【課題】粒子が重なり合うことなく単層配列で存在し、被処理物が大面積であっても品質にバラツキが生じ難く、且つ高速に凹凸加工を施すことができ、量産性及び低コスト化に優れた表面処理用マスク及びその製造方法、表面処理方法並びに当該表面処理方法により処理された基板を持つ光学デバイスを提供すること。また、粒子が重なり合うことなく単層配列して存在した粒子含有フィルム及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】フィルムマスクを被処理物表面に配置した後、エッチング処理を施して、被処理物の表面に凹凸を形成するエッチングする表面処理方法に利用される、表面処理用マスクとしてのフィルムマスクを、基材上に結着剤及びゲル化剤を含む第１塗布層と粒子を含む第２塗布層とをこの順で略同時に塗布形成し、前記第１塗布層をゲル化させた後、前記第１塗布層及び前記第２塗布層を乾燥させて、前記フィルムマスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマ処理において、フッ素原料の回収率又は回収濃度の変動を抑制し、処理の安定性を確保する。
【解決手段】大気圧プラズマ処理部２から排出ライン３０に出された排出ガスを、分離部４０の分離膜４１で回収ライン５０への回収ガスと放出ライン６０への放出ガスに分離する。回収ガスをプロセスガスの少なくとも一部に充てる。上記分離に際し、フッ素系原料の回収率及び回収濃度のうち何れか一方又は両方が所望になるよう、回収ガス、放出ガス、排出ガスのうち少なくとも２つのガスの上記分離に係る物理量（好ましくは圧力）をプロセスガスの流量に応じて調節する。 （もっと読む）

【課題】下地膜のエッチングを抑制しつつ、シリコン含有膜を残渣無く、かつ高レートでエッチングする。
【解決手段】フッ素系反応成分を含む処理ガスを被処理物９０に接触させ、下地膜９２上のシリコン含有膜９３をエッチングする。フッ素系反応成分は、フッ素系原料（ＣＦ_４）を含むフッ素系原料ガスを大気圧近傍のプラズマ空間４３に通して生成する。原料含有率調節部３７によってフッ素系原料ガス中のフッ素系原料の含有率をエッチングの進行に応じて変化させる。 （もっと読む）

