることで、側板９aの下を処理ガスが通過しないようにすることもできる。
【００５４】
また、図８に示す変形例においては、側板９ａの下部に、抵抗部材６２に合致するような切り欠き部６３を設け、この切り欠き部６３の上面６４が、抵抗部材６２の上面に載るように構成されている。また、切り欠き部６３の側面６５、及び側板９ａの最下面６６については、抵抗部材６２の側面、及びシールドリング７の上面の間にクリアランス６７が設定されるような寸法に設定され、側面６５及び最下面６６が、抵抗部材６２の側面、及びシールドリング７の上面と接触しないように構成されている。これにより、側板９ａと抵抗部材６２との接触を最小限度に抑制し、無用なパーティクルが発生しないようにしている。
【００５５】
さらに、回転軸４７を回転させる回転モータ４８（図４参照）にはバックラッシがあるのが通常である。側板９ａの下部を抵抗部材６２の上部に接触させる際に、このバックラッシを利用して接触させるようにすると、ダイレクトに接触させる場合に比較して、側板９ａの下部を抵抗部材６２の上部にゆっくりとソフトに接触させることができる。
【００５６】
このように、側板９ａの下部と抵抗部材６２とが接触することで発生するパーティクルについては、側板９ａの下部を抵抗部材６２の上部に接触させる際に、回転モータ４８のバックラッシを利用することで、処理に影響のない量まで減らすことが可能である。
【００５７】
また、整流部材９の側板９ａを回動する際の駆動系側の真空シールをより確実にする観点からは、図１０に示すように、チャンバ２の回転軸４７に対応する部分にボックス７０を設け、そこにラックアンドピニオン機構７１を設け、シリンダ７３のピストン７４をベローズ７２を介してボックス７０に挿入し、シリンダ７３によりピストン７４を直進させることにより、ラックアンドピニオン機構７１を介して回転軸４７を回転させるようにすることが好ましい。ラックアンドピニオン機構７１は、ピストン７４の先端に取り付けられたラック７５と、回転軸４７に取り付けられ、ラック７５に噛合するピニオン７６と、ラック７５の背面側を押さえる受けベアリング７７とを有する。なお、参照符号７８はカップリング、７９はベアリングである。このように、ラックアンドピニオン機構７１を用いることにより、駆動系側の真空シールをベローズ７２で行うことができるので、より確実に真空シールを行うことができる。
【００５８】
図１１は、整流部材の側板を回動させるための駆動系の他の例を示す図である。
【００５９】
側板９ａを回動する際の駆動系側の真空シールをより確実にする観点からは、図１１に示すように、回転ベローズ機構８０を利用することもできる。
【００６０】
回転ベローズ機構８０においては、回転軸４７が、例えば、チャンバ２の外側（大気側）において、所定の角度θに曲げられている。回転軸４７のチャンバ２の内側（真空側）から外側（大気側）へと外壁を介して通過する直線部は、チャンバ２の外側（大気側）に設けられ、回転軸４７をベアリング８１により回転可能に保持するフランジ部材８２によって保持されている。
【００６１】
さらに、回転軸４７のチャンバの外側（大気側）の先端は、ベアリング８３により回転可能に保持する回転軸保持部材８４によって保持されている。また、回転軸４７の角度θに曲げられた屈曲部８５は、フランジ部材８２と回転軸保持部材８４とにそれぞれ接続されたベローズ８６により囲まれている。ベローズ８６は、回転軸４７の曲りに合わせて撓む。
【００６２】
フランジ部材８２には、保持部材８４、及びベローズ８６を収容する、例えば、筒状のケーシング部材８７が取り付けられている。さらに、ケーシング部材８７は、回転モータ４８の回転軸８８をベアリング８９により回転可能に保持する。回転軸８８の回転中心は、回転軸４７の直線部における回転中心に合致する。回転軸８８のケーシング部材８７の内部における先端には、ハンドル部材９０が設けられている。ハンドル部材９０は、回転軸保持部材８４を、回転軸８８の回転中心から偏心した位置に上記角度θ傾いた状態で、かつ、ベアリング９１により回転可能に保持する。
【００６３】
回転モータ４８は回転軸８８を回転させる。回転軸８８が回転すると、ハンドル部材９０は、回転軸８８の回転中心から偏心した位置に保持されている回転軸保持部材８４を、首振り回転させる。回転軸４７の先端は、回転軸保持部材８４に角度θ傾けられて保持されているので、回転軸４７は、回転軸保持部材８４の首振り回転に合わせて回転する。ベローズ８６は、保持部材８４の首振り回転に合わせて、撓んでいる部分を回転軸４７の直線部における回転中心を中心にして移動させる。
【００６４】
このようにして、回転モータ４８は回転軸４７を回転させる。
【００６５】
このような回転ベローズ機構８０を用いても、チャンバ２の内側（真空側）と外側（大気側）との真空シールを、ベローズ８６を用いて行うことができるので、図１０に示したラックアンドピニオン機構７１と同様に、より確実に真空シールを行うことができる。
【００６６】
さらに、整流部材９の側板９ａはチャンバ２の壁部側へ回動するため、整流部材９の高さは整流部材９の側板９ａとチャンバ２の壁部との距離により制限される。すなわち、側板９ａとチャンバ２の壁部との距離が小さい場合には、整流部材９の高さを十分にとることができない。
【００６７】
そのような場合には、図１２の（ａ）に示すように、側板９ａを上部材９ｄおよび下部材９ｅに上下に２分割し、これらを折りたたみ可能に連結し、側板９ａを外側の退避位置に回動される際に、図１２の（ｂ）に示すように、上部材９ｄを下部材９ｅに対して回動して折りたたむことにより、側板９ａの退避位置でのチャンバ壁部方向の長さを小さくすることができる。なお、側板９ａを３以上に分割して折りたたみ可能にしてもよい。
【００６８】
また、図１３の（ａ）に示すように、側板９ａを下側の基部９ｇと基部９ｇに対してスライド可能に設けられた上側のスライド部９ｆとに分割し、側板９ａを外側の退避位置に回動する際に、図１３の（ｂ）に示すように、スライド部９ｆを基部９ｇに対してスライドさせることにより、側板９ａの退避位置でのチャンバ壁部方向の長さを小さくすることができる。なお、側板９ａを３以上に分割してスライド可能にしてもよい。
【００６９】
