【課題】エッチングチャンバー内の基板ホルダ上に載置された基板の酸化膜を蝕刻するエッチング方法において、酸化膜のエッチングレートや分布の改善を可能にする。
【解決手段】基板ホルダ上への前記基板の搬送経路を構成する開口部を有し、前記基板ホルダの周囲に設置される固定シールド部、及び前記搬送経路を開閉する位置に設けられる可動シールド部が、いずれもアースに落とされた状態で前記酸化膜のエッチングを行なう。 （もっと読む）

半導体プロセスチャンバ内で使用されるプロセスキットが、本明細書内に提供されている。いくつかの実施形態では、半導体プロセスチャンバ用のプロセスキットは、基板サポートの周辺部の周りにあり、基板サポートの中央領域に対応する開口を画定する側壁を有するように構成される本体を含む。リップは、本体の側壁から開口内へ延び、リップの上面の一部は、処理の間、基板の下に配置されるように構成される。本体の対向する側壁間で測定される第１距離は、開口内に配置される基板の上面を横切る幅よりも少なくとも約７．８７ｍｍ大きい。
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【課題】基板との接触が良好で基板の温度を高精度で所望の温度に制御することができる基板載置台を提供すること。
【解決手段】載置台本体４１と、載置台本体４１の上部に設けられた、基板を載置する載置面を有する載置部と、冷熱を載置台本体４１の上部に伝熱させるための冷媒流路４５と、載置台本体４１の伝熱経路中に位置し、載置された基板に対応するように設けられた空間部６１、および空間部６１に充填された、多数の連通する空隙が存在する固体部材６２を有し、空間部６１に伝熱ガスを供給または空間部６１から伝熱ガスを排出することにより、冷媒からの伝熱をコントロールする伝熱コントロール部６０と、空間部６１へ伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給機構６５と、空間部６１から伝熱ガスを排出する伝熱ガス排出機構６８と、空間部６１への伝熱ガスの供給および伝熱ガスの排出を制御する制御部とを具備する。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気において処理容器内の基板に対して処理ガスをプラズマ化したプラズマを供給してプラズマ処理を行うにあたって、面内均一性高く処理を行うこと。
【解決手段】基板を載置する載置台に対向するように、下面に多数のガス吐出孔が形成されたガスシャワーヘッドを処理容器の天壁に設けると共に、このガスシャワーヘッドの周囲における処理容器の天壁を誘電体により構成し、この誘電体上にコイルを設置して、基板の上方の処理領域とこの処理領域を囲む周縁領域とにおける電界が同位相あるいは逆位相となるようにガスシャワーヘッド及びコイルに供給する高周波の位相を調整する。 （もっと読む）

【課題】被処理物の外側に位置する保護部の交換頻度を少なくするため、保護部の長寿命化を図るプラズマ処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】内部を真空とすることが可能な処理室１に、被処理物Ｓを載置する載置部３と、ガスを供給するためのガス供給部２とを備えたプラズマ処理装置において、載置部３は、被処理物Ｓの外周側に配置されたマスクリング３３を有し、ガス供給部２は、被処理物Ｓの上部に位置し、プラズマ処理用のガスを供給する中心側開口部２２ａ、中間開口部２２ｂと、マスクリング３３の上部若しくは外側に位置し、マスクリング３３に堆積物を生じさせるガスを供給する外周側開口部２２ｃとを有する。 （もっと読む）

