【課題】低誘電率膜の吸湿性に起因するドライエッチング加工の不均一性を改善することのできる技術を提供する。
【解決手段】レジストパターンをマスクとしたドライエッチングにより被処理体５２である低誘電率材料からなる絶縁膜を加工する際、エッチング装置５０の真空チャンバ５１内へ導入される各種ガスに３ｓｃｃｍの流量で水蒸気を添加することにより、低誘電率材料からなる絶縁膜から脱離する水蒸気の量に依存した、その絶縁膜のエッチング特性の変動を抑制する。 （もっと読む）

半導体基板を改良された限界寸法均一性でエッチングする方法であって、この方法は、誘導結合プラズマエッチングチャンバ内の基板支持体上に半導体基板を支持することと、第１のエッチングガスを半導体基板の上の中央領域に供給することと、少なくとも１種類のシリコン含有ガスを含む第２のガスであって、第２のガス中のシリコン濃度が第１のエッチングガス中のシリコン濃度より高い第２のガスを半導体基板の上の中央領域を囲む周辺領域に供給することと、第１のエッチングガスおよび第２のガスからプラズマを発生させることと、半導体基板の露出面をプラズマエッチングすることとを含む。
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【課題】ウェーハの裏面を研削した後にプラズマエッチングによって個々のデバイスに分割する場合において、ウェーハの裏面研削からエッチングによる分割に至るまでの時間を短縮し、生産性を向上させる。
【解決手段】ウェーハＷの裏面を研削して所定の厚さに形成し、ウェーハＷの分離予定ラインをプラズマエッチングして個々のデバイスに分割するシステム１を構成する露光装置３において、研削装置２から裏面研削後のウェーハを搬入する搬入手段４と、搬入したウェーハＷの裏面にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆手段３２と、被覆されたレジスト膜を乾燥させる乾燥手段３３と、分離予定ラインに対応する領域のレジスト膜を感光させる感光手段３４と、レジスト膜に現像液を供給してレジスト膜のうち感光した部分を除去する現像手段３５と、レジスト膜のうち感光した部分が除去されたウェーハＷをプラズマエッチング装置５に搬出する搬出手段とを少なくとも備える。 （もっと読む）

【課題】 ギャップ充填性能が改善された、プロセスチャンバ内に配置された基板上に酸化シリコン膜を堆積させる方法が提供される。
【解決手段】 ハロゲン源、フルーエントガス、シリコン源、酸化ガス反応種を含むプロセスガスがプロセスチャンバに流し込まれる。少なくとも１０^１１イオン/ｃｍ^３のイオン密度を有するプラズマがプロセスガスから形成される。酸化シリコン膜が、１.０％未満のハロゲン濃度で基板の上に堆積される。酸化シリコン膜は、同時堆積成分とスパッタリング成分を有するプロセスを用いてプラズマにより酸化シリコン膜が堆積される。プロセスチャンバへのシリコン源の流量に対するプロセスチャンバへのハロゲン源の流量は、実質的に０.５〜３.０である。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜を高選択比でドライエッチングする方法の提供。
【解決手段】 真空チャンバー内にフルオロカーボンガス及び希ガスからなるエッチングガスを導入し、真空チャンバー内を所定の圧力にしてプラズマを発生させて処理基板上に形成された層間絶縁膜をエッチングするドライエッチング方法において、前記真空チャンバー内に設けられたシリコンプレートにコンデンサーを介して高周波電源から電圧を印加し、シリコンプレート表面のシリコン原子とフッ素原子とを反応させて真空チャンバー内に存在するフッ素原子を消費しながらエッチングを行なう。 （もっと読む）

【課題】エッチングにより除去した自然酸化膜がサイドウォールなどに再付着しないようにして、電気的特性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】三フッ化窒素ガス、フッ化水素ガス、六フッ化二炭素ガス、四フッ化炭素ガスおよび六フッ化硫黄ガスよりなる群から選ばれる少なくとも１種以上のフッ素系ガスとアルゴンガスとの混合ガスを用いてプラズマエッチングを行うことにより、シリコン基板１およびゲート電極３の表面に存在する自然酸化膜５を除去した後、シリコン基板１およびゲート電極３の上に金属シリサイド膜を形成する。 （もっと読む）