さらに、図１４に示すように、側板９ｂの側板９ａが密着する端面９ｈを斜面とし、端面９ｈの下部に誘導斜面９ｉを形成し、側板９ａの内側面９ｊの下部に誘導斜面９ｉに対応する切り欠き面９ｋを設け、側板９ａを退避位置から処理位置に戻す際に、図１４の（ａ）に示すように、駆動機構により、側板９ａをその切り欠き面９ｋが誘導斜面９ｉにかかる位置まで回動させ、側板９ｂの端面９ｈと側板９ａの内面９ｊとの間に隙間がある状態で駆動機構の伝達を切り、図１４の（ｂ）に示すように、側板９ａの切り欠き面９ｋが誘導斜面９ｉにガイドされて側板９ａが自重で側板９ｂに密着するようにしてもよい。これにより、パーティクルの発生を抑制しつつ側板９ｂと側板９ａとを密着させることができる。
【００７０】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることはなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、整流部材９の側板９ａの回動は、ゲートバルブ３２の駆動機構と別の駆動機構により行ったが、ゲートバルブ３２の駆動機構の動力を機械的伝達機構を介して利用することもできる。また、本発明をエッチング装置に適用したが、エッチング処理に限らず、成膜等の他のプラズマ処理に適用可能である。また、上記実施形態では、整流部材の基板搬入出口側の側板を外側へ退避させる構成としたが、これに限らず、下側に退避させる等、他の退避構造であってもよい。
【００７１】
また、上記実施形態では整流部材を４つの側板で構成し、基板搬入出口側の側板を可動部材として機能させたが、これに限るものではない。
【００７２】
また、上記実施形態では、基板としてＦＰＤ用ガラス基板を用いた例を示したが、これに限定されず半導体ウエハ等の他の基板であってもよい。
【符号の説明】
【００７３】
１；基板処理装置
２；チャンバ
３；載置台
５；基材
６；静電チャック
７；シールドリング
９；整流部材
９ａ；側壁
１４；高周波電源
２０；シャワーヘッド
２８；処理ガス供給源
３０；排気装置
３３；覗き窓
４１；セラミックス溶射皮膜
４２；電極
４４；直流電源
４５；連結部材
４７；回転軸
４８；回転モータ
５０；制御部
Ｇ；ガラス基板
６２；抵抗部材
６３：切り欠き部
６７；クリアランス
８０；回転ベローズ機構
８２；フランジ部材
８４；回転軸保持部材
８５；回転軸４７の屈曲部
８６；ベローズ
８８；回転軸
９０；ハンドル部材
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ）等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）製造用のガラス基板等の基板に対してドライエッチング等の処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に代表されるフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造過程においては、真空下でガラス基板に形成された所定の膜をプラズマエッチング処理が存在する。
【０００３】
このようなガラス基板に対してプラズマエッチング処理を行う基板処理装置としては、真空に保持可能なチャンバ内に、下部電極として機能する基板載置台、およびこの載置台に対向して上部電極として機能するガス導入用のシャワーヘッドを配置し、下部電極に高周波電力を印加する高周波電源を接続し、チャンバ内を真空排気し、チャンバ内にシャワーヘッドを介して処理ガスを導入するとともに、載置台に高周波電力を印加し、それによって形成された処理ガスのプラズマによりガラス基板上の所定の膜をエッチングするものが知られている。
【０００４】
ところで、ＬＣＤにおいてはアルミニウム（Ａｌ）膜をエッチングする工程が存在し、このようなＡｌ膜のエッチングにおいては、処理ガスとして塩素（Ｃｌ２）を含有するものが用いられるが、処理ガスの供給量とエッチング量とが比例するため、ローディング効果により基板の外周部のエッチングレートが中央部のエッチングレートよりも極端に速くなってしまうという現象が発生する。つまり、プラズマ中のエッチング種であるＣｌラジカルからみると、基板の最外周領域では単位量のＣｌラジカルがエッチングすべき基板面積は、中央領域の約半分であり、中央領域に供給される流量と同じ流量で最外周領域に処理ガスが供給されると、最外周領域のエッチングレートは中央領域のエッチングレートの約２倍となってしまう。
【０００５】
このため、載置台上の基板の周囲を囲繞するように整流部材を設け、それによりガラス基板の外周領域近傍から基板外周に向かう処理ガスの流れを遮ることにより、基板の最外周領域に供給されるＣｌラジカル量を減らし、基板面内におけるエッチングレートの均一性を高める技術が提案されている（特許文献１）。
【０００６】
この技術を実施するに際しては、整流部材がガラス基板の搬入出の妨げとなるため、ガラス基板の搬入出の際に整流部材を搬入出の妨げにならない位置まで退避させる必要がある。そして、スペース等の関係から、整流部材を上方に退避させることが行われていた。
【０００７】
しかしながら、整流部材を基板よりも上方に退避させた状態で基板の搬入出を行うと、整流部材に付着したパーティクル等がガラス基板に落下してガラス基板を汚染させてしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−３１５６７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、基板の周囲を整流部材で囲んだ状態でプラズマ処理を行う基板処理装置において、基板の搬入出の際にパーティクル等による基板の汚染が生じ難い基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明は、基板を収容する処理容器と、前記処理容器の側壁に形成された基板を搬入出する基板搬入出部と、前記処理容器内で基板を載置する載置台と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、前記処理容器内で処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構と、前記処理容器内を排気する排気機構と、前記載置台上に前記載置台上の基板を囲繞するように設けられた整流部材とを具備し、前記載置台上の基板に対してプラズマ処理を行う基板処理装置であって、前記整流部材は、少なくとも前記基板搬入出部に対応する位置に、前記載置台に対する基板の搬入出が可能なように退避位置に移動可能に設けられた可動部材を有し、前記整流部材は、４つの側板からなる角筒状をなし、これら側板のうち前記基板搬入出部に対応する位置にある側板が前記載置台に対する基板の搬入出が可能なように退避位置に移動可能な可動部材として機能し、前記可動部材として機能する側板は、回転軸を回転させることにより、処理の際の処理位置と前記退避位置との間で回動するように構成され、前記回転軸と前記可動部材として機能する側板とが連結部材で結合され、前記連結部材の回転により前記可動部材として機能する側板を回動させることを特徴とする基板処理装置を提供する。
