半導体基板が半導体基板支持部上に支持されたベベルエッチング装置内において、プラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行う際にアーク放電を防止する方法は、３〜１００Ｔｏｒｒの圧力までベベルエッチング装置を排気した状態で、ウェーハにおいて見られるＲＦ電圧を、アーク放電が回避される十分に低い値に維持しつつ、ベベルエッチング装置においてプラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行うステップを備える。 （もっと読む）

【課題】ワークを加工精度を向上させることが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】放電用ガスに励起電圧を印加してプラズマを発生させ、前記プラズマを照射してワークを加工するプラズマ処理装置であって、前記プラズマを前記ワークに向けて噴射する噴射口及び前記噴射口の周囲の空間を吸引する吸引口を有するプラズマ発生機構と、前記プラズマ発生機構と前記ワークとを相対移動させる移動機構と、少なくとも前記ワークの目標形状データと、前記ワークの加工前形状データと、前記プラズマ発生機構の加工量データと、前記プラズマ発生機構を用いた加工後の前記ワークの形状に基づく加工分布データとに基づいて前記ワークの加工計画データを生成し、前記加工計画データに基づいて前記ワークの加工を行わせる制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内部のハードウェアに対してダメージを生じさせないインシチュウ・クリーニング方法及び装置を提供する。
【解決手段】電子デバイス製作に用いられる堆積チャンバー１０のクリーニング方法は、以下のステップを含む：堆積チャンバーの外部にある遠隔チャンバー４６に、前駆体ガス４４を供給する；遠隔チャンバー４６内で該前駆体ガス４４を活性化させて反応性の化学種を形成する；遠隔チャンバー４６から堆積チャンバー１０へ該反応性の化学種を流す；および、遠隔チャンバー４６から堆積チャンバー１０へ流れ込んだ反応性の化学種を用いて、堆積チャンバー１０の内部をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】表面下損傷を生じさせないで取扱い困難な材料を造形して仕上げる作製装置及び方法を提供する。
【解決手段】この装置及び方法は、例えば融合状態にあるシリカと単結晶シリコン、炭化ケイ素及び他の材料のサブアパーチュアポリッシャとして大気圧混合ガスプラズマ放出物を用いる。一例では、加工物の材料をフッ素原子との反応により原子レベルで除去する。この例では、これら反応性化学種は、希ガスプラズマによって、ホースアルゴンマトリックスに添加された微量成分としてのフルオロカーボン又は他のフッ素含有ガスから作られる。反応生成物は、加工物の表面から流れ、新たな材料を縮合及び新たに生じた表面上への再付着が生じることなくエッチング剤に露出させる気相化合物である。放出物により計算された経路に沿って加工物を横切ってプラズマを移動させることにより、所定の表面の生成を可能にする反応性化学種の安定且つ予測可能な分布が得られる。 （もっと読む）

【課題】被処理面の加工精度を向上させることが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】放電用ガスに励起電圧を印加してプラズマを発生させる電極と、被処理面との間で相対的に移動可能に設けられ、前記プラズマを前記被処理面に噴射する噴射機構と、前記プラズマの噴射方向を回転軸方向として前記電極を回転移動させる回転機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】ワークの加工精度を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】ワークを保持して移動可能なステージ装置と、前記ワークに光を照射し、前記ワークからの反射光を用いて前記ワークの形状に関する情報を取得する取得装置と、前記ワークにプラズマを照射し、前記情報を用いて前記ワークを加工する加工装置と、前記取得装置及び前記加工装置のそれぞれに前記ステージ装置をアクセスさせる制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】金属膜がアンダカットされることもなく、また、金属膜と酸化物膜とが階段形状になることもなく、エッチング面が垂直形状となるようにする多層膜のエッチング方法の提供。
【解決手段】基板上に設けられた少なくとも１種の金属膜と少なくとも１種の酸化物膜とからなる多層膜をエッチングする方法であって、エッチングガスとして、プラズマ中でラジカルを発生するガスとプラズマ中でイオンを発生するガスとを用いて行う。 （もっと読む）

