【課題】短時間にワークの被処理面を処理することができる簡易な構造のプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、上端から下端まで貫通した中空部４０を有する第１の電極と２、ワーク１０を設置するワーク設置部１００と、ワーク設置部１００を介して第１の電極２の下端と対向配置された第２の電極３と、中空部４０の下端側の開口部４２２の外周側に周方向に沿って形成された処理ガス噴出部５と、第１の電極２と第２の電極３との間に電圧を印加する電源７２を備えた電源回路７と、処理ガス噴出部５にプラズマ生成のための処理ガスを供給するガス供給手段８とを備え、第１の電極２と第２の電極３との間に電圧を印加することにより、処理ガス噴出部５から噴出され、開口部４２２付近に存在する処理ガスを活性化してプラズマを生成し、該プラズマによりワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成で、ワークの処理面の形状に拘わらず、その形状に対応してプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワークを設置するワーク設置部２１と、第１の電極２と、ワーク設置部２１の第１の電極２の対向側に位置し、外周面が前記ワーク設置部２１に設置されたワーク１０の処理面１１に対面するように設置され、中心軸を回動軸として回転可能な円筒状の第２の電極３とを有し、発生したプラズマにより処理面１１を処理するものであり、第２の電極３は、その外周面に、周方向に沿って、有効電極領域３１ａの幅が変化している部分を有し、この第２の電極３を、その中心軸を回動軸として回転させることにより、処理面１１と対面する有効電極領域３１ａの幅が変化するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】インプリントレジスト材料を用いて金属層をエッチングする方法を提供する。
【解決手段】一実施形態において、フォトリソグラフィーレチクルを処理する方法は、光学的に透明な基板上に形成された金属フォトマスク層を有するレチクル及び金属フォトマスク層上に堆積したインプリントレジスト材料を提供する工程と、第１のエッチングステップにおいて、インプリントレジスト材料のリセス領域をエッチングして、金属フォトマスク層の部分を露出する工程と、第２のエッチングステップにおいて、インプリントレジスト材料を通して金属フォトマスク層の露出した部分をエッチングする工程とを含み、第１又は第２のエッチングステップのうち少なくとも１つが、酸素、ハロゲン及び塩素含有ガスを含む処理ガスから形成されたプラズマを利用する。一実施形態において、処理ガスを第１及び第２のエッチングステップの両方で利用する。他の実施形態において、第１及び第２のエッチングステップは、同じ処理チャンバで実施される。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成で、ワークの処理面の形状に拘わらず、その形状に対応してプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、第１の電極２と、ワーク設置部２１の第１の電極２の対向側に位置し、外周面が前記ワーク設置部２１に設置されたワーク１０の処理面１１に対面するように設置され、中心軸を回動軸として回転可能な円筒状の第２の電極３とを有し、発生したプラズマにより処理面１１を処理するものであり、第２の電極３は、その外周面に、周方向に沿って、有効電極領域３１ａの幅が変化している部分を有し、この第２の電極３を、その中心軸を回動軸として回転させることにより、処理面１１と対面する有効電極領域３１ａの幅が変化するよう構成され、ガス供給手段５により、有効電極領域３１ａの幅の大きさに応じて、処理ガスを供給する幅も変化するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】装置を変更することなくプラズマ処理とブラスト処理とを行い、加工効率、加工精度など生産性の高い加工が可能な処理装置を提供すること。
【解決手段】処理装置１は、プラズマ処理装置１１と、ブラスト処理装置２１と、ワーク１０を設置するワーク設置部１００とを備え、ワーク設置部１００に設置されたワーク１０に対し、プラズマ処理装置１１とブラスト処理装置２１とを用いて、プラズマ処理とブラスト処理とを同時または所定の順序で行う。 （もっと読む）

【課題】ワークをエネルギ線照射装置に対して正確に位置制御可能とし、エネルギ線によりワークに高精度な処理を行えるようにした自律型のエネルギ線照射による処理装置および方法を提供する。
【解決手段】位置決めカメラによって保持装置に保持されたワークの保持装置に対する位置ずれ量を検出し、制御装置は処理データを位置ずれ量だけ補正してステージ装置を作動させ、保持装置をエネルギ線照射装置に対して移動させるので、保持装置に保持されたワークがエネルギ線照射装置に対して正確に位置制御され、ワークの正確な位置および範囲にエネルギ線を照射して高精度な処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマにより発生した異物を捕捉するとともに、アーク放電を防止するプラズマ処理装置およびこれを用いてワークの被処理面を処理する表面処理方法を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワーク１０に対して相対的に移動可能な互いに対向する１対の電極２、３と、１対の電極２、３間に電圧を印加する電源７２を備えた電源回路７と、１対の電極２、３間にプラズマ生成のための処理ガスを供給するガス供給手段８と、ワーク１０の被処理面１０１に向けてプラズマを噴出するプラズマ噴出部５とを備え、１対の電極２、３間に、処理ガスを供給しつつ、電圧を印加することにより、処理ガスを活性化してプラズマを生成させ、該プラズマによりワーク１０の被処理面１０１が処理されるよう構成されているプラズマ処理装置１であって、プラズマ噴出部５またはその近傍に、プラズマの生成により発生した異物４０を捕捉する多孔質の絶縁性材料で構成された異物捕捉部９を有する。 （もっと読む）