【００１１】
本発明において、前記基板搬入出部に対応する位置にある側板と対向する側板も退避可能な可動部材として機能するように構成することができる。
【００１２】
前記可動部材として機能する側板は、水平方向に延びる回転軸を回転させることにより、垂直方向に回動可能である構成とすることができる。
【００１３】
前記可動部材として機能する側板は、前記処理位置において隣接する側板に密着するように構成することができる。また、前記可動部材として機能する側板は、前記処理位置において隣接する側板との間に隙間が形成され、処理ガスが前記隙間を通過する経路は屈曲したラビリンス構造をとるように構成することができる。
【００１４】
前記可動部材として機能する側板は、前記処理位置において前記載置台と密着している構成とすることができる。また、前記可動部材として機能する側板は、前記処理位置において前記載置台との間に隙間が形成され、前記載置台における前記可動部材として機能する側板の近傍位置に、その側板の幅方向に沿って基板の搬入出を妨げない高さの抵抗部材が設けられている構成とすることができる。
【００１５】
前記可動部材として機能する側板は、上下方向に複数に分割され、これらが折りたたみ可能に連結され、退避位置に回動される際に折りたたまれるように構成することができる。また、前記可動部材として機能する側板は、上下方向に複数に分割され、これらがスライド可能に連結され、退避位置に回動される際に分割片がスライドして重ねられるように構成することができる。
【００１６】
前記可動部材として機能する側板は、前記退避位置から前記処理位置に回動される際に、隣接する側板との間に隙間が形成された状態まで駆動機構により駆動させ、その後自重により前記隣接する側板との間が密着されるように構成することができる。
【００１７】
前記回転軸は、シール部材を介して前記処理容器の外側に延び、前記処理容器の外側に設けられた回転モータにより回転されるものとすることができる。この場合に、前記シール部材としては、Ｏリングシールまたはスプリング荷重式シールを用いることができる。また、前記回転軸は、前記処理容器の外側にベローズを介して設けられたシリンダ機構の駆動により、ラックアンドピニオン機構を介して回転されるものとすることができる。
【００１８】
本発明において、前記基板搬入出部は、前記処理容器に設けられた基板搬入出口と、該基板搬入口を開閉するゲートバルブとを有するものとし、前記ゲートバルブの開放と、前記可動部材の退避位置への移動とを同期して実行させる制御部をさらに具備するように構成することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、整流部材は、少なくとも基板搬入出部に対応する位置に、前記載置台に対する基板の搬入出が可能なように退避位置に移動可能に設けられた可動部材を有するので、基板を搬入出する際に可動部材を退避位置に移動させることにより、整流部材を基板の高さよりも高い位置に上昇させずに基板の搬入出が可能になる。このため、整流部材から基板にパーティクルが落下することを回避することができ、基板の汚染を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置を示す垂直断面図。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の水平断面図。
【図３】図１の基板処理装置の整流部材の要部を示す側面図。
【図４】図１の基板処理装置の整流部材の要部を示す斜視図。
【図５】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の動作を説明するための概略図。
【図６】整流部材の変形例を説明するための模式図。
【図７】整流部材の他の変形例を示す模式図。
【図８】整流部材のさらに他の変形例を示す模式図。
【図９】整流部材のさらに他の変形例の動きを示す模式図。
【図１０】整流部材の側板を回動させるための駆動系の他の例を示す図。
【図１１】整流部材の側板を回動させるための駆動系のさらに他の例を示す図。
【図１２】整流部材のさらに他の変形例を説明するための模式図。
【図１３】整流部材のさらにまた他の変形例を説明するための模式図。
【図１４】整流部材の別の変形例を説明するための模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置を示す垂直断面図、図２はその水平断面図である。このプラズマ処理装置１は、ＦＰＤ用ガラス基板Ｇの所定の処理を行う装置の断面図であり、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置として構成されている。ここで、ＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネセンス（Electro Luminescence；ＥＬ）ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等が例示される。
【００２２】
このプラズマ処理装置１は、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる角筒形状に成形されたチャンバ２を有している。このチャンバ２内の底部には被処理基板であるガラス基板Ｇを載置するための載置台３が設けられている。
【００２３】
載置台３は、絶縁部材４を介して処理チャンバ２の底部に支持されており、金属製の凸型の基材５と基材５の凸部５ａの上に設けられたガラス基板Ｇを静電吸着する静電チャック６と、静電チャック６および基材５の凸部５ａの周囲に設けられた、絶縁性セラミックス、例えばアルミナからなる額縁状のシールドリング７と、シールドリング７の下に基材５を囲繞するように設けられた絶縁性セラミックス、例えばアルミナからなるリング状の絶縁リング８とを有している。また、シールドリング７の上には、ガラス基板Ｇを囲繞するように、角筒状の整流部材９が設けられている。
【００２４】
チャンバ２の底壁、絶縁部材４および載置台３を貫通するように、その上へのガラス基板Ｇのローディングおよびアンローディングを行うための昇降ピン１０が昇降可能に挿通されている。この昇降ピン１０はガラス基板Ｇを搬送する際には、載置台３の上方の搬送位置まで上昇され、それ以外のときには載置台３内に没した状態となる。
