基板からポリマーを除去するため方法及び装置が提供される。一実施形態において、基板からポリマーを除去するのに用いられる装置は、プロセス空間を区画するチャンバの壁及びチャンバの蓋を有するプロセスチャンバと、プロセスチャンバに置かれた基板支持アセンブリと、チャンバの壁内に形成された出力ポートを介してプロセスチャンバに結合するリモートプラズマソースとを含み、出力ポートは基板支持アセンブリに置かれた基板の周辺領域に向けた開口を有し、前記リモートプラズマソースは水素種に耐性のある材料から作られている。
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【課題】シリコン酸化膜に、プラズマエッチングすることにより、微細径、高アスペクト比のコンタクトホールを、略垂直でネッキングやボーイングの少ない良好な形状で形成することができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜を、マスクを介して、処理ガスを用いてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、前記処理ガスが、式（１）：ＣｘＨｙＦｚ〔式中、ｘは３〜６のいずれかの整数を表し、ｙは１〜４のいずれかの整数を表し、ｚは正の整数を表し、かつ、（ｙ＋ｚ）は２ｘ以下である。〕で表されるフッ素化炭化水素およびパーフルオロカーボンガスを含むことを特徴とするプラズマエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】短時間にワークの被処理面を処理することができる簡易な構造のプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、上端から下端まで貫通した中空部４０を有する第１の電極と２、ワーク１０を設置するワーク設置部１００と、ワーク設置部１００を介して第１の電極２の下端と対向配置された第２の電極３と、中空部４０の下端側の開口部４２２の外周側に周方向に沿って形成された処理ガス噴出部５と、第１の電極２と第２の電極３との間に電圧を印加する電源７２を備えた電源回路７と、処理ガス噴出部５にプラズマ生成のための処理ガスを供給するガス供給手段８とを備え、第１の電極２と第２の電極３との間に電圧を印加することにより、処理ガス噴出部５から噴出され、開口部４２２付近に存在する処理ガスを活性化してプラズマを生成し、該プラズマによりワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、開口部内の残渣を検出すると同時に除去することにより、高いスループットで半導体装置の歩留り、信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、複数の開口部が形成されたウェーハｗが搬入され、検査、処理されるチャンバ１１と、ウェーハｗの所定位置に電子ビーム１４を照射する機構１５、１６と、電子ビーム１４の照射により、複数の開口部より残渣を有する開口部を検出する機構１７と、活性化されることにより残渣の除去が可能なプロセスガスを、チャンバ１１内に供給するガス供給機構１８と、チャンバ１１内の圧力を制御して排気するガス排出機構１９を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングにおける寸法制御及び形状制御を従来に比べて高精度で行うことができ、所望寸法及び所望形状のエッチングパターンを得ることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。
【解決手段】パターニングしたＳＯＧ膜１０４をマスクとして、下層レジスト１０３をプラズマエッチングし、開口１１２を形成する。このプラズマエッチング工程では、処理ガス（エッチングガス）として、酸素を含むガスと、硫黄を含み酸素を含まないガスを含む混合ガスを使用する。 （もっと読む）

【課題】基板の加工に適したラジカル種密度を増大させ、イオンラジカルエネルギーを基板の加工に適したエネルギー値、狭帯域エネルギー幅に制御して、精緻加工を行うことができ、また、優れた埋め込み成膜を行うことが可能な基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバー２１内に配置された基板保持電極２２及び対向電極２３と、基板保持電極２２に対して５０ＭＨｚ以上の高周波を印加する高周波発生装置２７と、この高周波と重畳するようにＤＣ負パルス電圧を印加するＤＣ負パルス発生装置２９と、高周波の印加が間欠的に行われるよう制御するとともに、高周波のオン・オフのタイミングに応じてＤＣ負パルス電圧の印加が間欠的に行われるよう制御する制御器３０を備えている。 （もっと読む）