【課題】水（第１物質）とＣＯＦ_２（第２物質）とを、水が結露しないようにしながら反応させてＨＦ（第３物質）のガスを生成する。
【解決手段】反応装置３０の外管３２内に多数の微細孔３３ａを有する内管３３を配置する。内管３３の内通路３３ｂに、水蒸気を含む第１ガスの導入部１２を連ねる。内通路３３ｂの上流部は、水蒸気が凝縮する温度にする。外管３２と内管３３の間の外通路３０ａにＣＯＦ_２を含む第２ガスの導入部２３を連ねる。この第２ガスが微細孔３３ａを透過し内通路３０ｂへ入り込み、水と反応し、ＨＦ水溶液からなる凝縮体ｄｒが生成される。上記透過気流にて凝縮体ｄｒが内管３３の内壁に付着するのが防止される。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスとして、ハロゲン類を含有するガスを使用するチャンバクリーニングにおいて、チャンバ内にハロゲン類が残留することを抑制することができる真空処理装置のクリーニング方法及び真空処理装置を提供する。
【解決手段】まず、チャンバ１０内にハロゲン類含有ガスを導入して、チャンバ１０内に付着した付着物を除去する処理を行う（ステップ２０５からステップ２０８）。この後、チャンバ１０内に還元性ガスを導入し（ステップ２０９）、当該還元性ガスのプラズマを生成する（ステップ２１０）。当該処理時により、チャンバ１０内にハロゲン類が残留することを抑制でき、当該ハロゲン類に起因する金属汚染の発生を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では困難だった１５ｃｍ角程度あるいはそれ以上の大面積基板を対象にしても、シリコン基板に均一な凹凸を再現性良く、低コストで形成すること。
【解決手段】有機金属溶液あるいは有機金属の分散液を基板にインクジェット法でドット状に塗布する工程と、上記基板を乾燥する工程と、上記基板の表面にプラズマを照射する工程と、上記基板をエッチング処理する工程とを備えたシリコン基板の粗面化方法である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生領域で短時間にワークの被処理面を均一化する処理が可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、第１の電極２と、第１の電極２と対向配置される第２の電極３と、第１の電極２と第２の電極３との間に電圧を印加する電源７２を備えた電源回路７と、第１の電極２と第２の電極３との間にプラズマ生成のための処理ガスを供給するガス供給手段８と、第１の電極２に向けて処理ガスを噴出するノズル５とを備え、第１の電極２と第２の電極３との間に電圧を印加することにより、ノズル５から噴出された処理ガスを活性化してプラズマを生成し、該プラズマによりワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理するよう構成されているプラズマ処理装置１であって、第２の電極３の第１の電極２と対向する面側に、ノズル５の外周側に周方向に沿って凸部３１と凹部３２とが形成されてなり、凸部３１と第１の電極２との距離が凹部３２と第１の電極２との距離よりも狭く配置されている。 （もっと読む）

中間半導体デバイス構造のパターン層中にスタガ型の高さを形成する方法。本方法は、パターン層と第一のマスク層を含む中間半導体デバイス構造を提供するステップ、パターン層中に第一の開口部を形成するステップ、第一の開口部の幅を縮小するためにパターン層のエッチング部分に隣接するスペーサーを形成するステップ、第一の開口部の深さを増加するためにパターン層をエッチングするステップ、パターン層中に第二の開口部を形成するステップ、を含む。複数のマスク層上に形成されたスペーサーを含むパターン層中にスタガ型の高さを形成する方法もまた開示される。中間半導体デバイス構造もまた開示される。
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【課題】プラズマエッチング装置を用いて基板をドライエッチングすることにより、基板を常に高精度に加工することができるプラズマエッチング加工方法及びそれを用いた液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に所定寸法の開口を有する保護膜２０１を形成する工程と、保護膜２０１をマスクとしてプラズマエッチング装置により基板をドライエッチングしてエッチング工程とを有し、エッチング工程を実施中にプラズマエッチング装置の電極のＶｐｐ値を測定し、各エッチング工程で設定する設定Ｖｐｐ値を前回のエッチング工程時に測定された測定Ｖｐｐ値に基づいて調整する。 （もっと読む）