マイクロ電子デバイスの製造において使用される半導体処理システムのコンポーネントから残留物を洗浄するための方法および装置。残留物を効果的に除去するために、コンポーネントは、十分な時間の間および十分な条件下において、気相反応物質に接触させられて、残留物を少なくとも部分的に除去する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが異なる場合には、気相反応物質は、残留物と選択的に反応し、イオン注入装置のコンポーネントを構成する物質とは最小限だけ反応する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが同一である場合には、気相反応物質は、残留物およびコンポーネントパーツの両方と反応し得る。
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【課題】 慣用される方法は、高い炭素含量を有する、上述のダイヤモンド状炭素膜および炭素ポリマー膜を含めた非晶質炭素膜のような、炭素質膜をクリーニングするには、効果的ではない。
【解決手段】 予め選定された回数、基板の上に炭素質膜を堆積させたプラズマ反応炉をセルフクリーニングする方法であって、それに含まれるのは：（ｉ）酸素ガスおよび／または窒素酸化物ガスを励起させてプラズマを発生させる工程；および（ｉｉ）反応炉内に具備された上側電極の上に蓄積された炭素質膜および反応炉の内壁の上に蓄積された炭素質膜をそのプラズマに暴露させる工程、である。 （もっと読む）

【課題】ウェハに形成された転写層膜に対してレジストマスクを介してエッチングを行ってマイクロレンズを形成するにあたり、マイクロレンズ同士の距離を短時間で狭めること。
【解決手段】エッチングを行う際に、ＣＦ４ガスとＣ４Ｆ８ガスとからなる処理ガスを処理室内へ供給して、下部電極に供給する高周波の電力を基板の表面積で除した大きさが１２００Ｗ/３１４１５．９ｍｍ^２〜２０００Ｗ/３１４１５．９ｍｍ^２として、処理ガスをプラズマ化してレジストマスクに形成されたレンズの側壁に堆積物を堆積すると共に、ウェハのエッチングを行ってマイクロレンズを形成する。 （もっと読む）

【課題】大マイクロ波能力で使用でき同時に気体放電チャンバの有効寿命が長い、プラズマ中で励起および／またはイオン化された粒子を発生する装置および方法を提供すること。
【解決手段】マイクロ波発生器１９、中空導波管１１、励起された、および／またはイオン化された粒子が形成される気体放電空間１４と、気体放電空間１４が形成される誘電体１３を有する気体放電チャンバ１２を有し、気体放電チャンバ１２が中空導波管１１内に設けられた、励起された、および／またはイオン化された粒子をプロセスガスからプラズマ内で発生するための装置であって、誘電体１３が端面側ペース１３ａを形成し、そこから気体放電空間１４を形成しながら側壁１３ｂが延び、マイクロ波が端面側ペース１３ａに放出可能になっている。 （もっと読む）

【課題】低出力あるいは低周波の電源を用いても、プラズマを安定して発生させることができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１Ａは、互いに間隔を隔てて対向する１対の電極１２、１３を有し、１対の電極１２、１３間のプラズマ生成空間１９に所定の処理ガスＧ１を流通させつつ、１対の電極１２、１３間に電圧を印加することにより電界を生じさせて、処理ガスＧ１を活性化してプラズマを生成し、プラズマをワークＷに向けて放出して、該ワークを処理するものであって、プラズマ生成空間１９に供給される処理ガスＧ１に紫外線を照射する紫外線照射手段（予備電極５０）を有する。 （もっと読む）

【課題】 十分な対マスク選択比とエッチングレートを確保しつつレジストをマスクとして積層膜中のシリコン層をエッチングできるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置１００の処理室内で、シリコンを主成分とするシリコン層と、該シリコン層より上層に、少なくとも酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜およびレジスト膜が積層形成された被処理体に対して、フルオロカーボンガス、ハイドロフルオロカーボンガス、希ガスおよびＯ_２ガスを含む処理ガスから生成されるプラズマを用い、レジスト膜をマスクとして窒化ケイ素膜、酸化ケイ素膜およびシリコン層を一括してエッチングする。 （もっと読む）