【００２５】
載置台３の基材５には、高周波電力を供給するための給電線１２が接続されており、この給電線１２には整合器１３および高周波電源１４が接続されている。高周波電源１４からは例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が載置台３の基材５に供給される。したがって、載置台３は下部電極として機能する。
【００２６】
前記載置台３の上方には、この載置台３と平行に対向して上部電極として機能する処理ガス導入用のシャワーヘッド２０が設けられている。シャワーヘッド２０は処理チャンバ２の上部に支持されており、内部に空間２１を有するとともに、載置台３との対向面に処理ガスを吐出する複数の吐出孔２２が形成されている。このシャワーヘッド２０は接地されており、下部電極として機能する載置台３とともに一対の平行平板電極を構成している。
【００２７】
シャワーヘッド２０の上面にはガス導入口２４が設けられ、このガス導入口２４には、処理ガス供給管２５が接続されており、この処理ガス供給管２５は処理ガス供給源２８に接続されている。また、処理ガス供給管２５には、開閉バルブ２６およびマスフローコントローラ２７が介在されている。処理ガス供給源２８からは、プラズマ処理、例えばプラズマエッチングのための処理ガスが供給される。処理ガスとしては、Ｃｌ２ガス等のハロゲン系のガス、Ｏ２ガス、Ａｒガス等、通常この分野で用いられるガスを用いることができる。
【００２８】
処理チャンバ２の底部の四隅には排気管２９が形成されており、この排気管２９には排気装置３０が接続されている。排気装置３０はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、これにより処理チャンバ２内を所定の真空雰囲気まで真空引き可能なように構成されている。また、処理チャンバ２の側壁には基板搬入出口３１が設けられており、この基板搬入出口３１がゲートバルブ３２により開閉可能となっている。そして、このゲートバルブ３２を開にした状態で搬送装置（図示せず）によりガラス基板Ｇが搬入出されるようになっている。一方、チャンバ２の基板搬入出口３１と対向する側の側壁には、チャンバ２の内部を覗く覗き窓３３が形成されている。覗き窓３３は耐熱性の高い透明材料、例えば石英やサファイアからなる。
【００２９】
上記静電チャック６は、表面にセラミックス溶射皮膜４１を有し、内部に電極４２が埋設されている。電極４２は、ガラス基板Ｇよりも若干小さい矩形状をなしており、例えば溶射で形成されている。電極４２には給電線４３が接続されており、給電線４３には直流電源４４が接続されていて、電極４２に直流電源４４からの直流電圧が印加されることにより、クーロン力等の静電吸着力によりガラス基板Ｇが吸着される。
【００３０】
上記整流部材９は、アルミナ等のセラミックスで形成され、ガラス基板Ｇの周囲を囲繞してガラス基板Ｇの外周領域近傍から基板の外周に向かう処理ガスの流れを遮ることにより、基板の最外周領域に供給されるＣｌラジカル量を減らし、ガラス基板Ｇの面内におけるエッチングレートの均一性を高めるためのものであり、その機能を発揮する観点から例えば１００〜１５０ｍｍ程度の高さが必要である。この整流部材９は基板搬入出口３１側およびそれと対向する側の一対の側板９ａが水平方向に延びる回転軸に対して外側へ回動可能な可動部材として機能し、ガラス基板Ｇの搬入出の際に側板９ａが外側へ退避するようになっている。残りの側壁９ｂは、固定ブラケット（図示せず）により載置台３に固定されている。
【００３１】
基板搬入出口３１側の側板９ａが外側へ回動して退避することにより、ガラス基板Ｇの搬入出の際に整流部材９が妨げとなることが回避される。また、このとき基板搬入出口３１と対向する側の側板９ａをも外側へ回動させることにより、上記覗き窓３３からガラス基板Ｇの搬送状態および載置状態を見ることができる。
【００３２】
図３の側面図および図４の斜視図に示すように、この側板９ａの外側には、水平方向に延びるセラミックス製の当て板４６を介して一対の連結部材４５がその両端部にボルト４５ａにより固定されている。なお、側板９ａは、図４に示すように縦に２分割されており、当て板４６により補強されている。
【００３３】
一対の連結部材４５の下部には、側板９ａの長手方向に沿って水平に延びる回転軸４７が取り付けられている。回転軸４７はチャンバ２の外部まで延びて回転モータ４８に連結されている。そして、回転モータ４８により回転軸４７を回転させることにより、連結部材４５および当て板４６を介して側板９ａが、図３の実線で示すガラス基板Ｇを囲繞する処理位置と、破線で示すガラス基板Ｇの搬入出が可能となる退避位置との間で垂直方向に回動可能となっている。回転軸４７のチャンバ２の壁部に挿通する部分には、シール部材４９が取り付けられている。シール部材４９としては、Ｏリングシールやスプリング荷重式シール、典型的にはスプリング荷重式テフロン（登録商標）シール（オムニシール（商品名））を用いることができる。
【００３４】
制御部５０は、基板処理装置１の各構成要素の制御を行うようになっている。例えばバルブ２６の制御、ゲートバルブ３２の制御、高周波電源１４の制御、直流電源４４の制御、排気装置３０の制御、側板９ａの制御、昇降ピン１０の昇降制御等を行う。制御部５０はプロセスレシピを記憶した記憶部や、入力手段およびディスプレイ等を備えており、選択されたレシピに従って基板処理装置１を制御するようになっている。
【００３５】
次に、このように構成される基板処理装置１における処理動作について、図５を参照しながら説明する。
【００３６】
まず、ゲートバルブ３２を開き、モータ４８（図４）により整流部材９の側板９ａを外側に回動させて退避位置まで移動させ、エッチング対象膜として例えばＡｌ膜が形成されたガラス基板Ｇを搬送アーム８１により基板搬入出口３１を介してチャンバ２内へと搬入する（図５の（ａ））。
【００３７】
次いで、昇降ピン１０を上方に突出させて支持位置に位置させ、搬送アーム上のガラス基板Ｇを昇降ピン１０の上に受け渡し、昇降ピン１０を下降させてガラス基板Ｇを載置台３の静電チャック６（図１参照）の上に載置する（図５の（ｂ））。
【００３８】
その後、ゲートバルブ３２を閉じ、整流部材９の側板９ａをガラス基板Ｇを囲繞する処理位置まで回動させる（図５の（ｃ））。
【００３９】