【課題】加工痕の形状を加味することで、容易かつ確実に、ワークの被処理面を目標形状に加工し得るプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、プラズマ放出部８０とワーク１０とを相対的に移動させつつ、プラズマ放出部８０より放出されたプラズマにより被処理面１０１をプラズマ処理してエッチングするプラズマ処理装置であって、前記プラズマ処理の際の処理時間またはプラズマ放出部８０とワーク１０との相対的な移動速度と、被処理面１０１に形成される加工痕の形状との関係を示す既知の情報を記憶する記憶手段６０と、前記情報と、目標形状データとに基づいて、前記処理時間または前記移動速度の条件を含む、前記加工痕の形状を加味した加工計画データを作成する加工計画データ作成手段とを有し、前記加工計画データに基づいて、被処理面１０１に対してプラズマ処理によるエッチング加工を行うよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】フィールド酸化膜のリセス形成工程において、フィンの上部が損失することを防止することができるフィントランジスタの製造方法及びサドル型フィントランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】フィントランジスタの製造方法は、素子分離マスク（２６）を用いて半導体基板（２１）上にパッド層（２２、２３）を形成するステップと、素子分離マスク及びパッド層をエッチングバリアとして半導体基板をエッチングし、トレンチ（２４）を形成するステップと、トレンチ内に絶縁物（２５）を埋め込んで分離構造を形成するステップと、パッド層に対する絶縁物の選択比の高いガスを使用してトレンチ内にある分離構造をエッチングし、フィン構造（２７Ｂ）を形成するステップと、フィン構造上にゲート絶縁膜を形成するステップと、ゲート絶縁膜上に導電層を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ放出部の構造を複雑化することなく、また、着火に伴うワークへの悪影響を及ぼすことなく、確実に着火することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ガス供給手段８と、ノズル５および第１電極２を備えたプラズマ放出部８０と、ワーク１０を介して第１電極２と対向して配置された第２電極３１と、第１電極２および第２電極３１間に電圧を印加する電源回路７とを有し、第１電極２および第２電極３１間に電圧を印加することにより、ノズル５から噴出されたガスを活性化してプラズマを生成し、該プラズマによりワーク処理部５１に設置されたワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理するよう構成され、ワーク処理部５１とは別の位置に、ノズル５から噴出するガスに着火する着火部５２を有するとともに、プラズマ放出部８０をワーク処理部５１と着火部５２との間で移送する移送手段２０を有する。 （もっと読む）

【課題】装置の複雑化を伴うことなく、ワークの被処理面の各部に応じた処理を行い得るプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、プラズマを用いて、ワーク１００の被処理面１０１を処理する装置であり、第１の電極２と、複数の単位電極４１で構成され、各単位電極４１がそれぞれ第１の電極２に対して接近および離間可能なように、ワーク１００を介して第１の電極２に対向して設置された第２の電極４と、第１の電極２と第２の電極４との間に電圧を印加する電源回路（通電手段）８と、第１の電極２と第２の電極４との間に、ワーク１００の被処理面１０１を処理する処理ガスを供給するガス供給手段１１と、複数の単位電極４１と第１の電極２との離間距離を規定する離間距離規定手段５とを有する。 （もっと読む）

【課題】装置の複雑化を伴うことなく、ワークの被処理面の目的とする微細な領域を選択的に処理し得るプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワーク１００の被処理面１０１を処理する装置であり、第１の電極２と、ワーク１００を介して第１の電極２と反対側に設けられ、平面視におけるワーク１００の被処理面１０１の面積より、ワーク１００に対向する面の面積が小さい第２の電極４と、第１の電極２と第２の電極４との間に電圧を印加する電源回路８と、ワーク１００の被処理面１０１との間に、プラズマを生成するための処理ガスを供給するガス供給手段１１とを有し、第１の電極２と被処理面１０１との間に、処理ガスを供給しつつ、第１の電極２と第２の電極４との間に電圧を印加することにより、処理ガスを活性化してプラズマを生成させ、このプラズマにより被処理面１０１が処理されるよう構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平行平板型プラズマ処理装置において、基板の加工に適したイオンエネルギーを有し、さらにそのイオンエネルギー幅を小さくして、加工形状を精緻に制御することが可能な基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決方法】内部が真空に保持されたチャンバーと、このチャンバー内に配置され、主面上において処理すべき基板を保持するように構成されたＲＦ電極と、前記チャンバー内において、前記ＲＦ電極と対向するように配置された対向電極と、前記ＲＦ電極に対して所定周波数のＲＦ電圧を印加するためのＲＦ電圧印加手段と、前記ＲＦ電極に対して前記ＲＦ電圧と重畳するようにして所定のパルス電圧を印加するためのパルス電圧印加手段とから、目的とする基板のプラズマ処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】ワークのうちの製品または部品として使用する部分に、意図しない放電が生じるのを確実に防止しつつ、良好なプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置、および、かかるプラズマ処理装置を用いて行うプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワーク１０を収納するチャンバー２と、第１の電極３と、ワーク１０を介して第１の電極３と対向配置された第２の電極４と、各電極３、４間に高周波電圧を印加する電源回路５と、チャンバー２内にガスを供給するガス供給部６と、チャンバー２内のガスを排気する排気ポンプ７とを備えている。また、プラズマ処理装置１は、ワーク１０の縁部を挿入可能な凹部２５３を備え、この凹部２５３にワーク１０を載置することにより、ワーク１０を第１の電極３から離間させた状態で支持する枠部材２５と、枠部材２５を第１の電極３から離間させた状態に支持する脚部２６とを有する。 （もっと読む）