基板から有機材料を除去するための基板工程のプラズマ灰化方法は、フォトレジスト、埋没したフォトレジスト、高分子及び／又は残留物を基板から選択的に除去するために基板にプラズマをさらす工程を一般的に含み、上記プラズマは酸素ガス及び窒素ガスからなる混合ガスのプラズマから算出される活性窒素及び活性酸素の比率よりも大きい活性窒素及び活性酸素の比率からなる。上記プラズマは基板酸化及びドーパント漂白を最小限にする及び／又は妨げるが、高い処理能力を示す。プラズマ装置についても同様に記載されている。
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【課題】
本発明は、プラズマ処理装置のクリーニング方法であり、プラズマ処理室表面を効率良く清浄化し、スループットを向上できるプラズマ処理装置のクリーニングの方法を提供する。また、クリーニング中にウエハを設置する電極表面がプラズマに曝されないので電極の劣化を防止することができる。更に、クリーニングと同時に被処理体である低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）上に形成されたレジストマスクを除去する方法を提供する。
【解決手段】
スループットを向上させる手法として、ＣｘＦｘ系ガスを用いてエッチングされた低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）を、そのまま下部電極に載置した状態でＣＯ₂ガスによりプラズマクリーニングを行い、プラズマ処理室表面に付着したデポ物を除去する。この時、同時にＬｏｗ−ｋ膜上にパターニングされたレジストマスクを除去できるため、処理時間の大幅な短縮化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ウエハのような大型でかつ薄いワークを用いた場合であっても、割れを防止しつつ、十分な加工量でワークの縁部の角に面取り加工を施すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１は、板状のワーク１０を支持する支持部４と、支持部４に支持されたワーク１０の縁部１０２付近に、互いの離間距離が当該ワーク１０の中央部側から縁部１０２側に向けて漸減するように対向配置された第１の電極２１および第２の電極２２と、第１の電極２１と第２の電極２２との間に処理ガスを供給する処理ガス供給手段６と、第１の電極２１と第２の電極２２との間へ通電する通電手段７とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ＨＤＩＳ用のフォトレジスト及びイオン注入関連残留物を剥離する改善された方法及び装置を提供する。
【解決手段】 元素水素、弱酸化剤、及びフッ素含有ガスを用いてプラズマが生成される。プラズマ源の下流側及びガス混合物を反応チャンバ内へと導くシャワーヘッドの上流側において不活性ガスがプラズマに導入される。反応チャンバ内では、ガス混合物が高用量注入されたレジストと反応する。このプロセスは、高剥離レートでクラストとバルクレジスト層の両方を除去し、ワークピースの表面には実質的に残留物が残らず、また、シリコン損失も少ない。 （もっと読む）

【課題】小型で、ワークの被処理面を局所的かつ連続的に安定してプラズマ処理することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１は、板状のワーク１０を保持する保持部４と、保持部４に保持されたワーク１０の被処理面１０１に対面するように設置された第１の電極２１と、保持部４に保持されたワーク１０の被処理面１０１と反対側の裏面１０２の一部に対面するように設置された第２の電極２２と、第２の電極２２をワーク１０１の裏面１０２に沿って移動させる移動手段５と、ワーク１０の被処理面１０１上に処理ガスを供給する処理ガス供給手段６と、第１の電極２１と第２の電極２２との間へ通電する通電手段６とを有する。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置のノズルを処理槽から分離可能とし、かつ、処理槽内のガスが処理槽の設置口の周縁部とノズルとの間を通って外部に漏れるのを防止する。
【解決手段】処理槽１０により、被処理物９の処理空間１９を囲む。ノズル２０を処理槽１０の設置口１３を介し処理空間１９に臨ませ、処理空間１９に処理ガスを供給する。ノズル２０を処理槽１０に対し分離可能又は移動可能にする。処理槽１０の設置口周縁部１４とノズル２０との間を環状のシール部材３０によって気密に塞ぐ。好ましくは、シール部材３０を、柔軟性及び伸縮性を有するシート状にし、設置口周縁部１４とノズル２０とで作る環状の空間１３ａに張り渡す。 （もっと読む）