【課題】 素子部分に損傷を与えず、ウェハのベベルの汚れを効果的に除去し得るウェハ処理装置を提供する。
【解決手段】 チャンバ１と、チャンバ１の内部に配設されて処理対象であるウェハ７が載置されるステージ６と、チャンバ１の内部にプラズマ９を形成するプラズマ発生手段と、プラズマ９とウェハ７とを隔離するようチャンバ１の内部に配設された隔離部材１０と、プラズマ９によって生成されるラジカル９Ａをウェハ７の外周部に選択的に回り込ませるよう隔離部材１０の外周部に形成した貫通孔１１とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマによる消耗及び生産性の悪化を抑制することができるリング状部材を提供する。
【解決手段】ウエハにプラズマエッチング処理を施す基板処理装置においてプラズマが内部に発生する反応室に収容されるフォーカスリング２４であって、円周方向に配設された４つの単結晶シリコンの円弧状部材２４ａ〜２４ｄからなり、各円弧状部材２４ａ〜２４ｄの上面２４ａ_１〜２４ｄ_１や外側面２４ａ_２〜２４ｄ_２には、消耗しやすい単結晶シリコンの結晶面、例えば、ミラー指数が｛１００｝の結晶面が表れない。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングにおいて、サイドエッチングの発生を抑制する。
【解決手段】半導体素子を形成する領域に溝を形成するためのマスクを半導体膜の一方に備え、絶縁膜をその半導体膜の他方に備える半導体基板をドライエッチング装置の下部電極上にマスクを備える面が被加工面になるように置き、前記半導体基板の外周部を前記下部電極と略同電位となる金属性のクランプにて押さえ、前記絶縁膜をエッチングストッパ層とするドライエッチングを開始し、すくなくとも、前記領域の周囲に形成される溝の底面が前記絶縁膜に達した後は、前記領域と前記クランプとを電気的に絶縁状態にする。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングを行う際のサイドエッチングを抑制する。
【解決手段】半導体素子の形成のための溝に対応するマスクを半導体膜の一方に備え、絶縁膜をその半導体膜の他方に備えるＳＯＩ基板などの半導体基板をドライエッチング装置の下部電極に置き、下部電極との間にコンタクトなどが配置されて下部電極と略同電位となる金属性のクランプにより絶縁部材を介して前記半導体基板を押さえて半導体基板を下部電極に固定し、前記絶縁膜をエッチングストッパ層としてドライエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板またはシリコン層のエッチング加工において、側壁ダメージの防止、高選択比および垂直形状加工を両立させることができるＳｉエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空可能なチャンバ１０内に配置されたサセプタ１２上にシリコン基板Ｗを載置し、チャンバ１０内でエッチングガスを放電させてプラズマを生成し、サセプタ１２にイオンを引き込むための第１の高周波ＲＦ_Ｌを印加する。エッチングガスにはＢｒ_２ガスとＣｌ系の高分子ガスとを含む混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】基板温度を所定の温度まで冷却可能な形状を有する基板トレイ、並びにエッチング中に基板割れを生じることなく加工できるエッチング装置及びエッチング方法の提供。
【解決手段】基板Ｓの周縁部を押圧して基板トレイ２２上に固定するように構成されたクランプリング２３を有してなり、基板トレイが、第１の表面凹部２２ａと第２の表面凹部２２ｃとの２段の凹部が形成された表面、及び裏面凹部２２ｄと裏面凹部を囲んで基板電極２１に接触する周囲接触面部２２ｅとが形成された裏面を有し、そして冷却ガス流路２２ｆが形成されている。このエッチング装置を用い、基板トレイに載置された基板の周縁部をクランプリングで押圧して基板を固定し、冷却ガス流路に冷却ガスを流しながら、高密度プラズマ雰囲気下で基板をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比エッチングを行う際に，エッチングレートとレジスト選択比の両方を従来以上に向上させることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】堆積性を有するエッチングガス（例えばフルオロカーボン系ガス）を含む処理ガスにＳＦ_６ガスを添加ガスとして加えて処理室１０２内に導入してプラズマを形成し，その際に添加ガスの流量を調整することによって，ウエハＷ上に堆積する堆積物の膜厚を制御するとともに，堆積物の硬さを制御しながら，被エッチング膜のエッチングを進行させる。 （もっと読む）