この状態で、排気装置３０によって、チャンバ２内を所定の真空度まで真空引きし、直流電源４４から静電チャック６の電極４２に電圧を印加することにより、ガラス基板Ｇを静電吸着し、バルブ２６を開放して、処理ガス供給源２８から例えばＣｌ２ガス等の処理ガスを、マスフローコントローラ２７によってその流量を調整しつつ処理ガス供給管２５、ガス導入口２４を通ってシャワーヘッド２０の内部空間２１へ導入し、さらに吐出孔２２を通って基板Ｇに対して均一に吐出し、排気量を調節しつつチャンバ２内を所定圧力に制御する。そして、この状態で高周波電源１４から整合器１３を介してプラズマ生成用の高周波電力を載置台３の基材５に供給し、下部電極としての載置台３と上部電極としてのシャワーヘッド２０との間に高周波電界を生じさせて、処理ガスのプラズマを生成し、このプラズマによりガラス基板Ｇの被エッチング対象膜であるＡｌ膜にプラズマエッチング処理を施す（図５の（ｄ））。
【００４０】
この場合に、整流部材９によりガラス基板Ｇの外周領域近傍から基板の外周に向かう処理ガスの流れが遮られ、基板の最外周領域に供給されるＣｌラジカル量が減るため、ガラス基板の外周領域のエッチングレートは低下して、ガラス基板ＧのＡｌ膜に対し均一の高いプラズマエッチングを施すことができる。
【００４１】
このようにしてプラズマエッチング処理を行った後、処理ガスの供給を停止して、ガラス基板Ｇの搬出に備えてチャンバ２内の圧力を調整し、ゲートバルブ３２を開くとともに、整流部材９の側板９ａを外側に回動させて退避位置まで移動させ昇降ピン１０によりガラス基板Ｇを持ち上げる（図５の（ｅ））。
【００４２】
次いで、チャンバ２内に搬送アーム８１を挿入し、搬送アーム８１がエッチング処理後のガラス基板Ｇを受け取ってチャンバ２から搬出する（図５の（ｆ））。
【００４３】
以上の処理動作において、ガラス基板Ｇの搬入出の際には、ゲートバルブ３２の開放と整流部材９の側板９ａの退避位置への回動が同時期に行われ、ゲートバルブ３２の閉塞と側板９ａの処理位置への回動が同時期に行われるため、制御部５０から、ゲートバルブ３２を開放する信号と側板９ａが退避位置へ回動する信号を同期して出力し、ゲートバルブ３２を閉塞する信号と側板９ａが処理位置へ回動する信号を同期して出力することが好ましい。これにより、これらの動作をシリアルに行うよりも動作時間を短縮することができる。
【００４４】
以上のように、本実施形態では、整流部材９の搬入出口３１側の側板９ａが回動して外側へ回動可能となっており、ガラス基板Ｇの搬入出の際に側板９ａが外側へ退避することができるので、整流部材９をガラス基板Ｇの高さよりも高い位置に上昇させずにガラス基板Ｇの搬入出が可能になる。このため、整流部材９からガラス基板Ｇにパーティクルが落下することを回避することができ、ガラス基板Ｇの汚染を抑制することができる。
【００４５】
また、基板搬入出口３１側の側板９ａが外側へ回動して退避すると同時に、それと対向する側板９ａも外側へ回動して退避するので、ガラス基板Ｇの搬送状態およびガラス基板Ｇの載置状態をチャンバ２側壁の覗き窓３３から見ることができ、ガラス基板Ｇの搬入出時に異常があった場合に迅速に対応することができる。もちろん、整流部材９を上昇させずにガラス基板Ｇの搬入出を可能にする観点からは、基板搬入出３１側の側板９ａのみが回動できるようになっていればよい。
【００４６】
ところで、整流部材９は、ガラス基板の外周領域近傍から基板外周に向かう処理ガスの流れを遮ると同時に、ガラス基板外周領域における処理ガスの流れを抑制する構造であることが望ましい。そのような観点から、側板９ａと側板９ｂの間は密着されていることが好ましい。しかしながら、側板９ａと側板９ｂの間を密着させる場合には、側板９ａを外側に回動させて退避させた後、密着状態の処理位置に戻す際に、側板９ａが側板９ｂに当たってパーティクルが発生するおそれがある。
【００４７】
整流部材９の機能を極力維持したまま、このようなパーティクルを防止する観点からは、図６に示すように、側板９ａが処理位置にある場合に、側板９ａと側板９ｂとの間に０．５ｍｍ程度の微小隙間が形成されるようにし、側板９ａから側板９ｂを挟むように突出するように板材９ｃを側板９ａに取り付け、処理ガスが通過する側板９ａと側板９ｂ間の経路を屈曲したラビリンス構造とすることが好ましい。このようにすることにより、処理ガスが通過する側板９ａと側板９ｂ間の経路のコンダクタンスを十分に小さくすることができ、処理ガスが側板９ａと側板９ｂ間を抜けていくことが抑えられ、整流部材９の機能を維持することができる。この場合に、板材９ｃと側板９ｂとのオーバーラップ長さ（図６においてＤで示す部分の長さ）は２０〜３０ｍｍ程度とすることができる。
【００４８】
また、同様に、側板９ａとシールドリング７との間も密着していることが好ましいが、側板９ａを退避位置から処理位置に戻す際に密着状態にしようとすると、側板９ａとシールドリング７との間に擦れが生じてやはりパーティクルが発生するおそれがある。
【００４９】
このため、図７に示すように、側板９ａが処理位置にある場合に、側板９ａとシールドリング７との間に０．５ｍｍ程度の微小隙間が形成されるようにし、側板９ａに近接した位置に側板９ａの幅方向に沿って、ガラス基板Ｇの搬入出を妨げない高さの抵抗部材６１を設けて、処理ガスが側板９aの下を通過する経路を屈曲したラビリンス構造となるようにし、この経路のコンダクタンスを十分に小さくすることが好ましい。この場合に、抵抗部材６１の高さは１０ｍｍ以上とすることができる。
【００５０】
図８は、整流部材のさらに他の変形例を示す模式図、図９は、図８に示す整流部材の動きを示す模式図である。
【００５１】
図７に示した他の変形例に係る整流部材９ａは、シールドリング７上に抵抗部材６１を設け、側板９aの下を通過する処理ガスの経路を屈曲したラビリンス構造となるようにした。
【００５２】
これに対して、図８に示すさらに他の変形例に係る整流部材９ａは、シールドリング７上にガラス基板Ｇの搬入出を妨げない高さの抵抗部材６２を設け、図９に示すように、側板９ａがシールドリング７側に回動してきた際、側板９ａの下部が抵抗部材６２の上部に載るようにしている。
【００５３】
このように、側板９ａが回動した際に、側板９ａの下部を抵抗部材６２の上部に載せるようにすることで、側板９aの下を処理ガスが通過しないようにすることもできる。
【００５４】