【課題】Si層と下地層としてのSiO₂層を有する基板に貫通ビアを形成するドライエッチングにおいて、貫通ビアの開口部付近の側壁の角部ないし肩部を確実なくす。
【解決手段】基板７はSi層２１、SiO₂層２２、フォトレジストマスク２４を少なくとも備える。少なくともSF₆とO₂を含む混合ガスを使用したドライエッチングによりSi層２１を貫通する貫通ビア３１を形成する。次に、アッシングによりフォトレジストマスク２４を除去する。さらに、高C/F比のフルオロカーボン系ガスを含むガスを使用したドライエッチングによりSiO₂層２２をエッチングし、それによって貫通ビア３１がSiO₂層２２を貫通する。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の通常運転時には排出ガスから処理ガス成分を回収する負荷を軽減し、異常発生時には安全性を確保する。
【解決手段】被処理物９を搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。第１排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。再利用部５０によって、排出ガスから処理ガス成分を回収し、供給系３０に送る。異常時には、第２排気系６０によって処理槽１０内のガスを第１排気系４０より大きな流量で排出する。 （もっと読む）

【課題】表面処理用ノズル装置から処理ガスが漏洩するのを防止する。
【解決手段】ノズル装置３の板状の供給溝形成部材１１の主面１１ｆに処理ガス供給溝４０を形成し、主面１１ｆを被覆部材１２で覆い、処理ガス供給溝４０に処理ガスの供給手段４を接続する。開口溝部４２を供給溝形成部材１１の主面１１ｆと交差する先端面に開口させる。更に主面１１ｆ又は被覆部材１２の被覆面１２ｒの処理ガス供給溝４０より外側の部分に外側溝８０を形成し、外側溝８０をガス吸引手段５に接続する。 （もっと読む）

【課題】表面処理用の処理槽に設けた、被処理物の出し入れ用の開口でのガスの流れを安定させる。
【解決手段】被処理物９を搬送方向に沿って搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。開口１３，１４を、互いに上記搬送方向と直交する対向方向に対向距離Ｄを隔てて対向する一対の整流面１７，１８によって画成する。開口１３，１４の上記搬送方向に沿う奥行きＬを、対向距離Ｄの２倍以上とし、好ましくは６倍以上とする。 （もっと読む）

【課題】被処理物を表面処理する処理槽から処理ガスが漏れるのを防止し、かつ処理空間での処理ガスの流れを安定化する。
【解決手段】被処理物９を搬送手段２０によって搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。このガス排出によって外部のガスが開口１３，１４を通して処理槽１０の内部に流入する。この流入ガスの平均流速が、０．１ｍ／ｓｅｃ以上、かつ流入ガスが処理空間１９に達する大きさ未満になるよう設定する。 （もっと読む）

【課題】粒子が重なり合うことなく単層配列で存在し、被処理物が大面積であっても品質にバラツキが生じ難く、且つ高速に凹凸加工を施すことができ、量産性及び低コスト化に優れた表面処理用マスク及びその製造方法、表面処理方法並びに当該表面処理方法により処理された基板を持つ光学デバイスを提供すること。また、粒子が重なり合うことなく単層配列して存在した粒子含有フィルム及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】フィルムマスクを被処理物表面に配置した後、エッチング処理を施して、被処理物の表面に凹凸を形成するエッチングする表面処理方法に利用される、表面処理用マスクとしてのフィルムマスクを、基材上に結着剤及びゲル化剤を含む第１塗布層と粒子を含む第２塗布層とをこの順で略同時に塗布形成し、前記第１塗布層をゲル化させた後、前記第１塗布層及び前記第２塗布層を乾燥させて、前記フィルムマスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】粒子が重なり合うことなく単層配列で存在し、被処理物が大面積であっても品質にバラツキが生じ難く、且つ高速に凹凸加工を施すことができ、量産性及び低コスト化に優れた表面処理用マスク及びその製造方法、表面処理方法並びに当該表面処理方法により処理された基板を持つ光学デバイスを提供すること。また、粒子が重なり合うことなく単層配列して存在した粒子含有フィルム及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】粒子及び粒子よりも体積量が小さい結着剤とを含み且つ粒子が露出した粒子層と結着剤を含み且つ露出した粒子を覆う結着剤層と、を含んで構成されるフィルムマスクを被処理物表面に配置した後、エッチング処理を施して、被処理物の表面に凹凸を形成するエッチングする表面処理方法。また、当該表面処理方法に用いるフィルムマスクを有する表面処理用マスク及び製造方法並びに表面処理方法により得られる基板を持つ光デバイス。 （もっと読む）