【課題】エッチング中に基板割れを生じることなく加工できるエッチング装置及びそのエッチング方法の提供。
【解決手段】基板Ｓを固定するためのクランプリング３３と、クランプリングと基板の周縁部との間に設けられたリング部材３４とを有してなり、基板トレイが、第１の表面凹部３２ａと第２の表面凹部３２ｃとの２段の表面凹部、及び裏面凹部３２ｄと裏面凹部を囲んで基板電極３１に接触する周囲接触面部３２ｅとを有し、冷却ガス流路３２ｆが形成されたものであり、リング部材が１．５Ｗ／ｍＫ以下の熱伝導率を有する材料から構成されていること。このエッチング装置を用い、基板の載置された基板トレイを基板電極上に装着し、基板の周縁部をリング部材を介してクランプリングで押圧して固定し、冷却ガスを流しながら、高密度プラズマ雰囲気下で基板をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】エッチング中に基板割れを生じることなく加工できるエッチング装置及びエッチング方法の提供。
【解決手段】基板Ｓの周縁部Ｓａを押圧して基板トレイ３２上に固定するように構成されたクランプリング３３と、クランプリングと基板の周縁部との間に設けられたリング部材３４とを有し、基板トレイが、表面に表面凹部３２ａが、かつ裏面に裏面凹部３２ｂと裏面凹部を囲んで基板電極３１に接触する周囲接触面部３２ｃとが形成され、そして冷却ガス流路３２ｄが形成されたものであり、リング部材が、１．５Ｗ／ｍＫ以下の熱伝導率を有する材料から構成されている。このエッチング装置を用い、基板の載置された基板トレイを基板電極上に装着し、基板の周縁部をリング部材を介してクランプリングで押圧して固定し、冷却ガス流路にガスを流しながら、高密度プラズマ雰囲気下で基板をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 材料プロセスツール及びパフォーマンスデータを用いてプロセスを制御する方法及びシステムを提供することである。
【解決手段】 本発明の一実施形態によれば、材料処理システム（１）は、プロセスツール（１０）及びプロセスパフォーマンス制御システム（１００）を含む。プロセスパフォーマンス制御システム（１００）は、プロセスツール（１０）に結合されたプロセスパフォーマンスコントローラ（５５）を含み、プロセスパフォーマンスコントローラ（５５）は、プロセスパフォーマンス予測モデル（１１０）と、プロセス方法補正フィルタ（１２０）と、プロセスコントローラ（１３０）と、プロセスパフォーマンスモデル補正アルゴリズム（１５０）とを含む。プロセスパフォーマンス予測モデル（１１０）は、プロセスツール（１０）に結合された複数のセンサからツールデータを受取り、プロセスパフォーマンスデータを予測するように構成されている。 （もっと読む）

プラズマ処理システム内において基板支持体をチャンバ壁に接続する低インピーダンスＲＦ復路を有する方法及び装置が提供される。一実施形態では、処理チャンバは、チャンバ側壁と、底部と、前記チャンバ側壁により支持される蓋アセンブリとを有して処理領域を画定するチャンバボディ、前記チャンバボディの前記処理領域内に配置された基板支持アセンブリ、前記基板支持アセンブリの周縁部に配置されるシャドウフレーム、及び前記シャドウフレームに接続される第１端部と、前記チャンバ側壁に接続される第２端部とを有する可撓性ＲＦ復路を含んでいる。
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【課題】導電セラミック材料およびその作製方法に係り、体積抵抗率のばらつきが小さく、高い耐蝕特性を有するセラミック部材からなる導電セラミック材料を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態においては、酸化イットリウムを主成分とし、セリウムの元素を含有し、非酸化雰囲気での焼成により得られるセラミック部材からなる導電性セラミック材料とすることで、体積抵抗率のばらつきが小さく、高い耐蝕特性を有するセラミック部材からなる導電セラミック材料を提供できるようになる。 （もっと読む）

【課題】基板へのパーティクルの付着を効果的に防止した、優れた性能の絶縁膜エッチング装置を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバー１内の基板ホルダー２上に基板９が保持され、エッチング用ガスがガス導入系３により導入される。プラズマ形成手段４に手段によりプラズマが形成され、プラズマ中の活性種やイオンの作用により基板９の表面の絶縁膜のエッチングが行われる。制御部８は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系３により導入し、プラズマ形成用手段４によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー１内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。基板保持面より下方に設けられた冷却トラップ１２は、強制冷却され、堆積作用のあるガス分子を捕集して多くの膜を堆積させる。冷却トラップ１２は交換可能である。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、高アスペクト比構造のプラズマエッチングを可能にする方法及び装置を提供する。一実施形態では、エッチングするための方法が提供され、その方法は、シリコン層上に配置されるパターニングされたマスクを有する基板をエッチングリアクタ内に提供するステップと、リアクタに混合ガスを供給するステップと、混合ガスから形成されたプラズマを維持するステップを含み、リアクタに供給されるバイアス電力及びＲＦ電力はパルス化され、方法はプラズマの存在の中でシリコン層をエッチングするステップを更に含む。
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【課題】レジストパターンのトリミングの際にパターン倒れが発生し難く、パターンの縦方向のエッチング量を少なくすることができるプラズマ処理方法およびトリミングに先立ってレジストパターンを改質するレジストパターンの改質方法を提供する。
【解決手段】処理容器１０内にパターン化されたフォトレジストが形成された基板を搬入し、前記下部電極に載置する工程と、処理容器１０内に改質用処理ガスを供給する工程と、上部電極３４に第１の高周波印加手段４８から高周波電力を印加して処理ガスのプラズマを生成し、さらに、上部電極３４に直流電圧印加手段５０から負の直流電圧を印加することにより前記レジストパターンを改質する工程と、改質されたレジストパターンをプラズマエッチングしてトリミングする工程とを有する工程とを有する。 （もっと読む）