【課題】被処理体を均一にプラズマ処理することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、板状をなす被処理体Ｗに向けて処理ガスＧ１を噴出する開口２３、２４を有するガス供給管４、５と、処理ガスＧ１を活性化させてプラズマが発生するように電界を発生させる上部電極２および下部電極３と、浮上用ガスＧＳを供給することにより、被処理体Ｗを浮上させるエアギャップ生成部１５、１６とを備えている。このプラズマ処理装置１では、被処理体Ｗをプラズマ処理するとき、被処理体Ｗを浮上用ガスＧＳの作用によって浮上させて、被処理体Ｗを非接触で処理する。 （もっと読む）

【課題】０．１気圧〜１００気圧という比較的高い圧力下で高速な処理を実現できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】第１電極１と第２電極２が平行に配置され、第２電極２上に被処理物３が配置される。第１電極１は裏板４を介して接地されている。第１ガス供給装置５から第１配管６を介して第１ガス溜まり７に不活性ガスとしてのヘリウムガスが供給され、第２ガス供給装置８から第２配管９を介して第２ガス溜まり１０に反応性ガスとしてのＳＦ₆ガスが供給される。ヘリウムガスを、第１ガス噴出口１２から噴出させるとともに、ＳＦ₆ガスを、第２ガス噴出口１３から噴出させつつ、高周波電源１１を操作して第１電極と第２電極間に電圧を印加すると、第１電極１と被処理物３の間に面状のプラズマが発生し、被処理物の表面を高速でエッチングすることができた。 （もっと読む）

【課題】被処理体におけるプラズマ処理される被処理部分の処理ガスの濃度の低下を防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、被処理体Ｗに向けて処理ガスＧ１を噴出する開口２３および２４をそれぞれ有するガス供給管４および５と、処理ガスＧ１を活性化させてプラズマが発生するように電界を発生させる上部電極２および下部電極３と、拡散防止用ガスＧＳを噴出することにより、処理空間ＳをエアカーテンＡＳで囲んで、処理ガスＧ１が拡散するのを防止するエアカーテン生成部１５、１６とを備えている。 （もっと読む）

処理室（１１）の中に位置する１つ又は複数のマイクロ構造体をエッチングするためのエッチングガス源（１０）を備える装置（９）及び方法が提供される。この装置は、ガス源（２６）及びエッチング材料（２８）を含むための１つ又は複数の室（２７）に付設されたガス源供給ライン（１２）を有している。使用において、１つ又は複数の室（２７）の中でエッチング材料（２８）がエッチング材料蒸気に変換され、ガス供給ライン（１２）は、キャリヤーガスをエッチング材料蒸気に供給するための手段、及び次いでキャリヤーガスによって移送されたエッチング材料蒸気を処理室（１１）に供給するための手段を備える。有利なことに、本発明の装置（９）は、エッチングガスの連続的な流れを達成するためにいかなる膨張室又は他の複雑な機械的な特徴の組み込みも必要としない。
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半導体基板の処理中にシャワーヘッド電極を所望の温度に維持するために、プラズマ処理装置は、シャワーヘッド電極と熱的に接触したヒータ、及び、そのヒータと熱的に接触し温度制御された天板を備える。ガス分配部材は、シャワーヘッド電極にプロセスガス及び高周波（ＲＦ）電力を供給する。 （もっと読む）

プラズマ処理装置のプラズマ処理チャンバ等のチャンバに、異なるガス組成物を供給するガス分配システムが提供される。ガス分配システムは、ガス供給部、フロー制御部及び切換部を含み得る。ガス供給部は、第１及び第２のガス、一般にはガス混合物を、第１及び第２のガスのチャンバへのフローを制御するフロー制御部に提供する。チャンバは複数の区画を含むことができ、フロー制御部は第１及び第２のガスを所望のガス流量比で複数の区画に供給することができる。ガス分配システムは第１及び第２のガスを切換部に連続的に供給することができ、切換部は、第１及び第２のガスのフローを切換えて、第１及び第２のプロセスガスの一方をチャンバに供給するとともに、第１及び第２のガスの他方をバイパス管路に供給し、次にガスフローを切換えるように、操作可能である。切換部は、好ましくは、どちらのガスのフローにも望ましくない圧力サージ又はフローの不安定性を生じさせることなく、迅速に開閉して、第１及び第２のガスを高速で切換えるように操作可能な高速切換バルブを含むのが好ましい。 （もっと読む）