また、図８に示す変形例においては、側板９ａの下部に、抵抗部材６２に合致するような切り欠き部６３を設け、この切り欠き部６３の上面６４が、抵抗部材６２の上面に載るように構成されている。また、切り欠き部６３の側面６５、及び側板９ａの最下面６６については、抵抗部材６２の側面、及びシールドリング７の上面の間にクリアランス６７が設定されるような寸法に設定され、側面６５及び最下面６６が、抵抗部材６２の側面、及びシールドリング７の上面と接触しないように構成されている。これにより、側板９ａと抵抗部材６２との接触を最小限度に抑制し、無用なパーティクルが発生しないようにしている。
【００５５】
さらに、回転軸４７を回転させる回転モータ４８（図４参照）にはバックラッシがあるのが通常である。側板９ａの下部を抵抗部材６２の上部に接触させる際に、このバックラッシを利用して接触させるようにすると、ダイレクトに接触させる場合に比較して、側板９ａの下部を抵抗部材６２の上部にゆっくりとソフトに接触させることができる。
【００５６】
このように、側板９ａの下部と抵抗部材６２とが接触することで発生するパーティクルについては、側板９ａの下部を抵抗部材６２の上部に接触させる際に、回転モータ４８のバックラッシを利用することで、処理に影響のない量まで減らすことが可能である。
【００５７】
また、整流部材９の側板９ａを回動する際の駆動系側の真空シールをより確実にする観点からは、図１０に示すように、チャンバ２の回転軸４７に対応する部分にボックス７０を設け、そこにラックアンドピニオン機構７１を設け、シリンダ７３のピストン７４をベローズ７２を介してボックス７０に挿入し、シリンダ７３によりピストン７４を直進させることにより、ラックアンドピニオン機構７１を介して回転軸４７を回転させるようにすることが好ましい。ラックアンドピニオン機構７１は、ピストン７４の先端に取り付けられたラック７５と、回転軸４７に取り付けられ、ラック７５に噛合するピニオン７６と、ラック７５の背面側を押さえる受けベアリング７７とを有する。なお、参照符号７８はカップリング、７９はベアリングである。このように、ラックアンドピニオン機構７１を用いることにより、駆動系側の真空シールをベローズ７２で行うことができるので、より確実に真空シールを行うことができる。
【００５８】
図１１は、整流部材の側板を回動させるための駆動系の他の例を示す図である。
【００５９】
側板９ａを回動する際の駆動系側の真空シールをより確実にする観点からは、図１１に示すように、回転ベローズ機構８０を利用することもできる。
【００６０】
回転ベローズ機構８０においては、回転軸４７が、例えば、チャンバ２の外側（大気側）において、所定の角度θに曲げられている。回転軸４７のチャンバ２の内側（真空側）から外側（大気側）へと外壁を介して通過する直線部は、チャンバ２の外側（大気側）に設けられ、回転軸４７をベアリング８１により回転可能に保持するフランジ部材８２によって保持されている。
【００６１】
さらに、回転軸４７のチャンバの外側（大気側）の先端は、ベアリング８３により回転可能に保持する回転軸保持部材８４によって保持されている。また、回転軸４７の角度θに曲げられた屈曲部８５は、フランジ部材８２と回転軸保持部材８４とにそれぞれ接続されたベローズ８６により囲まれている。ベローズ８６は、回転軸４７の曲りに合わせて撓む。
【００６２】
フランジ部材８２には、保持部材８４、及びベローズ８６を収容する、例えば、筒状のケーシング部材８７が取り付けられている。さらに、ケーシング部材８７は、回転モータ４８の回転軸８８をベアリング８９により回転可能に保持する。回転軸８８の回転中心は、回転軸４７の直線部における回転中心に合致する。回転軸８８のケーシング部材８７の内部における先端には、ハンドル部材９０が設けられている。ハンドル部材９０は、回転軸保持部材８４を、回転軸８８の回転中心から偏心した位置に上記角度θ傾いた状態で、かつ、ベアリング９１により回転可能に保持する。
【００６３】
回転モータ４８は回転軸８８を回転させる。回転軸８８が回転すると、ハンドル部材９０は、回転軸８８の回転中心から偏心した位置に保持されている回転軸保持部材８４を、首振り回転させる。回転軸４７の先端は、回転軸保持部材８４に角度θ傾けられて保持されているので、回転軸４７は、回転軸保持部材８４の首振り回転に合わせて回転する。ベローズ８６は、保持部材８４の首振り回転に合わせて、撓んでいる部分を回転軸４７の直線部における回転中心を中心にして移動させる。
【００６４】
このようにして、回転モータ４８は回転軸４７を回転させる。
【００６５】
このような回転ベローズ機構８０を用いても、チャンバ２の内側（真空側）と外側（大気側）との真空シールを、ベローズ８６を用いて行うことができるので、図１０に示したラックアンドピニオン機構７１と同様に、より確実に真空シールを行うことができる。
【００６６】
さらに、整流部材９の側板９ａはチャンバ２の壁部側へ回動するため、整流部材９の高さは整流部材９の側板９ａとチャンバ２の壁部との距離により制限される。すなわち、側板９ａとチャンバ２の壁部との距離が小さい場合には、整流部材９の高さを十分にとることができない。
【００６７】
そのような場合には、図１２の（ａ）に示すように、側板９ａを上部材９ｄおよび下部材９ｅに上下に２分割し、これらを折りたたみ可能に連結し、側板９ａを外側の退避位置に回動される際に、図１２の（ｂ）に示すように、上部材９ｄを下部材９ｅに対して回動して折りたたむことにより、側板９ａの退避位置でのチャンバ壁部方向の長さを小さくすることができる。なお、側板９ａを３以上に分割して折りたたみ可能にしてもよい。
【００６８】
また、図１３の（ａ）に示すように、側板９ａを下側の基部９ｇと基部９ｇに対してスライド可能に設けられた上側のスライド部９ｆとに分割し、側板９ａを外側の退避位置に回動する際に、図１３の（ｂ）に示すように、スライド部９ｆを基部９ｇに対してスライドさせることにより、側板９ａの退避位置でのチャンバ壁部方向の長さを小さくすることができる。なお、側板９ａを３以上に分割してスライド可能にしてもよい。
【００６９】
さらに、図１４に示すように、側板９ｂの側板９ａが密着する端面９ｈを斜面とし、端面９ｈの下部に誘導斜面９ｉを形成し、側板９ａの内側面９ｊの下部に誘導斜面９ｉに対応する切り欠き面９ｋを設け、側板９ａを退避位置から処理位置に戻す際に、図１４の（ａ）に示すように、駆動機構により、側板９ａをその切り欠き面９ｋが誘導斜面９ｉにかかる位置まで回動させ、側板９ｂの端面９ｈと側板９ａの内面９ｊとの間に隙間がある状態で駆動機構の伝達を切り、図１４の（ｂ）に示すように、側板９ａの切り欠き面９ｋが誘導斜面９ｉにガイドされて側板９ａが自重で側板９ｂに密着するようにしてもよい。これにより、パーティクルの発生を抑制しつつ側板９ｂと側板９ａとを密着させることができる。