【課題】優れたエッチング選択性及び微細加工性を示し、高密度プラズマ下においてもエッチング速度とエッチング選択性のバランスに優れたドライエッチングが可能であり、また、加熱処理を施しても応力緩和の小さいフルオロカーボン膜を成膜可能なプラズマ反応用ガスを提供すること。
【解決手段】パーフルオロ−(３−メチレンシクロペンテン)を含有してなるプラズマ反応用ガス。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりを高めることが可能なＧａＮ系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明によるＧａＮ系半導体素子の製造方法は、ＧａＮ系半導体層（２〜４）の積層体９を、所定深さまでドライエッチングによりエッチングするＧａＮ系半導体素子１０の製造方法であって、エッチング装置内の到達真空度を２×１０^−３Ｐａ以下にした後、反応ガスを供給することにより所定圧力まで高めた状態で、ドライエッチングにより積層体９をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】個々のメモリセルの電荷蓄積量が多い不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１上に、それぞれ複数の絶縁膜１２及び電極膜１３を交互に積層して積層体１４を形成する。次に、積層体１４を積層方向に貫通する貫通孔１５を形成する。このとき、貫通孔１５における電極膜１３内に位置する部分の側面１５ａを、貫通孔１５の中心軸１５ｃを含む断面において、貫通孔１５の内側から見て凹状に湾曲させる。その後、貫通孔１５の側面上に電荷蓄積層２６を形成し、貫通孔１５の内部に半導体ピラー１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】１つの装置にて、２つ以上の工程を連続して行うことにより、デバイスを従来より短時間で、しかも効率的かつ低コストにて製造することが可能な強誘電体メモリ等のデバイスの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】製造方法は、基板上１１に下部電極層となる第１の電極層１５を形成する第１の工程と、第１の電極層１５上に強誘電体層１６を形成する第２の工程と、強誘電体層１６上に上部電極層となる第２の電極層１７を形成する第３の工程と、第２の電極層１７上に所定のレジストパターン２１を有するマスク２０を形成する第４の工程と、マスク２０を用いて第１の電極層１５、強誘電体層１６及び第２の電極層１７を選択除去し記憶素子を形成する第５の工程と、マスク２０を除去する第６の工程と、を含み、少なくとも、第４の工程及び第５の工程、または第５の工程及び第６の工程を、減圧下にて連続して行う。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の孔または溝を穿孔する。
【解決手段】酸化シリコンからなる絶縁膜１に対して、Ｃ₅Ｆ₈、Ｏ₂およびＡｒのエッチングガスを用いプラズマエッチング処理を施し、絶縁膜１を選択的にエッチングすることにより、絶縁膜１に孔３を穿孔する際に、最初は、ポリマー層のデポジション性が弱い条件でエッチング処理を行い、続いてポリマー層のデポジション性が強い条件に切り換えてエッチング処理を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ成膜装置のチャンバーおよび排気管路内に堆積した堆積物を除去する場合において、ハイドロフルオロカーボンガスと酸素との混合ガスをクリーニング用ガスとして使用してプラズマ処理によりクリーニングする際に、アーキングの発生を抑えてチャンバー内の各種パーツを損傷せず、成膜異常などが生じないようにする。
【解決手段】クリーニング用ガスとして、ハイドロフルオロカーボンガスと酸素と解離性ガスを含み、解離性ガスの割合がハイドロフルオロカーボンガスと酸素の合計量の５〜１０ｖｏｌ％である混合ガスを用いて、プラズマ処理する。ハイドロフルオロカーボンガスとしてペンタフルオロエタンガスが好ましく、解離性ガスには、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_８、ｃ−Ｃ_４Ｆ_８、ＮＦ_３、Ｎ_２Ｏのいずれか１種以上が好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセス装置内においてハロゲン含有化学種に晒されたアルミニウム物品の腐食を避ける手段を提供する。
【解決手段】最適なマグネシウム含有量を有するアルミニウム−マグネシウム合金をハロゲン含有化学種に晒した際には、該物品の表面下にハロゲン化マグネシウムの保護層５１２が形成される。該保護層は、ハロゲンが基部アルミニウムに浸透するのを防止し、腐食および「ひび割れ」から保護する。ハロゲン化マグネシウム層を摩耗から保護するには、ハロゲン化マグネシウム層の上に、硬い凝集性のコーティング５１４を有していることが好ましい。好ましいコーティングは、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムである。アルミニウム物品のマグネシウム含有量は、該物品全体で、あるいは少なくとも耐腐食性とされるべき表面下の領域で、約０．１重量％〜１．５重量％である。該アルミニウムの不純物含有量は、０．２％未満であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】１回の作業工程で精度の高い平坦化を実現し作業効率の向上を図ることのできる放電プラズマ処理装置の表面加工方法、印加電極及び放電プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】放電プラズマＰはホロー放電プラズマＰｈとグロー放電プラズマＰｇを形成する。放電プラズマＰの中心部に形成されたホロー放電プラズマＰｈにて、基板１４の処理面１４ａを深堀加工する。このとき、ホロー放電プラズマＰｈによる深堀加工によって形成される基板１４の処理面１４ａの凹凸を、ホロー放電プラズマＰｈの外周部に形成されたグロー放電プラズマＰｇによってその凸部をエッチングすることから、高精度の基板を平坦化することができる。しかも、放電プラズマＰはホロー放電プラズマＰｈとグロー放電プラズマＰｇを同時に形成し、同時進行で基板１４をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】電極間における異常放電を抑制することによって、プラズマ処理の処理効率を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ステージ電極２の各外周面２ｂから距離ｄだけ基板Ｗが突出するように、ステージ電極２を形成し、基板Ｗが位置決めされたステージ電極２を対向電極３側から見たときに、ステージ電極２の電極面２ａが基板Ｗによって覆われるようにする。また、ステージ電極２の外周面２ｂに誘電体膜９を設ける。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に用いられる基板の表面にセル形成用のフィンガー電極用の凹溝をより細い溝幅にて直接且つ均一に形成するプラズマ加工方法とその装置を提供する。
【解決手段】大気圧より大なる作動ガス含有雰囲気ガス中において、被加工物載置用放電電極１上に被加工物１０を設置し、前記被加工物載置用放電電極１に対向して配置された対向放電電極２の被加工物１０側の面に設けられ、背後電極３ｂが内蔵された固体誘電体３を被加工物１０に接触させて配置し、前記電極１、２間に高電圧を印加して固体誘電体３の側面に沿面放電プラズマＰを発生させ、該沿面放電プラズマＰにより固体誘電体３の被加工物１０との接触縁に沿って被加工物１０の表面に表面加工線状部１０ａを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理時間を短縮し、かつ下地膜のエッチングを抑制しつつ、シリコン含有膜を残渣無くエッチングする。
【解決手段】フッ素系反応成分と、Ｈ_２Ｏ又はＯＨ基含有化合物とを含む処理ガスを被処理物９０に接触させ、シリコン含有膜９３をエッチングする。処理ガス中のＨ_２Ｏ又はＯＨ基含有化合物の含有率をエッチングの進行に応じて変化させる。好ましくは、シリコン含有膜のエッチングすべき部分の大半をエッチングする第１エッチング工程では上記含有率を高くし、残りのシリコン含有膜をエッチングする第２エッチング工程では上記含有率を低くする。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜に対するポリシリコン膜の選択比を大きくすることができ、且つシリコン基材におけるリセスの発生を抑制することができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン基材３５上にゲート酸化膜３６、ポリシリコン膜３７及び開口部３９を有するハードマスク膜３８が順に形成され、開口部３９に対応するポリシリコン膜３７のトレンチ４０内には自然酸化膜４１が形成されているウエハＷにおいて、自然酸化膜４１をポリシリコン膜３７がトレンチ４０の底部に露出するまでエッチングし、雰囲気の圧力を１３．３Ｐａに設定し、処理空間Ｓ２へＯ_２ガス、ＨＢｒガス及びＡｒガスを供給し、バイアス電圧の周波数を１３．５６ＭＨｚに設定してＨＢｒガスから発生したプラズマによってポリシリコン膜３７をエッチングして完全に除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明はプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内の上部に設けられた上部電極と、前記チャンバ内の下部に前記上部電極と対向配置されて前記基板のベベルエッチング工程で前記基板のベベルが露出するように支持する下部電極と、前記上部電極と下部電極との間に設けられて前記基板の裏面エッチング工程で前記基板裏面の中央領域を露出するように支持する基板支持部と、前記基板の裏面エッチング工程で前記基板支持部を移動させて前記基板を前記基板支持部から分離させる移動部材と、を含む。 （もっと読む）