プラズマ処理機器が、プロセスガス及び高周波（ＲＦ）電力をシャワーヘッド電極に供給するガス分配部材を含む。ガス分配部材は、同じプロセスガス又は互いに異なるプロセスガスを、同じ又は互いに異なる流量で、シャワーヘッド電極の裏面にある１つ又は複数のプレナムに供給する、多数のガス通路を含むことができる。ガス分配部材により、シャワーヘッド電極と半導体基板がその上に支持される下部電極との間のギャップ内で処理される半導体基板全体にわたって、望まれるプロセスガスの分配が行われる。
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プラズマ処理システムは、少なくとも１つのマルチピース式バッフルプレートを有する。このマルチピース式バッフルプレートアセンブリは、開口を有する少なくとも１つの環状リング部分と、前記開口内に着座するように寸法付けられたインサート部分とを含む。個々の部品は、セラミック材料から作ることができる。プラズマ処理中に、バッフルプレートにおける温度勾配によって生じる影響が最小化される。
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単一のフローを所望の比率の２以上の二次フローに分割するシステムであり、前記単一のフローを受け取る入口と、前記入口に接続された少なくとも２つの二次フロー・ラインと、少なくとも１つの所望のフロー比率を受け取る入力手段と、前記フロー・ラインのそれぞれによって生じた製品の測定値を提供する少なくとも１つのインサイチュ・プロセス・モニタと、前記入力手段と前記インサイチュ・プロセス・モニタとに接続されたコントローラとを含む。このコントローラは、前記入力手段を介して所望のフロー比率を受け取り、前記インサイチュ・プロセス・モニタから前記製品の測定値を受け取り、前記所望のフロー比率と前記製品の測定値とに基づいて訂正されたフロー比率を計算するようにプログラムされている。製品測定値が等しくない場合には、訂正されたフロー比率は所望のフロー比率とは異なるようになる。
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高出力密度プラズマを作り出すことにより、１若しくはそれ以上のプラズマ源から高密度のプラズマを効率よく作り出すための方法及びシステムを提供する。本発明の第１の実施形態は、１若しくはそれ以上のガス体を分解してプラズマを作り出すための改善された出力密度を提供する方法に関する。本発明の第２の実施形態は、１若しくはそれ以上のガス体を分解してプラズマを作り出すための複数のチャンバを提供する方法に関する。第３の実施形態は、１若しくはそれ以上のガス体を収容する排出チャンバ内に設けられる絞り部を用いる装置に関する。第４の実施形態は、１若しくはそれ以上のガス体を収容する複数の排出チャンバ内に設けられる絞り部を用いることにより、１若しくはそれ以上のガス体を分解してプラズマを作り出すための改善された出力密度を提供する装置に関する。

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処理すべき半導体ウエハを含む隣接の処理室内に流れるガスを分配するためのバッフル板アセンブリは、複数の開口を有する平坦なガス分配部分と；このガス分配部分を取り囲むフランジと；キャップ、及び前記ガス分配部分と熱接触しているステムを有して、前記ガス分配部分の中央に取り付けられる衝突装置とを含む。また、バッフル板アセンブリを用いるプラズマリアクターと、プラズマ内で種の再結合を減少させるための方法が開示されている。
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【課題】
【解決手段】基板処理のシステムおよび方法には、プラズマ室に基板を装填しプラズマ室の圧力を所定の圧力設定値に設定することが含まれる。プラズマ領域を構成するいくつかの内面が約２００℃以上の処理温度に加熱される。プラズマを形成するために処理ガスがプラズマ領域に注入され、基板が処理される。 （もっと読む）