【００７０】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることはなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、整流部材９の側板９ａの回動は、ゲートバルブ３２の駆動機構と別の駆動機構により行ったが、ゲートバルブ３２の駆動機構の動力を機械的伝達機構を介して利用することもできる。また、本発明をエッチング装置に適用したが、エッチング処理に限らず、成膜等の他のプラズマ処理に適用可能である。また、上記実施形態では、整流部材の基板搬入出口側の側板を外側へ退避させる構成としたが、これに限らず、下側に退避させる等、他の退避構造であってもよい。
【００７１】
また、上記実施形態では整流部材を４つの側板で構成し、基板搬入出口側の側板を可動部材として機能させたが、これに限るものではない。
【００７２】
また、上記実施形態では、基板としてＦＰＤ用ガラス基板を用いた例を示したが、これに限定されず半導体ウエハ等の他の基板であってもよい。
【符号の説明】
【００７３】
１；基板処理装置
２；チャンバ
３；載置台
５；基材
６；静電チャック
７；シールドリング
９；整流部材
９ａ；側壁
１４；高周波電源
２０；シャワーヘッド
２８；処理ガス供給源
３０；排気装置
３３；覗き窓
４１；セラミックス溶射皮膜
４２；電極
４４；直流電源
４５；連結部材
４７；回転軸
４８；回転モータ
５０；制御部
Ｇ；ガラス基板
６２；抵抗部材
６３：切り欠き部
６７；クリアランス
８０；回転ベローズ機構
８２；フランジ部材
８４；回転軸保持部材
８５；回転軸４７の屈曲部
８６；ベローズ
８８；回転軸
９０；ハンドル部材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理容器と、
前記処理容器の側壁に形成された基板を搬入出する基板搬入出部と、
前記処理容器内で基板を載置する載置台と、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
前記処理容器内で処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構と、
前記処理容器内を排気する排気機構と、
前記載置台上に前記載置台上の基板を囲繞するように設けられた整流部材と
を具備し、
前記載置台上の基板に対してプラズマ処理を行う基板処理装置であって、
前記整流部材は、少なくとも前記基板搬入出部に対応する位置に、前記載置台に対する基板の搬入出が可能なように退避位置に移動可能に設けられた可動部材を有し、
前記整流部材は、４つの側板からなる角筒状をなし、これら側板のうち前記基板搬入出部に対応する位置にある側板が前記載置台に対する基板の搬入出が可能なように退避位置に移動可能な可動部材として機能し、
前記可動部材として機能する側板は、回転軸を回転させることにより、処理の際の処理位置と前記退避位置との間で回動するように構成され、
前記回転軸と前記可動部材として機能する側板とが連結部材で結合され、前記連結部材の回転により前記可動部材として機能する側板を回動させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記基板搬入出部に対応する位置にある側板と対向する側板も退避可能な可動部材として機能することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記可動部材として機能する側板は、水平方向に延びる回転軸を回転させることにより、垂直方向に回動可能であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記可動部材として機能する側板は、前記処理位置において隣接する側板に密着することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記可動部材として機能する側板は、前記処理位置において隣接する側板との間に隙間が形成され、処理ガスが前記隙間を通過する経路は屈曲したラビリンス構造をとるように構成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記可動部材として機能する側板は、前記処理位置において前記載置台と密着していることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記可動部材として機能する側板は、前記処理位置において前記載置台との間に隙間が形成され、前記載置台における前記可動部材として機能する側板の近傍位置に、その側板の幅方向に沿って基板の搬入出を妨げない高さの抵抗部材が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記可動部材として機能する側板は、上下方向に複数に分割され、これらが折りたたみ可能に連結され、退避位置に回動される際に折りたたまれることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記可動部材として機能する側板は、上下方向に複数に分割され、これらがスライド可能に連結され、退避位置に回動される際に分割片がスライドして重ねられることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記可動部材として機能する側板は、前記退避位置から前記処理位置に回動される際に、隣接する側板との間に隙間が形成された状態まで駆動機構により駆動させ、その後自重により前記隣接する側板との間が密着されることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項６、および請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記回転軸は、シール部材を介して前記処理容器の外側に延び、前記処理容器の外側に設けられた回転モータにより回転されることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記シール部材は、Ｏリングシールまたはスプリング荷重式シールであることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記回転軸は、前記処理容器の外側にベローズを介して設けられたシリンダ機構の駆動により、ラックアンドピニオン機構を介して回転されることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記基板搬入出部は、前記処理容器に設けられた基板搬入出口と、該基板搬入口を開閉するゲートバルブとを有し、