【課題】シリコンのエッチング処理において、雰囲気ガスの巻き込みを防止したり、処理ガスが系外に漏洩したりするのを防止する。
【解決手段】ノズルヘッド２０の被処理物９と対向すべき対向面２３に、処理ガスを噴出する噴出口２１と、ガスを吸引する吸引口２２を移動方向ａに離間させて形成する。被処理物９を、対向面２３と平行に対向する仮想の面ＰＬに沿ってノズルヘッド２０に対し移動方向ａに相対移動させる。ノズルヘッド２０の移動方向ａの端部にガス遮蔽凸部２４ａを設ける。ガス遮蔽凸部２４ａは、対向面２３より仮想面ＰＬの側へ突出するとともに、仮想面ＰＬに沿って移動方向ａと交差する方向に延びている。 （もっと読む）

【課題】ワークにプラズマ処理を施す際に、そのワークの一部に処理痕を形成することにより、この処理痕を検出することによって、プラズマ処理の際の条件を推定可能にするプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理方法は、有効領域１０１ａの全面にエッチング加工を施す方法であって、［１］ワーク１０をプラズマ処理装置の載置部に載置する準備工程と、［２］ワーク１０の非有効領域１０１ｂに処理痕１１０を形成する第１の処理痕形成工程と、［３］有効領域１０１ａにプラズマ処理を施す本処理工程と、［４］非有効領域１０１ｂに処理痕１２０を形成する第２の処理痕形成工程とを有する。各処理痕１１０、１２０の凹部の深さから、各処理痕１１０、１２０を形成する際のエッチング条件を算出することができるので、これにより、本処理におけるエッチング条件を推定することができる。 （もっと読む）

マイクロ波源の可動位置及びマイクロ波源へのパルス状電力などの付加的な処理パラメータを導入して、マイクロ波源の支援により作動範囲及び処理ウィンドウを拡大することにより、向上した膜特性を実現するためのシステムを開示する。同軸マイクロ波アンテナを用いてマイクロ波を放射して、物理的気相成長（ＰＶＤ）又は化学的気相成長（ＣＶＤ）システムを支援する。システムは同軸マイクロ波アンテナを処理チャンバの内部で使用してもよく、この同軸マイクロ波アンテナは、基板と、スパッタリングターゲット、平面状容量生成プラズマ源、又は誘導結合源のようなプラズマ源との間で移動できるようになっている。マイクロ波プラズマ源だけが存在している特別な場合では、マイクロ波アンテナの位置は基板に対して移動できる。プラズマ源に隣接した同軸マイクロ波アンテナは、より均一にイオン化を促進することができるとともに、大面積全体を覆って実質的に均一な堆積を可能にする。
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【課題】この発明は、ＣＦ_４以外の最適なフッ素系ガスを使用すると共にプラズマ処理能力を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】この発明は、処理ワークが配される処理空間と、該処理空間内にガスを導入するガス導入手段と、前記処理空間内に放電プラズマを形成するプラズマ生成手段とによって少なくとも構成されるプラズマ処理装置において、前記処理空間に導入されるガスは、フッ化カルボニル（ＣＯＦ_２）又はトリフルオロメタン（ＣＨＦ_３）を含むガスであり、このガス圧力は、０．００１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒの範囲内であることを特徴とするものである。 （もっと読む）