デュアルダマシン構造においてＢＡＲＣ層を２工程エッチングするための方法を提供する。一実施形態において、本方法は、基板上に配置されたＢＡＲＣ層で充填されたビアを有する基板をエッチングリアクタ内に配置し、第１ガス混合物をリアクタに供給してビアを充填しているＢＡＲＣ層の第１部位をエッチングし、ＮＨ_３ガスを含む第２ガス混合物をリアクタに供給してビア内のＢＡＲＣ層の第２部位をエッチングすることを含む。
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誘電性バリア層を誘電性バルク絶縁層に対して高い選択性でもってエッチングするための方法を提供する。一実施形態において、本方法は、誘電性バルク絶縁層を介してその一部が露出している誘電性バリア層を有する基板をリアクタ内に配置し、Ｈ_２ガス、フッ素含有ガス、少なくともインサートガスを含有するガス混合物をリアクタ内に流し、誘電性バリア層の露出部位を誘電性バルク絶縁層に対して選択的にエッチングすることを含む。
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本発明の一態様において、電子デバイス製造システムの改善された操作方法が提供される。この方法には、パラメータを有する電子デバイス製造システムに結合されたインタフェースに、情報を提供する工程と、情報を処理して、第１のパラメータを予測する工程と、電子デバイス製造システムの少なくとも第２のパラメータに関する命令を提供する工程とを含み、命令は、予測された第１のパラメータに基づく。数多くのその他の態様が提供されている。
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【課題】 CDパフォーマンスの大幅な改善が可能なレベンソン型位相シフトマスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 露光光に対して透明な基板に掘り込み部を設け、透過する光の位相を制御したレベンソン型位相シフトマスクにおいて、前記基板掘り込み部に隣接する部分又は基板周辺部に設けられた遮光膜が、フッ素系ガスを主体とするエッチングガスを用いたエッチングプロセスにおいてエッチング可能な材料からなる膜Ａを含むことを特徴とするレベンソン型位相シフトマスク。 （もっと読む）

【課題】ウエハの表面のクリーニング後に、ウエハの表裏を反転させることなく、ウエハの裏面をクリーニングできる方法を提供する。
【解決手段】 ウエハ１０２を処理するためのチャンバ１００は、チャンバ１００の内部空間を上側部分１０６と下側部分１０８とに分離するためのリング１０４を有している。ウエハ１０２の表面１１０は上側部分１０６に位置し、裏面１１２は下側部分１０８に位置する。このように、リング１０４で裏面１１２が位置する領域を、表面１１０が位置する領域から分離させることによって、裏面１１２だけを対象にして、目的とするプロセスガスをチャンバ１００に導入することが可能となる。具体的には、ウエハ１０２の裏面１１２をクリーニングする際は、チャンバ１００の下側部分１０８にのみプロセスガスを導入することが可能となる。その結果、ウエハ１０２の表面１１０に大きな影響を与えることなく、ウエハ１０２の裏面１１２をクリーニングすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタを形成する際の加工性を向上し、良好な強誘電体特性を有する強誘電体キャパシタを形成できるようにした、強誘電体メモリ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基体２上に下部電極層と強誘電体層と上部電極層とからなる強誘電体キャパシタ層を形成する形成する工程と、強誘電体キャパシタ層上にチタン酸化物層を形成する工程と、チタン酸化物層を、２００℃以上５００℃以下での高温エッチングでパターニングし、マスクパターン１７を形成する工程と、マスクパターン１７をマスクにして、強誘電体キャパシタ層をエッチングし、下部電極８と強誘電体膜９と上部電極１０とを有した強誘電体キャパシタを形成する工程と、を備えた強誘電体メモリ装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとして用いるエッチングプロセスにおいて、過剰な堆積物の生成や付着を抑制する。
【解決手段】真空容器１０１と、被加工試料１０７を設置する被加工試料設置手段１０２と、冷却ガス導入手段１１１と、高周波電源１０６と、整合器１０５と、電力導入手段１０４と、高周波バイアス電源１１０とを有するエッチング装置を用いて、真空容器１０１内に導入されたガスを高周波電力でプラズマ化し、被加工試料１０７に高周波バイアス電力を印加してプラズマにより被加工試料１０７の表面処理を行うエッチング処理方法において、被加工試料１０７を高堆積性のガスを用いて処理する際に、処理開始時の被加工試料１０７の温度を所望の温度に保つ。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール形成において、下地シリコン基板または配線層に形成されるダメージ層の抑制と高抵抗層の除去を効率的に行い、コンタクト抵抗の低減を実現する。
【解決手段】本発明は、イオンエネルギーおよびＯ_２流量を、エッチング深さの進行と伴に低減するエッチング工程によりコンタクトホール形成し、下地に形成されるダメージ層を抑制する。そして、水素もしくは水素を含有するガスプラズマを用いた高抵抗層除去工程を導入することで低コンタクト抵抗が図れる。 （もっと読む）