本発明は、概して排気システムに関し、特に、過圧力および／または逆流の防止および組合せトラップ／消音器（１２６、１２６’）を含む、半導体エッチングおよび堆積プロセス用の排気調整システム（１１０、１１０’、１１０”）に関する。利点は、自動連続動作、予定外の真空ポンプ停止によるウェーハ損失の実質的ゼロ、低減した微粒子欠陥、および改善された歩留りを含む。
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【課題】 改良された電極板に対する方法および装置を提供することである。
【解決手段】 プラズマ処理システム内で電極（２８）に結合されるように構成された電極板（２６）は、ガス注入デバイス（１１０）を受けるように構成された複数のガス注入穴（１００）を有している。電極板は、３つ以上の取付け穴（１４０）を有し、この電極板は、電極に取り付けられた３本以上の取付ねじで３つ以上の取付け穴を位置合わせし、および結合することによってプラズマ処理システム内で電極と結合されるように構成される。 （もっと読む）

本発明による実施形態は、ワークピースの表面上方にプロセスガスを分配するためのシステム及び方法に関する。本発明の一実施形態によれば、プロセスガスは、供給源から、複数のオリフィスを画成するガス分配シャワーヘッドを通してワークピースの表面へ流される。又、ガス分配シャワーヘッドは、ウェハ表面上の材料を除去するための複数の排気オリフィスも特徴とする。シャワーヘッドの排気オリフィスにより与えられる補足的排気は、ウェハ表面を横切る半径方向の流れに起因するガス速度の変化を減少するように働き、これにより、ウェハの縁に生じる処理とウェハの中心に生じる処理との間の均一性を向上させる。分配アパーチャー面積と排気アパーチャー面積との比は、フェースプレートにわたって変化してもよいし、一定に保たれてもよい。更に、分配アパーチャー及び排気アパーチャーのサイズ及び数は、半導体ウェハ表面にわたるガス分布を最適にするように選択できる。 （もっと読む）

本発明は、有機シランガスを用いたプラズマＣＶＤ法により成膜される絶縁膜の低誘電率化と、機械的な強度の維持を可能とすることを目的としている。
そのため、本発明では、被処理基板に有機シランガスを含む第１の処理ガスを供給してプラズマを励起することで、当該被処理基板上に絶縁膜を成膜する成膜工程と、前記成膜工程の後、前記被処理基板にＨ₂ガスを含む第２の処理ガスを供給してプラズマ励起することで、当該絶縁膜の処理を行う後処理工程と、を有する基板処理方法であって、前記後処理工程のプラズマ励起は、マイクロ波プラズマアンテナにより行われることを特徴とする基板処理方法を用いている。 （もっと読む）

フロー制御装置のインサイチュ検証及び較正のためのシステム及び方法であって、フロー制御装置をフロー検証装置に接続する第１のネットワーク物理層を含む。フロー検証装置のコントローラは、第１のネットワーク物理層を通じてフロー制御装置のそれぞれと通信し、気体に特有の情報と伝達関数とをそれぞれのフロー制御装置から受け取り、それぞれのフロー制御装置のフローを検証するようにプログラムされている。フロー検証装置のコントローラは、更に、第１のネットワーク物理層を通じてフロー制御装置のそれぞれと通信し、必要であれば、フロー制御装置を較正する。フロー制御装置の検証及び較正は、好ましくは、フロー制御装置に接続された第２のネットワーク物理層に接続されたツール・コントローラを介して提供された単一のコマンドに基づいて実行される。
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【課題】 処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止することができる枚葉式の処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器３２内にて載置台３８上に載置された被処理体Ｗに対して所定の処理を施す枚葉式の処理装置において、前記載置台を浮上させる浮上用磁石機構６０と、前記載置台の周縁部に設けた羽根部材４４と、前記羽根部材に対して不活性ガスを噴射させて前記載置台に回転力を付与する回転用ガス噴射手段６４とを備えるように構成する。これにより、処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止する。 （もっと読む）