前記ゲートバルブの開放と、前記可動部材の退避位置への移動とを同期して実行させる制御部をさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１】
基板を収容する処理容器と、
前記処理容器の側壁に形成された基板を搬入出する基板搬入出部と、
前記処理容器内で基板を載置する載置台と、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
前記処理容器内で処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構と、
前記処理容器内を排気する排気機構と、
前記載置台上に前記載置台上の基板を囲繞するように設けられた整流部材と
を具備し、
前記載置台上の基板に対してプラズマ処理を行う基板処理装置であって、
前記整流部材は、少なくとも前記基板搬入出部に対応する位置に、前記載置台に対する基板の搬入出が可能なように退避位置に移動可能に設けられた可動部材を有し、
前記整流部材は、４つの側板からなる角筒状をなし、これら側板のうち前記基板搬入出部に対応する位置にある側板が前記載置台に対する基板の搬入出が可能なように退避位置に移動可能な可動部材として機能し、
前記可動部材として機能する側板は、回転軸を回転させることにより、処理の際の処理位置と前記退避位置との間で回動するように構成され、
前記回転軸と前記可動部材として機能する側板とが連結部材で結合され、前記連結部材の回転により前記可動部材として機能する側板を回動させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記基板搬入出部に対応する位置にある側板と対向する側板も退避可能な可動部材として機能することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記可動部材として機能する側板は、水平方向に延びる回転軸を回転させることにより、垂直方向に回動可能であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記可動部材として機能する側板は、前記処理位置において隣接する側板に密着することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記可動部材として機能する側板は、前記処理位置において隣接する側板との間に隙間が形成され、処理ガスが前記隙間を通過する経路は屈曲したラビリンス構造をとるように構成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記可動部材として機能する側板は、前記処理位置において前記載置台と密着していることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記可動部材として機能する側板は、前記処理位置において前記載置台との間に隙間が形成され、前記載置台における前記可動部材として機能する側板の近傍位置に、その側板の幅方向に沿って基板の搬入出を妨げない高さの抵抗部材が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記可動部材として機能する側板は、上下方向に複数に分割され、これらが折りたたみ可能に連結され、退避位置に回動される際に折りたたまれることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記可動部材として機能する側板は、上下方向に複数に分割され、これらがスライド可能に連結され、退避位置に回動される際に分割片がスライドして重ねられることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記可動部材として機能する側板は、前記退避位置から前記処理位置に回動される際に、隣接する側板との間に隙間が形成された状態まで駆動機構により駆動させ、その後自重により前記隣接する側板との間が密着されることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項６、および請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記回転軸は、シール部材を介して前記処理容器の外側に延び、前記処理容器の外側に設けられた回転モータにより回転されることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記シール部材は、Ｏリングシールまたはスプリング荷重式シールであることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記回転軸は、前記処理容器の外側にベローズを介して設けられたシリンダ機構の駆動により、ラックアンドピニオン機構を介して回転されることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記基板搬入出部は、前記処理容器に設けられた基板搬入出口と、該基板搬入口を開閉するゲートバルブとを有し、
前記ゲートバルブの開放と、前記可動部材の退避位置への移動とを同期して実行させる制御部をさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１２−２３８９１１（Ｐ２０１２−２３８９１１Ａ）
【公開日】平成２４年１２月６日（２０１２．１２．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１９０８９０（Ｐ２０１２−１９０８９０）
【出願日】平成２４年８月３１日（２０１２．８．３１）
【分割の表示】特願２００８−２７５４９１（Ｐ２００８−２７５４９１）の分割
【原出願日】平成２０年１０月２７日（２００８．１０．２７）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月６日（２０１２．１２．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年８月３１日（２０１２．８．３１）
【分割の表示】特願２００８−２７５４９１（Ｐ２００８−２７５４９１）の分割
【原出願日】平成２０年１０月２７日（２００８．１０．２７）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]