【課題】異なる材料から成る被加工物の表面を平準化するミリング装置及びミリング方法の提供。
【解決手段】基板Ｓには、基板Ｓの加工面に対して略直交する方向に沿って、ラジカル源３からラジカルが供給され、基板Ｓの加工面に対して略並行な方向に沿って、中性粒子ビーム源４から中性粒子ビームＮＢが照射される。これにより、複数の材料から構成されている基板Ｓを加工する際に、基板Ｓのうち物理エッチングに対する耐性が低い材料が用いられている箇所を、ラジカルによって基板Ｓの加工面から略直交する方向に削りすぎることなく、物理エッチングに対する耐性が高い材料を削ることができる。さらに、化学的に安定した材料が用いられている箇所を中性粒子ビームＮＢによる物理エッチングによって補助的に加工することができる。よって、ラジカルによる加工量の偏りを中性ネオンビームＮＢによって補完し、基板Ｓの加工面を平らにすることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基板上のシリコン含有反射防止コーティング(ARC)層内の特徴部位をエッチングする方法に関し、より詳細にはCDバイアスを減少させながらシリコン含有反射防止コーティング(ARC)層内の特徴部位をエッチングする方法に関する。
【解決手段】 基板上の反射防止コーティング(ARC)層を乾式現像する方法が記載されている。当該方法は、多層マスクを有する基板をプラズマ処理システム内に設ける工程を有する。続いてリソグラフィプロセスを用いて前記リソグラフィ層内に特徴部位のパターンが形成される。その後前記特徴部位のパターンは、ドライプラズマエッチングプロセスを用いて、前記リソグラフィ層から前記シリコン含有ARC層へ転写される。入れ子構造と孤立構造との間の限界寸法(CD)バイアスのオフセットは減少する。 （もっと読む）

【課題】隣接するショット間のパターン同士を精度良くつなぐことが可能となる構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】インプリントによる構造体の製造方法であって、
基板上に第一の樹脂を塗布して樹脂層を形成し、該樹脂層にモールドの凹凸パターンを転写する第一のインプリント工程と、
前記第一のインプリント工程で形成された前記第一の樹脂による樹脂層の上と、該樹脂層に隣接する前記基板上の領域の上に第二の樹脂を塗布して樹脂層を形成し、該樹脂層にモールドの凹凸パターンを転写する第二のインプリント工程と、
前記モールドのパターンが転写された前記第一と第二の樹脂による樹脂層をエッチングしてパターンを形成する工程と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フローティングゲートを多層の導電膜が積層された構造で形成して隣接するメモリセル間の干渉現象を減少させることが出来るフラッシュメモリ素子の製造方法を提供することを可能にすることを目的としている。
【解決手段】 半導体基板上にトンネル絶縁膜及び非晶質の第１の導電膜を形成する段階と、非晶質の第１の導電膜を結晶質の第１の導電膜に変形させるための熱処理工程を行う段階と、結晶質の第１の導電膜上に第２の導電膜を形成する段階と、第２の導電膜をパターニングする第１のエッチング工程を行う段階と、結晶質の第１の導電膜上の酸化膜を除去するための第２のエッチング工程を行う段階と、非晶質の第１の導電膜をパターニングする第３のエッチング工程を行う段階とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は反応空間を提供するチャンバと、前記チャンバ内部に設けられるステージと、前記ステージに対向して前記チャンバ内部に設けられるプラズマ遮蔽部と、前記ステージと前記プラズマ遮蔽部の間に基板を支持する支持台と、前記ステージに備えられ、前記基板の一面に反応ガス又は非反応ガスを供給する第１供給口と、前記プラズマ遮蔽部に備えられ、前記基板の他面に反応ガスを供給する第２供給口及び非反応ガスを供給する第３供給口と、を含む基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
このような本発明は単一チャンバ内で基板のエッジ領域及び背面領域にプラズマ処理を個別的に行うことができる。従って、装置の設置空間が減り、生産ラインの空間活用性を高めることができる。そして、チャンバ移動による大気露出がないので基板汚染が少なく、チャンバ移動による待機時間がないので全体的な工程時間を節約できる。 （もっと読む）

【課題】エッチングされた所望のアスペクト比の提供。
【解決手段】構造を形成するための方法が、基板の表面にわたって少なくとも１つの特徴部を形成するステップを含む。少なくとも１つの特徴部の上には窒素含有誘電体層を形成する。少なくとも１つの特徴部の少なくとも１つの側壁上の窒素含有層の第１の部分を、第１の速度で取り除き、少なくとも１つの特徴部の底部領域に隣接する基板の上の窒素含有層の第２の部分を、第２の速度で取り除く。第１の速度は第２の速度よりも大きい。窒素含有誘電体層の上に誘電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に対するストップ層の選択比を大きくすることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】Ｃ_ｗＦ_ｘ（ｘ、ｗは所定の自然数）からなる低誘電率層間絶縁膜４１とストップ層４２とを備え、該ストップ層４２は低誘電率層間絶縁膜４１に形成されたビアホール４６の底部において露出するウエハＷに施される半導体デバイス製造処理において、ＣＦ_４ガス及びＣＨ_２Ｆ_２ガスから生じたプラズマに低誘電率層間絶縁膜４１及びストップ層４２を晒して該ストップ層４２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】高精度のドライエッチング加工とＬＥＲの低減をともに実現することのできる被エッチング膜の加工方法を提供する。
【解決手段】被エッチング膜の上部に、下層より順に有機マスク層４０、シリコン含有層５０およびレジスト層７０を形成する工程と、フォトリソグラフィー法により前記レジスト層７０に所定のパターンを形成する工程と、前記レジスト層７０をマスクとして、第一エッチングガスを用いて前記シリコン含有層５０をエッチングする工程と、前記エッチングされたシリコン含有層５０をマスクとして、第二エッチングガスを用いて前記有機マスク層４０をエッチングする工程と、前記エッチングされた有機マスク層４０をマスクとして、第三エッチングガスを用いて前記被エッチング膜をエッチングする工程と、を含み、前記第一エッチングガスがＣＦ_３Ｉを含むことを特徴とする被エッチング膜の加工方法。 （もっと読む）

【課題】活性領域の端部周辺における素子分離領域の形状不良の発生を確実に抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０上に、シリコン酸化膜１２と、シリコン酸化膜１２の幅よりも狭い幅を有するシリコン窒化膜１４とを有するハードマスク２０を形成する工程と、ハードマスク２０をマスクとしてシリコン基板１０をエッチングすることにより、シリコン基板１０に、活性領域２４を画定するトレンチ２６を形成する工程と、トレンチ２６が形成されたシリコン基板１０上に、シリコン酸化膜２８を形成する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】スペースの問題を生じさせずしかも簡単な構造を有する逆止弁を提供すること
【解決手段】流体流路を有する配管２０に設けられ、流体流路に逆流が生じることを阻止する逆止弁４０は、内部に流体流路の一部が形成される筒状体４１と、筒状体４１の内部に設けられ、流体流路を閉塞する閉塞位置と流体流路を開放する開放位置との間で回動可能な弁体４２と、弁体４２を大面積部４２ａと小面積部４２ｂとに二分するように水平に設けられ、弁体４２の回動中心となる回動軸４３と、弁体４２を閉塞位置に係止する係止部材４４とを具備し、大面積部４２ａよりも小面積部４２ｂのほうが大きな質量になるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】対レジスト選択比を向上させ、１．０μｍ以上の深さのエッチングを可能とするとともに、エッチングレートを速め加工時間を短縮することが可能な高誘電体材料の加工方法を提供すること。
【解決手段】フッ素に対する炭素の比の大きいガスを使用し、高密度プラズマ・大流量・高真空プロセスを使用することで対レジスト選択比を向上させ、幅３μｍ、高さ１．５μｍのリッジ加工が可能となる。また、酸素放電による結晶回復、結晶欠陥除去を実施することで光散乱を抑制することができ、光閉じ込めが実現できる。 （もっと読む）

【課題】シリコンとシリコン窒化物とを有する被処理物においてシリコンを選択的にエッチングする。
【解決手段】酸化性エッチャント生成部２０でオゾン等の酸化性反応ガスを生成する。フッ素含有ガスのＣＨ_４と水分とアンモニア含有ガス又は窒素ガスとを混合し、フッ素系エッチャント生成部３０の電極間３１ａにおいて大気圧近傍下でプラズマ化し、ＨＦ等のフッ素系反応ガスとフッ化アンモニウムを含むフッ素系エッチャントを生成する。酸化性エッチャントとフッ化系エッチャントとを混合し、被処理物９０に供給する。 （もっと読む）

【課題】処理効率の低下を抑制することができるアッシング装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ１１内に供給された酸素ラジカルを拡散するシャワー板３１と基板Ｗを載置する基板ステージ２０との間に、多孔板としての金属防止板３４を配設した。この金属防止板３４は、酸素ラジカルの導入側に金属酸化物層からなる第１層と、基板Ｗと対向する側に、チャンバ１１内で処理される基板Ｗにおいて露出した金属よりなる第２層とを備え、酸素ラジカルが通過する貫通孔が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによる樹脂膜のパターン形成方法において、高い選択比が得られる方法の提供。
【解決手段】ドライエッチングによる樹脂膜のパターン形成方法において、レジストとしてノボラック樹脂を用い、エッチングガスとしてハロゲン系ガスを用い、かつ、樹脂膜が含フッ素芳香族系樹脂を含む樹脂膜であることを特徴とするパターン形成方法。特にドライエッチングの圧力範囲が、１〜１００Ｐａであることが好ましい。また前記含フッ素芳香族系樹脂が、フッ素原子が芳香環に直接結合した分子構造を有する含フッ素ポリマーを含むことが好ましい。 （もっと読む）